1.一種傳感器裝置，具備：
傳感器元件，其電氣特性根據(jù)物理量產(chǎn)生變化；
信號處理電路，其處理所述傳感器元件的輸出信號；
第一晶體管元件，其向所述傳感器元件和所述信號處理電路提供電流；
控制電路，其控制所述第一晶體管元件的基極電流；
電源端子；以及
接地端子，
該傳感器裝置的特征在于，所述控制電路具備：
限制部，其限制從所述接地端子流向所述第一晶體管元件的基極端子的電流。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器裝置，其特征在于，
所述控制電路具備：第二晶體管元件，其使電流流向所述接地端子，
所述限制部具備二極管元件，所述二極管元件將陽極與所述第一晶體管元件的基極連接，并將陰極與所述第二晶體管元件連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器裝置，其特征在于，
所述控制電路具備：第二晶體管元件，其使電流流向所述接地端子，
所述限制部具備P型場效應(yīng)晶體管，
將所述P型場效應(yīng)晶體管的阱、柵極以及漏極連接到所述第二晶體管元件，將所述P型場效應(yīng)晶體管的源極連接到所述第一晶體管元件的基極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器裝置，其特征在于，
所述控制電路具備：第二晶體管元件，其使電流流向所述接地端子，
所述限制部具備N型場效應(yīng)晶體管，
將所述N型場效應(yīng)晶體管的源極連接到所述第二晶體管元件，
將所述N型場效應(yīng)晶體管的阱、柵極以及漏極連接到所述第一晶體管元件的基極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器裝置，其特征在于，
所述控制電路具備：第二晶體管元件，其使電流流向所述接地端子，
所述限制部具備NPN晶體管，
將所述NPN晶體管的發(fā)射極連接到所述第二晶體管元件，
將所述NPN晶體管的基極以及集電極連接到所述第一晶體管元件的基極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器裝置，其特征在于，
所述控制電路具備：第二晶體管元件，其使電流流向所述接地端子，
所述限制部具備PNP晶體管，
將所述PNP晶體管的基極以及集電極連接到所述第二晶體管元件，
將所述PNP晶體管的發(fā)射極連接到所述第一晶體管元件的基極。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器裝置，其特征在于，
所述控制電路具備：第二晶體管元件，其使電流流向所述接地端子，
所述限制部具備：電阻元件，其連接所述第二晶體管元件的阱和接地端子。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器裝置，其特征在于，
所述控制電路具備：
第二晶體管元件，其使電流流向所述接地端子；
分壓用電阻元件；以及
開關(guān)部，
在所述分壓用電阻元件的一端與所述接地端子之間連接所述開關(guān)部，
檢測到負(fù)電壓被施加到所述電源端子后切斷所述開關(guān)部。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的傳感器裝置，其特征在于，
所述開關(guān)部是N型場效應(yīng)晶體管。
10.根據(jù)權(quán)利要求1～9的任一項(xiàng)所述的傳感器裝置，其特征在于，
所述第一晶體管元件具備第一N型阱，
所述信號處理電路具備第二N型阱，
所述傳感器裝置具備P型襯底或P型阱，
在所述第一N型阱與所述第二N型阱之間設(shè)置隔離區(qū)域，以使由所述第一N型阱、所述第二N型阱以及所述P型襯底或所述P型阱所構(gòu)成的寄生雙極型晶體管的電流放大率α在0.5以下。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的傳感器裝置，其特征在于，
所述隔離區(qū)域的長度在100微米以上。