本發(fā)明涉及電源管理技術領域，具體涉及到一種用于低壓差線性穩(wěn)壓器的抑制過沖電路。

背景技術：
低壓差線性穩(wěn)壓器(簡稱LDO)具有結構簡單、低輸入輸出電壓、低噪聲等優(yōu)點，因而被廣泛應用在便攜式電子產品設備中。隨著當今電子產品的發(fā)展，對LDO的性能也提出了新的要求：更低的功耗，更好的瞬態(tài)響應，更高的集成度。針對負載變化很大的應用場合，要求LDO對瞬態(tài)響應非常快，盡可能在負載變化的時候保持輸出電壓的穩(wěn)定。對于應用LDO較多的便攜式產品中，負載電流突變的情況很普通，所以對LDO的負載瞬態(tài)響應的研究越來越受到重視。傳統(tǒng)的LDO的電路結構如圖1所示，需在輸出端Vout額外增加一個大的輸出電容Cout，其電容的值達到μF級。這種結構雖然穩(wěn)定，而且負載瞬態(tài)響應好，但是增加的外圍輸出電容使得芯片的使用更加復雜，LDO的零極點不容易控制。如圖2所示，現(xiàn)階段，無片外電容型的LDO結構由于節(jié)省了片外的大電容，結構簡單，成為了研究的熱點。在無片外電容型的LDO的設計中，由于在輸出端沒有大電容，在負載變化時，其輸出相對于傳統(tǒng)LDO受到的影響更大，因此設計時要尤其注意LDO的瞬態(tài)響應性能?，F(xiàn)在已經提出了很多瞬態(tài)增強電路來提高無片外電容的LDO的瞬態(tài)響應。但是這些傳統(tǒng)的LDO瞬態(tài)響應增強電路結構十分復雜，功耗比較大，容易對電路的穩(wěn)定性造成影響。

技術實現(xiàn)要素：
本發(fā)明為克服上述現(xiàn)有技術所述的至少一種缺陷，提供一種用于低壓差線性穩(wěn)壓器的抑制過沖電路，具有結構簡單，低功耗，響應快的特點。為解決上述技術問題，本發(fā)明的技術方案如下：一種用于低壓差線性穩(wěn)壓器的抑制過沖電路，包括依次連接的運算電壓檢測電路單元、過沖抑制電路單元和偏置電路單元；所述電壓檢測電路單元用于檢測輸出電壓變化；所述偏置電路單元為過沖抑制電路單元提供偏置電壓；所述過沖抑制電路單元用于產生輸出電容的放電電流，從而抑制輸出過沖。在一種優(yōu)選的方案中，所述的電壓檢測電路單元包括電容Cm，電容Cm的第一端與低壓差線性穩(wěn)壓器的輸出端連接，電容Cm的第二端與過沖抑制電路單元連接。電容Cm即為密勒補償電容，密勒補償電容在起LDO環(huán)路中頻率補償作用的同時也可以探測輸出電壓的變化，從而省掉了額外電壓檢測電容的使用，減小電路面積。在一種優(yōu)選的方案中，所述的過沖抑制電路單元部分包括NMOS管M1、M5和M6，還包括PMOS管M2和M3，M1的柵極接所述電容Cm的第二端，M1的源極接地，M1的漏極接M2的漏極，M2和M3以電流鏡結構連接，即M2的漏極、柵極與M3的柵極連接，M2和M3的源極接電源，M3的漏極與的M5漏極連接，M5的源極接地，M5的柵極與偏置電路單元的偏置電壓輸出端連接。M1的寬長比非常小，在穩(wěn)態(tài)...