本實(shí)用新型涉及一種電氣、電氣元件、電器電路領(lǐng)域的安全保護(hù)裝置，特別是涉及一種溫控保護(hù)裝置。

背景技術(shù)：

隨著電氣化產(chǎn)品的日新月異，電氣、電氣元件、電器電路領(lǐng)域的安全問題也成為各國政府和科研工作者研究的首要問題，而溫控保護(hù)又是解決這一問題的重要途徑，其主要采用電子電氣元件、傳感器、執(zhí)行元件來達(dá)到目的，雖然能達(dá)到效果，但成本高、可靠性差、體積大。特別在狹小空間，同時對斷路、泄壓力量要求高的環(huán)境往往無能為力，雖然有用記憶合金螺旋彈簧完成這一動作的現(xiàn)有技術(shù)，但問題在于，狹小空間內(nèi)，彈簧空載高度很大，彈簧壓縮后兩端蜷縮于關(guān)聯(lián)部件之間。記憶合金彈簧在As奧氏體溫度開始點(diǎn)到Af奧氏體溫度結(jié)束點(diǎn)的區(qū)間時，隨著系統(tǒng)溫度升高，彈簧彈力也是在不斷加大，從而造成關(guān)聯(lián)部件長時間處于高應(yīng)力中。而這一溫度又屬于安全溫度范圍內(nèi)，在安全溫度范圍內(nèi)的長時間的高應(yīng)力，會導(dǎo)致關(guān)聯(lián)部件失穩(wěn)，影響控制精度，甚至斷裂，導(dǎo)致系統(tǒng)崩潰。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型為克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題而提供溫控保護(hù)裝置，該溫控保護(hù)裝置可以可靠的實(shí)現(xiàn)電氣元件的斷路。

一種溫控保護(hù)裝置，包括刻痕片、記憶合金環(huán)和定位座，刻痕片的一側(cè)面設(shè)有環(huán)形的刻痕凹槽，記憶合金環(huán)設(shè)置在刻痕片的背離刻痕凹槽的一側(cè)面，記憶合金環(huán)的內(nèi)徑邊緣設(shè)置在刻痕凹槽的槽底的反面，記憶合金環(huán)在常溫時朝向刻痕片的一面為平面，記憶合金環(huán)以受熱后的凸起變形方向朝向刻痕片的方式設(shè)置在定位座中，記憶合金環(huán)與定位座以徑向定位、軸向定位的方式連接。

通過將記憶合金環(huán)設(shè)置成朝向刻痕片變形的方式，將刻痕的槽底頂破，可以斷開刻痕片的刻痕內(nèi)外兩側(cè)的區(qū)域，實(shí)現(xiàn)了斷路，避免了元件持續(xù)發(fā)熱而導(dǎo)致的爆炸等問題。提高了電氣元件的安全性。

優(yōu)選的技術(shù)方案，其附加特征在于：刻痕片的背離刻痕凹槽的一側(cè)面置于電極或呈柱狀設(shè)置的反應(yīng)片上，刻痕片的設(shè)有刻痕凹槽的一側(cè)面的位于刻痕凹槽內(nèi)的區(qū)域被壓蓋壓住。

通過將刻痕片的遠(yuǎn)離記憶合金環(huán)的一側(cè)面被壓蓋壓住，配合記憶合金環(huán)在變形的時候頂住刻痕凹槽的反面，從而將刻痕片在二者的作用下被切斷。

進(jìn)一步優(yōu)選的技術(shù)方案，其附加特征在于：定位座與壓蓋以相對固定的方式設(shè)置。

再進(jìn)一步優(yōu)選的技術(shù)方案，其附加特征在于：記憶合金環(huán)在受熱后的凸起變形朝向刻痕片的角為直角。

通過設(shè)置為直角，可以在凹槽的背面區(qū)域產(chǎn)生較大的壓強(qiáng)，有利于將刻痕片直接切斷。

更進(jìn)一步優(yōu)選的技術(shù)方案，其附加特征在于：記憶合金環(huán)的外壁嵌入到定位座上設(shè)置的子口中。

在記憶合金環(huán)變形向刻痕片拱起的時候，記憶合金環(huán)的內(nèi)壁的下邊緣的內(nèi)徑會縮小，不宜采用從內(nèi)側(cè)定位的方式。由于采用外壁嵌入子口的從外側(cè)定位方式，有利于保證記憶合金環(huán)與刻痕片的刻痕凹槽相對位置精度，從而有利于將作用力集中在刻痕片的薄弱之處，同時，也不會損壞記憶合金環(huán)內(nèi)的部件。

進(jìn)一步優(yōu)選的技術(shù)方案，其附加特征在于：壓蓋在刻痕片的位于刻痕凹槽外的相對的區(qū)域與刻痕片的位于刻痕凹槽外的區(qū)域之間留有第一縫隙，第一縫隙的寬度大于記憶合金環(huán)在受熱時的變形量。

通過設(shè)置第一縫隙，并且使得第一縫隙的寬度大于記憶合金環(huán)的變形量，從而能夠讓記憶合金環(huán)在變形的時候有足夠的變形空間，以充分釋放變形量，從而能夠?qū)⒖毯燮M可能的徹底剪斷。

優(yōu)選的技術(shù)方案，其附加特征在于：電極或反應(yīng)片的外側(cè)還設(shè)置有絕緣套。

絕緣套可以防止記憶合金環(huán)與電極或反應(yīng)片導(dǎo)通，在刻痕片已經(jīng)被切斷的時候仍處于電連通而導(dǎo)致刻痕片的保護(hù)裝置失靈。從而提高了裝置的可靠性。

進(jìn)一步優(yōu)選的技術(shù)方案，其附加特征在于：絕緣套與定位座一體成型。

通過將絕緣套與定位座一體成型，減少了零件的數(shù)量，降低生產(chǎn)成本。

優(yōu)選的技術(shù)方案，其附加特征在于：記憶合金環(huán)的厚度為0.1-5mm。

優(yōu)選的技術(shù)方案，其附加特征在于：刻痕片的中部設(shè)有弧形凹陷或弧形凸起，電極或反應(yīng)片的朝向刻痕片的一端和/或壓蓋朝向刻痕片的端面的形狀與所述弧形凹陷或弧形凸起匹配。

通過在刻痕片上設(shè)置弧形凹陷或弧形凸起，并且在電極或反應(yīng)片和壓蓋上設(shè)置相應(yīng)的匹配形狀，可以夾緊該弧形凹陷或弧形凸起。在記憶合金環(huán)變形、將刻痕片切斷的過程中，特別是已經(jīng)將凹槽的一部分切斷，對剩余一部分進(jìn)行剪切的時候，記憶合金環(huán)會對刻痕片產(chǎn)生一定的橫向的拉扯作用，刻痕片可能會跟隨記憶合金環(huán)向一個方向移動。但是刻痕片已經(jīng)被壓蓋和電極或反應(yīng)片夾住，將無法產(chǎn)生這樣的橫向移動，從而盡可能的保證了刻痕片被剪斷的可靠性。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)圖；

圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例1的記憶合金環(huán)在常溫下的狀態(tài)；

圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例1在記憶合金環(huán)變形后的示意圖；

圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例1的記憶合金環(huán)變形后的狀態(tài)。

圖5是本實(shí)用新型實(shí)施例2的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是本實(shí)用新型實(shí)施例2在記憶合金環(huán)變形后的示意圖。

具體實(shí)施方式

為能進(jìn)一步了解本實(shí)用新型的發(fā)明內(nèi)容、特點(diǎn)及功效，茲例舉以下實(shí)施例，并詳細(xì)說明如下：

實(shí)施例1：

圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)圖；圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例1的記憶合金環(huán)在常溫下的狀態(tài)；圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例1在記憶合金環(huán)變形后的示意圖；圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例1的記憶合金環(huán)變形后的狀態(tài)。

圖中，各個附圖標(biāo)記表示的含義如下；1、記憶合金環(huán)；2、刻痕片；3、壓蓋；4、定位座；5、電極。

一種溫控保護(hù)裝置，包括刻痕片2、記憶合金環(huán)1和定位座，刻痕片2的一側(cè)面設(shè)有環(huán)形的刻痕凹槽，記憶合金環(huán)1設(shè)置在刻痕片2的背離刻痕凹槽的一側(cè)面，記憶合金環(huán)1的內(nèi)徑邊緣設(shè)置在刻痕凹槽的槽底的反面，記憶合金環(huán)1在常溫時朝向刻痕片2的一面為平面，記憶合金環(huán)以受熱后的凸起變形方向朝向刻痕片2的方式設(shè)置在定位座中，記憶合金環(huán)1與定位座以徑向定位、軸向定位的方式連接。記憶合金環(huán)1可以選用鈦鎳系記憶合金。

通過將記憶合金環(huán)設(shè)置成朝向刻痕片2變形的方式，將刻痕的槽底頂破，可以斷開刻痕片2的刻痕內(nèi)外兩側(cè)的區(qū)域，實(shí)現(xiàn)了斷路，避免了電氣元件持續(xù)發(fā)熱而導(dǎo)致的爆炸等問題。提高了電氣元件的安全性。

優(yōu)選的，刻痕片2的背離刻痕凹槽的一側(cè)面置于電極5上，刻痕片2的設(shè)有刻痕凹槽的一側(cè)面的位于刻痕凹槽內(nèi)的區(qū)域被壓蓋壓住。

通過將刻痕片2的遠(yuǎn)離記憶合金環(huán)1的一側(cè)面被壓蓋壓住，配合記憶合金環(huán)1在變形的時候頂住刻痕凹槽的反面，從而將刻痕片2在二者的作用下被切斷。

進(jìn)一步優(yōu)選的，定位座與壓蓋以相對固定的方式設(shè)置。

再進(jìn)一步優(yōu)選的，記憶合金環(huán)1在受熱后的凸起變形朝向刻痕片2的角為直角。

通過設(shè)置為直角，可以在凹槽的背面區(qū)域產(chǎn)生較大的壓強(qiáng)，有利于將刻痕片2直接切斷。

更進(jìn)一步優(yōu)選的，記憶合金環(huán)1的外壁嵌入到定位座上設(shè)置的子口中。

在記憶合金環(huán)1變形向刻痕片2拱起的時候，記憶合金環(huán)1的內(nèi)壁的下邊緣的內(nèi)徑會縮小，不宜采用從內(nèi)側(cè)定位的方式。由于采用外壁嵌入子口的從外側(cè)定位方式，有利于保證記憶合金環(huán)1與刻痕片2的刻痕凹槽相對位置精度，從而有利于將作用力集中在刻痕片2的薄弱之處，同時，也不會損壞記憶合金環(huán)1內(nèi)的部件。

進(jìn)一步優(yōu)選的，壓蓋在刻痕片2的位于刻痕凹槽外的相對的區(qū)域與刻痕片2的位于刻痕凹槽外的區(qū)域之間留有第一縫隙，第一縫隙的寬度大于記憶合金環(huán)1在受熱時的變形量。

通過設(shè)置第一縫隙，并且使得第一縫隙的寬度大于記憶合金環(huán)1的變形量，從而能夠讓記憶合金環(huán)1在變形的時候有足夠的變形空間，以充分釋放變形量，從而能夠?qū)⒖毯燮?盡可能的徹底剪斷。

優(yōu)選的，電極5的外側(cè)還設(shè)置有絕緣套。

絕緣套可以防止記憶合金環(huán)1與電極5導(dǎo)通，在刻痕片2已經(jīng)被切斷的時候仍處于電連通而導(dǎo)致刻痕片2的保護(hù)裝置失靈。從而提高了裝置的可靠性。

進(jìn)一步優(yōu)選的，絕緣套與定位座一體成型。

通過將絕緣套與定位座一體成型，減少了零件的數(shù)量，降低生產(chǎn)成本。

優(yōu)選的，記憶合金環(huán)1的厚度為2mm。

優(yōu)選的，刻痕片2的中部設(shè)有朝向所述壓蓋的弧形凸起，所述電極5的朝向刻痕片2的一端的形狀與所述弧形凸起匹配。

通過在刻痕片2上設(shè)置弧形凸起，并且在電極5和壓蓋上設(shè)置相應(yīng)的匹配形狀，可以夾緊該弧形凸起。在記憶合金環(huán)1變形、將刻痕片2切斷的過程中，特別是已經(jīng)將凹槽的一部分切斷，對剩余一部分進(jìn)行剪切的時候，記憶合金環(huán)1會對刻痕片2產(chǎn)生一定的橫向的拉扯作用，刻痕片2可能會跟隨記憶合金環(huán)1向一個方向移動。但是刻痕片2已經(jīng)被壓蓋和電極5夾住，將無法產(chǎn)生這樣的橫向移動，從而盡可能的保證了刻痕片2被剪斷的可靠性。

本實(shí)施例的動作原理為：

溫度在相變溫度以下時記憶合金環(huán)1呈平面狀態(tài),當(dāng)溫度超過相變溫度時,記憶合金環(huán)1變形隆起呈圓錐臺形。

由于刻痕片2在圖中的上表面設(shè)有刻痕凹槽，連接強(qiáng)度會明顯的減弱。當(dāng)溫度達(dá)到相變溫度時，記憶合金環(huán)1的內(nèi)側(cè)會隆起，這一點(diǎn)從圖3中可以看出。所以有隆起趨勢的記憶合金環(huán)1會接觸刻痕凹槽的背面，并且在內(nèi)壁的上邊緣上施加向上的作用力，而刻痕片2的刻痕凹槽以內(nèi)的區(qū)域被壓蓋壓住，刻痕片的該區(qū)域受到向下的作用力，壓蓋向下的壓力和記憶合金環(huán)內(nèi)壁上邊緣的向上的作用力，共同剪切作用力，從而將刻痕片2在刻痕凹槽處切斷，從而將電氣元件的回路斷開，起到減壓和斷路的保護(hù)作用。

即使在第一時間未能將刻痕片2在整圓周上全部剪斷，可能會在局部有所殘留，但是由于刻痕片2在剩余的連接處的截面驟然縮小，局部的電阻加大，刻痕片2上所經(jīng)過的電流會產(chǎn)生較大的放熱，仍可以將剩余的殘存的連接部分融化掉，從而保證了斷路的可靠進(jìn)行。

實(shí)施例2：

圖5是本實(shí)用新型實(shí)施例2的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是本實(shí)用新型實(shí)施例2在記憶合金環(huán)變形后的示意圖。圖中，與上述實(shí)施例所使用附圖相同的附圖標(biāo)記，仍然沿用上述實(shí)施例對于該附圖標(biāo)記的定義，圖中新出現(xiàn)的附圖標(biāo)記表示的含義如下：6、排氣孔。而且本實(shí)施例所用附圖中的附圖標(biāo)記1表示的是反應(yīng)片，而不是電極。

本實(shí)施例與實(shí)施例1的不同之處在于，電極被替換為呈柱狀設(shè)置的反應(yīng)片1。在定位座4的位于反應(yīng)片1外的套筒部分沿徑向設(shè)有排氣孔6，用以連通圖中的記憶合金環(huán)的內(nèi)部的區(qū)域。而且，在壓蓋3上也設(shè)置排氣孔，連通圖中的刻痕片的刻痕凹槽上方的區(qū)域和壓蓋的外部。當(dāng)處于常溫的時候，由于刻痕片是完整的，所以刻痕片能夠起到隔絕作用。當(dāng)溫度升高到記憶合金環(huán)的變形溫度時，記憶合金環(huán)破壞了刻痕片，兩個排氣孔6能夠?qū)?，從而將?nèi)部的氣體排出。不但可以起到斷路的作用，還可以起到泄壓的作用。

此外，除了通過升溫導(dǎo)致記憶合金環(huán)變形、破壞刻痕片這種方式以外，反應(yīng)物的壓力的升高，也可能直接破壞刻痕片，從而起到了泄壓的作用。

盡管上面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行了描述，但是本實(shí)用新型并不局限于上述的具體實(shí)施方式，上述的具體實(shí)施方式僅僅是示意性的，并不是限制性的，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本實(shí)用新型的啟示下，在不脫離本實(shí)用新型宗旨和權(quán)利要求所保護(hù)的范圍情況下，還可以作出很多形式，例如：①以圖1中的記憶合金環(huán)的右半部分的矩形截面為例，該部分的右上角和左下角均可以設(shè)置成圓弧形倒角或直線倒角，也不會對本申請的技術(shù)方案解決技術(shù)問題產(chǎn)生實(shí)質(zhì)性影響；②或者將變例1中的矩形截面變成直角梯形截面，斜邊所對應(yīng)的角可以是矩形的右上角或左下角；③或者還可以將絕緣體與定位座做成兩個獨(dú)立的部件，定位座套裝在絕緣體外側(cè)；④或者可以將朝向壓蓋的弧形凹陷，替換為刻痕片的圖示上表面的朝向壓蓋的弧形凸起，在壓蓋上制作相匹配的凹陷；或者在刻痕片的下表面制作向下的凸起，電極的上表面匹配相應(yīng)的凹陷；或者是在刻痕片上的既制作凹陷又制作凸起，電極和壓蓋表面分別匹配相應(yīng)的形狀；⑤或者將記憶合金環(huán)的厚度控制在0.1-5mm的范圍內(nèi)，都可以實(shí)現(xiàn)本申請的目的。這些均屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。