1.一種核電站數(shù)字化控制系統(tǒng)的測(cè)試裝置，其特征在于，所述測(cè)試裝置包括：一工控機(jī)及一核電站工藝系統(tǒng)的仿真單元，工控機(jī)包括一控制單元及一比較單元，其中，
所述控制單元用于在接收到一測(cè)試項(xiàng)目的測(cè)試指令后加載測(cè)試項(xiàng)目的測(cè)試用例，并根據(jù)測(cè)試用例周期性地獲取待測(cè)DCS設(shè)備的設(shè)備控制和調(diào)節(jié)指令并將設(shè)備控制和調(diào)節(jié)指令發(fā)送給仿真單元；
所述控制單元還用于根據(jù)測(cè)試用例的初始化要求發(fā)送初始的工況設(shè)定參數(shù)給所述仿真單元，并根據(jù)測(cè)試用例設(shè)定所述仿真單元至一特定工況；
所述控制單元還用于獲取待測(cè)DCS設(shè)備發(fā)出的設(shè)備指令及內(nèi)部點(diǎn)狀態(tài)并發(fā)送設(shè)備指令給所述仿真單元；
所述控制單元還用于根據(jù)測(cè)試用例獲取所述仿真單元的工藝參數(shù)和設(shè)備狀態(tài)，并發(fā)送所述仿真單元的工藝參數(shù)和設(shè)備狀態(tài)給待測(cè)DCS設(shè)備；
所述比較單元用于將設(shè)備指令、內(nèi)部點(diǎn)狀態(tài)、工藝參數(shù)及設(shè)備狀態(tài)與預(yù)設(shè)值進(jìn)行比較從而判斷待測(cè)DCS設(shè)備的功能是否正常。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)試裝置，其特征在于，所述測(cè)試用例包括DCS指令清單及DCS測(cè)點(diǎn)清單，所述控制單元用于根據(jù)所述DCS指令清單周期性地獲取所述設(shè)備控制和調(diào)節(jié)指令，所述控制單元用于根據(jù)所述DCS測(cè)點(diǎn)清單獲取所述工藝參數(shù)和所述設(shè)備狀態(tài)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)試裝置，其特征在于，所述測(cè)試裝置還包括一I/O機(jī)柜，I/O機(jī)柜包括一輸出模塊，所述控制單元用于發(fā)送一檢測(cè)信號(hào)給輸出模塊，輸出模塊用于發(fā)送所述檢測(cè)信號(hào)給所述待測(cè)DCS設(shè)備，所述比較模塊用于接收所述待測(cè)DCS設(shè)備反饋的反饋信號(hào)并比較所述反饋信號(hào)與所述檢測(cè)信號(hào)的大小以檢測(cè)所述待測(cè)DCS設(shè)備的信號(hào)采集功能是否正常。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的測(cè)試裝置，其特征在于，所述控制單元用于發(fā)送通道參考值給所述待測(cè)DCS設(shè)備，所述I/O機(jī)柜還包括一輸入模塊，所述輸入模塊用于采集所述待測(cè)DCS設(shè)備根據(jù)所述通道參考值輸出的通道輸出值，所述比較單元用于接收所述通道輸出值并比較所述通道輸出值與所述通道參考值的大小以檢測(cè)所述待測(cè)DCS設(shè)備的信號(hào)輸出功能是否正常。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的測(cè)試裝置，其特征在于，所述輸入模塊包括數(shù)字量輸入卡件及模擬量輸入卡件，所述輸出模塊包括數(shù)字量輸出卡件及模擬量輸出卡件。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的測(cè)試裝置，其特征在于，所述測(cè)試裝置還包括一快速端接模塊，所述輸入模塊及所述輸出模塊連接所述快速端接模塊，所述快速端接模塊用于連接所述待測(cè)DCS設(shè)備。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)試裝置，其特征在于，所述工控機(jī)還包括一顯示單元，所述顯示單元用于顯示測(cè)試結(jié)果。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)試裝置，其特征在于，所述核電站工藝系統(tǒng)的仿真單元位于一服務(wù)器中。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)試裝置，其特征在于，所述設(shè)備指令包括設(shè)備控制、調(diào)節(jié)和保護(hù)指令，所述內(nèi)部點(diǎn)狀態(tài)用于顯示和報(bào)警。