技術(shù)特征：

1.一種用于低壓差線性穩(wěn)壓器的快速響應(yīng)電路，其特征在于，包括控制電路(I)和過沖及下沖調(diào)節(jié)電路(II)；所述控制電路(I)包括結(jié)構(gòu)相同的電路A和電路B，所述電路A或電路B均由兩個(gè)CMOS反相器級(jí)聯(lián)構(gòu)成；所述過沖及下沖調(diào)節(jié)電路(II)由PMOS管M₁和NMOS管M₂構(gòu)成；PMOS管M₁和NMOS管M₂的柵極分別和控制電路(I)的輸出信號(hào)相連，PMOS管M₁和NMOS管M₂的漏極均接LDO的輸出V_OUT，PMOS管M₁的源極接LDO的輸入電壓V_in，NMOS管M₂的源極接地；所述PMOS管M₁和NMOS管M₂的漏極和源極均能夠互換；所述PMOS管M₁襯底接V_in，NMOS管M₂的襯底接地。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于低壓差線性穩(wěn)壓器的快速響應(yīng)電路，其特征在于，所述電路A或電路B包括PMOS晶體管M_p1、NMOS晶體管M_n1、PMOS晶體管M_p2以及NMOS晶體管M_n2；所述PMOS晶體管M_p1和NMOS晶體管M_n1構(gòu)成第1級(jí)反相器，所述PMOS晶體管M_p2和NMOS晶體管M_n2構(gòu)成第2級(jí)反相器；

所述PMOS晶體管M_p1和NMOS晶體管M_n1，或者PMOS晶體管M_p2和NMOS晶體管M_n2的柵極相連作為反相器的輸入；

所述PMOS晶體管M_p1和NMOS晶體管M_n1，或者PMOS晶體管M_p2和NMOS晶體管M_n2的漏極相連作為反相器的輸出；

所述NMOS晶體管M_n1和NMOS晶體管M_n2的源極均接地；

所述PMOS晶體管M_p1的源極接偏置電壓V_B，所述PMOS晶體管M_p2的源極接LDO的輸入電壓V_in，其中V_B＜V_in；

所述第1級(jí)反相器的輸入接LDO中的反饋信號(hào)V_FB，第2級(jí)反相器的輸入與第1級(jí)反相器的輸出相連，第2級(jí)反相器的輸出為ctr1或ctr2；所述NMOS晶體管M_n1和NMOS晶體管M_n2的漏極和源極均能夠互換；所述PMOS晶體管M_p1或PMOS晶體管M_p2的襯底接V_in，NMOS晶體管M_n1或NMOS晶體管M_n2襯底接地。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于低壓差線性穩(wěn)壓器的快速響應(yīng)電路，其特征在于，所述過沖及下沖調(diào)節(jié)電路(II)的PMOS管M₁和NMOS管M₂的柵極分別和控制電路(I)的輸出信號(hào)ctr1和ctr2相連。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于低壓差線性穩(wěn)壓器的快速響應(yīng)電路，其特征在于，所述快速響應(yīng)電路中的所有晶體管均采取同一種制作工藝。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于低壓差線性穩(wěn)壓器的快速響應(yīng)電路，其中，所述快速響應(yīng)電路中的PMOS晶體管制作于同一N阱中。

6.一種權(quán)利要求1-5任意一項(xiàng)所述快速響應(yīng)電路的快速響應(yīng)方法，其特征在于，所述控制電路(I)的電路A和電路B的輸入均為LDO的反饋信號(hào)V_FB，電路A輸出的ctr1用來調(diào)節(jié)下沖電壓，電路B輸出的ctr2用來調(diào)節(jié)過沖電壓；

當(dāng)負(fù)載電流恒定時(shí)，控制電路(I)輸出ctr1為高電平，ctr2為低電平，PMOS管M₁和NMOS管M₂均關(guān)斷；若由于負(fù)載電流發(fā)生突降引起輸出電壓出現(xiàn)過沖，控制電路(I)輸出ctr2變?yōu)楦唠娖剑琋MOS管M₂開啟形成額外電流泄放路徑，減小過沖電壓；若由于負(fù)載電流突然增大引起輸出電壓出現(xiàn)下沖，控制電路(I)輸出ctr1變?yōu)榈碗娖?，PMOS管M₁開啟形成額外電流充電路徑，輸出電壓的下沖迅速得到恢復(fù)。