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      集成電路及電子設備的制造方法_2

      文檔序號:8360784閱讀:來源:國知局
      負載電路120的輸入端連接,用于將預輸入所述負載電路120的信號的電位轉(zhuǎn)換成適于輸入所述負載電路120的電位。所述第二電位平移電路140與所述負載電路120的輸出端連接,用于將所述負載電路120的輸出信號的電位轉(zhuǎn)換成所述預輸入所述負載電路120的信號的電位。
      [0028]其中,所述負載電路120可以有一個或者多個輸入端,對應地,預輸入所述負載電路120的信號可以有一個,也可以有多個。當其中一個預輸入所述負載電路120的信號的電位不適于輸入所述負載電路120時,可以將所述預輸入負載電路120的信號先輸入至第一電位平移電路130中,將所述預輸入負載電路120的信號轉(zhuǎn)換成適于輸入所述負載電路120的信號并輸入至所述負載電路120。為了使得負載電路120中輸出的信號與預輸入負載電路120的信號的電位保持一致,以便于后續(xù)處理,可以將負載電路120的輸出信號再輸入至第二電位平移電路140,將所述負載電路120的輸出信號的電位恢復至所述預輸入負載電路120的信號的電位。
      [0029]需要說明的是,當其中多個預輸入負載電路120的信號均不適于輸入所述負載電路120時,可以分別將所述預輸入負載電路120的信號進行上述的電位轉(zhuǎn)換,使得每一個預輸入負載電路120的信號均適于輸入所述負載電路120中。
      [0030]以下對所述第一電位平移電路130以及第二電位平移電路140的具體電路結(jié)構(gòu)進行詳細說明:
      [0031]所述第一電位平移電路130可以包括第一轉(zhuǎn)換電路以及第二轉(zhuǎn)換電路。其中,所述第一轉(zhuǎn)換電路的輸出端與所述第二轉(zhuǎn)換電路連接。所述第一轉(zhuǎn)換電路先對預輸入負載電路120的信號的高電位進行轉(zhuǎn)換,經(jīng)所述第一轉(zhuǎn)換電路輸出的信號輸入至所述第二轉(zhuǎn)換電路,再由所述第二轉(zhuǎn)換電路對所述第一轉(zhuǎn)換電路輸出的信號的低電位進行轉(zhuǎn)換,所述第二轉(zhuǎn)換電路輸出的信號輸入至所述負載電路120。
      [0032]在具體實施中,所述第一轉(zhuǎn)換電路和第二轉(zhuǎn)換電路的電路結(jié)構(gòu)可以相同,也可以不同。例如,參見圖2,所述第一轉(zhuǎn)換電路210和第二轉(zhuǎn)換電路220的電路結(jié)構(gòu)相同。
      [0033]以所述第一轉(zhuǎn)換電路210為例,所述第一轉(zhuǎn)換電路210可以包括:第一 NMOS管2102,第二 NMOS管2104,第一 PMOS管2106、第二 PMOS管2108以及反相器2110。其中,第一 NMOS管2102的柵極與所述反相器2110的輸入端連接,輸入信號Vin同時輸入至所述第一 NMOS管2102和反相器2110。第一 NMOS管的源極經(jīng)反相器2110與所述第二 NMOS管的源極連接,漏極分別與所述第一 PMOS管的漏極和所述第二 PMOS管2104的柵極連接。所述第二 NMOS管2104的柵極與所述反相器2110的輸出端連接,漏極與所述第一 PMOS管2106的柵極以及第二 PMOS管2108的漏極連接。所述第一 PMOS管2106的源極與所述第二 NMOS管2104的源極連接。
      [0034]在所述第一轉(zhuǎn)換電路210正常工作時,輸入至第一 NMOS管2102的信號為Vin,輸入至第二 NM0s管2104的信號為輸入信號Vin經(jīng)反相器后的輸出信號。也就是說,輸入至第一NMOS管2102的信號和輸入至第二 NMOS管2104的信號的是相反的,當輸入至第一 NMOS管2102的信號為高電平時,輸入至第二 NMOS管2104的信號則為低電平。因此,同一時刻,第一 NMOS管2102以及第二 NMOS管2104中一個處于導通狀態(tài),另一個則處于截止狀態(tài)。
      [0035]同樣地,同一時刻,第一 PMOS管2106以及第二 PMOS管2108中一個處于導通狀態(tài),另一個則處于截止狀態(tài)。并且,當?shù)谝?NMOS管2102處于導通狀態(tài)時,第二 PMOS管2108也處于導通狀態(tài),在第一 NMOS管2102以及第二 PMOS管2108的作用下,輸入信號Vin的高電位被放大。當?shù)诙?NMOS管2104處于導通狀態(tài)時,第一 PMOS管2106也處于導通狀態(tài),在第二NMOS管2104以及第一 PMOS管2106的作用下,輸入信號Vin的高電位同樣被放大
      [0036]由于所述第一轉(zhuǎn)換電路210和第二轉(zhuǎn)換電路220的電路結(jié)構(gòu)相同,基于與所述第一轉(zhuǎn)換電路210同樣的工作原理,經(jīng)第一轉(zhuǎn)換電路210放大后的輸出信號分別輸入至第二轉(zhuǎn)換電路220的第一 NMOS管和反相器,最終所述第二轉(zhuǎn)換電路220的輸出信號Vin’。
      [0037]例如,輸入信號Vin可以為高電平為IV,低電平為OV的方波信號,經(jīng)第一轉(zhuǎn)換電路210以后,輸出高電平為4V,低電平為OV的方波信號,再經(jīng)第二轉(zhuǎn)換電路220以后,輸出高電平為4V,低電平為3V的方波信號。
      [0038]需要說明的是,在具體實施中,也可以先對所述預輸入負載電路120的信號的低電位進行轉(zhuǎn)換后,再對低電位已經(jīng)轉(zhuǎn)換的信號的高電位進行轉(zhuǎn)換,本領域技術(shù)人員可以參照上述第一轉(zhuǎn)換電路以及第二轉(zhuǎn)換電路的結(jié)構(gòu)設置相應的轉(zhuǎn)換電路,此處不再贅述。
      [0039]在具體實施中,所述第二電位平移電路可以包括:第三轉(zhuǎn)換電路和第四轉(zhuǎn)換電路。其中,所述第三轉(zhuǎn)換電路的輸出端與第四轉(zhuǎn)換電路連接。所述第三轉(zhuǎn)換電路對預輸入負載電路的信號的高電位進行轉(zhuǎn)換,經(jīng)所述第三轉(zhuǎn)換電路輸出的信號輸入至所述第四轉(zhuǎn)換電路,所述第四轉(zhuǎn)換電路對所述第三轉(zhuǎn)換電路輸出的信號的低電位進行轉(zhuǎn)換,所述第四轉(zhuǎn)換電路輸出的信號輸入至所述負載電路。
      [0040]在具體實施中,所述第二電位平移電路可以與第一電位平移電路結(jié)構(gòu)相同。例如,所述第三轉(zhuǎn)換電路與所述第四轉(zhuǎn)換電路結(jié)構(gòu)均可以包括:用于接收輸入信號的第三NMOS管,第四NMOS管,第三PMOS管、第四PMOS管以及用于接收輸入信號反相器;所述第三NMOS管的柵極與所述反相器的輸入端連接,源極與所述第四NMOS管的源極連接,漏極分別與所述第三PMOS管的漏極和所述第四PMOS管的柵極連接;所述第四NMOS管的柵極與所述反相器的輸出端連接,漏極與所述第三PMOS管的柵極以及第四PMOS管的漏極連接;所述第三PMOS管的源極與所述第四NMOS管的源極連接。
      [0041]需要說明的是,本領域技術(shù)人員可以參照上述第一轉(zhuǎn)換電路以及第二轉(zhuǎn)換電路的電路結(jié)構(gòu)實施所述第三轉(zhuǎn)換電路和所述第四轉(zhuǎn)換電路,此處不再贅述。
      [0042]需要說明的是,在具體實施中,也可以先對所述預輸入負載電路120的信號的低電位進行轉(zhuǎn)換后,再對低電位已經(jīng)轉(zhuǎn)換的信號的高電位進行轉(zhuǎn)換,本領域技術(shù)人員可以參照上述第一轉(zhuǎn)換電路以及第二轉(zhuǎn)換電路的結(jié)構(gòu)設置相應的轉(zhuǎn)換電路,此處不再贅述。
      [0043]參見圖3,在具體實施中,所述LDO可以包括:比較器302、調(diào)整管304、第一電阻R1以及第二電阻R2,所述比較器302的輸出端與所述調(diào)整管304的控制極連接,所述調(diào)整管304的第一極與所述第一電阻R1的第一端以及所述與負載電路A320的低壓輸入端連接,所述調(diào)整管304的第二極與電源Vdd以及所述與負載電路A320的高壓輸入端連接,所述第一電阻R1的第二端與所述第二電阻R2的第一端以及所述比較器302的第一輸入端連接,所述比較器302的第二輸入端輸入基準電壓VMf。所述第二電阻R2的第二端接地。所述LDO的輸出端所輸出的電壓為VDD’經(jīng)濾波器C后輸入至負載電路B350。所述負載電路B為與LDO電路的輸出端連接的負載電路,所述負載電路可以為任意負載電路,只要能夠與LDO電路的輸出端連接即可。
      [0044]其中,所述比較器302
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