控制電路的輸入端的第二電壓箝位，所述第二電壓箝位經(jīng)配置以耦合至所述開關(guān)的所述控制端，所述第二電壓箝位還經(jīng)配置以降低耦合至所述第二電壓箝位的控制電壓的電平；以及 偏置裝置，所述偏置裝置經(jīng)配置以耦合至所述開關(guān)的所述控制端并外加偏置電壓至所述控制端。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開關(guān)控制電路，還包括: 耦合器，其經(jīng)配置以阻斷DC即直流電流，同時(shí)將所述控制電壓耦合至所述第二電壓箝位。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的開關(guān)控制電路，其中所述偏置裝置與所述耦合器協(xié)作以形成進(jìn)一步的低通濾波器。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開關(guān)控制電路，其中所述偏置裝置被耦合至所述低通濾波器。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開關(guān)控制電路，其中所述開關(guān)包括具有柵極的MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，所述柵極可操作作為所述開關(guān)的所述控制端。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開關(guān)控制電路，其中所述第一電壓箝位包括第一背靠背齊納二極管，以及所述第二電壓箝位包括第二背靠背齊納二極管。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開關(guān)控制電路，其中，所述低通濾波器包括電阻器和電容器，并且所述偏置裝置包括耦接至所述低通濾波器的輸出端的電阻器。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開關(guān)控制電路，其中，所述第一箝位電壓范圍由包含在所述第一電壓箝位中的第一背靠背齊納二極管來確定，并且第二箝位電壓范圍由包含在所述第二電壓箝位中的第二背靠背齊納二極管來確定。9.一種抗噪聲開關(guān)裝置，其包括: 具有第一端、第二端和控制端的開關(guān)，其中，所述第一端和第二端響應(yīng)于所述控制端相對(duì)于所述第一端在激活電壓范圍內(nèi)而耦合在一起； AC耦合裝置即交流電流耦合裝置，所述AC耦合裝置具有作為所述抗噪聲開關(guān)裝置的輸入端的第一端； 耦合至所述開關(guān)的所述控制端和所述第一端的第一電壓箝位，所述第一電壓箝位可操作以便相對(duì)于所述開關(guān)的所述第一端將所述控制端的電壓箝位在第一箝位電壓； 耦合至所述AC耦合裝置的第二端的第二電壓箝位，所述第二電壓箝位耦合至所述開關(guān)的所述控制端，所述第二電壓箝位經(jīng)配置以響應(yīng)于所述AC耦合裝置的所述第二端上的電壓在量值上大于第二箝位電壓，使所述控制端的電壓朝向所述AC耦合裝置的所述第二端上的電壓推進(jìn)； 具有被耦合至所述開關(guān)的所述第一端的輸出端的低通濾波器；以及 偏置裝置，所述偏置裝置被耦合至所述開關(guān)的所述控制端和所述第一端。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的抗噪聲開關(guān)裝置，其中，所述AC耦合裝置包括電容器，并且所述第二電壓箝位包括背靠背齊納二極管，所述背靠背齊納二極管與所述電容器串聯(lián)。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的抗噪聲開關(guān)裝置，其中所述開關(guān)包括P型MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，所述MOSFET的柵極充當(dāng)所述開關(guān)的所述控制端，并且其中所述第一電壓箝位包括跨所述MOSFET的源極和所述MOSFET的所述柵極耦合的背靠背齊納二極管。12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的抗噪聲開關(guān)裝置，其中所述低通濾波器包括串聯(lián)的第一電阻器和電容器，并且所述偏置裝置包括第二電阻器。13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的抗噪聲開關(guān)裝置，其中，所述第一箝位電壓通過第一背靠背齊納二極管設(shè)定，以及所述第二箝位電壓通過第二背靠背齊納二極管設(shè)定。14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的抗噪聲開關(guān)裝置，其中，所述AC耦合裝置和第二電壓箝位經(jīng)配置以在所述抗噪聲開關(guān)裝置的輸入端接收輸入信號(hào)，其中所述輸入信號(hào)具有在量值上大于所述第二箝位電壓兩倍的峰峰幅值。15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的抗噪聲開關(guān)裝置，其中所述開關(guān)的所述控制端具有響應(yīng)于在所述抗噪聲開關(guān)裝置的輸入端的輸入信號(hào)具有在量值上小于所述第二箝位電壓兩倍的峰峰幅值由所述偏置裝置給予的偏置電壓。16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的抗噪聲開關(guān)裝置，其中，所述開關(guān)和所述偏置裝置經(jīng)配置以響應(yīng)于缺乏時(shí)鐘信號(hào)而停用所述開關(guān)。17.一種抗噪聲開關(guān)電容器電平移位器，其包括: 第一電容器； 第二電容器； 耦合至所述電平移位器的第一端并耦合至所述第一電容器的第一端的第一開關(guān)； 耦合至所述第一電容器的第一端并耦合至所述第二電容器的第一端的第二開關(guān)； 耦合至所述電平移位器的第三端并耦合至所述第一電容器的第二端的第三開關(guān)； 耦合至所述第一電容器的第二端并耦合至所述第二電容器的第二端的第四開關(guān)； 耦合至所述第一開關(guān)的控制端的第一 AC耦合和DC偏置裝置即交流電流耦合和直流電流偏置裝置；以及 耦合至所述第三開關(guān)的控制端的第二 AC耦合和DC偏置裝置；其中所述第一和第二裝置經(jīng)配置以DC偏置相應(yīng)的第一或第三開關(guān)的控制端并向所述相應(yīng)的第一或第三開關(guān)的控制端傳送第一時(shí)鐘信號(hào)的AC耦合的電壓箝位版，所述第一和第二裝置可操作以便將在相應(yīng)的第一或第三開關(guān)的所述控制端處的電壓箝位在箝位電壓范圍內(nèi)，并且其中所述第二開關(guān)和第四開關(guān)經(jīng)配置以耦合至第二時(shí)鐘信號(hào)。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的電平移位器，還包括: 電容器，所述電容器耦合至所述第二開關(guān)的控制端并經(jīng)配置以耦合至所述第二時(shí)鐘信號(hào); 二極管，所述二極管耦合至所述第二電容器的第一端并耦合至所述第二開關(guān)的控制端; 電阻器，所述電阻器耦合至所述第二開關(guān)的所述控制端并耦合至所述第二電容器的所? Λ-Λ- _* 上山述弟一棲。19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的電平移位器，還包括: 所述第一開關(guān)包括第一 P型MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中柵極充當(dāng)所述第一開關(guān)的所述控制端； 所述第二開關(guān)包括第一 N型M0SFET，其中柵極充當(dāng)所述第二開關(guān)的所述控制端； 所述第三開關(guān)包括第二 P型M0SFET，其中柵極充當(dāng)所述第三開關(guān)的所述控制端； 所述第四開關(guān)包括第二 N型M0SFET，其中柵極充當(dāng)所述第四開關(guān)的所述控制端； 所述第一裝置包括耦合至所述電平移位器的所述第一端并耦合至所述第一P型MOSFET的源極的第一電阻器，耦合至所述第一 P型MOSFET的所述源極并耦合至地的第三電容器，跨所述第一 P型MOSFET的所述源極和所述柵極耦合的第一組背靠背齊納二極管，跨所述第一 P型MOSFET的所述源極和所述柵極耦合的第二電阻器，耦合至所述第一 P型MOSFET的所述柵極的第二組背靠背齊納二極管，以及耦合至所述第二組背靠背齊納二極管的第四電容器；以及 所述第二裝置包括耦合至所述電平移位器的所述第三端并耦合至所述第二P型MOSFET的源極的第三電阻器，耦合至所述第二 P型MOSFET的所述源極并所述耦合至地的第五電容器，跨所述第二 P型MOSFET的所述源極和所述柵極耦合的第三組背靠背齊納二極管，跨所述第二 P型MOSFET的所述源極和所述柵極耦合的第四電阻器，耦合至所述第二P型MOSFET的所述柵極的第四組背靠背齊納二極管，以及耦合至所述第四組背靠背齊納二極管的第六電容器。20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的電平移位器，其中所述第二開關(guān)經(jīng)配置以AC耦合至所述第二時(shí)鐘信號(hào)，以及所述第四開關(guān)經(jīng)配置以DC耦合至所述第二時(shí)鐘信號(hào)。21.一種用于控制開關(guān)的方法，所述方法包括: 將開關(guān)的控制端偏置在激活電壓范圍或停用電壓范圍之一內(nèi)； AC即交流電流耦合輸入信號(hào)以產(chǎn)生所述輸入信號(hào)的AC耦合版； 響應(yīng)于所述輸入信號(hào)的AC耦合版超出第二箝位電壓范圍，電壓箝位所述輸入信號(hào)的AC親合版以產(chǎn)生所述輸入信號(hào)的降低的AC親合版； 電壓箝位所述輸入信號(hào)的降低的AC耦合版以產(chǎn)生所述輸入信號(hào)的電壓箝位的AC耦合版；并且 向所述開關(guān)的所述控制端施加所述輸入信號(hào)的所述電壓箝位的AC耦合版。22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，還包括: 響應(yīng)于所述開關(guān)的所述控制端在所述激活電壓范圍內(nèi)激活所述開關(guān)；并且 響應(yīng)于所述開關(guān)的所述控制端在所述停用電壓范圍內(nèi)停用所述開關(guān)。23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，還包括: 低通濾波電壓以產(chǎn)生低通濾波的電壓；并且 在所述開關(guān)的第一端上表示所述低通濾波的電壓。24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，還包括: 電壓箝位所述AC耦合版包括作為被降低第一幅值的所述輸入信號(hào)的AC耦合版來產(chǎn)生所述輸入信號(hào)的降低的AC耦合版；并且 電壓箝位所述降低的AC耦合版包括將所述輸入信號(hào)的所述電壓箝位的AC耦合版限制到第二幅值。
【專利摘要】本發(fā)明涉及提供一種抗噪聲、開關(guān)控制電路。該電路包括低通濾波器，該低通濾波器經(jīng)配置耦合至開關(guān)的第一端并耦合至低通濾波器的第一電壓筘位。第一電壓筘位經(jīng)配置耦合至開關(guān)的控制端并相對(duì)于第一端將控制端的電壓限制在第一筘位電壓范圍內(nèi)。該電路包括耦合至開關(guān)控制電路的輸入端的第二電壓筘位。第二電壓筘位經(jīng)配置耦合以至開關(guān)的控制端。第二電壓筘位還經(jīng)配置以降低耦合至第二電壓筘位的控制電壓的電平。電路包括偏置裝置，該偏置裝置經(jīng)配置耦合至開關(guān)的控制端并施加偏置電壓至控制端。
【IPC分類】H02J1/02, G05F1/10, H02M1/14, H02M3/07
【公開號(hào)】CN105051638
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201480015568
【發(fā)明人】R·J·比斯庫普
【申請(qǐng)人】阿提瓦公司
【公開日】2015年11月11日
【申請(qǐng)日】2014年3月14日
【公告號(hào)】DE112014000980T5, US9041454, US20140266381, US20150244368, WO2014144291A2, WO2014144291A3