具有狀態(tài)保持功能的智能設備控制電路的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及智能設備控制技術，尤其涉及一種智能設備控制電路。
【背景技術】
[0002]隨著智能設備越來越普及，智能設備就不可避免的需要核心控制器件，包括但不局限于繼電器，晶閘管，絕緣柵極場效應管等，此類器件又不可避免的需要MCU通過I/O對其控制，但MCU存在復位狀態(tài)，例如遠程升級等，此時MCU的I/O處于不定狀態(tài)，給智能設備的用電帶來了不可預知的風險。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]有鑒于此，有必要提供一種智能設備控制電路，其可解決智能設備控制電路中MCU的I/O端口處于不定狀態(tài)時造成的受控設備不穩(wěn)定的工作狀態(tài)。
[0004]本發(fā)明實施例提供一種智能設備控制電路，包括:受控電路模塊、核心控制器件、狀態(tài)保持電路模塊、以及微控制單元；
[0005]所述核心控制器件連接于所述受控電路模塊與所述狀態(tài)保持電路模塊之間，用于控制所述受控電路模塊的電路通斷；
[0006]所述狀態(tài)保持電路模塊連接于所述核心控制器件與所述微控制單元之間；
[0007]當接收到所述微控制單元輸入的預定控制信號后，所述狀態(tài)保持電路模塊向所述核心控制器件輸出對應的開啟/關閉信號，從而使所述核心控制器件相應開啟或者關閉所述受控電路模塊；
[0008]當接收到所述微控制單元輸入的不同于所述預定控制信號的信號后，所述狀態(tài)保持電路模塊的輸出信號保持輸入信號改變前的狀態(tài)，從而使所述受控電路模塊維持其電路狀態(tài)不變。
[0009]作為上述技術方案的進一步改進，所述核心控制器件為繼電器、晶閘管、絕緣柵雙極型晶體管或者絕緣柵極場效應管。
[0010]作為上述技術方案的進一步改進，所述核心控制器件為直流繼電器，所述智能設備控制電路還包括與所述直流繼電器反向并聯(lián)的二極管、以及連接于第一電壓源與所述直流繼電器陽極以及所述二極管的陰極之間的第一電阻器。
[0011]作為上述技術方案的進一步改進，所述狀態(tài)保持電路模塊包括一個晶閘管、第一三極管以及第二三極管；
[0012]所述晶閘管的陽極與所述直流繼電器的輸出端以及所述二極管的陽極電性相連，所述晶閘管的陰極與所述第一三極管的集電極電性相連，所述晶閘管的門極與所述第二三極管的集電極電性相連，所述晶閘管的門極還經(jīng)由第二電阻器與所述第一電壓源電性相連；
[0013]所述第一三極管的基極分別與所述微控制單元的第一 I/O端口以及第二電壓源電性相連，所述第一三極管的發(fā)射極接地；
[0014]所述第二三極管的基極分別與所述微控制單元的第二 I/O端口以及所述第二電壓源電性相連，所述第二三極管的發(fā)射極接地。
[0015]作為上述技術方案的進一步改進，所述第一三極管的基極與所述第二電壓源之間連接有第三電阻器，與所述第一 I/O端口之間連接有第四電阻器；所述第二三極管的基極與所述第二電壓源之間連接有第五電阻器，與所述第二 I/O端口之間連接有第六電阻器。
[0016]作為上述技術方案的進一步改進，所述第一三極管的基極與發(fā)射極間并聯(lián)有第一電容器，所述第二三極管的基極與發(fā)射極間并聯(lián)有第二電容器。
[0017]作為上述技術方案的進一步改進，所述狀態(tài)保持電路模塊包括一個晶閘管、第一三極管、第二三極管以及第三三極管；
[0018]所述晶閘管的陽極與所述直流繼電器的輸出端、所述二極管的陽極以及所述第一三極管的集電極電性相連，所述晶閘管的陰極接地，所述晶閘管的門極與所述第二三極管的集電極電性相連；
[0019]所述第一三極管的基極分別與第二電壓源以及所述第三三極管的集電極電性相連，所述第一三極管的發(fā)射極接地；
[0020]所述第二三極管的基極分別與所述微控制單元的第二 I/O端口以及所述第二電壓源電性相連，所述第二三極管的發(fā)射極接地；
[0021]所述第三三極管的基極分別與所述微控制單元的第一 I/O端口以及所述第二電壓源電性相連，所述第三三極管的發(fā)射極接地。
[0022]作為上述技術方案的進一步改進，所述第一三極管的基極以及所述第三三極管的集電極經(jīng)由第八電阻器與所述第二電壓源電性相連，所述第三三極管的基極分別經(jīng)由第十三電阻器與第十四電阻器與所述第二電壓源及所述第一 I/O端口電性相連。
[0023]作為上述技術方案的進一步改進，所述第二三極管的集電極與發(fā)射極之間并聯(lián)有第十電阻器，所述第二三極管的基極分別經(jīng)由第十一電阻器、第十二電阻器與所述第二電壓源、所述第二 I/O端口電性相連。
[0024]作為上述技術方案的進一步改進，所述狀態(tài)保持電路模塊包括一個晶閘管、絕緣柵型場效應管、第二三極管以及第三三極管；
[0025]所述晶閘管的陽極與所述直流繼電器的輸出端、所述二極管的陽極以及所述絕緣柵型場效應管的漏極電性相連，所述晶閘管的陰極接地，所述晶閘管的門極與所述第二三極管的集電極電性相連；
[0026]所述絕緣柵型場效應管的柵極分別與第二電壓源以及所述第三三極管的集電極電性相連，所述絕緣柵型場效應管的源極接地；
[0027]所述第二三極管的基極分別與所述微控制單元的第二 I/O端口以及所述第二電壓源電性相連，所述第二三極管的發(fā)射極接地；
[0028]所述第三三極管的基極分別與所述微控制單元的第一 I/O端口以及所述第二電壓源電性相連，所述第三三極管的發(fā)射極接地。
[0029]作為上述技術方案的進一步改進，所述絕緣柵型場效應管的柵極以及所述第三三極管的集電極經(jīng)由第八電阻器與所述第二電壓源電性相連，所述第三三極管的基極分別經(jīng)由第十三電阻器與第十四電阻器與所述第二電壓源及所述第一 I/O端口電性相連；所述第二三極管的集電極與發(fā)射極之間并聯(lián)有第十電阻器，所述第二三極管的基極分別經(jīng)由第十一電阻器、第十二電阻器與所述第二電壓源、所述第二 I/o端口電性相連。
[0030]作為上述技術方案的進一步改進，所述狀態(tài)保持電路模塊包括一個控制芯片，所述控制芯片的I/O端口與所述核心控制器件及所述微控制單元電性相連。
[0031]作為上述技術方案的進一步改進，所述控制芯片包括一個鎖存器，所述鎖存器的控制輸入端口還經(jīng)由下拉電阻接地。
[0032]作為上述技術方案的進一步改進，所述核心控制器件為磁保持繼電器，所述狀態(tài)保持電路模塊包括用于驅(qū)動所述磁保持繼電器的驅(qū)動電路，所述磁保持繼電器的驅(qū)動電路包括第一輸入端與第二輸入端，所述第一輸入端與第二輸入端分別與所述微控制單元的第一 I/O端口與第二 I/O端口電性相連，所述微控制單元的第一 I/o端口與第二 I/O端口還上拉電阻與第二電壓源電性相連；或者經(jīng)由下拉電阻接地。
[0033]根據(jù)上述技術方案，通過在微控制單元與核心控制器件之間引入狀態(tài)保持電路模塊，從而實現(xiàn)了當微控制單元輸出的控制信號不穩(wěn)定時的，核心控制器件的工作狀態(tài)不會發(fā)生變化，受控電路模塊的工作狀態(tài)也不會發(fā)生變化，避免由于用電狀態(tài)不穩(wěn)造成的不可預知的危險或者設備的異常操作。
【附圖說明】
[0034]圖1為一種智能設備控制電路的模塊圖。
[0035]圖2為實施例1提供的智能設備控制電路的電路圖。
[0036]圖3為實施例2提供的智能設備控制電路的電路圖。
[0037]圖4為圖1所示的智能設備控制電路的微控制單元的電氣圖。
[0038]圖5為實施例3提供的智能設備控制電路的電路圖。
[0039]圖6為實施例4提供的智能設備控制電路的電路圖。
【具體實施方式】
[0040]為更進一步闡述本發(fā)明為實現(xiàn)預約發(fā)明目的所采取的技術手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明的【具體實施方式】、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細說明如后。
[0041]圖1為一種智能設備控制電路的模塊圖