帶隙基準(zhǔn)源電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路制造，特別是涉及一種帶隙基準(zhǔn)源電路。
【背景技術(shù)】
[0002]如圖1所示，是現(xiàn)有帶隙基準(zhǔn)源電路圖；包括由三個(gè)鏡像電流支路，分別由PM0S管Ml、M2和M3組成，輸出電流分別為I 1、12和13 ;呈二極管連接結(jié)構(gòu)的PNP管Q1和Q2，運(yùn)算放大器(0ΡΑ) 1，電阻R0、R1和R2。由PM0S管M3的漏極為基準(zhǔn)電壓的輸出端0UT，電容C0為輸出電容。在上電過(guò)程中，電容C0需要充電到所需的基準(zhǔn)電壓值，這時(shí)輸出端OUT才能實(shí)現(xiàn)正常的基準(zhǔn)電壓輸出即實(shí)現(xiàn)啟動(dòng)；而現(xiàn)有結(jié)構(gòu)中，13具有較小值，電容C0充電的時(shí)間較慢，從而使得電路的啟動(dòng)速度慢。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種帶隙基準(zhǔn)源電路，能提高電路的啟動(dòng)速度。
[0004]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供的帶隙基準(zhǔn)源電路包括:三個(gè)鏡像電流支路、三個(gè)電阻、兩個(gè)雙極型晶體管和一個(gè)運(yùn)算放大器。
[0005]所述三個(gè)鏡像電流支路的電流大小成比例關(guān)系。
[0006]第一雙極型晶體管和第二雙極型晶體管的類型相同且所述第二雙極型晶體管的發(fā)射極面積為所述第一雙極型晶體管的發(fā)射極面積的N倍，N大于1 ;所述第一雙極型晶體管的基極和集電極連接在一起呈二極管結(jié)構(gòu)，所述第二雙極型晶體管的基極和集電極連接在一起呈二極管結(jié)構(gòu)。
[0007]所述第一雙極型晶體管連接在所述第一鏡像電路支路的輸出節(jié)點(diǎn)和地之間。
[0008]第一電阻的第一端和所述第二鏡像電路支路的輸出節(jié)點(diǎn)相連，所述第二雙極型晶體管連接在所述第一電阻和地之間。
[0009]第二電阻連接在所述第一電阻的第一端和地之間。
[0010]第三電阻連接于第三鏡像電流支路的輸出節(jié)點(diǎn)和地之間。
[0011]所述第一鏡像電流支路的輸出節(jié)點(diǎn)連接所述運(yùn)算放大器的第一輸入端，所述第二鏡像電流支路的輸出節(jié)點(diǎn)連接所述運(yùn)算放大器的第二輸入端，所述運(yùn)算放大器的輸出端控制所述三個(gè)鏡像電流支路的大??；所述第三鏡像電流支路的輸出節(jié)點(diǎn)作為基準(zhǔn)電壓的輸出端；所述第三鏡像電流支路的輸出節(jié)點(diǎn)和地之間具有輸出電容。
[0012]第一 NM0S管的柵極連接所述第二鏡像電路的輸出節(jié)點(diǎn)，所述第一 NM0S管的源極接電源電壓，所述第一 NM0S管的漏極連接所述第三鏡像電流支路的輸出節(jié)點(diǎn)；在上電時(shí)利用所述第一雙極型晶體管的基射極電壓使所述第一 NM0S管打開(kāi)實(shí)現(xiàn)對(duì)所述輸出電容充電，當(dāng)所述基準(zhǔn)電壓的輸出端電壓升高大于所述第一雙極型晶體管的基射極電壓和所述第一 NM0S管的閾值電壓差時(shí)所述第一 NM0S管自動(dòng)關(guān)閉。
[0013]進(jìn)一步的改進(jìn)是，所述第一鏡像電流支路由第一 PM0S管組成，所述第二鏡像電流支路由第二 PMOS管組成，所述第三鏡像電流支路由第三PM0S管組成；所述第一 PM0S管、所述第二 PM0S管和所述第三PM0S管的源極都接工作電壓，所述第一 PM0S管、所述第二 PM0S管和所述第三PM0S管的柵極都接所述運(yùn)算放大器的輸出端，所述第一 PM0S管的漏極為所述第一鏡像電流支路的輸出節(jié)點(diǎn)，所述第二 PM0S管的漏極為所述第二鏡像電流支路的輸出節(jié)點(diǎn)，所述第三PM0S管的漏極為所述第三鏡像電流支路的輸出節(jié)點(diǎn)。
[0014]進(jìn)一步的改進(jìn)是，所述第一雙極型晶體管和所述第二雙極型晶體管都為PNP管。
[0015]進(jìn)一步的改進(jìn)是，所述第一雙極型晶體管和所述第二雙極型晶體管都為NPN管。
[0016]本發(fā)明通過(guò)設(shè)置第一 NM0S管，利用第一雙極型晶體管的基射極電壓對(duì)第一 NM0S管的柵極進(jìn)行控制，能夠在上電過(guò)程中使第一 NM0S管打開(kāi)從而實(shí)現(xiàn)對(duì)輸出電容的充電，從而能提高對(duì)輸出電容的充電速度，實(shí)現(xiàn)快速充電，從而能加快電路啟動(dòng)速度。
[0017]而當(dāng)所述基準(zhǔn)電壓的輸出端電壓升高大于第一雙極型晶體管的基射極電壓和第一 NM0S管的閾值電壓差時(shí)第一 NM0S管自動(dòng)關(guān)閉，這時(shí)，加入的第一 NM0S管并不會(huì)對(duì)電路的其它部分造成任何影響，不會(huì)增加額外的功耗。所以本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)不增加額外功耗的情況下加快啟動(dòng)速度。
【附圖說(shuō)明】
[0018]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明:
[0019]圖1是現(xiàn)有帶隙基準(zhǔn)源電路圖；
[0020]圖2是本發(fā)明實(shí)施例帶隙基準(zhǔn)源電路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0021]如圖2所示，是本發(fā)明實(shí)施例帶隙基準(zhǔn)源電路圖；本發(fā)明實(shí)施例帶隙基準(zhǔn)源電路包括:三個(gè)鏡像電流支路、三個(gè)電阻、兩個(gè)雙極型晶體管和一個(gè)運(yùn)算放大器1。
[0022]所述三個(gè)鏡像電流支路的電流分別為I 1、12和13，三者大小成比例關(guān)系。
[0023]第一雙極型晶體管Q1和第二雙極型晶體管Q2的類型相同且所述第二雙極型晶體管Q2的發(fā)射極面積為所述第一雙極型晶體管Q1的發(fā)射極面積的N倍，N大于1 ;所述第一雙極型晶體管Q1的基極和集電極連接在一起呈二極管結(jié)構(gòu)，所述第二雙極型晶體管Q2的基極和集電極連接在一起呈二極管結(jié)構(gòu)。本發(fā)明實(shí)施例中，所述第一雙極型晶體管Q1和所述第二雙極型晶體管Q2都為PNP管；在其它實(shí)施例中，所述第一雙極型晶體管Q1和所述第二雙極型晶體管Q2也能都為NPN管。
[0024]所述第一雙極型晶體管Q1連接在所述第一鏡像電路支路的輸出節(jié)點(diǎn)即節(jié)點(diǎn)A和地GND之間。本發(fā)明實(shí)施例中，PNP管Q1的發(fā)射極接節(jié)點(diǎn)A、集電極和基極接地GND。
[0025]第一電阻R0的第一端和所述第二鏡像電路支路的輸出節(jié)點(diǎn)即節(jié)點(diǎn)B相連，所述第二雙極型晶體管Q2連接在所述第一電阻R0和地GND之間。本發(fā)明實(shí)施例中，PNP管Q2的發(fā)射極接所述第一電阻R0的第二段、集電極和基極接地GND。
[0026]第二電阻R1連接在所述第一電阻R0的第一端和地GND之間。
[0027]第三電阻R2連接于第三鏡像電流支路的輸出節(jié)點(diǎn)和地GND之間。
[0028]