電壓調(diào)整、高壓產(chǎn)生和存儲器電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子領(lǐng)域，尤其涉及一種電壓調(diào)整、高壓產(chǎn)生和存儲器電路。
【背景技術(shù)】
[0002]如圖1所示，現(xiàn)有高壓產(chǎn)生電路包括:電壓調(diào)整電路10、第一電荷栗20、第二電荷栗30、傳輸ZM0S管Z0和穩(wěn)壓器40。所述高壓產(chǎn)生電路適于提供高壓編程電壓至存儲器50。所述傳輸ZM0S管Z0的閾值電壓-0.1V?0.5V。
[0003]第一電荷栗20的電源端接收由低壓差線性穩(wěn)壓器提供的第一電壓Vdd，第二電荷栗30的電源端接收外部電源提供的第二電壓Vddq。
[0004]所述電壓調(diào)整電路10包括分壓電路110、比較器120和NM0S管MN10。比較器120根據(jù)分壓電路110的第二輸出端的電壓Vrdet和參考電壓Vref的大小比較結(jié)果輸出使能信號至第一電荷栗20的使能端Pump_en，從而調(diào)節(jié)第一電荷栗20的輸出端電壓Vr，使得比較器120的第一輸入端電壓Vrdet與參考電壓Vref相等。NM0S管麗10的柵極連接所述電壓調(diào)整電路10的使能端EN，從而接收所述電壓調(diào)整電路10使能信號來控制電壓調(diào)整電路10是否工作。
[0005]當比較器120的第一輸入端電壓Vrdet與參考電壓Vref相等時，傳輸ZM0S管Z0的源極電壓V印=K*Vref+VgszO。K為分壓電路110的分壓系數(shù)，Vref為參考電壓的電壓值，VgszO為傳輸ZM0S管的柵極和源極的電壓差值。
[0006]傳輸ZM0S管Z0的柵極和源極的電壓差值在各個工藝條件和溫度下偏差較大，造成提供給存儲器50的高壓編程電壓在各個工藝條件和溫度下偏壓也比較大，這對存儲器50的性能和可靠性不利。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明解決的問題是現(xiàn)有高壓產(chǎn)生電路提供的電壓在各個工藝條件和溫度下偏壓較大。
[0008]為解決上述問題，本發(fā)明提供一種電壓調(diào)整電路，包括:第一 ZM0S管、分壓電路、第一 NM0S管和比較器；所述第一 ZM0S管的柵極連接所述第一 ZM0S管的漏極，所述第一ZM0S管的源極連接所述分壓電路的輸入端；所述第一 NM0S管的漏極連接所述分壓電路的第一輸出端，所述第一 NM0S管的源極接地；所述比較器的第一輸入端連接所述分壓電路的第二輸出端，所述比較器的第二輸入端適于接收參考電壓。
[0009]可選的，所述參考電壓為0.7V?IV。
[0010]可選的，所述分壓電路包括:M個第一 PM0S管，Μ彡2 ;第1個第一 PM0S管的源極連接所述分壓電路的輸入端；第m個第一 PM0S管的源極連接第m-Ι個第一 PM0S管的柵極和第m-Ι個第一 PM0S管的漏極，Μ彡m彡2 ;第Μ個第一 PM0S管的漏極連接所述分壓電路的第一輸出端；所述Μ個第一 PM0S管中的一個第一 PM0S管的源極連接所述分壓電路的第二輸出端。
[0011]可選的，所述電壓調(diào)整電路還包括:至少一個補償單元；所述補償單元的第一連接端連接所述第一 ZM0S管的漏極，所述補償單元的第二連接端連接所述第一 ZM0S管的源極；所述補償單元包括:第二 ZM0S管和第二 PM0S管；所述第二 ZM0S管的漏極連接所述第二ZM0S管的柵極和所述補償單元的第一連接端，所述第二 ZM0S管的源極連接所述第二 PM0S管的源極；所述第二 PM0S管的漏極連接所述補償單元的第二連接端。
[0012]本發(fā)明還提供一種高壓產(chǎn)生電路，包括:第一電荷栗、第二電荷栗、第三ZM0S管和上述電壓調(diào)整電路；所述第一電荷栗的輸入端連接所述第二電荷栗的輸出端和所述第三ZM0S管的漏極，所述第一電荷栗的輸出端連接所述第三ZM0S管的柵極和所述電壓調(diào)整電路中第一 ZM0S管的漏極，所述第一電荷栗的使能端連接所述電壓調(diào)整電路中比較器的輸出端。
[0013]可選的，所述第一 ZM0S管和第三ZM0S管均為N型，所述第一 ZM0S管和第三ZM0S管的溝道長度相同，所述第一 ZM0S管和第三ZM0S管的溝道寬度相同。
[0014]可選的，高壓產(chǎn)生電路還包括:至少一個補償單元；所述補償單元的第一連接端連接所述第一ZM0S管的漏極，所述補償單元的第二連接端連接所述第一ZM0S管的源極；所述補償單元包括:第二 ZM0S管和第二 PM0S管；所述第二 ZM0S管的漏極連接所述第二 ZM0S管的柵極和所述補償單元的第一連接端，所述第二 ZM0S管的源極連接所述第二 PM0S管的源極；所述第二 PM0S管的漏極連接所述補償單元的第二連接端。
[0015]可選的，所述第一 ZM0S管和第二 ZM0S管均為N型，所述第一 ZM0S管和第二 ZM0S管的溝道長度相同，所述第一 ZM0S管和第二 ZM0S管的溝道寬度相同。
[0016]可選的，所述高壓產(chǎn)生電路還包括:控制電路；所述第三ZM0S管的源極適于連接存儲器；所述控制電路適于控制N個補償單元中的第二 PM0S管處于關(guān)斷狀態(tài)，所述N等于所述存儲器中需要編程的位數(shù)，N多1。
[0017]本發(fā)明還提供一種存儲器電路，其特征在于，包括上述的高壓產(chǎn)生電路和存儲器，所述第三ZM0S管的源極連接存儲器。
[0018]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案的電壓調(diào)整電路增加了第一 ZM0S管，對第三ZM0S管的源極電壓來說，工藝條件和溫度對第三ZM0S管的柵極和源極的電壓差的影響可以被第一 ZM0S管減弱。這使得由本發(fā)明電壓調(diào)整電路構(gòu)成的高壓產(chǎn)生電路可以提供在各個工藝條件和溫度下偏壓較小的高壓編程電壓，從而提高了存儲器的性能和可靠性。
【附圖說明】
[0019]圖1是現(xiàn)有尚壓廣生電路的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0020]圖2是本發(fā)明實施例的存儲器電路一結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖3是本發(fā)明實施例的存儲器電路另一結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0022]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施例做詳細的說明。
[0023]如圖2所示，本發(fā)明實施例提供一種電壓調(diào)整電路1，包括:第一 ZM0S管Z1、分壓電路11、第一 NM0S管麗1和比較器12。
[0024]所述第一 ZMOS管Z1的柵極連接所述第一 ZM0S管Z1的漏極，所述第一 ZM0S管Z1的源極連接所述分壓電路11的輸入端。所述第一 NM0S管MN1的漏極連接所述分壓電路11的第一輸出端，所述第一 NM0S管MN1的源極接地。所述比較器12的第一輸入端連接所述分壓電路11的第二輸出端，所述比較器12的第二輸入端適于接收參考電壓Vref。
[0025]所述第一 NMOS管麗1的柵極可以連接所述電壓調(diào)整電路1的使能端EN，用于接收控制電壓調(diào)整電路1是否工作的使能信號。
[0026]采用調(diào)整電路1形成的高壓產(chǎn)生電路包括:電壓調(diào)整電路1、第一電荷栗2、第二電荷栗3、第三ZM0S管Z3。
[0027]所述第一電荷栗2的輸入端連接所述第二電荷栗3的輸出端和所述第三ZM0S管Z3的漏極，所述第一電荷栗2的輸出端連接所述第三ZM0S管Z3的柵極和所述電壓調(diào)整電路1中第一 ZM0S管Z1的漏極，所述第一電荷栗2的使能端Pump_en連接所述電壓調(diào)整電路1中比較器12的輸出端。
[0028]比較器12根據(jù)分壓電路11的第二輸出端的電壓Vrdet和參考電壓Vref的大小比較結(jié)果輸出使能信號至第一電荷栗2的使能端Pump_en，從而調(diào)節(jié)第一電荷栗2的輸出端電壓Vr，使得比較器12的第一輸入端電壓Vrdet與參考電壓Vref相等。所述參考電壓Vref 為 0.7V ?IV。
[0029]當比較器12的第一輸入端電壓Vrdet與參考電壓Vref相等時，即分壓電路11的第二輸出端電壓與參考電壓Vref相等，則
[0030]第三ZM0S管的源極電壓V印=K*Vref+(Vgszl_Vgsz3)公式1
[0031]在公式1中，K為分壓電路11的分壓系數(shù)，Vref為參考電壓的電壓值，Vgszl為第一 ZM0S管的柵極和源極的電壓差值，Vgsz3為第三ZM0S管的柵極和源極的電壓差值。
[0032]由公式1可以看出，對第三ZM0S管Z3的源極電壓Vep來說，工藝條件和溫度對第三ZM0S管Z3的柵極和源極的電壓差的影響可以被第一 ZM0S管減弱。
[0033]當所述第一 ZM0S管Z1和第三ZM0S管Z3類型相同且關(guān)鍵尺寸相同時，第一 ZM0S管Z1和第三ZM0S管Z3的柵極和源極的電壓差值近似相等，即公式1中的(VgSZl-VgSZ3)近似為0。這使得工藝條件和溫度對第三ZM0S管Z3管的柵極和源極的電壓差的影響基本可以被第一 ZM0S管Z1抵消。
[0034]具體的，所述第一 ZM0S管Z1和第三ZM0S管Z3的閾值電壓非常低，均為_0.1V?
0.5V。所述第一 ZM0S管Z1和第三