一種無(wú)觸點(diǎn)式浪涌抑制斬波調(diào)壓電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及調(diào)壓器技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種無(wú)觸點(diǎn)式浪涌抑制斬波調(diào)壓電路。
【背景技術(shù)】
[0002]目前市場(chǎng)上最常見(jiàn)調(diào)壓方式主要采用有觸點(diǎn)，且是較常見(jiàn)的采用手動(dòng)調(diào)壓的，如碳刷在調(diào)壓器表面轉(zhuǎn)動(dòng)調(diào)整輸出電壓大小，這些有觸點(diǎn)的調(diào)壓方式存在一定機(jī)械磨損，有較高的機(jī)械故障率，因此需要定期維護(hù)。且這種調(diào)壓方式反應(yīng)速度慢，無(wú)法實(shí)現(xiàn)瞬間調(diào)壓輸出。當(dāng)一些特殊場(chǎng)合需要調(diào)節(jié)電壓大小的情況下，如測(cè)試某項(xiàng)用電設(shè)備輸入電壓適應(yīng)性的時(shí)候，特別是要?jiǎng)?chuàng)造瞬間突變電壓的情況時(shí)，目前現(xiàn)有的常規(guī)調(diào)壓設(shè)備基本無(wú)法達(dá)到要求，而且，在交流輸入電源接通瞬間，濾波電路中濾波電容迅速充電，所以該峰值電流遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于穩(wěn)態(tài)輸入電流，即產(chǎn)生浪涌電流，浪涌電流不僅縮短了濾波電容的壽命，同時(shí)也對(duì)調(diào)壓電路乃至整個(gè)調(diào)壓裝置都有較大沖擊，造成毀滅性的損傷。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的目的在于提供一種無(wú)觸點(diǎn)式浪涌抑制斬波調(diào)壓電路，以解決【背景技術(shù)】中的問(wèn)題。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案:
[0005]一種無(wú)觸點(diǎn)式浪涌抑制斬波調(diào)壓電路，包括與交流源連接的MOS管型浪涌抑制器和與MOS管型浪涌抑制器連接的斬波調(diào)壓電路；所述的MOS管型浪涌抑制器包括分別連接在交流輸入電源的火線L與零線N之間的第一分壓支路和第二分壓支路，該第一分壓支路包括串接在交流輸入電源的火線與零線之間電阻Rl和電阻R2，該第二分壓支路包括串接在交流輸入電源的火線與零線之間電阻R3和電阻R4 ;電阻Rl和電阻R2的公共端與電阻R3和電阻R4的公共端相連；第二分壓支路還包括與電阻R1、電阻R3并聯(lián)的電容支路，該電容支路包括串接的電容Cl和電容C2，第二分壓支路連接一 P溝道型MOS管Tl ；M0S管Tl的柵極連接電阻Rl和電阻R2的公共端，源極連接交流輸入電源的火線；在皿)5管Tl的源極與漏極之間設(shè)有電阻R5，電阻R5還與所述的電容支路連接；所述的斬波調(diào)壓電路包括I個(gè)補(bǔ)償變壓器Tl、4個(gè)絕緣柵雙極型晶體管、4個(gè)可控硅、I個(gè)電容和I個(gè)電感，所述MOS管Tl的漏極連接接補(bǔ)償變壓器Tl副邊的一端，補(bǔ)償變壓器Tl副邊的另一端接絕緣柵雙極型晶體管I的集電極，并接調(diào)壓輸出端子，絕緣柵雙極型晶體管I和絕緣柵雙極型晶體管2串聯(lián)，絕緣柵雙極型晶體管2的集電極接電感LI和絕緣柵雙極型晶體管4的集電極，電感LI的另一端分別接電容C3的一端、可控硅VS2 —端、可控硅VS4 —端，可控硅VS2和VSI串聯(lián)，可控硅VS4和VS3串聯(lián)，兩串聯(lián)電路的中間點(diǎn)分別接補(bǔ)償變壓器Tl原邊的兩端，可控硅VSl和VS3的另一端接零線，電容C3的另一端接零線，絕緣柵雙極型晶體管4的發(fā)射極接絕緣柵雙極型晶體管3的發(fā)射極，絕緣柵雙極型晶體管3的集電極接零線。
[0006]進(jìn)一步的，所述的4個(gè)絕緣柵雙極型晶體管依次串聯(lián)在MOS管型浪涌抑制器和輸出電壓的零線之間，其中絕緣柵雙極型晶體管I和絕緣柵雙極型晶體管2相向串聯(lián)、絕緣柵雙極型晶體管3和絕緣柵雙極型晶體管4相向串聯(lián)；絕緣柵雙極型晶體管I和絕緣柵雙極型晶體管2的工作狀態(tài)相同，絕緣柵雙極型晶體管3和絕緣柵雙極型晶體管4的工作狀態(tài)相同；且在絕緣柵雙極型晶體管I和絕緣柵雙極型晶體管2導(dǎo)通的情況下，絕緣柵雙極型晶體管3和絕緣柵雙極型晶體管4截止，絕緣柵雙極型晶體管I和絕緣柵雙極型晶體管2截止的情況下，絕緣柵雙極型晶體管3和絕緣柵雙極型晶體管4導(dǎo)通。可控硅VSl和VS4工作狀態(tài)相同，可控硅VS2和VS3工作狀態(tài)相同，且在可控硅VSl和VS4導(dǎo)通的情況下，可控硅VS2和VS3截止，可控硅VSl和VS4截止的情況下，可控硅VS2和VS3導(dǎo)通。
[0007]綜上所述，本實(shí)用新型中當(dāng)需要調(diào)節(jié)輸出電壓大小時(shí)，通過(guò)控制4個(gè)絕緣柵雙極型晶體管的導(dǎo)通時(shí)間，來(lái)控制補(bǔ)償變壓器Tl的原邊電壓的大小，通過(guò)控制4個(gè)可控硅的工作狀態(tài)，來(lái)控制補(bǔ)償變壓器Tl原邊電壓的方向，得到所需補(bǔ)償副邊電壓AU，從而實(shí)現(xiàn)輸出電壓的調(diào)節(jié)，絕緣柵雙極型晶體管的導(dǎo)通和截止時(shí)間在一個(gè)電壓周期內(nèi)可以隨時(shí)控制，因此在需要提供瞬間變化的電壓時(shí)，通過(guò)控制4個(gè)絕緣柵雙極型晶體管的導(dǎo)通和截止時(shí)間便可以是實(shí)現(xiàn)，而且本實(shí)用新型通過(guò)MOS管型浪涌抑制器對(duì)MOS管型斬波調(diào)壓電路提供電路保護(hù)，提高了整個(gè)調(diào)壓裝置的使用壽命。
【附圖說(shuō)明】
[0008]圖1為本實(shí)用新型的電路原理圖。
【具體實(shí)施方式】
[0009]為了使本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合具體圖示，進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型。
[0010]如圖1所示的一種無(wú)觸點(diǎn)式浪涌抑制斬波調(diào)壓電路，包括與交流源連接的MOS管型浪涌抑制器和與MOS管型浪涌抑制器連接的斬波調(diào)壓電路；所述的MOS管型浪涌抑制器包括分別連接在交流輸入電源的火線L與零線N之間的第一分壓支路和第二分壓支路，該第一分壓支路包括串接在交流輸入電源的火線與零線之間電阻Rl和電阻R2，該第二分壓支路包括串接在交流輸入電源的火線與零線之間電阻R3和電阻R4 ;電阻Rl和電阻R2的公共端與電阻R3和電阻R4的公共端相連(即電阻R3與電阻Rl并聯(lián)，電阻R4與電阻R2并聯(lián));第二分壓支路還包括與電阻Rl、電阻R3并聯(lián)的電容支路，該電容支路包括串接的電容Cl和電容C2，第二分壓支路連接一 P溝道型MOS管Tl ；M0S管Tl的柵極連接電阻Rl和電阻R2的公共端，源極連接交流輸入電源的火線；在皿)5管Tl的源極與漏極之間設(shè)有電阻R5，電阻R5還與所述的電容支路連接；
[0011]MOS管Tl的正常導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)電壓一般在12V左右，從而選擇電阻Rl和電阻R2比值，使交流輸入電源在工作范圍內(nèi)波動(dòng)的情況下，在電阻R2上的分壓能驅(qū)動(dòng)MOS管Tl導(dǎo)通，上述電阻R1、電阻R2、電阻R3和電阻R4，以及電容Cl和電容C2的取值影響電源電路啟動(dòng)至MOS管Tl的導(dǎo)通時(shí)間，OS晶體管Ql的導(dǎo)通時(shí)間越長(zhǎng)，可以更好地抑制啟動(dòng)浪涌電流。
[0012]所述的斬波調(diào)壓電路包括I個(gè)補(bǔ)償變壓器Tl、4個(gè)絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、4個(gè)可控硅、I個(gè)電容和I個(gè)電感，所述MOS管Tl的漏極連接接補(bǔ)償變壓器Tl副邊的一端，補(bǔ)償變壓器Tl副邊的另一端接絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)I的集電極，并接調(diào)壓輸出端子，絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)I和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT) 2串聯(lián)，絕緣柵雙極型晶體管(IGBT) 2的集電極接電感LI和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)4的集電極，電感LI的另一端分別接電容C3的一端、可控硅VS2 —端、可控硅VS4 —端，可控硅VS2和VSl串聯(lián)，可控硅VS4和VS3串聯(lián)，兩串聯(lián)電路的中間點(diǎn)分別接補(bǔ)償變壓器TI原邊的兩端，可控硅VSI和VS3的另一端接零線，電容C3的另一端接零線，絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)4的發(fā)射極接絕緣柵雙極型晶體管(IGBT) 3的發(fā)射極，絕緣柵雙極型晶體管(IGBT) 3的集電極接零線；4個(gè)絕緣柵雙極型晶體管(IG