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      電壓調(diào)節(jié)器的制造方法_4

      文檔序號:9042791閱讀:來源:國知局
      壓,晶體管335就接通。晶體管340和342鏡像從晶體管335的漏極到驅(qū)動器電路316的電流,驅(qū)動器電路316接收第二電壓源VsuPPly2并且產(chǎn)生等于晶體管335提供的輸出的Vout 364。
      [0050]一旦VramP 370達到VsuPPlyl 314,控制邏輯368就停止增加VramP370并且將VramP 370保持在VsuPPlyl 314。跟蹤調(diào)節(jié)器300從操作的軟啟動模式轉(zhuǎn)變到正常操作模式。在正常操作模式下,運放302和304都是操作的,因此晶體管334和335都被接通。因此,跟蹤調(diào)節(jié)器300的Vout 364在軟啟動模式下從OV爬升到VsuPPlyl 314,然后在正常操作模式期間保持在VsuPPlyl 314。這提供了有效的方法來實現(xiàn)軟啟動功能,同時消除了啟動時的涌入電流和過沖電壓。
      [0051]Vout 364被反饋到運放302的反相輸入,并且被電壓分壓器310用于產(chǎn)生Vfb_ss378。電壓分壓器310以(R0+RD/R1的比率作為VramP 370的函數(shù)產(chǎn)生Vfb_ss 378,直到Vout 364達到VsuPPlyl 314的電壓。之后,跟蹤調(diào)節(jié)器300從軟啟動模式切換到正常操作模式,使得運放304的輸入不平衡、晶體管335接通以及Vout 364跟蹤VsuPPlyl 314。Vout 364處經(jīng)歷的電容被圖示為Cload 366。
      [0052]已經(jīng)結(jié)合具體的實施例描述本實用新型,其中,具體的實施例在各方面旨在示例性的而非限制性的??商鎿Q實施例對于本實用新型從屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在不偏離其范圍的情況下將變得顯而易見。
      [0053]從上文中可以看出,本實用新型很好地適于達到上文敘述的所有的目的和目標,以及對于本系統(tǒng)和方法明顯的和固有的其他優(yōu)點。將要理解某些特征和子組合是實用的,并且可以在不參考其他特征和子組合的情況下實施。這是權(quán)利要求的范圍所計劃的并且包括在其中。
      【主權(quán)項】
      1.一種電壓調(diào)節(jié)器,用于產(chǎn)生調(diào)節(jié)器輸出信號,其特征在于,所述電壓調(diào)節(jié)器包括: 軟啟動電路,包括至少一個P型晶體管,所述軟啟動電路被配置以接收可變斜坡電壓信號和軟啟動反饋信號; 誤差放大器,包括至少一個N型晶體管,用于接收正常操作反饋信號;以及 控制邏輯,配置以在操作的軟啟動模式期間改變所述可變斜坡電壓信號以逐漸增加所述調(diào)節(jié)器輸出信號并且在操作的正常操作模式期間保持所述調(diào)節(jié)器輸出信號。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電壓調(diào)節(jié)器,其特征在于,進一步包括晶體管,所述晶體管限制在所述操作的正常操作模式期間在所述調(diào)節(jié)器輸出信號處的電流或者電壓。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電壓調(diào)節(jié)器,其特征在于,所述控制邏輯被配置為逐漸將所述可變斜坡電壓信號從起始電壓增加到所述至少一個N型晶體管的閾值電壓。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電壓調(diào)節(jié)器,其特征在于,所述控制邏輯被配置為在特定的時間框內(nèi)逐漸將所述可變斜坡電壓信號從所述起始電壓增加到所述至少一個N型晶體管的所述閾值電壓。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電壓調(diào)節(jié)器,其特征在于,所述軟啟動反饋電路被配置為從所述調(diào)節(jié)器輸出信號產(chǎn)生所述軟啟動反饋信號。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電壓調(diào)節(jié)器,其特征在于,進一步包括正常操作反饋電路,所述正常操作反饋電路被配置為從所述調(diào)節(jié)器輸出信號產(chǎn)生所述正常操作反饋信號。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電壓調(diào)節(jié)器,其特征在于,所述調(diào)節(jié)器輸出信號被提供給配置為跟蹤所述電壓調(diào)節(jié)器的所述輸出信號的跟蹤電壓調(diào)節(jié)器。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電壓調(diào)節(jié)器,其特征在于,所述跟蹤電壓調(diào)節(jié)器包括: 第一運算放大器,具有N型晶體管輸入,其中一個輸入接收所述調(diào)節(jié)器輸出信號;和 第二運算放大器,具有P型晶體管輸入,用于接收第二可變電壓信號并被配置為產(chǎn)生在軟啟動操作期間使用的電壓信號。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電壓調(diào)節(jié)器,其特征在于,所述跟蹤電壓調(diào)節(jié)器被配置為執(zhí)行所述軟啟動操作,同時所述第二可變電壓信號保持在所述第二運算放大器的所述P型晶體管輸入的至少一個的閾值電壓之內(nèi)。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電壓調(diào)節(jié)器,其特征在于,所述跟蹤電壓調(diào)節(jié)器被配置為從軟啟動模式轉(zhuǎn)換到正常操作模式,在所述正常操作模式中跟蹤調(diào)節(jié)器跟蹤所述調(diào)節(jié)器輸出信號。11.一種電壓調(diào)節(jié)器,用于產(chǎn)生輸出電壓信號并被配置為操作在軟啟動模式和正常操作模式之下,其特征在于,所述電壓調(diào)節(jié)器包括: 放大器,包括一對N型晶體管,其中第一 N型晶體管被配置為接收基于所述輸出電壓信號的第一反饋信號; 軟啟動電路,包括一對P型晶體管,其中第一 P型晶體管被配置以接收可變斜坡電壓信號,而第二P型晶體管被配置為接收第二反饋信號;以及 控制邏輯,被配置為改變所述可變斜坡電壓信號并且因此使得所述輸出電壓信號:(I)在所述軟啟動模式期間從起始電壓逐漸增加到操作電壓,和(2)在所述正常操作模式期間保持所述操作電壓。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電壓調(diào)節(jié)器,其特征在于,所述控制邏輯在所述軟啟動模式期間逐漸增加所述可變斜坡電壓信號。13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電壓調(diào)節(jié)器,其特征在于,所述控制邏輯在所述軟啟動模式期間在特定的時間框內(nèi)逐漸增加所述可變斜坡電壓信號。14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電壓調(diào)節(jié)器,其特征在于,進一步包括: 所述放大器的第二 P型晶體管,被配置為接收參考電壓輸入信號;以及 電壓反饋電路,包括第一電阻器和第二電阻器,其中在所述正常操作模式期間一旦所述輸出電壓信號達到等于基于第一電阻器和第二電阻器的所述參考電壓一部分的電壓水平,所述控制邏輯保持操作電壓。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電壓調(diào)節(jié)器,其特征在于,所述電壓水平等于所述參考電壓輸入信號乘以所述第一電阻器和所述第二電阻器之和除以所述第二電阻器。16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電壓調(diào)節(jié)器,其特征在于,所述控制邏輯包括: 控制器;以及 由所述控制器可執(zhí)行的指令所實施的存儲器,用于發(fā)送所述可變斜坡電壓信號的變化,因此使得所述輸出電壓信號在所述軟啟動模式期間從所述起始電壓逐漸增加到操作電壓,并且在所述正常操作模式期間所述保持操作電壓。17.—種電壓調(diào)節(jié)器,用于產(chǎn)生輸出電壓信號并被配置為操作在軟啟動模式和正常操作模式,其特征在于,所述電壓調(diào)節(jié)器包括: 第一運算放大器,包括一對N型晶體管并被配置為接收基于所述輸出電壓信號的反饋信號; 第二運算放大器,包括一對P型晶體管,其中第一 P型晶體管被配置為接收可變斜坡電壓信號,并且第二P型晶體管被配置為接收軟啟動反饋信號;以及 控制邏輯,配置為改變所述可變斜坡電壓信號并且因此使得所述輸出電壓信號在所述軟啟動模式期間從起始電壓逐漸增加到操作電壓。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的電壓調(diào)節(jié)器,其特征在于,所述控制邏輯被配置為通過線性增加所述可變斜坡電壓信號來改變所述可變斜坡電壓信號。19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的電壓調(diào)節(jié)器,其特征在于,進一步包括耦合到所述第一運算放大器的所述輸出的第三P型晶體管。20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的電壓調(diào)節(jié)器,其特征在于,進一步包括耦合到所述第二運算放大器的所述輸出并且也耦合到所述第三P型晶體管的第三N型晶體管。
      【專利摘要】一種電壓調(diào)節(jié)器,包括具有相反類型晶體管(P型和N型)的兩個輸入對,以提供軟啟動功能用于從零或者低于N型晶體管的閾值的電壓逐漸增加電壓調(diào)節(jié)器的輸出電壓到操作電壓。電壓調(diào)節(jié)器操作在軟啟動模式,其中可變電壓信號逐漸爬升以允許輸出電壓達到操作電壓,以及正常操作模式,其中操作電壓得到保持。
      【IPC分類】G05F1/56
      【公開號】CN204695151
      【申請?zhí)枴緾N201420872874
      【發(fā)明人】崔正昊, 王飛, 蔣明
      【申請人】意法半導體(中國)投資有限公司
      【公開日】2015年10月7日
      【申請日】2014年12月29日
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