本發(fā)明涉及存儲器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種NVRAM控制方法及系統(tǒng)。

背景技術(shù)：
NVRAM是一種非易失性的隨機訪問存儲器，是新世代內(nèi)存（閃存）技術(shù)，它包括鐵電介質(zhì)存儲器(FRAM或FeRAM)、磁介質(zhì)存儲器(MRAM)、奧弗辛斯基效應(yīng)一致性存儲器(OUM)、聚合物存儲器(PFRAM)、PCRAM、ConductiveBridgeRAM(CBRAM）、OrganicRAM(ORAM）以及NanotubeRAM(NRAM）。新興的非易失性相變存儲內(nèi)存NVRAM融合了DRAM內(nèi)存的高速存取及FLASH閃存在關(guān)閉電源后保留數(shù)據(jù)的特性,但其本身存在磨損錯誤和良率過低等問題，無法直接進行使用，需要一個健全的的控制系統(tǒng)對NVRAM進行控制才能有效使用，而現(xiàn)有的控制系統(tǒng)功能欠缺，無法實現(xiàn)該要求。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明的主要目的在于提供一種NVRAM控制方法，旨在通過對NVRAM進行有效控制管理，彌補NVRAM本身存在的磨損錯誤及良率較低等問題，以提高NVRAM的實用性。為了實現(xiàn)發(fā)明目的，本發(fā)明提出一種NVRAM控制方法，包括以下步驟：初始化NVRAM內(nèi)部數(shù)據(jù)，讀取NVRAM中可被修復(fù)的數(shù)據(jù)，并對讀取的可被修復(fù)的數(shù)據(jù)進行修復(fù)；將修復(fù)后的數(shù)據(jù)存儲至NVRAM的有效地址中；將有效地址的信息進行重組，并存儲。優(yōu)選地，在執(zhí)行所述將有效地址的信息進行重組，并存儲的步驟之后還包括：在對NVRAM進行數(shù)據(jù)寫入時，接收到外部傳輸?shù)臄?shù)據(jù)后獲取該數(shù)據(jù)的訪問標(biāo)識并存儲；將接收到的數(shù)據(jù)編碼后存入NVRAM的有效地址中。優(yōu)選地，在執(zhí)行所述將有效地址的信息進行重組，并存儲的步驟之后還包括：在讀取NVRAM內(nèi)的數(shù)據(jù)時，接收訪問標(biāo)識，根據(jù)訪問標(biāo)識獲得該信息的有效地址信息；根據(jù)有效地址信息讀取存儲在NVRAM的有效地址中的數(shù)據(jù)信息；對讀取到的數(shù)據(jù)信息進行解碼，并輸出解碼后的數(shù)據(jù)信息。優(yōu)選地，所述在讀取NVRAM內(nèi)的數(shù)據(jù)時，接收訪問標(biāo)識，根據(jù)訪問標(biāo)識獲得該信息的有效地址信息包括：接收到訪問標(biāo)識時，從存儲的地址信息中獲取與之對應(yīng)的有效地址信息。本發(fā)明還提出一種NVRAM控制系統(tǒng)，其特征在于，包括：控制模塊：初始化NVRAM內(nèi)部數(shù)據(jù)，讀取NVRAM中可被修復(fù)的數(shù)據(jù)，并對讀取的可被修復(fù)的數(shù)據(jù)進行修復(fù)；處理模塊：用于將修復(fù)后的數(shù)據(jù)存儲至NVRAM的有效地址中；存儲模塊：將有效地址的信息進行重組，并存儲。優(yōu)選地，還包括：接收模塊：用于在對NVRAM進行數(shù)據(jù)寫入時，接收到外部傳輸?shù)臄?shù)據(jù)后獲取該數(shù)據(jù)的訪問標(biāo)識并存儲；數(shù)據(jù)處理模塊：用于將接收到的數(shù)據(jù)編碼后存入NVRAM的有效地址中。優(yōu)選地，所述接收模塊還用于：在讀取NVRAM內(nèi)的數(shù)據(jù)時，接收訪問標(biāo)識，根據(jù)訪問標(biāo)識獲得該信息的有效地址信息；所述控制模塊還用于：根據(jù)有效地址信息讀取存儲在NVRAM的有效地址中的數(shù)據(jù)信息；所述數(shù)據(jù)處理模塊還用于：對讀取到的數(shù)據(jù)信息進行解碼，并輸出解碼后的數(shù)據(jù)信息。優(yōu)選地，所述接收模塊包括：地址管理單元：用于接收到訪問標(biāo)識時，從存儲的地址信息中獲取與之對應(yīng)的有效地址信息。本發(fā)明通過初始化NVRAM內(nèi)部數(shù)據(jù)，讀取NVRAM中可被修復(fù)的數(shù)據(jù)，并對讀取的可被修復(fù)的數(shù)據(jù)進行修復(fù)，又將修復(fù)后的數(shù)據(jù)存儲至NVRAM的有效地址中，再將有效地址的信息進行重組，并存儲。本發(fā)明可實現(xiàn)對NVRAM的有效控制管理，彌補了NVRAM本身存在的磨損錯誤及良率較低等問題，有利于提高NVRAM的實用性。附圖說明圖1是本發(fā)明NVRAM控制方法一實施例的流程圖；圖2是本發(fā)明NVRAM控制方法一實施例中寫入數(shù)據(jù)的流程圖；圖3是本發(fā)明NVRAM控制系統(tǒng)一實施例中讀取數(shù)據(jù)的流程圖；圖4是本發(fā)明NVRAM控制系統(tǒng)一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本發(fā)明NVRAM控制系統(tǒng)一實施例中接收模塊的結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明目的的實現(xiàn)、功能特點及優(yōu)點將結(jié)合實施例，參照附圖做進一步說明。具體實施方式應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。參照圖1，圖1是本發(fā)明NVRAM控制方法一實施例的流程圖。如圖1所示，該方法包括以下步驟：步驟S01、初始化NVRAM內(nèi)部數(shù)據(jù)，讀取NVRAM中可被修復(fù)的數(shù)據(jù)，并對讀取的可被修復(fù)的數(shù)據(jù)進行修復(fù)；步驟S02、將修復(fù)后的數(shù)據(jù)存儲至NVRAM的有效地址中；步驟S03、將有效地址的信息進行重組，并存儲。NVRAM在使用中會出現(xiàn)磨損，會導(dǎo)致地址區(qū)域出現(xiàn)壞塊，當(dāng)?shù)刂窊p壞的時候就會無效，外部讀取該地址中的數(shù)據(jù)時就會找不到目標(biāo)區(qū)域，本實施例中，當(dāng)該控制系統(tǒng)上電時，通過加載運行一些功能或者機制來讀取NVRAM中的數(shù)據(jù)，并通過加載的檢測機制檢測出數(shù)據(jù)的好壞程度，將未完全損壞的數(shù)據(jù)通過加載的修復(fù)機制進行修復(fù)，然后將修護后的數(shù)據(jù)重新存入NVRAM中可利用的地址區(qū)域，再將整個NVRAM中存儲的有效數(shù)據(jù)進行地址編號，將地址編號信息與數(shù)據(jù)信息一一對應(yīng)后存儲至一個隨機存儲器中，以備找尋數(shù)據(jù)的時候通過從隨機存儲器當(dāng)中找到目標(biāo)數(shù)據(jù)的有效地址信息，從而能夠從NVRAM中獲取到目標(biāo)數(shù)據(jù)。這樣，就實現(xiàn)了對NVRAM的有效控制管理，并對可修復(fù)的數(shù)據(jù)進行修護，可有效減少數(shù)據(jù)完全損壞丟失，保證數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性。參照圖2，圖2是本發(fā)明NVRAM控制方法一實施例中寫入數(shù)據(jù)的流程圖；如圖2所示，上述在執(zhí)行所述將有效地址的信息進行重組，并存儲的步驟之后還包括：步驟S04、在對NVRAM進行數(shù)據(jù)寫入時，接收到外部傳輸?shù)臄?shù)據(jù)后獲取該數(shù)據(jù)的訪問標(biāo)識并存儲；本實施例中，通過外部應(yīng)用接口與其他設(shè)備連接將數(shù)據(jù)輸入NVRAM中時，會獲取到該數(shù)據(jù)的訪問標(biāo)識，該訪問標(biāo)識唯一且與數(shù)據(jù)對應(yīng)，并且該訪問標(biāo)識被記憶下來，以便讀取數(shù)據(jù)時能識別到該訪問標(biāo)識。步驟S05、將接收到的數(shù)據(jù)編碼后存入NVRAM的有效地址中。本實施例中，將接收到的數(shù)據(jù)進行編碼后存入NVRAM的有效地址中，以方便對數(shù)據(jù)的管理，保持?jǐn)?shù)據(jù)的穩(wěn)定性。參照圖3，圖3是本發(fā)明NVRAM控制系統(tǒng)一實施例中讀取數(shù)據(jù)的流程圖；如圖3所示，上述在執(zhí)行所述將有效地址的信息進行重組，并存儲的步驟之后還包括：步驟S06、在讀取NVRAM內(nèi)的數(shù)據(jù)時，接收訪問標(biāo)識，根據(jù)訪問標(biāo)識獲得該信息的有效地址信息；該訪問標(biāo)識是在寫入數(shù)據(jù)時被記憶下來的訪問標(biāo)識，在上電修護數(shù)據(jù)后也會把存儲的訪問標(biāo)識上傳到隨機存儲器中，通過與NVRAM中的數(shù)據(jù)進行映射，實現(xiàn)與地址編號信息一一對應(yīng)，這樣通過該訪問標(biāo)識就可以從隨機存儲器當(dāng)中找到與之對應(yīng)的數(shù)據(jù)的有效地址信息。步驟S07、根據(jù)有效地址信息讀取存儲在NVRAM的有效地址中的數(shù)據(jù)信息；步驟S08、對讀取到的數(shù)據(jù)信息進行解碼，并輸出解碼后的數(shù)據(jù)信息。所述在解碼的過程中會對磨損的數(shù)據(jù)進行糾錯，這樣使得輸出后的數(shù)據(jù)信息都是正確的，進一步保證了數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性。進一步地，所述在讀取NVRAM內(nèi)的數(shù)據(jù)時，接收訪問地址，根據(jù)訪問地址獲得該信息的有效地址信息包括：接收到訪問標(biāo)識時，從存儲的地址信息中獲取與之對應(yīng)的有效地址信息。本實施例中，通過加載一個隨機存儲器來存儲NVRAM中有效數(shù)據(jù)的地址編號信息，并且在上電修護數(shù)據(jù)后也會把存儲的訪問標(biāo)識上傳到隨機存儲器中，通過與NVRAM中的數(shù)據(jù)進行映射，實現(xiàn)與地址編號信息一一對應(yīng)。本發(fā)明方法通過初始化NVRAM內(nèi)部數(shù)據(jù)，讀取NVRAM中可被修復(fù)的數(shù)據(jù)，并對讀取的可被修復(fù)的數(shù)據(jù)進行修復(fù)；又將修復(fù)后的數(shù)據(jù)存儲至NVRAM的有效地址中；再將有效地址的信息進行重組，并存儲。從而實現(xiàn)了對NVRAM的有效控制管理，彌補了NVRAM本身存在的磨損錯誤及良率較低等問題，有利于提高NVRAM的實用性。參照圖4，圖4是本發(fā)明NVRAM控制系統(tǒng)一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；如圖4所示，該NVRAM控制系統(tǒng)包括：控制模塊100：初始化NVRAM內(nèi)部數(shù)據(jù)，讀取NVRAM中可被修復(fù)的數(shù)據(jù)，并對讀取的可被修復(fù)的數(shù)據(jù)進行修復(fù)；處理模塊200：用于將修復(fù)后的數(shù)據(jù)存儲至NVRAM的有效地址中；存儲模塊300：將有效地址的信息進行重組，并存儲。NVRAM在使用中會出現(xiàn)磨損，會導(dǎo)致地址區(qū)域出現(xiàn)壞塊，當(dāng)?shù)刂窊p壞的時候就會無效，外部讀取該地址中的數(shù)據(jù)時就會找不到目標(biāo)區(qū)域，本實施例中，當(dāng)該系統(tǒng)及存儲器上電時，通過加載運行一些功能或者機制來讀取NVRAM中的數(shù)據(jù)，并通過加載的檢測機制檢測出數(shù)據(jù)的好壞程度，將未完全損壞的數(shù)據(jù)通過加載的修復(fù)機制進行修復(fù)，然后將修護后的數(shù)據(jù)重新存入NVRAM中可利用的地址區(qū)域，再將整個NVRAM中存儲的有效數(shù)據(jù)進行地址編號，將地址編號信息存儲至一個隨機存儲器中，以備找尋數(shù)據(jù)的時候通過從隨機存儲器當(dāng)中找到目標(biāo)數(shù)據(jù)的有效地址信息，從而能夠從NVRAM中獲取到目標(biāo)數(shù)據(jù)。這樣，就實現(xiàn)了對NVRAM的有效控制管理，并對可修復(fù)的數(shù)據(jù)進行修護，可有效減少數(shù)據(jù)完全損壞丟失，保證數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性。并且，還包括：接收模塊400：在對NVRAM進行數(shù)據(jù)寫入時，接收到外部傳輸?shù)臄?shù)據(jù)后獲取該數(shù)據(jù)的訪問標(biāo)識并存儲；本實施例中，通過外部應(yīng)用接口與其他設(shè)備連接將數(shù)據(jù)輸入NVRAM中時，會獲取到該數(shù)據(jù)的訪問標(biāo)識，該訪問標(biāo)識唯一且與數(shù)據(jù)對應(yīng)，并且該訪問標(biāo)識被記憶下來，以便讀取數(shù)據(jù)時能識別到該訪問標(biāo)識。數(shù)據(jù)處理模塊500：將接收到的數(shù)據(jù)編碼后存入NVRAM的有效地址中。本實施例中，將接收到的數(shù)據(jù)進行編碼后存入NVRAM的有效地址中，以方便對數(shù)據(jù)的管理，保持?jǐn)?shù)據(jù)的穩(wěn)定性。另外，所述接收模塊400還用于：在讀取NVRAM內(nèi)的數(shù)據(jù)時，接收訪問標(biāo)識，根據(jù)訪問標(biāo)識獲得該信息的有效地址信息；該訪問標(biāo)識是在寫入數(shù)據(jù)時被記憶下來的訪問標(biāo)識，在上電修護數(shù)據(jù)后也會把存儲的訪問標(biāo)識上傳到隨機存儲器中，通過與NVRAM中的數(shù)據(jù)進行映射，實現(xiàn)與地址編號信息一一對應(yīng)，這樣通過該訪問標(biāo)識就可以從隨機存儲器當(dāng)中找到與之對應(yīng)的數(shù)據(jù)的有效地址信息。所述控制模塊100還用于：根據(jù)有效地址信息讀取存儲在NVRAM的有效地址中的數(shù)據(jù)信息；所述數(shù)據(jù)處理模塊200還用于：對讀取到的數(shù)據(jù)信息進行解碼，并輸出解碼后的數(shù)據(jù)信息。所述在解碼的過程中會對磨損的數(shù)據(jù)進行糾錯，這樣使得輸出后的數(shù)據(jù)信息都是正確的，進一步保證了數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性。參照圖5，圖5是本發(fā)明NVRAM控制系統(tǒng)一實施例中接收模塊的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖5所示，所述接收模塊400包括：地址管理單元401：用于接收到訪問標(biāo)識時，從存儲的地址信息中獲取與之對應(yīng)的有效地址信息。本實施例中，通過加載一個隨機存儲器來存儲NVRAM中有效數(shù)據(jù)的地址編號信息，并且在上電修護數(shù)據(jù)后也會把存儲的訪問標(biāo)識上傳到隨機存儲器中，通過與NVRAM中的數(shù)據(jù)進行映射，實現(xiàn)與地址編號信息一一對應(yīng)。本發(fā)明系統(tǒng)通過控制模塊100初始化NVRAM內(nèi)部數(shù)據(jù)，讀取NVRAM中可被修復(fù)的數(shù)據(jù)，并對讀取的可被修復(fù)的數(shù)據(jù)進行修復(fù)；并且，處理模塊200將修復(fù)后的數(shù)據(jù)存儲至NVRAM的有效地址中；最后由存儲模塊300將有效地址的信息進行重組，并存儲。從而實現(xiàn)了對NVRAM的有效控制管理，彌補了NVRAM本身存在的磨損錯誤及良率較低等問題，有利于提高NVRAM的實用性。以上僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內(nèi)。