本發(fā)明涉及本發(fā)明涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種識(shí)別裝置。

背景技術(shù)：

隨著科技的進(jìn)步和社會(huì)的發(fā)展，識(shí)別技術(shù)的到越來越廣泛的應(yīng)用，尤其是生物信息識(shí)別技術(shù)，目前已廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域，例如門禁、考勤、電子設(shè)備解鎖等。

但是，目前識(shí)別裝置在經(jīng)觸發(fā)，由睡眠狀態(tài)切換至工作狀態(tài)時(shí)，普遍存在誤觸發(fā)率較高和觸發(fā)速度較慢的問題。

同時(shí)，在傳感器進(jìn)行識(shí)別時(shí)，由被識(shí)別對(duì)象產(chǎn)生的寄生電容會(huì)對(duì)傳感器工作造成干擾。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例解決的問題是如何準(zhǔn)確快速的切換識(shí)別裝置狀態(tài)，提高識(shí)別的準(zhǔn)確性。

為解決上述問題，本發(fā)明實(shí)施例提供一種識(shí)別裝置，所述識(shí)別裝置包括：觸碰單元、觸碰信號(hào)處理單元、傳感器單元；

所述觸碰單元相對(duì)于所述傳感器單元設(shè)置，包括導(dǎo)電層、絕緣層，所述導(dǎo)電層位于所述絕緣層和所述傳感器單元之間；

所述觸碰信號(hào)處理單元耦接至所述觸碰單元的導(dǎo)電層，所述觸碰單元包括至少一個(gè)觸碰區(qū)域，所述觸碰信號(hào)處理單元適于根據(jù)所述觸碰區(qū)域的的電容或感應(yīng)電荷數(shù)量發(fā)生閾值以上變化，控制所述傳感器單元的工作狀態(tài)。

可選的，所述觸碰信號(hào)處理單元適于根據(jù)所述觸碰單元中電容或感應(yīng)電荷數(shù)量發(fā)生閾值以上變化的觸碰區(qū)域的數(shù)目，控制所述傳感器單元的工作狀態(tài)包括：

在所述觸碰單元僅包括一個(gè)所述觸碰區(qū)域時(shí)，所述觸碰區(qū)域的的電容或 感應(yīng)電荷數(shù)量發(fā)生閾值以上變化時(shí)為所述傳感器單元供電。

可選的，所述根據(jù)所述觸碰單元的電容或感應(yīng)電荷數(shù)量發(fā)生閾值以上變化的觸碰區(qū)域的數(shù)目，控制所述傳感器單元的工作狀態(tài)包括：

在所述觸碰單元包括至少兩個(gè)所述觸發(fā)區(qū)域時(shí)，所述觸碰單元中電容或感

應(yīng)電荷數(shù)量發(fā)生閾值以上變化的觸碰區(qū)域的數(shù)目大于預(yù)設(shè)值時(shí)，為所述傳

感器單元供電。

可選的，所述觸碰信號(hào)處理單元包括：觸碰信號(hào)接收電路、數(shù)目判斷電路、控制電路；

所述觸碰信號(hào)接收電路連接至所述至少一個(gè)觸碰區(qū)域，適于檢測(cè)所述觸碰區(qū)域的電容或感應(yīng)電荷數(shù)量變化，將所述觸碰區(qū)域的觸碰信號(hào)送至所述觸碰信號(hào)處理電路；

所述數(shù)目判斷電路適于對(duì)所述觸碰區(qū)域的信號(hào)進(jìn)行處理，判斷所述觸發(fā)區(qū)域的電容發(fā)生閾值以上變化的數(shù)目；

所述控制電路適于根據(jù)述觸碰區(qū)域的電容或感應(yīng)電荷數(shù)量發(fā)生閾值以上變化的數(shù)目，控制所述傳感器單元的工作狀態(tài)。

可選的，所述傳感器單元包括光學(xué)傳感器；

所述觸碰單元覆蓋所述傳感器單元的像素區(qū)域；

所述觸碰單元是透明的觸碰單元。

可選的，所述透明的觸碰單元中導(dǎo)電層材料是ITO。

可選的，所述透明的觸碰單元中絕緣層材料包括以下任一種：氮化硅、陶瓷、藍(lán)寶石、玻璃、氧化鋯微晶體、PET。

可選的，所述傳感器單元包括：像素陣列、背光源、讀出電路以及驅(qū)動(dòng)電路；

所述像素陣列位于所述背光源與被識(shí)別物體之間，所述背光源適于透過所述像素陣列照射至被識(shí)別物體；

所述像素陣列適于將所述被識(shí)別物體的反射光轉(zhuǎn)換為電信號(hào)；

所述讀出電路適于讀出所述電信號(hào)。

可選的，所述像素陣列包括晶體管和光電二極管；

所述像素陣列中，每個(gè)光電二極管的陰極連接至與其對(duì)應(yīng)的所述晶體管的源極；

每行所述光電二極管的陽極相連接，適于接入第一電壓；

每行所述晶體管的柵極相連接，形成行掃描線，連接至所述驅(qū)動(dòng)電路；

每列所述晶體管的漏極相連接，形成數(shù)據(jù)線，連接至所述讀出電路。

可選的，所述導(dǎo)電層包括若干間隔分布的導(dǎo)電層單元，所述導(dǎo)電層單元的間隔位置對(duì)應(yīng)所述光電二極管上極板膜的位置，所有導(dǎo)電層單元電連接。

可選的，所述電連接方式包括：在非像素區(qū)域電連接或者通過分布在像素區(qū)域的連接線電連接。

可選的，所述光電二極管是非晶硅光電二極管，所述晶體管是非晶硅薄膜晶體管，所述驅(qū)動(dòng)電路是非晶硅柵極驅(qū)動(dòng)電路。

可選的，所述觸碰單元還覆蓋所述非晶硅柵極驅(qū)動(dòng)電路。

可選的，所述光學(xué)傳感器包括以下至少一種：指紋傳感器，指靜脈傳感器。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案具有以下有益效果：

通過設(shè)置相對(duì)于所述傳感器單元的觸碰單元，根據(jù)所述觸碰單元中電容或感應(yīng)電荷數(shù)量發(fā)生閾值以上變化的觸碰區(qū)域的數(shù)目，控制所述傳感器單元的工作狀態(tài)，位于所述傳感器單元和所述絕緣層之間的導(dǎo)電層對(duì)干擾傳感器單元正常工作的寄生電容進(jìn)行屏蔽，從而提高識(shí)別的準(zhǔn)確性。另外，由于觸碰單元相對(duì)于傳感器單元設(shè)置，面積較大，經(jīng)觸碰后電容或感應(yīng)電荷數(shù)量變化大，反饋至觸碰信號(hào)處理單元的觸碰信號(hào)大，從而可以更加準(zhǔn)確快速的切換識(shí)別裝置的狀態(tài)。

進(jìn)一步，在觸碰單元包括至少兩個(gè)觸碰區(qū)域時(shí)，利用觸碰信號(hào)處理單元檢測(cè)所述觸碰區(qū)域的電容或感應(yīng)電荷數(shù)量發(fā)生閾值以上變化的數(shù)目，在僅有 一個(gè)所述觸碰區(qū)域的電容或感應(yīng)電荷數(shù)量發(fā)生閾值以上變化時(shí)保持狀態(tài)不變，而誤觸一般僅碰到一個(gè)觸碰區(qū)域，從而降低識(shí)別裝置的誤觸發(fā)率。

進(jìn)一步，由于所述觸碰單元覆蓋范圍包括所述柵極驅(qū)動(dòng)電路，從而可以在為更加準(zhǔn)確快速的切換識(shí)別裝置的狀態(tài)提供觸碰信號(hào)的同時(shí)，對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行保護(hù)。

進(jìn)一步，所述導(dǎo)電層包括若干間隔分布的導(dǎo)電層單元，所述導(dǎo)電層單元的間隔位置對(duì)應(yīng)所述光電二極管上極板膜的位置，從而避免二者形成寄生電容，影響觸碰功能的靈敏性。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實(shí)施例中一種識(shí)別裝置結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例中另一種識(shí)別裝置結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例中一種傳感器單元的示意圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例中另一種傳感器單元的電路圖；

圖5是本發(fā)明實(shí)施例中一種識(shí)別裝置中各部分的位置關(guān)系圖；

圖6是沿圖5所示的識(shí)別裝置的AA方向剖面圖；

圖7是本發(fā)明實(shí)施例中一種識(shí)別裝置的示意圖；

圖8是本發(fā)明實(shí)施例中一種識(shí)別裝置的觸碰區(qū)域示意圖；

圖9是本發(fā)明實(shí)施例中另一種識(shí)別裝置的觸碰區(qū)域示意圖。

具體實(shí)施方式

如前所述，目前識(shí)別裝置在經(jīng)觸發(fā)，由睡眠狀態(tài)切換至工作狀態(tài)時(shí)，普遍存在誤觸發(fā)率較高和觸發(fā)速度較慢的問題。

同時(shí)，在傳感器進(jìn)行識(shí)別時(shí)，用戶手指與識(shí)別傳感器之間形成的寄生電容會(huì)對(duì)傳感器工作造成干擾。

本發(fā)明實(shí)施例通過設(shè)置相對(duì)于所述傳感器單元的觸碰單元，根據(jù)所述觸碰單元中電容或感應(yīng)電荷數(shù)量發(fā)生閾值以上變化的觸碰區(qū)域的數(shù)目，控制所述傳感器單元的工作狀態(tài)，位于所述傳感器單元和所述絕緣層之間的導(dǎo)電層 對(duì)干擾傳感器單元正常工作的寄生電容進(jìn)行屏蔽，從而提高識(shí)別的準(zhǔn)確性。另外，由于觸碰單元相對(duì)于傳感器單元設(shè)置，面積較大，經(jīng)觸碰后電容或感應(yīng)電荷數(shù)量變化大，從而可以更加準(zhǔn)確快速的切換狀態(tài)。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說明。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例中一種識(shí)別裝置結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示的識(shí)別裝置10包括：觸碰單元11、觸碰信號(hào)處理單元13、傳感器單元12；

其中觸碰單元11相對(duì)于傳感器單元12設(shè)置，包括絕緣層111、導(dǎo)電層112，導(dǎo)電層112位于絕緣層111和所述傳感器單元12之間；

觸碰信號(hào)處理單元13耦接至所述觸碰單元11的導(dǎo)電層112，所述觸碰單元包括至少一個(gè)觸碰區(qū)域(圖中未示出)，所述觸碰信號(hào)處理單元13適于根據(jù)所述觸碰單元11中電容或感應(yīng)電荷數(shù)量發(fā)生閾值以上變化的觸碰區(qū)域的數(shù)目，控制所述傳感器單元12的工作狀態(tài)。

在具體實(shí)施中，傳感器單元12包括絕緣層121，絕緣層121的材料可以為SiNx或SiO₂。

本發(fā)明實(shí)施例通過設(shè)置相對(duì)于所述傳感器單元12的觸碰單元11，根據(jù)所述觸碰單元11中電容或感應(yīng)電荷數(shù)量發(fā)生閾值以上變化的觸碰區(qū)域的數(shù)目，控制所述傳感器單元12的工作狀態(tài)，位于所述傳感器單元12和所述絕緣層111之間的導(dǎo)電層112，可以對(duì)干擾傳感器單元正常工作的寄生電容，也就是來源于手指與傳感器數(shù)據(jù)線、掃描線之間形成的電容進(jìn)行屏蔽，從而提高識(shí)別的準(zhǔn)確性。另外，由于觸碰單元11相對(duì)于傳感器單元12設(shè)置，面積較大，經(jīng)觸碰后電容或感應(yīng)電荷數(shù)量變化大，從而可以更加準(zhǔn)確快速的切換識(shí)別裝置的狀態(tài)。

在具體實(shí)施中，所述觸碰信號(hào)處理單元根據(jù)所述觸碰單元中電容或感應(yīng)電荷數(shù)量發(fā)生閾值以上變化的觸碰區(qū)域的數(shù)目，控制所述傳感器單元的工作狀態(tài)，可以是在所述觸碰單元僅包括一個(gè)所述觸碰區(qū)域時(shí)，所述觸碰區(qū)域的的電容或感應(yīng)電荷數(shù)量發(fā)生閾值以上變化時(shí)為所述傳感器單元供電。

在本發(fā)明另一實(shí)施例中，所述根據(jù)所述觸碰單元的電容或感應(yīng)電荷數(shù)量 發(fā)生閾值以上變化的觸碰區(qū)域的數(shù)目，控制所述傳感器單元的工作狀態(tài)，是在所述觸碰單元包括至少兩個(gè)所述觸發(fā)區(qū)域時(shí)，所述觸碰單元中電容或感應(yīng)電荷數(shù)量發(fā)生閾值以上變化的觸碰區(qū)域的數(shù)目大于預(yù)設(shè)值時(shí)，為所述傳感器單元供電。所述預(yù)設(shè)值由用戶設(shè)定，可以是一個(gè)或者多個(gè)。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，通過在觸碰單元中設(shè)置至少兩個(gè)觸碰區(qū)域，將所述預(yù)設(shè)值設(shè)為兩個(gè)，利用觸碰信號(hào)處理單元檢測(cè)所述觸碰區(qū)域的電容或感應(yīng)電荷數(shù)量發(fā)生閾值以上變化的數(shù)目，在僅有一個(gè)所述觸碰區(qū)域的電容或感應(yīng)電荷數(shù)量發(fā)生閾值以上變化時(shí)保持狀態(tài)不變，而誤觸一般僅碰到一個(gè)觸碰區(qū)域，從而降低識(shí)別裝置的誤觸發(fā)率。

圖2是本發(fā)明實(shí)施例中另一種識(shí)別裝置結(jié)構(gòu)示意圖。識(shí)別裝置20包括觸控單元21、傳感器單元22與觸碰信號(hào)處理單元23，三者間的連接關(guān)系可以參照?qǐng)D1中觸控單元11、傳感器單元12與觸碰信號(hào)處理單元13，在此不再贅述。

在具體實(shí)施中，觸碰信號(hào)處理單元23包括觸碰信號(hào)接收電路231、數(shù)目判斷電路232以及控制電路233。

其中，所述觸碰信號(hào)接收電路231分別連接至所述至少兩個(gè)觸碰區(qū)域：第一觸碰區(qū)域211和第二觸碰區(qū)域212，檢測(cè)第一觸碰區(qū)域211和第二觸碰區(qū)域212的電容或感應(yīng)電荷數(shù)量變化，將與電容或感應(yīng)電荷數(shù)量變化相對(duì)應(yīng)的觸碰信號(hào)送至所述觸碰信號(hào)接收電路231，數(shù)目判斷電路232適于對(duì)觸碰區(qū)域電容或感應(yīng)電荷數(shù)量變化信號(hào)進(jìn)行處理，判斷所述觸發(fā)區(qū)域的電容發(fā)生閾值以上變化的數(shù)目；控制電路233適于根據(jù)述觸碰區(qū)域的電容或感應(yīng)電荷數(shù)量發(fā)生閾值以上變化的數(shù)目，控制所述傳感器單元22的工作狀態(tài)。

在具體實(shí)施中，判斷電容或感應(yīng)電荷數(shù)量發(fā)生變化的閾值可以由用戶根據(jù)觸碰區(qū)域材料、大小、使用場(chǎng)景等因素自行設(shè)定。

在本發(fā)具體實(shí)施中，傳感器單元可以是光學(xué)傳感器，觸碰單元由透明材料制作。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，導(dǎo)電層材料為氧化銦錫(Indium-Tin Oxide，ITO)。ITO作為納米銦錫金屬氧化物，具有很好的導(dǎo)電性和透明性，使用ITO作為 導(dǎo)電層，經(jīng)觸碰后電容或感應(yīng)電荷數(shù)量變化大，從而可以更加準(zhǔn)確快速的切換識(shí)別裝置的狀態(tài)。

可以理解的是，在實(shí)際應(yīng)用中，導(dǎo)電層材料并不僅限于ITO，任何透明導(dǎo)電材料均可作為本發(fā)明中導(dǎo)電層材料。

在具體實(shí)施中，觸碰單元中絕緣層材料可以是氮化硅、陶瓷、藍(lán)寶石、玻璃或氧化鋯微晶體或者PET中的任一種。

在具體實(shí)施中，光學(xué)傳感器可以是指紋傳感器、靜脈傳感器等。指紋由于其具有終身不變性、唯一性和方便性，目前應(yīng)用較廣。指紋識(shí)別即指通過比較不同指紋的特征點(diǎn)來進(jìn)行鑒別，由于每個(gè)人的指紋具有明顯的區(qū)別，因此可以用來進(jìn)行身份鑒別。

目前指紋傳感器從分類上主要分為光學(xué)指紋傳感器和半導(dǎo)體指紋傳感器。光學(xué)指紋傳感器主要是利用光的折射和反射原理。

在具體實(shí)施中，用戶將手指放置在光學(xué)鏡片上，光從傳感器的背部發(fā)射，穿過指紋傳感器射到手指，被手指反射回去，由于手指凹凸不平，所以對(duì)光的折射角度不同，反射回去的光不一樣多。反射回去的光投射到傳感器的光電二極管上，形成光電流，這些光電流再被外部電路讀出，最終形成相應(yīng)的數(shù)字信號(hào)，形成與指紋相應(yīng)的灰階圖像。

本發(fā)明實(shí)施例中識(shí)別裝置不同于傳統(tǒng)的光學(xué)式識(shí)別裝置：因?yàn)榛诜蔷Ч韫に?，所以傳感器基板可以玻璃之類的透明基板，這樣可以在傳感器底部放置背光。因此結(jié)構(gòu)簡單、小巧，成本低：傳統(tǒng)光學(xué)式指紋識(shí)別傳感器是基于單晶硅工藝，基板是晶圓，這樣光源不能是背光式，而是利用棱鏡折射，這樣機(jī)構(gòu)復(fù)雜，體積大，成本高。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，傳感器單元包括：像素陣列、背光源、讀出電路以及驅(qū)動(dòng)電路；所述像素陣列位于所述背光源與被識(shí)別物體之間，所述背光源透過所述像素陣列照射至被識(shí)別物體；所述光電二極管將所述被識(shí)別物體的反射光轉(zhuǎn)換為電信號(hào)；所述讀出電路讀出所述電信號(hào)。

圖3是本發(fā)明實(shí)施例中一種傳感器單元的示意圖。傳感器單元30包括像素陣列、背光源31、讀出電路以及驅(qū)動(dòng)電路(圖中未示出)。其中像素陣列為 圖中在基板34上形成的像素單元陣列，圖中示出像素單元321至323。本發(fā)明實(shí)施例以玻璃或者其它透明基材作為基板34，然后在其上集成光電二極管為探測(cè)器件；像素陣列位于所述背光源31與被識(shí)別物體33之間，所述背光源31透過所述像素陣列照射至被識(shí)別物體33。

在具體實(shí)施中，被識(shí)別物體33可以是手指，背光源31透過所述像素陣列照射在手指上，通過手指凹凸不平的紋路反射到傳感器上，傳感器的光電二極管將入射光轉(zhuǎn)換為相應(yīng)量的電子信號(hào)，并最終形成與指紋信息相應(yīng)的電子信號(hào)。

目前指紋識(shí)別傳感器主要應(yīng)用在電子產(chǎn)品上，特別是智能手機(jī)上，用于屏幕解鎖或者電子支付。對(duì)于屏幕解鎖功能，首先要喚醒屏幕或按一下電源鍵等亮屏之后再按上指紋才能解鎖，或者需要按住HOME鍵不松手才能識(shí)別指紋傳感器，會(huì)延遲指紋傳感器的感應(yīng)時(shí)間，從而增加電子設(shè)備的解鎖或者其它應(yīng)用時(shí)間以及功耗。

而有些指紋傳感器也有休眠喚醒功能，指紋解鎖可以在息屏狀態(tài)下進(jìn)行，只要在開機(jī)狀態(tài)下，無需喚醒手機(jī)，只需要按上指紋便可解鎖，直接跳到桌面。但是其指紋傳感器的喚醒觸點(diǎn)很小，只是分布在像素陣列以外的且沒有線路的地方，所以容易誤觸發(fā)。

本發(fā)明實(shí)施例通過設(shè)置相對(duì)于所述傳感器單元的觸碰單元，根據(jù)所述觸碰單元中電容或感應(yīng)電荷數(shù)量發(fā)生閾值以上變化的觸碰區(qū)域的數(shù)目，控制所述傳感器單元的工作狀態(tài)，位于所述傳感器單元和所述絕緣層之間的導(dǎo)電層對(duì)干擾傳感器單元正常工作的寄生電容進(jìn)行屏蔽，從而提高識(shí)別的準(zhǔn)確性。另外，由于觸碰單元相對(duì)于傳感器單元設(shè)置，面積較大，經(jīng)觸碰后電容或感應(yīng)電荷數(shù)量變化大，反饋至觸碰信號(hào)處理單元的觸碰信號(hào)大，從而可以更加準(zhǔn)確快速的切換識(shí)別裝置的狀態(tài)。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，所述像素陣列包括晶體管和光電二極管，每個(gè)光電二極管的陰極連接至與其對(duì)應(yīng)的所述晶體管的源極；每行所述光電二極管的陽極相連接，適于接入第一電壓；每行所述晶體管的柵極相連接，形成行掃描線，連接至所述驅(qū)動(dòng)電路；每列所述晶體管的漏極相連接，形成數(shù)據(jù)線， 連接至所述讀出電路。

在具體實(shí)施中，所述光電二極管可以是非晶硅光電二極管，所述晶體管可以是非晶硅薄膜晶體管，所述驅(qū)動(dòng)電路可以是非晶硅柵極驅(qū)動(dòng)電路。

在具體實(shí)施中，觸碰單元可以覆蓋所述柵極驅(qū)動(dòng)電路。由于所述觸碰單元覆蓋范圍包括所述柵極驅(qū)動(dòng)電路，從而對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行保護(hù)。

圖4是本發(fā)明實(shí)施例中另一種傳感器單元的電路圖。傳感器單元40包括像素陣列、背光源(未示出)、讀出電路42以及驅(qū)動(dòng)電路41。其中晶體管是晶體管，圖中示出了四行四列的像素陣列，每個(gè)光電二極管的陰極連接至與其對(duì)應(yīng)的所述晶體管的源極，以第一行第一列的光電二極管43和晶體管44為例，光電二極管43的陰極連接至與其對(duì)應(yīng)的晶體管44的源極；每行所述光電二極管的陽極相連接，適于通過端口P41接入第一電壓；每行所述晶體管的柵極相連接，形成行掃描線，圖中示出四條掃描線411-414，分別連接至所述驅(qū)動(dòng)電路41；每列所述晶體管的漏極相連接，形成數(shù)據(jù)線，圖中示出四條數(shù)據(jù)線421-424，分別連接至所述讀出電路42。可以理解的是，雖然圖中示出了四行四列的像素陣列，但陣列的大小可以根據(jù)需要自行設(shè)定。

下面結(jié)合圖3對(duì)如圖4所示的傳感器單元工作原理進(jìn)行介紹。掃描線和數(shù)據(jù)線按照X軸和Y軸交錯(cuò)排列形成一個(gè)像素陣列，也就是如圖3所示的像素單元321-323組成的像素陣列。像素陣列的每一個(gè)像素單元包括一個(gè)光電二極管和一個(gè)晶體管，如第一行第一列的光電二極管43和晶體管44，光電二極管用于將可見光轉(zhuǎn)化成電荷，晶體管控制像素單元的開與關(guān)。掃描線由驅(qū)動(dòng)電路41(Gate Driver circuit)控制，數(shù)據(jù)線由讀出電路42(Read Out IC)控制，其可以將每個(gè)像素的信號(hào)讀出并轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)，并最終形成反映指紋信息的灰階圖像。

在具體實(shí)施中，所述導(dǎo)電層可以包括若干間隔分布的導(dǎo)電層單元，所述導(dǎo)電層單元的間隔位置對(duì)應(yīng)所述光電二極管上極板膜的位置。圖5是本發(fā)明實(shí)施例中一種識(shí)別裝置中各部分的位置關(guān)系圖。圖5為識(shí)別裝置頂視圖，示出了六行六列的像素單元。

導(dǎo)電層51包括六列間隔分布的導(dǎo)電層單元510，六列導(dǎo)電層單元510在 非像素區(qū)域(圖中未示出)相連接。相鄰兩導(dǎo)電層單元510之間的區(qū)域52的位置對(duì)應(yīng)像素陣列中光電二極管上極板膜的位置。

下面結(jié)合圖6對(duì)識(shí)別裝置中各部分的位置關(guān)系進(jìn)行進(jìn)一步說明，圖6是沿圖5所示的識(shí)別裝置的AA方向剖面圖。傳感器單元62包括絕緣層621、光電二極管上極板膜622、非晶硅薄膜晶體管623、玻璃基板624?？梢钥闯觯瑢?dǎo)電膜61與光電二極管上極板膜622的位置在AA方向上并不存在重合部分，從而避免了寄生電容的產(chǎn)生。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，導(dǎo)電層單元通過分布在像素區(qū)域連接線進(jìn)行電連接。圖7是本發(fā)明實(shí)施例中一種識(shí)別裝置的示意圖。連接線73對(duì)導(dǎo)電層單元710進(jìn)行電連接，使得導(dǎo)電層71呈網(wǎng)狀排布。圖中使出了兩條連接線73，但可以理解的是，連接線的分布可以調(diào)整，可以對(duì)連接線的間隔進(jìn)行設(shè)置。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，所述光電二極管是非晶硅光電二極管，所述晶體管是非晶硅薄膜晶體管，所述驅(qū)動(dòng)電路是非晶硅柵極驅(qū)動(dòng)電路。驅(qū)動(dòng)電路與像素陣列區(qū)通過同一工藝過程一起形成。

圖8是本發(fā)明實(shí)施例中一種識(shí)別裝置的觸碰區(qū)域示意圖。其中，觸碰區(qū)域分為81和82兩塊，觸碰區(qū)域同時(shí)覆蓋了像素陣列區(qū)、掃描線以及驅(qū)動(dòng)電路區(qū)。觸碰區(qū)域分別連接到觸碰信號(hào)處理單元(圖中未示出)上，如果手指與觸碰區(qū)域接觸，二者之間會(huì)形成電容，手指作為電容的一個(gè)極板，觸碰區(qū)域作為另外一個(gè)極板。在手指與觸碰區(qū)域接觸前后，觸碰區(qū)域上的電容或感應(yīng)電荷數(shù)量會(huì)有變化，被外圍電路檢測(cè)到，判斷發(fā)生變化的個(gè)數(shù)，進(jìn)而決定何時(shí)外圍電路給指紋傳感器供電，在供電時(shí)，傳感器被觸發(fā)工作，然后電子設(shè)備工作。

利用觸碰信號(hào)處理單元檢測(cè)所述觸碰區(qū)域的電容或感應(yīng)電荷數(shù)量發(fā)生閾值以上變化的數(shù)目，可以設(shè)定在僅有一個(gè)所述觸碰區(qū)域的電容或感應(yīng)電荷數(shù)量發(fā)生閾值以上變化時(shí)保持狀態(tài)不變，而誤觸一般僅碰到一個(gè)觸碰區(qū)域，從而可以通過此種設(shè)定降低識(shí)別裝置的誤觸發(fā)率。用戶也可以根據(jù)需要進(jìn)行其他設(shè)定。

圖9是本發(fā)明實(shí)施例中另一種識(shí)別裝置的觸碰區(qū)域示意圖。其中觸碰區(qū) 域分為91-94四塊，利用觸碰信號(hào)處理單元檢測(cè)所述觸碰區(qū)域的電容或感應(yīng)電荷數(shù)量發(fā)生閾值以上變化的數(shù)目，在僅有一個(gè)所述觸碰區(qū)域的電容或感應(yīng)電荷數(shù)量發(fā)生閾值以上變化時(shí)保持狀態(tài)不變，而誤觸一般僅碰到一個(gè)觸碰區(qū)域，從而降低識(shí)別裝置的誤觸發(fā)率。用戶可根據(jù)需要設(shè)定啟動(dòng)識(shí)別單元時(shí)，電容或感應(yīng)電荷數(shù)量發(fā)生變化的觸碰區(qū)域數(shù)目?？梢岳斫獾氖牵|碰區(qū)域的形狀及個(gè)數(shù)也可以根據(jù)用戶需要進(jìn)行設(shè)定。

可以理解的是，圖5、圖6、圖7是本發(fā)明實(shí)施例中傳感器單元的微觀圖示，圖中間隔區(qū)域是微米級(jí)別。圖8、9是宏觀圖示，因?yàn)殚g隔區(qū)域是微米級(jí)，一般不超過10微米，所以在宏觀上就是表現(xiàn)為觸碰區(qū)域鋪成一片，其實(shí)微觀下是圖6、7或圖8的形狀。

本發(fā)明實(shí)施例通過設(shè)置相對(duì)于所述傳感器單元的觸碰單元，根據(jù)所述觸碰單元中電容或感應(yīng)電荷數(shù)量發(fā)生閾值以上變化的觸碰區(qū)域的數(shù)目，控制所述傳感器單元的工作狀態(tài)，位于所述傳感器單元和所述絕緣層之間的導(dǎo)電層對(duì)干擾傳感器單元正常工作的寄生電容進(jìn)行屏蔽，從而提高識(shí)別的準(zhǔn)確性。另外，由于觸碰單元相對(duì)于傳感器單元設(shè)置，面積較大，經(jīng)觸碰后電容或感應(yīng)電荷數(shù)量變化大，反饋至觸碰信號(hào)處理單元的觸碰信號(hào)大，從而可以更加準(zhǔn)確快速的切換識(shí)別裝置的狀態(tài)。

雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。