本發(fā)明涉及用于形成構成觸摸面板的觸摸傳感器用電極的導電性層疊體及觸摸面板用導電性層疊體的制造方法。
背景技術：
：觸摸面板所具備的觸摸傳感器具備多個電極。多個電極的形成材料出于降低各電極的電阻值的目的而使用銅等金屬(例如參照專利文獻1)?，F(xiàn)有技術文獻專利文獻專利文獻1：日本特開2011-28699號公報技術實現(xiàn)要素：發(fā)明要解決的技術問題然而，以金屬為形成材料的電極由于在電極的表面處將光反射，因此雖然相比較于以透明導電性氧化物為形成材料的電極、電阻值更低，但是易于被觸摸面板的使用者識別到。因而，對于具備以金屬為形成材料的多個電極的觸摸面板，要求難以識別到各電極。本發(fā)明的目的在于提供能夠難以識別到使用觸摸面板用導電性層疊體所形成的電極的觸摸面板用導電性層疊體、以及觸摸面板用導電性層疊體的制造方法。用于解決技術問題的手段用于解決上述技術問題的觸摸面板用導電性層疊體具備：具有1個面并且具有透光性的基材；位于所述基材的所述1個面上并且具有透光性的基底層；位于所述基底層中與接觸于所述基材的面成相反側的面上的第1氧氮化銅層；位于所述第1氧氮化銅層中與接觸于所述基底層的面成相反側的面上的銅層；以及位于所述銅層中與接觸于所述第1氧氮化銅層的面成相反側的面上的第2氧氮化銅層。用于解決上述技術問題的觸摸面板用導電性層疊體的制造方法具備以下工序：在基材的至少1個面上形成基底層的工序；在所述基底層中與接觸于所述基材的面成相反側的面上使用濺射法形成第1氧氮化銅層的工序；在所述第1氧氮化銅層中與接觸于所述基底層的面成相反側的面上使用濺射法形成銅層的工序；以及在所述銅層中與接觸于所述第1氧氮化銅層的面成相反側的面上使用濺射法形成第2氧氮化銅層的工序。根據(jù)上述構成，銅層被反射率低于銅層的2個氧氮化銅層夾持。由此，使用觸摸面板用導電性層疊體形成的多個電極中，由于可在2個氧氮化銅層中抑制光的反射，因而從與第1面相向的方向難以識別到電極，且隔著基材難以識別到電極。用于解決上述技術問題的觸摸面板用導電性層疊體具備：具有第1面和與所述第1面處于相反側的第2面的基材；分別位于所述第1面及所述第2面并且具有透光性的基底層；位于所述基底層中與接觸于所述基材的面成相反側的面上的第1氧氮化銅層；位于所述第1氧氮化銅層中與接觸于所述基底層的面成相反側的面上的銅層；以及位于所述銅層中與接觸于所述第1氧氮化銅層的面成相反側的面上的第2氧氮化銅層。根據(jù)上述構成，銅層被反射率低于銅層的2個氧氮化銅層夾持。由此，在使用觸摸面板用導電性層疊體形成的多個電極中，由于可在2個氧氮化銅層中抑制光的反射，因此從與第1面相向的方向難以識別到電極、而且從與第2面相向的方向也難以識別到電極。上述觸摸面板用導電性層疊體中，優(yōu)選：所述基底層含有紫外線固化性多官能丙烯酸酯、紫外線固化性單官能丙烯酸酯、含紫外線固化性丙烯酸基的丙烯酸聚合物、及用于降低所述第2氧氮化銅層中與所述銅層成相反側的面上的密合性的抗粘連劑，所述基底層將所述基材中形成在接觸于所述基底層的面中的多個凹部填埋。根據(jù)上述構成，由于基底層含有抗粘連劑，因此在將觸摸面板用導電性層疊體卷繞或重疊時，可抑制第2氧氮化銅層密合在重疊于第2氧氮化銅層上的層上。另外，基底層由于將基材的凹部填埋且在基材上形成為層狀，因而基底層中與第1氧氮化銅層接觸的面的平坦性提高。進而，觸摸面板用導電性層疊體的各層的平坦性提高。上述觸摸面板用導電性層疊體中，優(yōu)選：所述銅層的厚度為200nm以上且500nm以下，所述第1氧氮化銅層的厚度為30nm以上且50nm以下、且為所述銅層厚度的25％以下的值。根據(jù)上述構成，第1氧氮化銅層的厚度由于為30nm以上且50nm以下，因此第1氧氮化銅層具有足以提高基材與銅層之間的密合性的厚度。而且，由于第1氧氮化銅層的厚度為銅層厚度的25％以下的值，因此可以在保持基材與銅層之間的密合性的同時還抑制觸摸面板用導電性層疊體的整體厚度和觸摸面板用導電性層疊體中的銅的使用量變得過剩。上述觸摸面板用導電性層疊體中，優(yōu)選：在所述第2氧氮化銅層中，作為xyz表色系的三刺激值中的y值且是形成了所述第2氧氮化銅層時刻的所述y的值為20％以下。根據(jù)上述構成，第2氧氮化銅層中，xyz表色系中作為亮度指標的y值為20％以下。因此，使用觸摸面板用導電性層疊體形成的多個電極中，從與第2氧氮化銅層相向的方向難以識別到電極。另外，由于形成了第2氧氮化銅層時的y值為20％以下，因此y值難以增大至識別到第2氧氮化銅層的程度。上述觸摸面板用導電性層疊體中，優(yōu)選：所述第1氧氮化銅層及所述第2氧氮化銅層的至少1方以4原子％以上且19原子％以下的比例含有氧原子。根據(jù)上述構成，第1氧氮化銅層及第2氧氮化銅層中以4原子％以上且19原子％以下的比例含有氧原子的層中，可以提高對光學特性變化的耐久性。上述觸摸面板用導電性層疊體中，優(yōu)選：所述基底層與所述第1氧氮化銅層的界面處的密合強度為8.0n/15mm以上。根據(jù)上述構成，當對觸摸面板用導電性層疊體進行布圖時，通過布圖所形成的電極的一部分難以從基底層上剝落，進而可以抑制電極中的斷線。上述觸摸面板用導電性層疊體中，優(yōu)選：由所述第1氧氮化銅層、所述銅層及所述第2氧氮化銅層構成的層疊體的表面電阻率為0.13ω/□以下。根據(jù)上述構成，可以使使用觸摸面板用導電性層疊體形成的電極的電阻值成為低到能夠無視對觸摸傳感器的響應速度的影響的程度的電阻值。上述觸摸面板用導電性層疊體中，優(yōu)選：所述基底層中接觸于所述第1氧氮化銅層的面的表面粗糙度ra為3nm以上且20nm以下。根據(jù)上述構成，由于表面粗糙度ra為3nm以上，因此由基底層、第1氧氮化銅層、銅層及第2氧氮化銅層構成的層疊體更易于獲得抗粘連性。另外，由于表面粗糙度ra為20nm以下，因此可抑制使用上述層疊體所形成的電極中的光散射增大至被觸摸面板的使用者識別到的程度。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，可以難以識別到使用觸摸面板用導電性層疊體所形成的電極。附圖說明圖1為示意地表示將本發(fā)明觸摸面板用導電性層疊體具體化的一個實施方式中、觸摸面板用導電性層疊體之一例的截面構造的截面圖。圖2為示意地表示觸摸面板用導電性層疊體之一例的截面構造的截面圖。圖3為用于說明觸摸面板用導電性層疊體的制造方法中形成基底層的工序的工序圖。圖4為放大顯示基材與基底層的一部分的部分放大截面圖。圖5為用于說明觸摸面板用導電性層疊體的制造方法中形成下側氧氮化銅層的工序的工序圖。圖6為用于說明觸摸面板用導電性層疊體的制造方法中形成銅層的工序的工序圖。圖7為用于說明觸摸面板用導電性層疊體的作用的作用圖。圖8為用于說明觸摸面板用導電性層疊體的作用的作用圖。具體實施方式參照圖1～圖8，說明觸摸面板用導電性層疊體及觸摸面板用導電性層疊體的制造方法的一個實施方式。以下按順序說明觸摸面板用導電性層疊體的構成、觸摸面板用導電性層疊體的制造方法、觸摸面板用導電性層疊體的作用及實施例。[觸摸面板用導電性層疊體的構成]參照圖1及圖2說明觸摸面板用導電性層疊體的構成。此外，圖1所示的觸摸面板用導電性層疊體的截面構造是觸摸面板用導電性層疊體之一例的截面構造、圖2所示的觸摸面板用導電性層疊體的截面構造是觸摸面板用導電性層疊體的另一例的截面構造。如圖1所示，觸摸面板用導電性層疊體10具備基材11、基底層12、下側氧氮化銅層13、銅層14及上側氧氮化銅層15?；讓?2、下側氧氮化銅層13、銅層14及上側氧氮化銅層15構成第1層疊體16。基材11具有透光性，具備作為1個面的第1面11a，基底層12形成在基材11的第1面11a上。下側氧氮化銅層13形成在基底層12中與接觸于基材11的面成相反側的面上，銅層14形成在下側氧氮化銅層13中與接觸于基底層12的面成相反側的面上。上側氧氮化銅層15形成在銅層14中與接觸于下側氧氮化銅層13的面成相反側的面上。即，基底層12位于基材11的第1面11a上，下側氧氮化銅層13位于基底層12中與接觸于基材11的面成相反側的面上，銅層14位于下側氧氮化銅層13中與接觸于基底層12的面成相反側的面上。上側氧氮化銅層15位于銅層14中與接觸于下側氧氮化銅層13的面成相反側的面上。基材11優(yōu)選由具有透光性的樹脂形成，基材11的形成材料例如是聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘甲酸乙二醇酯、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚酰胺及聚酰亞胺等即可。基材11的厚度例如為數(shù)十μm～數(shù)百μm?；讓?2是對基材11和下側氧氮化銅層13這兩者均具有密合性的層，是可抑制下側氧氮化銅層13從基材11上剝落的層?；讓?2優(yōu)選是具有透光性且由多個樹脂材料所構成的涂液形成的層。基底層12的厚度例如為數(shù)μm。用于形成基底層12的涂液含有紫外線固化性多官能丙烯酸酯、紫外線固化性單官能丙烯酸酯、丙烯酸聚合物及抗粘連劑。換而言之，基底層12含有紫外線固化性多官能丙烯酸酯、紫外線固化性單官能丙烯酸酯、丙烯酸聚合物及抗粘連劑。其中，紫外線固化性多官能丙烯酸酯具有規(guī)定基底層12的形狀的功能，紫外線固化性單官能丙烯酸酯是對利用紫外線進行的固化反應具有反應性的稀釋劑。丙烯酸聚合物對基材11和下側氧氮化銅層13具有密合性，丙烯酸聚合物具有紫外線固化性的丙烯酸基和有助于密合性的官能團?？拐尺B劑降低上側氧氮化銅層15中與接觸于銅層14的面成相反側的面上的密合性。抗粘連劑例如優(yōu)選是由丙烯酸樹脂、有機硅樹脂及二氧化硅等形成的粒子，粒子的粒徑優(yōu)選是數(shù)百nm左右?；讓?2的厚度例如為1μm時，粒子的粒徑優(yōu)選為100nm以上且500nm以下。用于形成基底層12的涂液、進而基底層12由于含有抗粘連劑，因此上側氧氮化銅層15中與接觸于銅層14成相反側的面具有追隨作為抗粘連劑的粒子的形狀的凹凸。因此，當將觸摸面板用導電性層疊體10卷繞或重疊時，上側氧氮化銅層15與重疊在上側氧氮化銅層15上的層即基材11的接觸點減少。結果是可抑制上側氧氮化銅層15粘貼在重疊于上側氧氮化銅層15上的基材11上、即可抑制發(fā)生粘連，同時可抑制比上側氧氮化銅層15更軟質(zhì)的基材11的表面被上側氧氮化銅層15損傷?；讓?2與下側氧氮化銅層13的界面處的密合強度優(yōu)選為8.0n/15mm以上?；讓?2與下側氧氮化銅層13的界面處的密合強度是通過基于jisk6854-3的方法測定的值。密合強度為8.0n/15mm以上時，當對觸摸面板用導電性層疊體10進行布圖時，通過布圖所形成的電極的一部分難以從基底層12剝落，進而可以抑制電極的斷線?；讓?2中，接觸于下側氧氮化銅層13的面為表面，表面的表面粗糙度ra優(yōu)選為3nm以上且20nm以下、更優(yōu)選為5nm以上且10nm以下?；讓?2的表面粗糙度ra是通過基于jisb0601的方法測定的值。通過基底層12表面的表面粗糙度ra為3nm以上，與表面粗糙度ra小于3nm的構成相比，第1層疊體16更易獲得抗粘連性。另外，抗粘連性是抑制上側氧氮化銅層15與重疊于上側氧氮化銅層15上的基材11之間的粘連的特性。另外，通過基底層12表面的表面粗糙度ra為20nm以下，可抑制第1層疊體16的濁度的值增大至由第1層疊體16形成的電極中的光散射被觸摸面板的使用者識別到的程度。進而，通過基底層12表面的表面粗糙度ra為20nm以下，可抑制形成于基底層12表面的下側氧氮化銅層13上產(chǎn)生針孔或裂痕。如此，從第1層疊體16具有抗粘連性、且可抑制第1層疊體16中的濁度的值增大的方面來看，優(yōu)選基底層12表面的表面粗糙度ra為3nm以上且20nm以下。此外，在基底層12含有抗粘連劑的構成中，基底層12表面的表面粗糙度ra可以通過基底層12中的抗粘連劑的分散程度來控制?；讓?2中，當抗粘連劑均勻地分散時，基底層12表面的平滑性提高。而在基底層12中抗粘連劑過度地凝集時，則上側氧氮化銅層15中，重疊于已經(jīng)凝集的抗粘連劑上的部分作為較其他部分突出的突出部分被識別到。因而，為了使基底層12表面的表面粗糙度ra的值處于3nm以上且20nm以下的范圍，優(yōu)選抗粘連劑以不會在上側氧氮化銅層15上形成具有可識別到的大小的突出部分的程度在基底層12中凝集?；讓?2表面的硬度優(yōu)選為hb以上、更優(yōu)選為h以上。其中，基底層12的硬度是基于jisk5600-5-4的鉛筆法測定的劃痕硬度。基底層12的固化程度越小，則基底層12表面的硬度越低，因而基底層12的表面易產(chǎn)生傷痕。由此，位于基底層12表面的下側氧氮化銅層13、銅層14及上側氧氮化銅層15中也容易形成追隨于基底層12所具有的傷痕的凹陷等。由下側氧氮化銅層13、銅層14及上側氧氮化銅層15的層疊體形成電極時，這種凹陷有時會使電極中發(fā)生斷線。另外，基底層12表面的硬度越低，則基底層12根據(jù)從外部作用于基底層12的應力而發(fā)生變形的程度越大。進而，當基底層12發(fā)生變形的程度變得過大時，則形成于基底層12表面的下側氧氮化銅層13不會追隨基底層12的變形，結果有時會在下側氧氮化銅層13中產(chǎn)生龜裂、或者下側氧氮化銅層13從基底層12上剝落。從此方面來看，若基底層12表面的鉛筆硬度為hb以上，則可以抑制電極中的斷線、下側氧氮化銅層13中產(chǎn)生的龜裂及下側氧氮化銅層13的剝落。下側氧氮化銅層13是由氧氮化銅(cuno)形成的層。這里，氮化銅層在形成初始、即形成后的經(jīng)過時間很短的期間內(nèi)，與氧氮化銅層相比，化學不穩(wěn)定，易于與空氣中的氧反應。由此，氮化銅層的組成在形成初始易于發(fā)生變化，進而氮化銅層的光學特性也在形成初始易于發(fā)生變化。如此，氮化銅層中，形成時的光學特性和經(jīng)過短時間后的光學特性會大大不同，因此難以達到氮化銅層的光學特性所需的光學特性。與其相對，氧氮化銅層與氮化銅層相比，僅含有氧即可抑制在形成初始的組成變化及光學特性的變化。下側氧氮化銅層13中，基于jisz8722的xyz表色系的三刺激值中，優(yōu)選y值的初始值、即形成了下側氧氮化銅層13時刻的y的值為20％以下。其中，三刺激值中的y值是亮度的指標，y值越大則表示越明亮。另外，下側氧氮化銅層13的厚度優(yōu)選為30nm以上且50nm以下、且為銅層14厚度的25％以下的值。下側氧氮化銅層13的厚度由于為30nm以上且50nm以下，因此下側氧氮化銅層13具有足以提高形成了基底層12的基材11與銅層14之間的密合性的厚度。而且，由于下側氧氮化銅層13的厚度為銅層14厚度的25％以下的值，因此可在保持基材11與銅層14之間的密合性的同時還可抑制觸摸面板用導電性層疊體10的整體厚度和觸摸面板用導電性層疊體10中的銅的使用量變得過剩。下側氧氮化銅層13優(yōu)選以4原子％以上且19原子％以下的比例含有氧原子，更優(yōu)選以4原子％以上且12原子％以下的比例含有氧原子。根據(jù)這種下側氧氮化銅層13，由于以下側氧氮化銅層13的組成難以變化的程度在下側氧氮化銅層13中含有氧原子，因而可以提高下側氧氮化銅層13對光學特性變化的耐久性，即可以提高光學特性的經(jīng)時穩(wěn)定性。在將具有使用觸摸面板用導電性層疊體10形成的電極的觸摸面板作為顯示器表面進行應用時，下側氧氮化銅層13的光學特性變化表現(xiàn)為顯示器表面上的反射色的變化。因此，如果下側氧氮化銅層13的光學特性的經(jīng)時穩(wěn)定性高，則可在多個顯示器中抑制包括反射色的色調(diào)不均、進而可提高作為具有顯示器的工業(yè)產(chǎn)品的商品價值。此外，下側氧氮化銅層13的光學特性通過規(guī)定下側氧氮化銅層13的光學特征的多個參數(shù)來確定，多個參數(shù)由上述xyz表色系的三刺激值中的y值、lab表色系中的l*值、a*值及b*值構成。其中，lab表色系下的l*值是明亮度指數(shù)、即明亮度的指標，a*值及b*值分別是色感度指數(shù)，即色相及彩度的指標。下側氧氮化銅層13中的光學特性的初始值中，y的初始值如上所述優(yōu)選為20％以下。另外，l*的初始值優(yōu)選為55以下。a*的初始值及b*的初始值優(yōu)選是負的值，更優(yōu)選a*的初始值及b*的初始值為負的值且絕對值為5以上且20以下。下側氧氮化銅層13所含氧原子的比例為4原子％以上且19原子％以下時，下側氧氮化銅層13的光學特性的初始值包含在上述優(yōu)選的范圍內(nèi)。另外，將氯化鐵液作為蝕刻劑使用時，下側氧氮化銅層13所含氧原子的量越少，則下側氧氮化銅層13的蝕刻速度越低，由此，下側氧氮化銅層13的蝕刻速度與銅層14的蝕刻速度的差增大。換而言之，下側氧氮化銅層13所含氧原子的量越大，則下側氧氮化銅層13的蝕刻速度越高，由此，下側氧氮化銅層13的蝕刻速度與銅層14的蝕刻速度的差減小。進而，下側氧氮化銅層13的蝕刻速度與銅層14的蝕刻速度的差越小，則對下側氧氮化銅層13和銅層14進行蝕刻以形成電極時，可抑制下側氧氮化銅層13的線寬與銅層14的線寬產(chǎn)生差異。由此，可抑制電極中發(fā)生斷線。因此，在含有下側氧氮化銅層13和銅層14的層疊體中，從提高利用濕式蝕刻的加工性的方面來看，優(yōu)選下側氧氮化銅層13以12原子％以上且42原子％以下的比例含有氧原子、更優(yōu)選以19原子％以上且42原子％以下的比例含有氧原子。銅層14是由銅(cu)形成的層，銅層14的厚度優(yōu)選為200nm以上且500nm以下。上側氧氮化銅層15是由氧氮化銅(cuno)形成的層。上側氧氮化銅層15中，優(yōu)選上述xyz表色系的三刺激值中y值的初始值、即形成上側氧氮化銅層15時刻的y值為20％以下。另外，上側氧氮化銅層15中，優(yōu)選l*的初始值為55以下。a*的初始值及b*的初始值優(yōu)選是負的值，更優(yōu)選a*的初始值及b*的初始值為負的值且絕對值為5以上且20以下。另外，上側氧氮化銅層15的厚度優(yōu)選為30nm以上且50nm以下。上側氧氮化銅層15中，與上述下側氧氮化銅層13同樣，從提高上側氧氮化銅層15對光學特性變化的耐久性的方面來看，也優(yōu)選以4原子％以上且19原子％以下的比例含有氧原子、更優(yōu)選以4原子％以上且12原子％以下的比例含有氧原子。另外，含有上側氧氮化銅層15的層疊體中，從提高利用濕式蝕刻的加工性的方面來看，上側氧氮化銅層15優(yōu)選以12原子％以上且42原子％以下的比例含有氧原子、更優(yōu)選以19原子％以上且42原子％以下的比例含有氧原子。這種觸摸面板用導電性層疊體10中，由于銅層14被下側氧氮化銅層13和上側氧氮化銅層15夾持，因此與沒有2個氧氮化銅層的構成相比，銅層14更難以被氧化。第1層疊體16中，由下側氧氮化銅層13、銅層14及上側氧氮化銅層15構成的層疊體的表面電阻率優(yōu)選為0.13ω/□以下。構成觸摸面板用導電性層疊體10的層中，下側氧氮化銅層13及上側氧氮化銅層15是由電阻值高于銅層14的化合物形成的層。但是，通過氧氮化銅層，可以抑制第1層疊體16中上述層疊體的表面電阻值上升至作為觸摸面板所具備的電極所無法允許的程度。進而，觸摸面板用導電性層疊體10即便是具有這種電阻值高的化合物層，只要是第1層疊體16所含的上述層疊體的表面電阻率為0.13ω/□以下，也可獲得以下效果。即，可以使使用觸摸面板用導電性層疊體10形成的電極的電阻值為低至能夠無視對觸摸傳感器的響應速度的影響的程度的電阻值。如圖2所示，基材11中與第1面11a成相反側的面為第2面11b，第2面11b上也可以存在第2層疊體20。第2層疊體20具有相對于基材11的位置不同但在層重疊的方向上與第1層疊體16相同的層構造。即，第2層疊體20由基底層21、下側氧氮化銅層22、銅層23及上側氧氮化銅層24構成。此外，下側氧氮化銅層13、22為第1氧氮化銅層的一例，上側氧氮化銅層15、24為第2氧氮化銅層的一例。[觸摸面板用導電性層疊體的制造方法]參照圖3～圖6說明觸摸面板用導電性層疊體的制造方法。其中，圖4中為了方便對基材11的第1面11a的一部分進行說明，放大顯示了基材11和基底層12的一部分。另外，在基材11的第2面11b上形成第2層疊體20的工序除了形成層疊體的面不同之外，與在第1面11a上形成第1層疊體16的工序相同。因此，以下對形成第1層疊體16的工序進行說明，省略形成第2層疊體20的工序的說明。如圖3所示，在形成觸摸面板用導電性層疊體10時，首先在基材11的第1面11a上形成基底層12。形成基底層12的工序中，使用含有上述多個樹脂材料的涂液，在基材11的第1面11a上形成涂膜。進而，通過將涂膜固化，形成基底層12。如圖4所示，基底層12將形成于基材11的第1面11a上的多個凹部11c填埋且在第1面11a上形成為層狀。因此，基底層12中的接觸于下側氧氮化銅層13的面的平坦性提高。進而，觸摸面板用導電性層疊體10的各層的平坦性提高。此外，形成于基材11的第1面11a上的凹部11c的深度與上述基底層12的表面粗糙度ra相比，顯著地大。因此，利用基底層12，可以在通過將這種凹部11c填埋而提高平坦性的同時，使基底層12表面的表面粗糙度ra為上述范圍。如圖5所示，在形成下側氧氮化銅層13的工序中，在基底層12中與接觸于基材11的面成相反側的面上使用濺射法形成下側氧氮化銅層13。下側氧氮化銅層13例如通過使用含有氮氣和氧氣的環(huán)境氣體對銅靶進行濺射來形成。供至進行靶的濺射的環(huán)境氣體的氮氣的流量例如為400sccm時，氧氣的流量優(yōu)選為10sccm以上且100sccm以下、更優(yōu)選為10sccm以上且40sccm以下、進一步優(yōu)選為20sccm。如圖6所示，在形成銅層14的工序中，在下側氧氮化銅層13中與接觸于基底層12的面成相反側的面上使用濺射法形成銅層14。進而，在銅層14中與接觸于下側氧氮化銅層13的面成相反側的面上使用濺射法形成上側氧氮化銅層15。由此，制造觸摸面板用導電性層疊體10。其中，上側氧氮化銅層15與下側氧氮化銅層13同樣，例如也通過使用含有氮氣和氧氣的環(huán)境氣體對銅靶進行濺射來形成。供至進行靶的濺射的環(huán)境氣體的氮氣的流量例如為400sccm時，氧氣的流量優(yōu)選為10sccm以上且100sccm以下、更優(yōu)選為10sccm以上且40sccm以下、進一步優(yōu)選為20sccm。觸摸面板用導電性層疊體10中，下側氧氮化銅層13、銅層14及上側氧氮化銅層15全部使用濺射法形成。因此，可以省略對由下側氧氮化銅層13和銅層14形成的電極使用鍍覆法等濕式處理來形成抑制光反射的層的工序。而且，由于下側氧氮化銅層13和上側氧氮化銅層15這兩者均使用濺射法形成，因此例如在使用濺射法形成下側氧氮化銅層13時，與利用鍍覆法形成上側氧氮化銅層的情況相比，可以減小下側氧氮化銅層13與上側氧氮化銅層15的色味差異。另外，與下側氧氮化銅層13、銅層14及上側氧氮化銅層15的任一者使用不同的氣相法、例如蒸鍍法形成的情況相比，易于抑制用于形成多個層的環(huán)境的變化、例如真空度的變化或溫度的變化。因此，可以使觸摸面板用導電性層疊體10的制造裝置的構成變得更為簡單。[觸摸面板用導電性層疊體的作用]參照圖7及圖8說明觸摸面板用導電性層疊體的作用。其中，圖7及圖8分別顯示了在第1層疊體16中通過將下側氧氮化銅層13、銅層14及上側氧氮化銅層15蝕刻而在基底層12上形成了多個電極的狀態(tài)。如圖7所示，在基底層12中與接觸于基材11的面成相反側的面上形成有多個電極31。各電極31具備下側氧氮化銅層13、銅層14及上側氧氮化銅層15，在基材11的第1面11a上沿著一個方向延伸。電極31的線寬例如為數(shù)μm～數(shù)十μm左右。從與第1面11a相向的方向識別多個電極31時，光源ls射出的光的一部分入射到電極31所具備的上側氧氮化銅層15中，入射至上側氧氮化銅層15的光的至少一部分從上側氧氮化銅層15向觀察者ob射出。這里，由于上側氧氮化銅層15上的光的反射率比銅層14上的光的反射率低，因此與銅層14為電極31的最表層的構成相比，從上側氧氮化銅層15向觀察者ob射出的光的量減小。即，上側氧氮化銅層15作為沒有銅層14那樣的金屬光澤、且具有褐色或黑色的明亮度低的顏色的層被識別到。進而，如上所述，電極31由于具有數(shù)μm～數(shù)十μm左右的非常小的線寬，因此結果是電極31難以從與第1面11a相向的方向被觀察者ob識別到。另外，上側氧氮化銅層15的y值由于在形成了上側氧氮化銅層15時刻為20％以下，因此在從形成了上側氧氮化銅層15開始經(jīng)過很短的時間的時刻，上側氧氮化銅層15的明亮度低至觀察者ob無法識別到的程度。上側氧氮化銅層15的明亮度具有伴隨上側氧氮化銅層15的經(jīng)時劣化而增高的傾向。但是，由于形成了上側氧氮化銅層15時刻的y值為20％以下，因此即便是從形成了上側氧氮化銅層15時經(jīng)過很長時間的時刻，上側氧氮化銅層15的明亮度也難以增大到被觀察者ob識別到的程度。換而言之，與形成了上側氧氮化銅層15時刻的y值更大的構成相比，上側氧氮化銅層15的明亮度增大至被觀察者ob識別到的程度所需要的時間延長。如圖8所示，從與第2面11b相向的方向識別多個電極31時，即隔著基材11識別多個電極31時，出于和從與第1面11a相向的方向識別多個電極31時相同的理由，電極31難以被觀察者ob識別到。即，下側氧氮化銅層13如上所述，兼具作為基底層12與銅層14之間的密合層的功能和難以識別到多個電極31的功能。此外，形成于基材11的第2面11b上的多個電極也可以獲得與形成于上述第1面11a上的多個電極31同等的效果。[實施例][實施例1]作為基材，準備厚度為100μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯片材，在基材的第1面上使用涂液形成具有1.2μm厚度的基底層。進而，在基底層上使用濺射法形成下側氧氮化銅層，在下側氧氮化銅層上使用濺射法形成銅層。進而，在銅層上使用濺射法形成上側氧氮化銅層，獲得實施例1的觸摸面板用導電性層疊體。其中，上側氧氮化銅層的形成在以下的條件下進行。[實施例2]除了如下變更形成上側氧氮化銅層時的條件之外，利用與實施例1相同的方法，獲得實施例2的觸摸面板用導電性層疊體。[加速試驗]在以下條件下對實施例1的觸摸面板用導電性層疊體和實施例2的觸摸面板用導電性層疊體進行加速試驗。[試驗條件1]在溫度為90℃且相對濕度為2％～3％、未進行加濕的試驗環(huán)境中，將實施例1、2的觸摸面板用導電性層疊體靜置120小時、240小時及500小時。[試驗條件2]在溫度為60℃且相對濕度為90％的試驗環(huán)境中，將實施例1、2的觸摸面板用導電性層疊體靜置120小時、240小時及500小時。[測定結果]對實施例1、2的觸摸面板用導電性層疊體，分別測定形成了上側氧氮化銅層時刻的上側氧氮化銅層的y值、l*值、a*值及b*值。另外，對于作為進行了加速試驗后的實施例1、2的觸摸面板用導電性層疊體、即進行了各經(jīng)過時間的加速試驗后的觸摸面板用導電性層疊體，分別測定上側氧氮化銅層的y值、l*值、a*值及b*值。另外，y值使用基于jisz8722的測定方法進行測定。另外，l*值、a*值及b*值使用基于jisz8781-4的測定方法進行測定。各測定結果是以下表1所示的值。表1如表1所示可知，實施例1中，形成了上側氧氮化銅層時刻的上側氧氮化銅層的y值、即y的初始值為18.9％、為20％以下。另外可知，實施例1中，l*的初始值為50.6、a*的初始值為-15.0、b*的初始值為-4.5。實施例2中可知，y的初始值為18.5％、為20％以下。另外，實施例2中可知，l*的初始值為50.2、a*的初始值為-9.2、b*的初始值為-10.0。進而可知，實施例1的上側氧氮化銅層與實施例2的上側氧氮化銅層相比，在加速試驗后，y值、l*值、a*值及b*值自各自初始值的變化量更小。[實施例3]作為基材，準備厚度為100μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯片材，在基材的第1面上使用涂液形成具有1.2μm厚度的基底層。進而，在基底層上使用濺射法形成具有38nm厚度的下側氧氮化銅層，在下側氧氮化銅層上使用濺射法形成具有500nm厚度的銅層。進而，在銅層上使用濺射法形成具有38nm厚度的上側氧氮化銅層，獲得實施例3的觸摸面板用導電性層疊體。其中，上側氧氮化銅層及下側氧氮化銅層的形成在以下的條件下進行。實施例3中可知，上側氧氮化銅層及下側氧氮化銅層的各自成膜速度為44nm·m/min。[實施例4]在形成上側氧氮化銅層及下側氧氮化銅層時的條件中，除了如下變更氧氣的流量之外，利用與實施例3相同的方法獲得實施例4的觸摸面板用導電性層疊體。實施例4中可知，上側氧氮化銅層及下側氧氮化銅層的各自成膜速度與實施例3的成膜速度相同?！ぱ鯕饬髁?0sccm[實施例5]在形成上側氧氮化銅層及下側氧氮化銅層時的條件中，除了如下變更氧氣的流量之外，利用與實施例3相同的方法獲得實施例5的觸摸面板用導電性層疊體。另外，實施例5中可知，上側氧氮化銅層及下側氧氮化銅層的各自成膜速度與實施例3的成膜速度相同。·氧氣流量20sccm[實施例6]在形成上側氧氮化銅層及下側氧氮化銅層時的條件中，除了如下變更氧氣的流量之外，利用與實施例3相同的方法獲得實施例6的觸摸面板用導電性層疊體。另外，實施例6中可知，上側氧氮化銅層及下側氧氮化銅層的各自成膜速度與實施例3的成膜速度相同?！ぱ鯕饬髁?0sccm[實施例7]在形成上側氧氮化銅層及下側氧氮化銅層時的條件中，除了如下變更mf帶高頻電源的功率之外，利用與實施例5相同的方法獲得實施例7的觸摸面板用導電性層疊體。另外可知，實施例7中的上側氧氮化銅層及下側氧氮化銅層的各自成膜速度為30nm·m/min?！f帶高頻電源6.0kw[實施例8]在形成上側氧氮化銅層及下側氧氮化銅層時的條件中，除了如下變更氧氣的流量和氮氣的流量之外，利用與實施例3相同的方法獲得實施例8的觸摸面板用導電性層疊體。另外可知，實施例8中的上側氧氮化銅層及下側氧氮化銅層的各自成膜速度與實施例3的成膜速度相同?！ぱ鯕饬髁?0sccm·氮氣流量200sccm[比較例1]在形成上側氧氮化銅層及下側氧氮化銅層各自時的條件中，除了如下變更氧氣的流量之外，利用與實施例3相同的方法獲得具有上側氮化銅層及下側氮化銅層的比較例1的觸摸面板用導電性層疊體。另外可知，比較例1中的上側氧氮化銅層及下側氧氮化銅層的各自成膜速度與實施例3的成膜速度相同?！ぱ鯕饬髁?sccm[光學特性的測定結果]對實施例3～8的觸摸面板用導電性層疊體，分別測定形成了上側氧氮化銅層時刻的上側氧氮化銅層的y值、l*值、a*值及b*值。另外，對于比較例1的觸摸面板用導電性層疊體，分別測定形成了上側氮化銅層時刻的上側氮化銅層的y值、l*值、a*值及b*值。另外，y值、l*值、a*值及b*值分別利用與實施例1、2相同的方法測定。各測定結果是以下表2所示的值。表2yl*a*b*評價實施例315.746.55.8-20.2△實施例416.647.8-14.4-12.4○實施例517.949.4-15.1-9.0○實施例618.750.3-10.5-8.3○實施例717.048.3-15.8-10.7○實施例819.150.8-13.3-7.0○比較例123.555.6-0.8-3.7×如表2所示可知，實施例3中，上側氧氮化銅層的y的初始值為15.7％、為20％以下。另外可知，實施例3中，l*的初始值為46.5、a*的初始值為5.8、b*的初始值為-20.2。實施例4中可知，上側氧氮化銅層的y的初始值為16.6％、為20％以下。另外，實施例4中可知，l*的初始值為47.8、a*的初始值為-14.4、b*的初始值為-12.4。實施例5中可知，上側氧氮化銅層的y的初始值為17.9％、為20％以下。另外，實施例5中可知，l*的初始值為49.4、a*的初始值為-15.1、b*的初始值為-9.0。實施例6中可知，上側氧氮化銅層的y的初始值為18.7％、為20％以下。另外，實施例6中可知，l*的初始值為50.3、a*的初始值為-10.5、b*的初始值為-8.3。實施例7中可知，上側氧氮化銅層的y的初始值為17.0％、為20％以下。另外，實施例7中可知，l*的初始值為48.3、a*的初始值為-15.8、b*的初始值為-10.7。實施例8中可知，上側氧氮化銅層的y的初始值為19.1％、為20％以下。另外，實施例8中可知，l*的初始值為50.8、a*的初始值為-13.3、b*的初始值為-7.0。比較例1中可知，上側氮化銅層的y的初始值為23.5％、大于20％。另外，比較例1中可知，l*的初始值為55.6、a*的初始值為-0.8、b*的初始值為-3.7。[光學特性的初始值的評價]如上所述可知，實施例3～8的各個上側氧氮化銅層中，y的初始值為20％以下，而比較例1的上側氮化銅層中，y的初始值超過20％。如此，通過氧氮化銅層，與氮化銅層相比，成膜初始的y值減小，因此可知，氧氮化銅層從具有比氮化銅層明亮度更低的顏色的方面出發(fā)優(yōu)選。此外，實施例3的上側氧氮化銅層的b*的絕對值是超過20的值、與其他的上側氧氮化銅層相比、彩度更高，具有比其他上側氧氮化銅層更強的顏色，因而易于被觀察者識別到。因此可知，實施例4～實施例8的各上側氧氮化銅層在實施例中具有更為優(yōu)選的光學特性。[組成分析的結果]對于實施例3～8的各個上側氧氮化銅層及比較例1的上側氮化銅層，進行表面的組成分析。使用俄歇能譜分析裝置(sam-680、ulvac-phi株式會社制)，測定上側氧氮化銅層或上側氮化銅層的組成。在俄歇能譜分析裝置中，將氬離子槍的加速電壓設定為1kv、將入射角設定為45°、將試樣中的氬離子入射的范圍設定為1mm見方，對將試樣表面蝕刻1分鐘后的組成進行測定。其中，入射角為氬離子的入射方向與試樣的法線方向所形成的角度，利用氬離子槍進行的蝕刻速度換算成sio2為7nm/min。另外，在俄歇能譜分析裝置中，將電子槍的加速電壓設定為10kv、將電流量設定為10na。實施例3～8及比較例1中，氮原子(n)、氧原子(o)及銅原子(cu)的各原子％及2個原子間的相對比為以下表3所示的值。其中，相對比中，氮原子與銅原子之比(n/cu)的百分率為第1相對比、氧原子與銅原子之比(o/cu)的百分率為第2相對比、氮原子與氧原子之比(n/o)的百分率為第3相對比。表3如表3所示可知，在實施例3的上側氧氮化銅層中，氮原子為1原子％、氧原子為42原子％、銅原子為57原子％。另外，實施例3的上側氧氮化銅層中可知，第1相對比為1％、第2相對比為73％、第3相對比為2％。實施例4的上側氧氮化銅層中可知，氮原子為9原子％、氧原子為19原子％、銅原子為72原子％。另外，實施例4的上側氧氮化銅層中可知，第1相對比為12％、第2相對比為26％、第3相對比為47％。實施例5的上側氧氮化銅層中可知，氮原子為13原子％、氧原子為12原子％、銅原子為75原子％。另外，實施例5的上側氧氮化銅層中可知，第1相對比為17％、第2相對比為16％、第3相對比為108％。實施例6的上側氧氮化銅層中可知，氮原子為10原子％、氧原子為4原子％、銅原子為86原子％。另外，實施例6的上側氧氮化銅層中可知，第1相對比為11％、第2相對比為5％、第3相對比為233％。實施例7的上側氧氮化銅層中可知，氮原子為6原子％、氧原子為31原子％、銅原子為63原子％。另外，實施例7的上側氧氮化銅層中可知，第1相對比為9％、第2相對比為49％、第3相對比為19％。實施例8的上側氧氮化銅層中可知，氮原子為12原子％、氧原子為12原子％、銅原子為76原子％。另外，實施例8的上側氧氮化銅層中可知，第1相對比為16％、第2相對比為15％、第3相對比為103％。比較例1的上側氮化銅層中可知，氮原子為5原子％、氧原子為0原子％、銅原子為95原子％。另外，比較例1的上側氮化銅層中可知，第1相對比為6％、第2相對比為0％。[特性評價]對實施例3～8的觸摸面板用導電性層疊體及比較例1的觸摸面板用導電性層疊體，評價初始穩(wěn)定性、耐久性及加工性。其中，初始穩(wěn)定性是在從形成上側氧氮化銅層或上側氮化銅層開始經(jīng)過5天的期間內(nèi)的上側氧氮化銅層或上側氮化銅層的光學特性的穩(wěn)定性。其中，光學特性包含上述y值、l*值、a*值及b*值。初始穩(wěn)定性通過在常溫且常壓的環(huán)境氣體中將實施例3～8的觸摸面板用導電性層疊體及比較例1的觸摸面板用導電性層疊體靜置5天時、上側氧氮化銅層或上側氮化銅層的光學特性自初始值變化何種程度來評價。耐久性是上側氧氮化銅層或上側氮化銅層的光學特性的耐久性，是經(jīng)過了上述初始穩(wěn)定性進行評價的期間以后的上側氧氮化銅層或上側氮化銅層的光學特性的穩(wěn)定性。在對耐久性進行評價時，首先在常溫且常壓的環(huán)境氣體下將實施例3～8的觸摸面板用導電性層疊體及比較例1的觸摸面板用導電性層疊體靜置5天。進而，在上述試驗條件1下對實施例3～8的觸摸面板用導電性層疊體及比較例1的觸摸面板用導電性層疊體進行加速試驗500小時。耐久性通過在上側氧氮化銅層或上側氮化銅層中、加速試驗后的光學特性相對于加速試驗前的光學特性變化了何種程度來評價。加工性是對觸摸面板用導電性層疊體進行蝕刻時的加工性。加工性通過用氯化鐵液對實施例3～8的觸摸面板用導電性層疊體及比較例1的觸摸面板用導電性層疊體進行蝕刻時所獲得的電極的形狀來評價。初始穩(wěn)定性、耐久性及加工性的各評價結果如以下表4所示。其中，初始穩(wěn)定性中，使穩(wěn)定性高的觸摸面板用導電性層疊體的評價為“○”、使穩(wěn)定性低的觸摸面板用導電性層疊體的評價為“×”。耐久性中，使耐久性最高的觸摸面板用導電性層疊體的評價為“○”、使耐久性第二高的觸摸面板用導電性層疊體的評價為“△”、使耐久性低的觸摸面板用導電性層疊體的評價為“×”、使耐久性更低的觸摸面板用導電性層疊體的評價為“××”。加工性中，使加工性最高的觸摸面板用導電性層疊體的評價為“◎”、使加工性第二高的觸摸面板用導電性層疊體的評價為“○”、使加工性第三高的觸摸面板用導電性層疊體的評價為“△”、使加工性低的觸摸面板用導電性層疊體的評價為“×”。表4初始穩(wěn)定性耐久性加工性實施例3○××◎?qū)嵤├?○△◎?qū)嵤├?○○○實施例6○○△實施例7○×◎?qū)嵤├?○○○比較例1×○×如表4所示可知，實施例3～實施例8的各上側氧氮化銅層的初始穩(wěn)定性高，而比較例1的上側氮化銅層的初始穩(wěn)定性低。即，氧氮化銅層與氮化銅層相比，剛形成氧氮化銅層后難以引起光學特性的急劇變化，因而在使用觸摸面板用導電性層疊體形成的電極中，更容易滿足所希望的光學特性。此外，發(fā)明人們發(fā)現(xiàn)，評價初始穩(wěn)定性的試驗的期間即便是3天或4天，與試驗期間為5天時為相同的傾向。實施例3的上側氧氮化銅層中可知，加速試驗前的光學特性與加速試驗后的光學特性的差異與上述實施例2為相同的程度。另外，實施例4～8的上側氧氮化銅層及比較例1的上側氮化銅層中可知，加速試驗前的光學特性與加速試驗后的光學特性的差異比實施例3小?？芍獙嵤├?～8的各觸摸面板用導電性層疊體相比較于比較例1的觸摸面板用導電性層疊體，加工性更高。另外，實施例中可知，實施例3、4、7的各觸摸面板用導電性層疊體的加工性最高，實施例5、8的各觸摸面板用導電性層疊體的加工性第二高。具體地說，比較例1中可知，由于氮化銅層的蝕刻速度比銅層的蝕刻速度更小，因此如果想要在氮化銅層中滿足所希望的線寬，則銅層的線寬減小，多個電極的一部分中線寬小至易于導致斷線的程度。與其相對，實施例3～8中，由于銅層的蝕刻速度與氧氮化銅層的蝕刻速度的差異小于銅層的蝕刻速度與氮化銅層的蝕刻速度差異，因而各層的線寬差異小、而且多個電極中未見斷線。其中，實施例3～8中，實施例3、4、7中基本未見各層的線寬差異。[上側氧氮化銅層的組成與特性的關系]由表2、表3及表4可知，具備氧氮化銅層的觸摸面板用導電性層疊體在與氮化銅層相比更低地抑制y的初始值、能夠在成膜后的初期穩(wěn)定地保持光學特性及加工性良好這3個方面是優(yōu)異的。另外，氧氮化銅層中可知，通過含有4原子％以上且19原子％以下的氧原子的氧氮化銅層，對光學特性變化的耐久性提高。進而，氧氮化銅層中可見，通過含有12原子％以上且42原子％以下的氧原子的氧氮化銅層，利用濕式蝕刻進行的加工性提高，通過含有19原子％以上且42原子％以下的氧原子的氧氮化銅層，利用濕式蝕刻進行的加工性進一步提高。進而可知，通過含有12原子％的氧原子的氧氮化銅層，光學特性的初始值、耐久性及加工性全部具有優(yōu)選的特性。另一方面可知，通過第1相對比為11％以上且17％以下的氧氮化銅層，對光學特性變化的耐久性提高。換而言之可知，通過在氮原子與銅原子的相對比為11％以上且17％以下的狀態(tài)下含有氧，氧氮化銅層對光學特性變化的耐久性提高。[密合強度]對于實施例4～7，分別測定基底層與下側氧氮化銅層的界面處的密合強度。密合強度的測定使用基于jisk6854-3的方法進行。其中，在各實施例4～7中測定密合強度時，為了增大觸摸面板用導電性層疊體的厚度，在將上側氧氮化銅層去除之后在銅層上形成具有15μm厚度的銅層。進而，各實施例中將試驗片的寬度設定為15mm、將牽引速度設定為50mm/分鐘?？芍獙嵤├?的密合強度為8.0n/15mm、實施例5的密合強度為8.4n/15mm、實施例6的密合強度為8.3n/15mm、實施例7的密合強度為8.2n/15mm。如此可知，實施例的密合強度為8.0n/15mm以上。此外可知，通過具有這種密合強度的觸摸面板用導電性層疊體，在利用觸摸面板用導電性層疊體的蝕刻形成電極時，可抑制電極中的斷線。另外，實施例4～7中，在測定密合強度的試驗中，可見基底層與下側氧氮化銅層的界面處的界面破壞。[表面電阻率]對實施例3～7和比較例1，分別測定觸摸面板用導電性層疊體所具備的層疊體的表面電阻率。即，實施例3～7中，分別測定按順序?qū)盈B了下側氧氮化銅層、銅層及上側氧氮化銅層的層疊體的表面電阻率，比較例1中，測定按順序?qū)盈B有下側氮化銅層、銅層及上側氮化銅層的層疊體的表面電阻率。各層疊體的表面電阻率使用基于jisk7194的方法進行測定。其中，表面電阻率的測定使用電阻率計(株式會社mitsubishichemicalanalytech制、lorestagp)?？芍獙嵤├?的表面電阻率為0.13ω/□、實施例4的表面電阻率為0.13ω/□、實施例5的表面電阻率為0.13ω/□、實施例6的表面電阻率為0.12ω/□、實施例7的表面電阻率為0.13ω/□、實施例8的表面電阻率為0.13ω/□。另外可知，比較例1的表面電阻率為0.12ω/□。如此可知，實施例的表面電阻率為0.13ω/□以下。此外可知，通過具有這種表面電阻率的觸摸面板用導電性層疊體，還可以使使用觸摸面板用導電性層疊體形成的電極的電阻為低至能夠無視對觸摸傳感器的響應速度的影響的程度的電阻值。如以上說明的那樣，根據(jù)觸摸面板用導電性層疊體及觸摸面板用導電性層疊體的制造方法的一個實施方式，可以獲得以下所列舉的效果。(1)銅層14由于被反射率比銅層14低的2個氧氮化銅層夾持，因此使用觸摸面板用導電性層疊體10形成的多個電極31中，難以從與第1面11a相向的方向識別到電極31且難以隔著基材11識別到電極31。(2)使用第2層疊體20形成的多個電極中，在下側氧氮化銅層22及上側氧氮化銅層24中可抑制光的反射。因此，第2面11b中的多個電極中，難以從與第2面11b相向的方向識別到電極、且難以隔著基材11識別到電極。(3)由于基底層含有抗粘連劑，因此在將觸摸面板用導電性層疊體10卷繞或重疊時，可抑制上側氧氮化銅層密合在重疊于上側氧氮化銅層上的層上。另外，基底層由于是將基材11的凹部11c填埋且在基材11上形成為層狀，因此基底層中與下側氧氮化銅層相接觸的面的平坦性提高。進而，觸摸面板用導電性層疊體10的各層的平坦性提高。(4)下側氧氮化銅層的厚度由于是30nm以上且50nm以下，因此下側氧氮化銅層具有足以提高形成基底層的基材11與銅層之間的密合性的厚度。進而，由于下側氧氮化銅層的厚度為銅層厚度的25％以下的值，因此可以在保持基材11與銅層之間的密合性的同時還抑制觸摸面板用導電性層疊體10的整體厚度和觸摸面板用導電性層疊體10中的銅的使用量變得過剩。(5)上側氧氮化銅層中，xyz表色系中作為明亮度指標的y值為20％以下。因此，使用觸摸面板用導電性層疊體10形成的多個電極中，從與上側氧氮化銅層相向的方向難以識別到電極。另外，由于形成了上側氧氮化銅層時的y的值為20％以下，因此y值難以增大至可識別到上側氧氮化銅層的程度。(6)下側氧氮化銅層及上側氧氮化銅層通過以4原子％以上且19原子％以下的比例含有氧原子，因此可以提高對光學特性變化的耐久性。(7)若基底層與下側氧氮化銅層的界面處的密合強度為8.0n/15mm以上，則通過布圖所形成的電極的一部分難以從基底層上剝落，進而可以抑制電極上的斷線。(8)若觸摸面板用導電性層疊體10的表面電阻率為0.13ω/□以下，則可以使電極的電阻值成為低至能夠無視對觸摸傳感器的響應速度的影響的程度的電阻值。(9)若基底層表面的表面粗糙度ra為3nm以上，則層疊體更易于獲得抗粘連性。(10)若基底層表面的表面粗糙度ra為20nm以下，則可抑制使用層疊體形成的電極中的光散射增大至被觸摸面板的使用者識別到的程度。此外，上述實施方式還可如下地適當變更進行實施?！せ讓颖砻娴谋砻娲植诙萺a也可以比3nm小、還可以比20nm大。即便是這種構成，只要基底層位于基材與下側氧氮化銅層之間，則通過形成于基材中下側氧氮化銅層所存在的面上的凹部，也可抑制在觸摸面板用導電性層疊體的各層中形成比提高基底層的抗粘連性的程度的表面粗糙度更大幅度的高度差?！び|摸面板用導電性層疊體的表面電阻率也可以比0.13ω/□大，只要是可得到使用觸摸面板用導電性層疊體形成的電極所需要的電阻值、進而觸摸面板所需要的檢測精度的范圍即可?！せ讓优c下側氧氮化銅層的界面處的密合強度也可以比8.0n/15mm小，只要是通過對觸摸面板用導電性層疊體的加工、下側氧氮化銅層不會從基底層剝落的范圍即可?！ど蟼妊醯~層及下側氧氮化銅層的至少一者中，氧原子也可以以小于4原子％的比例含有、氧原子還可以以超過19原子％的比例含有。即便是這種構成，只要觸摸面板用導電性層疊體具備上側氧氮化銅層及下側氧氮化銅層，則隔著基材11難以識別到電極?！は聜妊醯~層的y的初始值不限于20％以下。即使下側氧氮化銅層的y的初始值超過20％，只要是形成有下側氧氮化銅層，則隔著基材11難以識別到電極?！ど蟼妊醯~層的y的初始值不限于20％以下。即便上側氧氮化銅層的y的初始值超過20％，只要形成有上側氧氮化銅層，則從與形成有電極的面相向的方向難以識別到電極。·銅層的厚度也可以比200nm小、還可以比500nm大。總之，銅層在使用觸摸面板用導電性層疊體10形成了電極時，只要是具有僅滿足作為電極所需要的導電性的厚度即可?！は聜妊醯~層的厚度也可以比30nm小、還可以比50nm大。另外，下側氧氮化銅層的厚度也可以是比銅層厚度的25％還大的值?？傊?，下側氧氮化銅層只要是具有能夠?qū)π纬捎谢讓拥幕呐c銅層這兩者表現(xiàn)出密合性的厚度即可，下側氧氮化銅層的厚度并非限定于上述實施方式所記載的范圍?！び糜谛纬苫讓拥耐恳褐灰鞘褂猛恳盒纬傻幕讓泳哂袑?1和下側氧氮化銅層的密合性，則也可以不含有紫外線固化性多官能丙烯酸酯、紫外線固化性單官能丙烯酸酯、丙烯酸聚合物及抗粘連劑中的至少一個?；蛘撸讓又灰蔷哂袑?1和下側氧氮化銅層的密合性，則也可以由熱塑性樹脂或熱固化性樹脂等形成?！る姌O31的線寬也可以是數(shù)十μm以上。即便是這種構成，只要電極31具備下側氧氮化銅層和上側氧氮化銅層，則與電極31僅由金屬層形成的構成相比，難以識別到電極31?！は聜妊醯~層、銅層及上側氧氮化銅層也可以使用濺射法以外的方法、例如蒸鍍法或cvd法等氣相沉積法形成。符號說明10觸摸面板用導電性層疊體、11基材、11a第1面、11b第2面、11c凹部、12、21基底層、13、22下側氧氮化銅層、14、23銅層、15、24上側氧氮化銅層、16第1層疊體、20第2層疊體、31電極。當前第1頁12