本發(fā)明涉及一種觸控面板，特別是有關(guān)于一種包含新穎導(dǎo)線設(shè)計(jì)的觸控面板。

背景技術(shù)：

有關(guān)觸控面板的相關(guān)產(chǎn)品已大量使用在日常工作與生活中，一般來說，觸控面板結(jié)構(gòu)包括形成在基板表面的感應(yīng)區(qū)域，感應(yīng)區(qū)域用來感應(yīng)人體的手指或類似于筆的書寫工具以達(dá)到觸控效果。

常見的投射電容式觸控面板是在基板表面設(shè)置彼此絕緣、交叉或不交叉的多個(gè)透明電極(例如銦錫氧化物(ito)電極)，所述透明電極再藉由周邊導(dǎo)線與控制器連接。當(dāng)物體靠近或觸碰觸控面板時(shí)，會造成觸碰位置電極之間的電容變化，電容變化訊號藉由周邊導(dǎo)線傳送至控制器加以運(yùn)算，而確定觸碰位置的坐標(biāo)。

隨著觸控面板產(chǎn)品屏幕愈做愈大，既要能單手操控又要保有較佳持握尺寸，觸控面板廠商無不盡量將其邊框縮減，期望能達(dá)到最大屏幕尺寸與最佳持握尺寸。

在傳統(tǒng)電容式觸控面板中，由于金屬材料具有良好導(dǎo)電性，因此，一般會采用金屬材料常見如鉬-鋁-鉬(mo-al-mo)金屬疊層制作周邊導(dǎo)線。鋁是一種導(dǎo)電性很好的材料，但與基材的附著力較差，且極易氧化，而用于提高其與基材附著力和保護(hù)其不被氧化的鉬材料，導(dǎo)電性較差。通常為了滿足觸控面板對周邊導(dǎo)線的面電阻(電阻率/膜厚)的要求(小于等于0.3歐)，鉬-鋁-鉬合金的膜厚 約須300nm，其中兩層鉬材料各50nm才能起到提升附著力和抗氧化腐蝕的效果，相應(yīng)的鋁材料需200nm才能使金屬疊層符合面電阻要求。并且，鉬、鋁材質(zhì)有較大差異，相同的蝕刻液對不同層的蝕刻速率差異較大，當(dāng)進(jìn)行蝕刻制程時(shí)，蝕刻液由表層向里蝕刻至底層過程中，也會造成蝕刻液向易蝕刻層側(cè)邊侵蝕，產(chǎn)生側(cè)蝕現(xiàn)象，整體厚度越大，側(cè)蝕問題越嚴(yán)重。為了避免發(fā)生蝕刻不盡或側(cè)邊過度蝕刻的問題，以鉬-鋁-鉬合金制作出的導(dǎo)線必須具備較寬線寬與線距(蝕刻后的線寬、線距須達(dá)約25μm)無法做到細(xì)線路、細(xì)間距及觸控面板邊框窄化的效果。值得注意的是，此等問題不僅存在于上述投射電容式觸控面板中，同樣亦存在于電阻式、紅外線式及表面聲波式等其他常見的觸控面板結(jié)構(gòu)中。此外，傳統(tǒng)高厚度導(dǎo)線所須用的靶材量相對較多，且靶材價(jià)格昂貴。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于上述問題，本發(fā)明一實(shí)施例，提供一種觸控面板，包括：一基板，定義有一觸控區(qū)與一周邊區(qū)，周邊區(qū)包圍觸控區(qū)；復(fù)數(shù)條周邊導(dǎo)線，設(shè)置于基板的周邊區(qū)，其中所述周邊導(dǎo)線包括一金屬層與一第一鎳銅鈦層，金屬層設(shè)置于基板上，第一鎳銅鈦層設(shè)置于金屬層遠(yuǎn)離基板之一側(cè)；以及一感應(yīng)層，設(shè)置于基板的觸控區(qū)，并電性連接所述周邊導(dǎo)線。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，提供一種觸控面板，包括：一基板，定義有一觸控區(qū)與一周邊區(qū)，周邊區(qū)包圍觸控區(qū)；復(fù)數(shù)條周邊導(dǎo)線，設(shè)置于基板的周邊區(qū)，其中所述周邊導(dǎo)線包括一第一鎳銅鈦層、一金屬層與一第二鎳銅鈦層，第一鎳銅鈦層設(shè)置于基板上，金屬層設(shè)置于第一鎳銅鈦層上，第二鎳銅鈦層設(shè)置于金屬層遠(yuǎn)離第一鎳銅鈦層之一側(cè)；以及一感應(yīng)層，設(shè)置于基板的觸控區(qū)，并電性連接所述周邊導(dǎo)線。

為讓本發(fā)明之上述目的、特征及優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一較佳實(shí)施例，并配合所附的圖式，作詳細(xì)說明如下。

附圖說明

圖1是根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，一種觸控面板的剖面示意圖；

圖2是根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，一種觸控面板的剖面示意圖；

圖3是根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，一種感應(yīng)電極結(jié)構(gòu)態(tài)樣的上視圖；

圖4是根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，一種觸控面板的剖面示意圖；

圖5是根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，一種觸控面板的剖面示意圖；

圖6是根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，一種觸控面板的剖面示意圖；

圖7是根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，一種觸控面板的剖面示意圖；

圖8是根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，一種觸控面板的剖面示意圖；

圖9是根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，一種感應(yīng)電極結(jié)構(gòu)態(tài)樣的上視圖；

圖10是根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，一種觸控面板的剖面示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖與具體實(shí)施方式對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。

請參閱圖1，圖1為上述觸控面板的剖面示意圖。本發(fā)明一實(shí)施例提供一種觸控面板10。觸控面板10包括：一基板12，定義有一觸控區(qū)14與一周邊區(qū)16，周邊區(qū)16包圍觸控區(qū)14；復(fù)數(shù)條周邊導(dǎo)線18，設(shè)置于基板12的周邊區(qū)16，其中周邊導(dǎo)線18包括一金屬層20與一第一鎳銅鈦層22，金屬層20設(shè)置于基板12上，第一鎳銅鈦層22設(shè)置于金屬層20遠(yuǎn)離基板12之一側(cè)，即金屬層是夾設(shè)于基板12與第一鎳銅鈦層22之間；以及一感應(yīng)層24，設(shè)置于基板12的觸控區(qū) 14，并電性連接周邊導(dǎo)線18。

在部分實(shí)施例中，基板12可為一玻璃基板或一薄膜基板。

鎳銅鈦(nickel-copper-titanium，nct)合金，具有低阻抗，對玻璃、薄膜等基材具備高附著力以及抗氧化、抗腐蝕等特性。其相比于鉬材料電阻率更低，同時(shí)抗氧化腐蝕能力更強(qiáng)，可以以更薄的厚度就起到相同的抗氧化腐蝕效果。在部分實(shí)施例中，第一鎳銅鈦層22的厚度介于10～30納米，較佳介于15～25納米，較佳為20納米。第一鎳銅鈦層22可包含多種比例的鎳銅鈦合金，在一較佳實(shí)施例中，nct中鎳銅鈦的比例為35％～50％的鎳、4％～10％的銅、44％～55％的鈦。

在部分實(shí)施例中，金屬層20的材料可為銅、鋁、金或銀，綜合材料成本、電阻率、附著力、蝕刻速率等因素，金屬層20的材料較佳是銅，其厚度為120～150nm，就可使周邊導(dǎo)線18的面電阻符合觸控面板的要求(小于等于0.3歐)。

在部分實(shí)施例中，與圖1不同之處在于，金屬層20與基板12之間更包括設(shè)置有一第二鎳銅鈦層26，形成周邊導(dǎo)線18’，如圖2所示。第二鎳銅鈦層26主要用以提升金屬層20與基板12之間的附著力，其厚度介于10～30納米，較佳是介于15～25納米，較佳為20納米。第二鎳銅鈦層26可包含多種比例的鎳銅鈦合金，一較佳比例為35％～50％的鎳、4％～10％的銅、44％～55％的鈦。

在部分實(shí)施例中，圖1與圖2中的感應(yīng)層24可由單一方向延伸的感應(yīng)電極所構(gòu)成，例如沿x方向或沿y方向延伸(未圖示)。在此實(shí)施例中，上述感應(yīng)電極可由透明導(dǎo)電材料所構(gòu)成，例如銦錫氧化物(indiumtinoxide，ito)、銦鋅氧化物(indiumzincoxide，izo)、鎘錫氧化物(cadmiumtinoxide，cto)或摻雜鋁鋅氧化物(aluminum-dopedzincoxide，azo)、金屬網(wǎng)格(metalmesh)或納米銀線(snw)。

在部分實(shí)施例中，感應(yīng)層24可包括復(fù)數(shù)條第一感應(yīng)電極28與復(fù)數(shù)條第二感應(yīng)電極30，第一感應(yīng)電極28沿一第一方向32延伸，例如沿x方向延伸，第二感應(yīng)電極30沿一第二方向34延伸，例如沿y方向延伸，且第一感應(yīng)電極28與第二感應(yīng)電極30相交，如圖3所示。圖3為第一感應(yīng)電極28與第二感應(yīng)電極30結(jié)構(gòu)態(tài)樣的上視圖。

在此實(shí)施例中，第一感應(yīng)電極28包括復(fù)數(shù)個(gè)第一導(dǎo)電單元36與復(fù)數(shù)條架橋?qū)Ь€38，架橋?qū)Ь€38連接第一導(dǎo)電單元36。第一感應(yīng)電極28的第一導(dǎo)電單元36與第二感應(yīng)電極30可由透明導(dǎo)電材料所構(gòu)成，例如銦錫氧化物(indiumtinoxide，ito)、銦鋅氧化物(indiumzincoxide，izo)、鎘錫氧化物(cadmiumtinoxide，cto)或摻雜鋁鋅氧化物(aluminum-dopedzincoxide，azo)、金屬網(wǎng)格(metalmesh)或納米銀線(snw)。

在部分實(shí)施例中，第一感應(yīng)電極28與第二感應(yīng)電極30之間更包括設(shè)置有復(fù)數(shù)個(gè)絕緣單元40以使第一感應(yīng)電極28與第二感應(yīng)電極30之間電性絕緣，請同時(shí)參照圖1、2。絕緣單元40可由透明絕緣材料所構(gòu)成。

在部分實(shí)施例中，架橋?qū)Ь€38設(shè)置于絕緣單元40遠(yuǎn)離基板12之一側(cè)。架橋?qū)Ь€38包括一第二金屬層42與一第三鎳銅鈦層44，第二金屬層42設(shè)置于絕緣單元40遠(yuǎn)離基板12之一側(cè)，第三鎳銅鈦層44設(shè)置于第二金屬層42遠(yuǎn)離絕緣單元40之一側(cè)，如圖1、2所示。第二金屬層42的材料為銅、鋁、金或銀，較佳為銅。第三鎳銅鈦層44的厚度介于10～30納米，較佳是介于15～25納米，較佳為20納米。第三鎳銅鈦層44可包括多種比例的鎳銅鈦合金，一較佳比例為35％～50％的鎳、4％～10％的銅、44％～55％的鈦。

在部分實(shí)施例中，與圖1、2不同之處在于，第二金屬層42與絕緣單元40之間更包括設(shè)置有一第四鎳銅鈦層46，形成架橋?qū)Ь€38’，如圖4、5所示。第 四鎳銅鈦層46的厚度介于10～30納米，較佳是介于15～25納米，較佳為20納米。第四鎳銅鈦層46可包括多種比例的鎳銅鈦合金，一較佳比例為35％～50％的鎳、4％～10％的銅、44％～55％的鈦。

在部分實(shí)施例中，與圖1不同之處在于，將架橋?qū)Ь€38”設(shè)置于絕緣單元40與基板12之間，如圖6所示。圖中，架橋?qū)Ь€38”包括一第三金屬層48與一第五鎳銅鈦層50，第三金屬層48設(shè)置于基板12上，第五鎳銅鈦層50設(shè)置于第三金屬層48遠(yuǎn)離基板12之一側(cè)。第三金屬層48可包括銅、鋁、金或銀，較佳是由銅所構(gòu)成。第五鎳銅鈦層50的厚度介于10～30納米，較佳是介于15～25納米，較佳為20納米。第五鎳銅鈦層50可包括多種比例的鎳銅鈦合金，一較佳比例為35％～50％的鎳、4％～10％的銅、44％～55％的鈦。

在部分實(shí)施例中，與圖6不同之處在于，第三金屬層48與基板12之間更包括設(shè)置有一第六鎳銅鈦層52，形成架橋?qū)Ь€38”’，如圖7所示。第六鎳銅鈦層52的厚度介于10～30納米，較佳是介于15～25納米，較佳為20納米。第六鎳銅鈦層52可包括多種比例的鎳銅鈦合金，一較佳比例為35％～50％的鎳、4％～10％的銅、44％～55％的鈦。

以圖1為例，因周邊導(dǎo)線18采用的第一鎳銅鈦層22與金屬層20的蝕刻速度差異較小，且整體厚度較薄，蝕刻不盡和過度側(cè)蝕的問題得到的極大的改善，周邊導(dǎo)線18的線寬和線距都可以縮減至更小的范圍。在部分實(shí)施例中，周邊導(dǎo)線18的線寬介于5～20微米，較佳為10微米。周邊導(dǎo)線18的線距介于5～20微米，較佳為10微米。

請參閱圖8，圖8為上述觸控面板的剖面示意圖。本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種觸控面板100。觸控面板100包括：一基板120，定義有一觸控區(qū)140與一周邊區(qū)160，周邊區(qū)160包圍觸控區(qū)140，在此實(shí)施例中，基板120特別地可作為 觸控面板100的保護(hù)蓋板使用；復(fù)數(shù)條周邊導(dǎo)線180，設(shè)置于基板120的周邊區(qū)160，其中周邊導(dǎo)線180包括一第一鎳銅鈦層220、一金屬層200與一第二鎳銅鈦層260，第一鎳銅鈦層220設(shè)置于基板120上，金屬層200設(shè)置于第一鎳銅鈦層220遠(yuǎn)離基板之一側(cè)，第二鎳銅鈦層260設(shè)置于金屬層200遠(yuǎn)離第一鎳銅鈦層220之一側(cè)，即金屬層200是夾設(shè)于第一鎳銅鈦層220與第二鎳銅鈦層260之間；以及一感應(yīng)層240，設(shè)置于基板120的觸控區(qū)140，并電性連接周邊導(dǎo)線180。

在部分實(shí)施例中，金屬層200的材料為銅、鋁、金或銀，較佳可由銅所構(gòu)成。

在部分實(shí)施例中，第一鎳銅鈦層220與第二鎳銅鈦層260的厚度介于10～30納米，較佳是介于15～25納米，較佳為20納米。第一鎳銅鈦層220與第二鎳銅鈦層260可包括多種比例的鎳銅鈦合金，一較佳比例為35％～50％的鎳、4％～10％的銅、44％～55％的鈦。

在部分實(shí)施例中，周邊導(dǎo)線180與基板120之間更包括設(shè)置有一油墨層或一有色光阻層250，以遮擋周邊導(dǎo)線180。

在部分實(shí)施例中，圖8中的感應(yīng)層240可由單一方向延伸的感應(yīng)電極所構(gòu)成，例如沿x方向或沿y方向延伸(未圖示)。在此實(shí)施例中，上述感應(yīng)電極可由透明導(dǎo)電材料所構(gòu)成，例如銦錫氧化物(indiumtinoxide，ito)、銦鋅氧化物(indiumzincoxide，izo)、鎘錫氧化物(cadmiumtinoxide，cto)或摻雜鋁鋅氧化物(aluminum-dopedzincoxide，azo)、金屬網(wǎng)格(metalmesh)或納米銀線(snw)。

在部分實(shí)施例中，感應(yīng)層240可包括第一感應(yīng)電極280與第二感應(yīng)電極300，第一感應(yīng)電極280沿一第一方向320延伸，例如沿x方向延伸，第二感應(yīng)電極300沿一第二方向340延伸，例如沿y方向延伸，且第一感應(yīng)電極280與第二 感應(yīng)電極300相交，如圖9所示。圖9為第一感應(yīng)電極280與第二感應(yīng)電極300結(jié)構(gòu)態(tài)樣的上視圖。

在此實(shí)施例中，第一感應(yīng)電極280包括復(fù)數(shù)個(gè)第一導(dǎo)電單元360與復(fù)數(shù)條架橋?qū)Ь€380，架橋?qū)Ь€380連接第一導(dǎo)電單元360。第一感應(yīng)電極280的第一導(dǎo)電單元360與第二感應(yīng)電極300可由透明導(dǎo)電材料所構(gòu)成，例如銦錫氧化物(indiumtinoxide，ito)、銦鋅氧化物(indiumzincoxide，izo)、鎘錫氧化物(cadmiumtinoxide，cto)或摻雜鋁鋅氧化物(aluminum-dopedzincoxide，azo)、金屬網(wǎng)格(metalmesh)或納米銀線(snw)。

在部分實(shí)施例中，第一感應(yīng)電極280與第二感應(yīng)電極300之間更包括設(shè)置有復(fù)數(shù)個(gè)絕緣單元400以使第一感應(yīng)電極280與第二感應(yīng)電極300之間電性絕緣，請同時(shí)參照圖8。絕緣單元400可由透明絕緣材料所構(gòu)成。

在部分實(shí)施例中，架橋?qū)Ь€380設(shè)置于絕緣單元400遠(yuǎn)離基板120之一側(cè)，如圖8所示。圖中，架橋?qū)Ь€380包括一第三鎳銅鈦層440、一第二金屬層420與一第四鎳銅鈦層460，第三鎳銅鈦層440設(shè)置于絕緣單元400遠(yuǎn)離基板120之一側(cè)，第二金屬層420設(shè)置于第三鎳銅鈦層440遠(yuǎn)離絕緣單元400之一側(cè)，第四鎳銅鈦層460設(shè)置于第二金屬層420遠(yuǎn)離第三鎳銅鈦層440之一側(cè)，即第二金屬層420是夾設(shè)于第三鎳銅鈦層440與第四鎳銅鈦層460之間。第二金屬層420可包括銅、鋁、金或銀，較佳是由銅所構(gòu)成。第三鎳銅鈦層440與第四鎳銅鈦層460的厚度介于10～30納米，較佳是介于15～25納米，較佳為20納米。第三鎳銅鈦層440與第四鎳銅鈦層460可包括多種比例的鎳銅鈦合金，一較佳比例為35％～50％的鎳、4％～10％的銅、44％～55％的鈦。

在部分實(shí)施例中，與圖8不同之處在于，將架橋?qū)Ь€380”設(shè)置于絕緣單元400與基板120之間，如圖10所示。圖中，架橋?qū)Ь€380”包括一第五鎳銅鈦層 500、一第三金屬層480與一第六鎳銅鈦層520，第五鎳銅鈦層500設(shè)置于基板120上，第三金屬層480設(shè)置于第五鎳銅鈦層500遠(yuǎn)離基板120之一側(cè)，第六鎳銅鈦層520設(shè)置于第三金屬層480遠(yuǎn)離第五鎳銅鈦層500之一側(cè)，即第三金屬層480是夾設(shè)于第五鎳銅鈦層500與第六鎳銅鈦層520之間。第三金屬層480的材料為銅、鋁、金或銀，較佳是由銅所構(gòu)成。第五鎳銅鈦層500與第六鎳銅鈦層520的厚度介于10～30納米，較佳介于15～25納米，較佳為20納米。第五鎳銅鈦層500與第六鎳銅鈦層520可包括多種比例的鎳銅鈦合金，一較佳比例為35％～50％的鎳、4％～10％的銅、44％～55％的鈦。

以圖8為例，在部分實(shí)施例中，周邊導(dǎo)線180的線寬介于5～20微米，較佳為10微米。周邊導(dǎo)線180的線距介于5～20微米，較佳為10微米。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，一種觸控面板的制造方法，請參閱圖5。

此處，僅重點(diǎn)揭露周邊導(dǎo)線18’與架橋?qū)Ь€38’的制作，其余組件依照一般半導(dǎo)體制程制作即可。對于周邊導(dǎo)線18’的制作，先濺鍍第二鎳銅鈦層26于基板12上。之后，濺鍍金屬層20于第二鎳銅鈦層26上。之后，濺鍍第一鎳銅鈦層22于金屬層20上。之后，對上述層疊結(jié)構(gòu)進(jìn)行蝕刻，即可制作出周邊導(dǎo)線18’。

同樣地，對于架橋?qū)Ь€38’的制作，先濺鍍第四鎳銅鈦層46于絕緣單元40上。之后，濺鍍第二金屬層42于第四鎳銅鈦層46上。之后，濺鍍第三鎳銅鈦層44于第二金屬層42上。之后，對上述層疊結(jié)構(gòu)進(jìn)行蝕刻，即可制作出架橋?qū)Ь€38’。

在部分實(shí)施例中，周邊導(dǎo)線18’與架橋?qū)Ь€38’可同時(shí)制作或分開制作。

本發(fā)明利用鎳銅鈦層的低電阻率與優(yōu)異抗氧化特性、高附著力、與金、銀、銅、鋁特別是銅金屬的蝕刻速度差異較小的優(yōu)勢所在，以雙層堆棧結(jié)構(gòu)，鎳銅 鈦層/金屬層(特別是鎳銅鈦層/銅金屬層)取代鉬/鋁/鉬結(jié)構(gòu)制作周邊導(dǎo)線或架橋?qū)Ь€，可使周邊導(dǎo)線或架橋?qū)Ь€的厚度降低，提高觸控面板整體的平整度，同時(shí)，周邊導(dǎo)線或架橋?qū)Ь€的鎳銅鈦層和金屬層地相同蝕刻液的蝕刻速率差異降低，有效解決蝕刻過程中的蝕刻不盡或側(cè)蝕問題，實(shí)現(xiàn)細(xì)線路、細(xì)間距的技術(shù)成果。

本發(fā)明以三層堆棧結(jié)構(gòu)(例如鎳銅鈦層/銅金屬層/鎳銅鈦層)制作周邊導(dǎo)線或架橋?qū)Ь€，其中與基板或油墨層接觸的鎳銅鈦層可有效提升銅金屬層與基板或油墨層之間的附著力。

本發(fā)明細(xì)線路設(shè)計(jì)可應(yīng)用于雙玻璃單層線路觸控面板(gg(sito))、雙玻璃雙層線路觸控面板(gg(dito))、單片式玻璃觸控面板(oneglasssolution，ogs)等相關(guān)結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品。

雖然本發(fā)明已以數(shù)個(gè)較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明之精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作任意之更動與潤飾，因此本發(fā)明之保護(hù)范圍當(dāng)視后附之申請專利范圍所界定者為準(zhǔn)。