1.低電阻手機(jī)指紋識(shí)別鍵裝飾圈，包括指紋裝飾圈基體，其特征在于：所述指紋裝飾圈基體上電鍍有底膜層、中間膜層和面膜層，
底膜層為鍍鉻或鈦；
中間膜層為鍍鉻、鈦和石墨合金，其中鉻占主體重量的30-40％、鈦占主體重量的20-30％、石墨占主體重量的25-35％；
面膜層為鍍鉻、鈦和石墨合金，其中鉻占主體重量的20-30％、鈦占主體重量的15-25％、石墨占主體重量的50-60％。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低電阻手機(jī)指紋識(shí)別鍵裝飾圈及其的制造工藝，其特征在于：所述指紋裝飾圈基體采用金屬制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低電阻手機(jī)指紋識(shí)別鍵裝飾圈及其的制造工藝，其特征在于：所述指紋裝飾圈基體采用塑料制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低電阻手機(jī)指紋識(shí)別鍵裝飾圈及其的制造工藝，其特征在于：所述中間膜層為鍍鉻、鈦和石墨合金，其中鉻占主體重量的40％、鈦占主體重量的30％、石墨占主體重量的30％。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的低電阻手機(jī)指紋識(shí)別鍵裝飾圈及其的制造工藝，其特征在于：所述面膜層為鍍鉻、鈦和石墨合金，其中鉻占主體重量的20％、鈦占主體重量的20％、石墨占主體重量的60％。
6.一種低電阻手機(jī)指紋識(shí)別鍵裝飾圈的制造工藝，其特征在于，制造權(quán)利要求1-5任意一項(xiàng)所述的低電阻手機(jī)指紋識(shí)別鍵裝飾圈，具體步驟如下：
步驟1，制作指紋裝飾圈基體；
步驟2，將指紋裝飾圈基體放入真空室，抽真空，真空度保持在6-3Pa；
步驟3，利用蒸發(fā)式電鍍工藝，依次在裝飾圈基體上電鍍上底膜、中間膜和面膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的低電阻手機(jī)指紋識(shí)別鍵裝飾圈的制造工藝，其特征在于：所述電鍍底層段時(shí)間為3-8分鐘。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的低電阻手機(jī)指紋識(shí)別鍵裝飾圈的制造工藝，其特征在于：所述電鍍中間膜層的時(shí)間為35-40分鐘，壓力為3-5Pa。
9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的低電阻手機(jī)指紋識(shí)別鍵裝飾圈及其的制造工藝，其特征在于：所述電鍍面膜層的時(shí)間為15-20分鐘，壓力為3-5Pa。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的低電阻手機(jī)指紋識(shí)別鍵裝飾圈的制造工藝，其特征在于：所述底膜層、中間膜層和面膜層在一次電鍍過程中依次電鍍。