本發(fā)明屬于觸控屏技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種in-cell一體式觸控屏，尤其涉及一種基于ATO薄膜的in-cell一體式觸控屏及其制備方法。

背景技術(shù)：

手機(jī)觸控InCell/OnCell架構(gòu)在日系面板廠領(lǐng)軍，韓、中面板廠陸續(xù)加入力拱之下，占整體智能手機(jī)采用比重快速攀升，蘋果(Apple)將InCell技術(shù)導(dǎo)入iPhone5系列后，帶動了市場對于InCell技術(shù)的關(guān)注度，In-cell觸摸屏，包括電容觸摸模塊CTP及液晶模塊，所述的電容觸摸模塊CTP與液晶模塊往往一體成型，即形成in-cell一體式觸控屏。目前in-cell技術(shù)的主要缺點(diǎn)是：1)觸摸模塊的靈敏度低于目前主流的OGS；2)由于觸摸模塊的透過率影響，其顯示效果要差一些。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種基于ATO薄膜的in-cell一體式觸控屏，該觸控屏采用高透、高電阻、高硬度的ATO薄膜作為抗電磁干擾層，可極大地提升觸控屏的性能。

本發(fā)明的基于ATO薄膜的in-cell一體式觸控屏，包括電容觸摸模塊及液晶模塊，所述的觸控屏還包括ATO薄膜層，所述的ATO薄膜層作為抗電磁干擾層設(shè)置于電容觸摸模塊中觸摸感應(yīng)電極的背面，所述的ATO薄膜層的透過率＞85％，其方塊電阻為3×10⁷～8×10¹⁰Ω/□。

上述技術(shù)方案中，優(yōu)選的，所述的ATO薄膜層的厚度為10-500nm。

所述的ATO薄膜層是以摻銻氧化錫陶瓷靶作為靶材采用PVD方法制備而成；所述的摻銻氧化錫陶瓷靶中銻含量為0.1-15wt％。

本發(fā)明中ATO薄膜與電容觸摸模塊的制作可以采用離線式獲得電容觸摸模塊后再在觸摸感應(yīng)電極背面沉積ATO薄膜；或者采用真空連續(xù)鍍膜，在制備電容觸摸模塊時直接PVD沉積ATO薄膜。

本發(fā)明的有益效果在于：由于觸摸模塊采用的是投射電容式觸摸屏，本發(fā)明的觸控屏采用高透、高電阻、高硬度的ATO薄膜作為抗電磁干擾層，可極大地提升觸控屏的性能，ATO薄膜屏蔽了來自外部環(huán)境和LCD像素迭加后產(chǎn)生規(guī)律性的電磁干擾，從而可提高觸摸模塊的靈敏度，即提高觸控屏的使用穩(wěn)定性，本發(fā)明采用PVD(磁控濺射)工藝制備ATO薄膜，工藝重復(fù)穩(wěn)定性好、生產(chǎn)效率高，易于大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的基于ATO薄膜的in-cell一體式觸控屏的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對本發(fā)明做進(jìn)一步的說明。

參照圖1，本發(fā)明的基于ATO薄膜的in-cell一體式觸控屏，包括電容觸摸模塊及液晶模塊，還包括ATO薄膜層，所述的ATO薄膜層作為抗電磁干擾層設(shè)置于in-cell一體式觸控屏電容觸摸模塊中觸摸感應(yīng)電極的背面,在電容觸摸模塊上還設(shè)有保護(hù)玻璃層。ATO薄膜層的透過率＞85％，其方塊電阻為3×10⁷～8×10¹⁰Ω/□。

實(shí)施例1

本實(shí)施例提供的一種基于ATO薄膜的in-cell一體式觸控屏的制備方法，包括如下步驟：

1)ATO靶材制備：ATO靶材注漿成型工藝：a)根據(jù)ATO配比，精確的稱量出所需材料的質(zhì)量，銻含量為0.1-15wt％，本實(shí)施例中采用銻含量為1wt％；b)球磨：先將ATO粉料加適當(dāng)水混合均勻，導(dǎo)入球磨罐中并充分?jǐn)嚢杈鶆?，時間為8小時；c)注漿成型：將球磨好的漿液澆注在石膏模具【中國專利201420674055.6】中進(jìn)行成型(生產(chǎn)尺寸從長20mm×寬20mm×高30mm～長500mm×寬500mm×高30mm)均可生產(chǎn)，時間為32小時；d)陰干：將成型好的生坯放特制治具進(jìn)行陰干，時間為24小時～150小時(依產(chǎn)品尺寸厚薄決定陰干時間)；e)燒結(jié)：將陰干好的產(chǎn)品放入燒結(jié)爐內(nèi)進(jìn)行燒結(jié)其溫度為1400℃，時間72小時；f)研磨：將燒結(jié)好產(chǎn)品放入平面大水磨床上，用樹脂砂輪磨出成品尺寸。

2)ATO薄膜磁控濺射(PVD)沉積：a)樣品表面預(yù)清洗：樣品在完成電容觸摸模塊CTP的第二sensor電極后，在進(jìn)行PVD沉積ATO薄膜層之前，先經(jīng)過等離子清洗腔進(jìn)行表面處理；b)ATO薄膜PVD沉積：表面清潔后的樣品進(jìn)入工藝腔，腔中氣氛為Ar/O₂混合氣體，其中Ar比例80％，工作氣壓為0.5Pa，采用13.56MHz的RF電源功率為800W(功率密度為3W/cm²)，30min后沉積的ATO厚度為400nm。

3)ATO薄膜退火處理：將ATO薄膜沉積的樣品進(jìn)行退火處理，退火溫度為120℃，且在氮?dú)獗Ｗo(hù)氛圍中退火30min，得到用于觸摸屏抗電磁干擾層的ATO薄膜。

實(shí)施例2

本實(shí)施例提供的一種基于ATO薄膜的in-cell一體式觸控屏的制備方法，包括如下步驟：

1)ATO靶材制備：ATO靶材壓制工藝：a)根據(jù)ATO配比，精確的稱量出所需材料的質(zhì)量，銻含量為0.1-15wt％，本實(shí)施例中采用銻含量為1wt％；b)球磨：先將ATO粉料加適當(dāng)水混合均勻，導(dǎo)入球磨罐中并充分?jǐn)嚢杈鶆?，時間為8小時；c)造粒：將球磨好的漿液倒入攪拌槽進(jìn)行造粒；d)過篩：造粒后篩選出30-60目的粉料顆粒；e)成型：將粉料裝入模具放入200MPA冷等靜壓機(jī)進(jìn)行壓制成型；f)燒結(jié)：將陰干好的產(chǎn)品放入燒結(jié)爐內(nèi)進(jìn)行燒結(jié)其溫度為1400℃，時間72小時；g)研磨：將燒結(jié)好產(chǎn)品放入平面大水磨床上，用樹脂砂輪磨出成品尺寸。

2)樣品清洗：將半成品(包含電容觸摸模塊CTP的半成品)放入清洗機(jī)內(nèi)，先進(jìn)行軟毛刷擦洗，然后進(jìn)入超聲清洗段，超聲清洗的溫度為30℃，時間為15min，超聲清洗后進(jìn)行純水漂洗，之后用氮?dú)獯蹈?，保證吹干后的半成品表面潔凈無油污。

3)ATO薄膜磁控濺射(PVD)沉積：表面清潔后的樣品進(jìn)入磁控濺射(PVD)工藝腔，腔中氣氛為Ar/O₂混合氣體，其中Ar比例90％，工作氣壓為0.5Pa，采用2MHz的RF電源功率為400W(功率密度為1.5W/cm²)，10min后沉積的ATO厚度為100nm。

上述結(jié)構(gòu)中ATO薄膜層是以摻銻氧化錫陶瓷靶作為靶材采用PVD方法制備而成，后續(xù)可采用但不限于退火處理；所述的摻銻氧化錫陶瓷靶中銻含量為0.1-15wt％。使用該方法制備的用于觸摸屏的ATO薄膜具有高透、高電阻、高硬度的特點(diǎn)，且工藝重復(fù)穩(wěn)定性好、生產(chǎn)效率高，如表1所示，為采用上述過程中制備ATO薄膜的方法在素玻璃上磁控濺射(PVD)沉積ATO單膜的光透射率和高頻性能。

表1