本發(fā)明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種OLED觸控顯示裝置。

背景技術：

近年來，液晶顯示(Liquid Crystal Display，LCD)裝置和有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode，OLED)顯示裝置等平板顯示裝置已經(jīng)逐步取代CRT顯示器，成為顯示裝置市場中的主流產(chǎn)品。其中，OLED顯示裝置具有自發(fā)光、驅(qū)動電壓低、發(fā)光效率高、響應時間短、清晰度與對比度高、近180°視角、使用溫度范圍寬，可實現(xiàn)柔性顯示與大面積全色顯示等諸多優(yōu)點，被業(yè)界公認為是最有發(fā)展?jié)摿Φ娘@示裝置。

OLED顯示裝置通常包括：基板、與基板相對設置的封裝蓋板、設于基板上的陽極、設于陽極上的空穴注入層、設于空穴注入層上的空穴傳輸層、設于空穴傳輸層上的發(fā)光層、設于發(fā)光層上的電子傳輸層、設于電子傳輸層上的電子注入層、及設于電子注入層上的陰極。OLED顯示裝置工作時向發(fā)光層發(fā)射空穴和電子，將這些電子和空穴組合產(chǎn)生激發(fā)性電子-空穴對，并將激發(fā)性電子-空穴對從受激態(tài)轉(zhuǎn)換為基態(tài)實現(xiàn)發(fā)光。

隨著便攜式電子顯示設備的發(fā)展，觸摸屏(Touch panel)提供了一種新的人機互動界面，其在使用上更直接、更人性化。將觸摸屏與平面顯示裝置整合在一起，形成觸控顯示裝置，能夠使平面顯示裝置具有觸控功能，可通過手指、觸控筆等執(zhí)行輸入，操作更加直觀、簡便。目前OLED觸控顯示裝置通常采用將OLED顯示裝置和觸摸屏分開來制做，然后再將二者結合起來，通常包括四層結構，分別是OLED基板、OLED蓋板、觸摸屏基板、與觸摸屏蓋板。請參閱圖1，現(xiàn)有的OLED觸控顯示面板包括：觸控面板91、設于所述觸控面板91下方的OLED顯示面板92、與所述觸控面板91電性連接的觸控芯片94、與所述OLED顯示面板92電性連接的數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片93、與所述數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片93電性連接的時序控制器95、與所述時序控制器95及觸控芯片94均電性連接的系統(tǒng)芯片96，其中觸控芯片94中設有用于偵測觸控信號的模數(shù)轉(zhuǎn)換器(Analog-to-Digital Converter，ADC)及觸控驅(qū)動模塊，數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片93中設有用于偵測OLED顯示面板中有機發(fā)光二極管和驅(qū)動薄膜晶體管閾值電壓的外部補償偵測模塊，同時使用觸控驅(qū)動模塊與外部補償偵測模塊造成了模塊的重復，不利于生產(chǎn)成本的控制，降低了產(chǎn)品競爭力。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種OLED觸控顯示裝置，能夠減少OLED觸控顯示裝置的芯片數(shù)量，降低OLED觸控顯示裝置的生產(chǎn)成本。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種OLED觸控顯示裝置，包括：OLED觸控顯示面板、與所述OLED觸控顯示面板電性連接的數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片、與所述數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片電性連接的時序控制器、以及與所述時序控制器電性連接的系統(tǒng)芯片；

所述OLED觸控顯示面板包括：基板、設于所述基板上的觸控電極層、設于所述觸控電極層上的鈍化層、設于所述鈍化層上的多個陣列排布的像素單元；

所述數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片包括：模數(shù)轉(zhuǎn)換器，所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器通過感測線與所述像素單元電性連接，同一列像素單元電性連接同一條感測線；

所述觸控電極層包括：數(shù)個陣列排布且相互獨立的觸控電極塊，每一個觸控電極塊對應n個像素單元，每一個觸控電極塊與其所對應的n個像素單元中的一個像素單元電性連接的感測線電性連接，n為正整數(shù)；

所述OLED觸控顯示裝置通過所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器、時序控制器、及系統(tǒng)芯片的配合完成觸控信號的偵測與像素單元的閾值電壓補償。

每一個像素單元均包括：開關薄膜晶體管、驅(qū)動薄膜晶體管、感測薄膜晶體管、存儲電容、以及有機發(fā)光二極管；

所述開關薄膜晶體管的柵極接入掃描信號，源極接入數(shù)據(jù)信號，漏極電性連接驅(qū)動薄膜晶體管的柵極；所述驅(qū)動薄膜晶體管的源極接入電源電壓，漏極電性連接有機發(fā)光二極管的陽極；所述感測薄膜晶體管的柵極接入感測控制信號，源極電性連接驅(qū)動薄膜晶體管的漏極，漏極電性連接感測線；所述存儲電容的一端電性連接驅(qū)動薄膜晶體管的柵極，另一端電性連接驅(qū)動薄膜晶體管的漏極；有機發(fā)光二極管的陰極接地。

所述觸控電極塊經(jīng)由感測薄膜晶體管與所述感測線電性連接。

所述觸控電極塊通過一過孔與所述感測薄膜晶體管的源極電性連接。

所述OLED觸控顯示裝置在一幀畫面時間內(nèi)，先進行畫面?zhèn)鬏?，再進行觸控掃描。

畫面?zhèn)鬏敃r，所述數(shù)據(jù)信號的傳輸頻率為所述OLED觸控顯示裝置的畫面顯示頻率的2倍。

觸控掃描時，系統(tǒng)芯片根據(jù)觸控電極塊電性連接的感測線的位置、以及感測控制信號的時序確定觸摸的位置。

所述基板、觸控電極層、以及鈍化層均為透明的，所述像素單元發(fā)出的光線經(jīng)由基板出射。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供了一種OLED觸控顯示裝置，通過在OLED顯示面板的陣列基板上制作觸控電極，并將觸控電極經(jīng)由感測線連接至數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片的模數(shù)轉(zhuǎn)換器，并將現(xiàn)有技術中的觸控驅(qū)動模塊整合到時序控制器中，從而通過OLED顯示面板的外部補償偵測模塊完成觸控掃描偵測，觸控掃描時，通過數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片內(nèi)的模數(shù)轉(zhuǎn)換器進行電荷偵測，根據(jù)觸控電極塊電性連接的感測線的位置、以及感測控制信號的時序確定觸摸的位置，能夠省去觸控芯片，減少OLED觸控顯示裝置的芯片數(shù)量，降低OLED觸控顯示裝置的生產(chǎn)成本。

附圖說明

為了能更進一步了解本發(fā)明的特征以及技術內(nèi)容，請參閱以下有關本發(fā)明的詳細說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。

附圖中，

圖1為現(xiàn)有的OLED觸控顯示裝置的結構圖；

圖2為本發(fā)明的OLED觸控顯示裝置的結構圖；

圖3為本發(fā)明的OLED觸控顯示裝置的剖面圖；

圖4為本發(fā)明的OLED觸控顯示裝置的觸控電極俯視圖；

圖5為本發(fā)明的OLED觸控顯示裝置的等效電路圖；

圖6為本發(fā)明的OLED觸控顯示裝置的工作時序圖。

具體實施方式

為更進一步闡述本發(fā)明所采取的技術手段及其效果，以下結合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進行詳細描述。

請參閱圖2，本發(fā)明提供一種OLED觸控顯示裝置，包括：OLED觸控顯示面板1、與所述OLED觸控顯示面板1電性連接的數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片(Source IC)2、與所述數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片2電性連接的時序控制器(Tcon)3、以及與所述時序控制器3電性連接的系統(tǒng)芯片4；

請參閱圖3，所述OLED觸控顯示面板1包括：基板11、設于所述基板11上的觸控電極層12、設于所述觸控電極層12上的鈍化層13、設于所述鈍化層13上的第一金屬層141、設于所述第一金屬層141以及鈍化層13上的柵極絕緣層142、設于所述柵極絕緣層142上的有源層143、設于所述有源層143以及柵極絕緣層142上的層間絕緣層144、設于所述層間絕緣層144上的第二金屬層145、設于所述第二金屬層145及層間絕緣層144上的平坦層146、設于所述平坦層146上的陽極層147、設于所述陽極層147上的有機發(fā)光層148、設于所述陽極層147及平坦層146上并且包圍所述有機發(fā)光層148的像素定義層149、設于所述有機發(fā)光層148及像素定義層149上的陰極層1410、設有陰極層1410上封裝蓋板(未圖示)。

所述第一金屬層141、柵極絕緣層142、有源層143、層間絕緣層144、第二金屬層145、平坦層146、陽極層147、陽極層147、有機發(fā)光層148、像素定義層149、以及陰極層1410共同形成了多個陣列排布的像素單元14。

其中，所述第一金屬層141、柵極絕緣層142、有源層143、層間絕緣層144、第二金屬層145共同形成了若干個薄膜晶體管、電容、以及金屬連接線，具體地，所述第一金屬層141形成有若干個薄膜晶體管的柵極、電容的下電極板、以及柵極線，所述第二金屬層142形成有若干個薄膜晶體管的源極與漏極、電容的上電極板、數(shù)據(jù)線、以及感測線，所述陽極層147、有機發(fā)光層148、像素定義層149、及陰極層1410共同形成了若干個有機發(fā)光二極管。

其中，所述基板11、觸控電極層12、鈍化層13、柵極絕緣層142、層間絕緣層144、平坦層146、以及陽極層147均為透明的，所述像素單元14發(fā)出的光線經(jīng)由基板11出射。

請參閱圖2，所述數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片2包括：模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC，所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC通過感測線與所述像素單元14電性連接，同一列像素單元14電性連接同一條感測線；

請參閱圖4，所述觸控電極層12包括：數(shù)個陣列排布且相互獨立的觸控電極塊121，每一個觸控電極塊121對應n個像素單元14，每一個觸控電極塊121與其所對應的n個像素單元14中的一個像素單元14電性連接的感測線電性連接，n為正整數(shù)。

所述OLED觸控顯示裝置通過所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC、時序控制器3、及系統(tǒng)芯片4的配合完成觸控信號的偵測與像素單元14的閾值電壓補償。

具體地，請參閱圖5，在本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，每一個像素單元14中形成有開關薄膜晶體管T1、驅(qū)動薄膜晶體管T2、感測薄膜晶體管T3、存儲電容C1、以及有機發(fā)光二極管D1，即采用3T1C的像素驅(qū)動電路。

所述開關薄膜晶體管T1的柵極接入掃描信號Scan，源極接入數(shù)據(jù)信號Data，漏極電性連接驅(qū)動薄膜晶體管T2的柵極；所述驅(qū)動薄膜晶體管T2的源極接入電源電壓，漏極電性連接有機發(fā)光二極管D1的陽極；所述感測薄膜晶體管T3的柵極接入感測控制信號Sen，源極電性連接驅(qū)動薄膜晶體管T2的漏極，漏極電性連接感測線；所述存儲電容C1的一端電性連接驅(qū)動薄膜晶體管T2的柵極，另一端電性連接驅(qū)動薄膜晶體管T2的漏極；有機發(fā)光二極管D1的陰極接地；

具體地，所述有機發(fā)光二極管D1的陽極和陰極之間還形成有寄生電容Coled。

具體地，所述感測線經(jīng)由一多路復用模塊Mux連接至所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC，此外，還包括一開關K1，所述開關K1的一端連接所述多路復用器的輸出端，另一端連接參考電壓Vcm。多條感測線通過多路復用模塊Mux多個通路分別連接至模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC。具體地，請參閱圖4，所述觸控電極塊121經(jīng)由感測薄膜晶體管T3與所述感測線電性連接，具體地，請參閱圖3，所述觸控電極塊121通過一過孔與所述感測薄膜晶體管T3的源極電性連接，所述過孔貫穿所述鈍化層13、柵極絕緣層142、以及層間絕緣層144。

具體地，請參閱圖6，所述OLED觸控顯示裝置的工作過程為：所述OLED觸控顯示裝置在一幀畫面時間內(nèi)，先進行畫面?zhèn)鬏?，再進行觸控掃描，在本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，OLED觸控顯示裝置的畫面顯示頻率為60Hz，即一幀畫面的時長為16.7ms，所述數(shù)據(jù)信號Data的傳輸頻率為120Hz，即數(shù)據(jù)信號Data傳輸?shù)臅r長為8.3ms，畫面?zhèn)鬏敃r，掃描信號Scan逐行開啟開關薄膜晶體管T1，數(shù)據(jù)信號Data充入存儲電容C1中，使得驅(qū)動薄膜晶體管T2導通，同時開關K1閉合，將驅(qū)動薄膜晶體管T2的源極電壓固定在參考電壓Vcm，有機發(fā)光二極管D1發(fā)光，全部像素掃描結束后，開關K1斷開，有機發(fā)光二極管D1保持發(fā)光，開始進入觸控掃描，當沒有手指觸摸時，觸控電極產(chǎn)生的電容為C2，當有手指觸摸時另外產(chǎn)生一電容C3，系統(tǒng)芯片4根據(jù)觸控電極塊121電性連接的感測線的位置、以及感測控制信號Sen的時序確定觸摸的位置，具體為根據(jù)偵測到電荷變化的感測線的位置得出觸摸位置的橫坐標，根據(jù)感測控制信號Sen當前的時序得出觸摸位置的縱坐標，進而確定觸摸的位置。

此外，根據(jù)OLED顯示時，閾值電壓補償?shù)男枰梢栽谟|控掃描結束后的空閑(Blank)階段加入閾值電壓的偵測，實現(xiàn)閾值電壓的實時補償，也可以在每次OLED觸控顯示裝置關機時進行閾值電壓的偵測，實現(xiàn)閾值電壓的關機補償，閾值電壓的偵測的時間可以根據(jù)需要進行相應選擇，這不會影響本發(fā)明的實現(xiàn)。

綜上所述，本發(fā)明提供了一種OLED觸控顯示裝置，通過在OLED顯示面板的陣列基板上制作觸控電極，并將觸控電極經(jīng)由感測線連接至數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片的模數(shù)轉(zhuǎn)換器，并將現(xiàn)有技術中的觸控驅(qū)動模塊整合到時序控制器中，從而通過OLED顯示面板的外部補償偵測模塊完成觸控掃描偵測，觸控掃描時，通過數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片內(nèi)的模數(shù)轉(zhuǎn)換器進行電荷偵測，根據(jù)觸控電極塊電性連接的感測線的位置、以及感測控制信號的時序確定觸摸的位置，能夠省去觸控芯片，減少OLED觸控顯示裝置的芯片數(shù)量，降低OLED觸控顯示裝置的生產(chǎn)成本。

以上所述，對于本領域的普通技術人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術方案和技術構思作出其他各種相應的改變和變形，而所有這些改變和變形都應屬于本發(fā)明權利要求的保護范圍。