本發(fā)明涉及冗余電源領(lǐng)域，尤其涉及一種用于非冗余電源實現(xiàn)冗余的電路。

背景技術(shù)：

ATX電源作用是把交流220V的電源轉(zhuǎn)換為計算機(jī)內(nèi)部使用的直流5V，12V，24V的電源。與AT電源相比，ATX電源增加了“+3.3V、+5VSB、PS－ON。

隔離冗余方式是指一臺或者多臺UPS作為第一級電源保護(hù)設(shè)備，另外一臺機(jī)器作為二級電源，備用使用。一級電源有各自的負(fù)載總線,二級電源為所有一級電源設(shè)備提供旁路電源。工作時二級電源空載運(yùn)行，但是，在一個周波的時間內(nèi)要求它可以承擔(dān)從0％到100％的負(fù)載。當(dāng)一級電源從市電模式切換到旁路模式時，轉(zhuǎn)換開關(guān)會自動將其與二級電源斷開。

然而現(xiàn)有非冗余ATX電源一般不使用冗余功能，若用戶需要使用具備有冗余功能的ATX電源，需要重新購買價格昂貴的電源。因此，現(xiàn)有技術(shù)無法將非冗余ATX電源用于需要冗余功能的系統(tǒng)中是本領(lǐng)域人員需要解決的技術(shù)問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明實施例提供了一種用于非冗余電源實現(xiàn)冗余的電路，用于解決現(xiàn)有技術(shù)無法將非冗余ATX電源用于需要冗余功能的系統(tǒng)中的技術(shù)問題。

本發(fā)明實施例提供一種用于非冗余電源實現(xiàn)冗余的電路，包括：至少兩個隔離電路、輸出端；

所述隔離電路包括：具備ORING功能的控制芯片、與所述控制芯片數(shù)量相同的MOS管、與所述控制芯片數(shù)量相同的輸入端；

所述控制芯片的VDD端通過第一電容接地并通過第一電阻連接所述輸入端；

所述控制芯片的RSET端、RSVD端、GND端接地；

所述控制芯片的BYP端通過第二電容連接所述輸入端；

所述控制芯片的A端連接所述輸入端并通過第三電容連接所述輸出端并通過第四電容接地；

所述控制芯片的C端連接所述輸出端；

所述控制芯片的GATE端連接所述MOS管的柵極；

所述MOS管的源極連接所述輸入端；

所述MOS管的漏極連接所述輸出端；

所述MOS管的源極連接第一二極管的正極，所述MOS管的漏極連接所述第一二極管的負(fù)極。

優(yōu)選地，所述隔離電路還包括第二電阻；

所述控制芯片的RSET端通過所述第二電阻接地。

優(yōu)選地，所述隔離電路的輸入端通過第五電容接地。

優(yōu)選地，所述第五電容為儲能電容。

優(yōu)選地，所述輸出端通過第六電容接地。

優(yōu)選地，所述第六電容為儲能電容。

優(yōu)選地，所述隔離電路具體為兩個隔離電路，兩隔離電路通過自身所述MOS管的漏極相連接。

所述隔離電路具體包括第一隔離電路和第二隔離電路；

所述第一隔離電路包括：具備ORING功能的第一控制芯片U1、第一MOS管MOS1、第一輸入端VIN1；

所述第一控制芯片的VDD端通過電容C3接地并通過電阻R1連接所述第一輸入端；

所述第一控制芯片的RSET端、RSVD端、GND端接地；

所述第一控制芯片的BYP端通過電容C1連接所述第一輸入端；

所述第一控制芯片的A端連接所述第一輸入端并通過電容C2連接所述輸出端并通過電容C4接地；

所述第一控制芯片的C端連接所述輸出端；

所述第一控制芯片的GATE端連接所述第一MOS管的柵極；

所述第一MOS管的源極連接所述第一輸入端；

所述第一MOS管的漏極連接所述輸出端；

所述第一MOS管的源極連接第一二極管的正極，所述第一MOS管的漏極連接所述第一二極管的負(fù)極；

所述第二隔離電路包括：具備ORING功能的第二控制芯片U2、第二MOS管MOS2、第二輸入端VIN2；

所述第二控制芯片的VDD端通過電容C7接地并通過電阻R4連接所述第二輸入端；

所述第二控制芯片的RSET端、RSVD端、GND端接地；

所述第二控制芯片的BYP端通過電容C8連接所述第二輸入端；

所述第二控制芯片的A端連接所述第二輸入端并通過電容C6連接所述輸出端并通過電容C5接地；

所述第二控制芯片的C端連接所述輸出端；

所述第二控制芯片的GATE端連接所述第二MOS管的柵極；

所述第二MOS管的源極連接所述第二輸入端；

所述第二MOS管的漏極連接所述輸出端；

所述第二MOS管的源極連接第二二極管的正極，所述第二MOS管的漏極連接所述第二二極管的負(fù)極。

優(yōu)選地，所述兩個隔離電路還包括電阻R2和電阻R3；

所述第一控制芯片的RSET端具體通過所述R2接地；

所述第二控制芯片的RSET端具體通過所述R3接地。

優(yōu)選地，所述兩個隔離電路還包括電容EC1、電容EC2、電容EC3、電容EC4；

所述第一輸入端通過所述電容EC1接地；

所述輸出端分別通過所述電容EC2、所述電容EC3接地；

所述第二輸入端通過所述電容EC4接地。

優(yōu)選地，所述電容EC1、所述電容EC2、所述電容EC3、所述電容EC4具體為儲能電容。

本發(fā)明實施例提供一種用于非冗余電源實現(xiàn)冗余的系統(tǒng)，包括上述的一種用于非冗余電源實現(xiàn)冗余的電路、與所述隔離電路數(shù)量相同的ATX電源；

所述ATX電源的電源輸出端分別連接所述隔離電路，用于通過所述隔離電路輸出電能。

優(yōu)選地，本系統(tǒng)還包括ATX供電系統(tǒng)；

所述一種用于非冗余電源實現(xiàn)冗余的電路的輸出端連接所述ATX供電系統(tǒng)；

所述ATX供電系統(tǒng)用于提供電源輸出至負(fù)載。

從以上技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明實施例具有以下優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明實施例通過具備ORING功能的控制芯片控制關(guān)斷或?qū)ㄅc所述控制芯片數(shù)量相同的MOS管，從而實現(xiàn)兩個以上電源的冗余，解決了現(xiàn)有技術(shù)無法將非冗余ATX電源用于需要冗余功能的系統(tǒng)中的技術(shù)問題。

此外，本發(fā)明實施例還通過儲能電容為輸入端和輸出端儲能與濾波。

本發(fā)明實施例提供的一種用于非冗余電源實現(xiàn)冗余的系統(tǒng)采用ATX電源通過隔離電路，進(jìn)而輸出電能，為負(fù)載供電，實現(xiàn)了非冗余電源的冗余供電。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。

圖1為本發(fā)明實施例中提供的一種用于非冗余電源實現(xiàn)冗余的電路的一個實施例的電路示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例中提供的一種用于非冗余電源實現(xiàn)冗余的電路的另一個實施例的電路示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例中提供的一種用于非冗余電源實現(xiàn)冗余的電路的另一個實施例的電路示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例中提供的一種用于非冗余電源實現(xiàn)冗余的系統(tǒng)的一個實施例的示意圖。

具體實施方式

本發(fā)明實施例提供了一種用于非冗余電源實現(xiàn)冗余的電路，用于解決現(xiàn)有技術(shù)無法將非冗余ATX電源用于需要冗余功能的系統(tǒng)中的技術(shù)問題。

為使得本發(fā)明的發(fā)明目的、特征、優(yōu)點(diǎn)能夠更加的明顯和易懂，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，下面所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而非全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

請參閱圖1，本發(fā)明實施例提供一種用于非冗余電源實現(xiàn)冗余的電路的一個實施例，包括：至少兩個隔離電路、輸出端；

隔離電路包括：具備ORING功能的控制芯片、與控制芯片數(shù)量相同的MOS管、與控制芯片數(shù)量相同的輸入端；

控制芯片的VDD端通過第一電容接地并通過第一電阻連接輸入端；

控制芯片的RSET端、RSVD端、GND端接地；

控制芯片的BYP端通過第二電容連接輸入端；

控制芯片的A端連接輸入端并通過第三電容連接輸出端并通過第四電容接地；

控制芯片的C端連接輸出端；

控制芯片的GATE端連接MOS管的柵極；

MOS管的源極連接輸入端；

MOS管的漏極連接輸出端；

MOS管的源極連接第一二極管的正極，MOS管的漏極連接第一二極管的負(fù)極。

以上是對本發(fā)明實施例提供的一種用于非冗余電源實現(xiàn)冗余的電路的一個實施例進(jìn)行詳細(xì)的描述，以下將對本發(fā)明實施例提供的一種用于非冗余電源實現(xiàn)冗余的電路的另一個實施例進(jìn)行詳細(xì)的描述。

請參閱圖2，本發(fā)明實施例提供一種用于非冗余電源實現(xiàn)冗余的電路的另一個實施例，包括：至少兩個隔離電路、輸出端；

隔離電路包括：具備ORING功能的控制芯片、與控制芯片數(shù)量相同的MOS管、與控制芯片數(shù)量相同的輸入端；

控制芯片的VDD端通過第一電容接地并通過第一電阻連接輸入端；

控制芯片的RSET端、RSVD端、GND端接地；

控制芯片的BYP端通過第二電容連接輸入端；

控制芯片的A端連接輸入端并通過第三電容連接輸出端并通過第四電容接地；

控制芯片的C端連接輸出端；

控制芯片的GATE端連接MOS管的柵極；

MOS管的源極連接輸入端；

MOS管的漏極連接輸出端；

MOS管的源極連接第一二極管的正極，MOS管的漏極連接第一二極管的負(fù)極。

隔離電路還包括第二電阻；

控制芯片的RSET端通過第二電阻接地。

隔離電路的輸入端通過第五電容接地。

第五電容為儲能電容。

輸出端通過第六電容接地。

第六電容為儲能電容。

圖1中的倒三角符號是接地符號。

以上是對本發(fā)明實施例提供的一種用于非冗余電源實現(xiàn)冗余的電路的另一個實施例進(jìn)行詳細(xì)的描述，以下將對本發(fā)明實施例提供的一種用于非冗余電源實現(xiàn)冗余的電路的另一個實施例進(jìn)行詳細(xì)的描述。

請參閱圖3，本發(fā)明實施例提供一種用于非冗余電源實現(xiàn)冗余的電路的另一個實施例，包括：兩個隔離電路，兩隔離電路通過自身所述MOS管的漏極相連接，具體包括第一隔離電路和第二隔離電路，輸出端VOUT1；

第一隔離電路包括：具備ORING功能的第一控制芯片U1、第一MOS管MOS1、第一輸入端VIN1；

第一控制芯片的VDD端通過電容C3接地并通過電阻R1連接第一輸入端VIN1；

第一控制芯片的RSET端、RSVD端、GND端接地；

第一控制芯片的BYP端通過電容C1連接第一輸入端VIN1；

第一控制芯片的A端連接第一輸入端VIN1并通過電容C2連接輸出端VOUT1并通過電容C4接地；

第一控制芯片的C端連接輸出端VOUT1；

第一控制芯片的GATE端連接第一MOS管的柵極；

第一MOS管的源極連接第一輸入端VIN1；

第一MOS管的漏極連接輸出端VOUT1；

第一MOS管的源極連接第一二極管的正極，第一MOS管的漏極連接第一二極管的負(fù)極；

第二隔離電路包括：具備ORING功能的第二控制芯片U2、第二MOS管MOS2、第二輸入端VIN2；

第二控制芯片的VDD端通過電容C7接地并通過電阻R4連接第二輸入端VIN2；

第二控制芯片的RSET端、RSVD端、GND端接地；

第二控制芯片的BYP端通過電容C8連接第二輸入端VIN2；

第二控制芯片的A端連接第二輸入端VIN2并通過電容C6連接輸出端VOUT1并通過電容C5接地；

第二控制芯片的C端連接輸出端VOUT1；

第二控制芯片的GATE端連接第二MOS管的柵極；

第二MOS管的源極連接第二輸入端VIN2；

第二MOS管的漏極連接輸出端VOUT1；

第二MOS管的源極連接第二二極管的正極，第二MOS管的漏極連接第二二極管的負(fù)極。

兩個隔離電路還包括電阻R2和電阻R3；

第一控制芯片的RSET端具體通過R2接地；

第二控制芯片的RSET端具體通過R3接地。

兩個隔離電路還包括電容EC1、電容EC2、電容EC3、電容EC4；

第一輸入端VIN1通過電容EC1接地；

輸出端VOUT1分別通過電容EC2、電容EC3接地；

第二輸入端VIN2通過電容EC4接地。

電容EC1、電容EC2、電容EC3、電容EC4具體為儲能電容。

需要說明的是，在圖3中VIN1與VIN2代表不同電源的輸入，經(jīng)過由具備ORING功能的控制芯片(U1/U2)，去控制N溝道MOS的導(dǎo)通，到MOS導(dǎo)通后，合為VOUT1電壓給系統(tǒng)供電，EC1/EC2/EC3/EC4為儲能與濾波電容。

以上是對本發(fā)明實施例提供的一種用于非冗余電源實現(xiàn)冗余的電路的另一個實施例進(jìn)行詳細(xì)的描述，以下將對本發(fā)明實施例提供的一種用于非冗余電源實現(xiàn)冗余的系統(tǒng)的一個實施例進(jìn)行詳細(xì)的描述。

本發(fā)明實施例提供一種用于非冗余電源實現(xiàn)冗余的系統(tǒng)的一個實施例，包括上述的一種用于非冗余電源實現(xiàn)冗余的電路、與隔離電路數(shù)量相同的ATX電源；

ATX電源的電源輸出端分別連接隔離電路，用于通過隔離電路輸出電能。

本系統(tǒng)還包括ATX供電系統(tǒng)；

本發(fā)明實施例提供的一種用于非冗余電源實現(xiàn)冗余的電路的輸出端連接ATX供電系統(tǒng)；

ATX供電系統(tǒng)用于提供電源輸出至負(fù)載。

請參閱圖4，本發(fā)明實施例提供的一種用于非冗余電源實現(xiàn)冗余的系統(tǒng)的其中一個應(yīng)用例包括兩個ATX電源包括第一電源和第二電源、4個本發(fā)明實施例提供的一種用于非冗余電源實現(xiàn)冗余的電路(圖4中的本發(fā)明電路)，以及ATX供電系統(tǒng)。

每個用于非冗余電源實現(xiàn)冗余的電路中包括兩個隔離電路，兩個隔離電路分別連接第一電源的輸出端和第二電源的輸出端：圖4中5VSB1、12V1、5V1、3.3V1都是第一電源的輸出端，5VSB2、12V2、5V2、3.3V2都是第二電源的輸出端，5VSB1和5VSB2分別連接一個用于非冗余電源實現(xiàn)冗余的電路中的兩個隔離電路；12V1和12V2分別連接另一個用于非冗余電源實現(xiàn)冗余的電路中的兩個隔離電路；5V1和5V2分別連接另一個用于非冗余電源實現(xiàn)冗余的電路中的兩個隔離電路；3.3V1和3.3V2分別連接另一個用于非冗余電源實現(xiàn)冗余的電路中的兩個隔離電路。

每個用于非冗余電源實現(xiàn)冗余的電路的輸出端連接ATX供電系統(tǒng)：第一個用于非冗余電源實現(xiàn)冗余的電路的輸出端為5VSB；第二個用于非冗余電源實現(xiàn)冗余的電路的輸出端為12V；第三個用于非冗余電源實現(xiàn)冗余的電路的輸出端為5V；第四個用于非冗余電源實現(xiàn)冗余的電路的輸出端為3.3V。

需要說明的是，本方案功能是將非冗余ATX構(gòu)架的電源用于具備冗余的系統(tǒng)需求中。本發(fā)明實施例實現(xiàn)非冗余電源滿足冗余系統(tǒng)的使用；實現(xiàn)不同的ATX電源可用于同一系統(tǒng)上；實現(xiàn)使用功耗小，系統(tǒng)供電效率高。

所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可以清楚地了解到，為描述的方便和簡潔，上述描述的系統(tǒng)，裝置和單元的具體工作過程，可以參考前述方法實施例中的對應(yīng)過程，在此不再贅述。

以上所述，以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述實施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術(shù)方案的精神和范圍。