本發(fā)明涉及計(jì)算機(jī)技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種內(nèi)存檢測方法及裝置。

背景技術(shù)：

隨著內(nèi)存技術(shù)朝著大容量方向的發(fā)展，一個內(nèi)存通?？梢园ǘ鄠€rank，每一個rank通?？梢园ǘ鄠€內(nèi)存顆粒。

目前，利用業(yè)界通用的內(nèi)存測試工具(比如，memtest86+以及RST Pro等)對待測內(nèi)存進(jìn)行測試時(shí)，僅需要將待測內(nèi)存與處理器相連，則可在處理器上運(yùn)行內(nèi)存測試工具，以檢測處理器的每一個數(shù)據(jù)位是否失效，進(jìn)而將失效的數(shù)據(jù)位對應(yīng)的每一個內(nèi)存顆粒均確定為故障內(nèi)存顆粒。

由于同一個數(shù)據(jù)位可對應(yīng)待測內(nèi)存中的多個內(nèi)存顆粒，而任意一個內(nèi)存顆粒出現(xiàn)故障時(shí)，均會導(dǎo)致其對應(yīng)的數(shù)據(jù)位失效，因此，上述技術(shù)方案確定的多個故障內(nèi)存顆粒中可能存在未發(fā)生故障的內(nèi)存顆粒，不能準(zhǔn)確檢測出內(nèi)存的故障內(nèi)存顆粒。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種內(nèi)存檢測方法及裝置，可更為準(zhǔn)確的檢測出內(nèi)存的故障內(nèi)存顆粒。

第一方面，本發(fā)明提供了一種內(nèi)存檢測方法，包括：

S0：確定待測內(nèi)存中對應(yīng)同一個失效數(shù)據(jù)位的待測內(nèi)存顆粒的數(shù)量，以及確定每一個所述待測內(nèi)存顆粒的位置參數(shù)；并根據(jù)所述待測內(nèi)存顆粒的數(shù)量確定至少一個檢測參數(shù)；

S1：根據(jù)每一個檢測參數(shù)的大小，選擇一個未被選擇過的一個檢測參數(shù)；

S2：根據(jù)選擇的檢測參數(shù)，修改所述待測內(nèi)存的有效訪問區(qū)域；

S3：根據(jù)修改后的所述有效訪問區(qū)域，訪問所述待測內(nèi)存，并形成訪問結(jié)果；

S4：判斷所述訪問結(jié)果是否為預(yù)設(shè)訪問結(jié)果，如果是，則執(zhí)行步驟S1；否則，執(zhí)行步驟S5；

S5：根據(jù)選擇的檢測參數(shù)，以及每一個所述待測內(nèi)存顆粒的位置參數(shù)，確定故障內(nèi)存顆粒。

優(yōu)選地，

所述根據(jù)每一個檢測參數(shù)的大小，選擇一個未被選擇過的檢測參數(shù)，包括：根據(jù)每一個檢測參數(shù)的大小，按照由小到大的順序，選擇一個未被選擇過的檢測參數(shù)；

則，

所述判斷所述訪問結(jié)果是否為預(yù)設(shè)訪問結(jié)果，包括：判斷所述訪問結(jié)果是否為訪問成功；

所述根據(jù)選擇的檢測參數(shù)，以及每一個所述待測內(nèi)存顆粒的位置參數(shù)，確定故障內(nèi)存顆粒，包括：

按照由小到大的順序，利用至少一個檢測參數(shù)生成第一數(shù)據(jù)隊(duì)列，以及，利用各個所述待測內(nèi)存顆粒的位置參數(shù)生成第二數(shù)據(jù)隊(duì)列；

確定選擇的檢測參數(shù)在所述第一數(shù)據(jù)隊(duì)列中的第一順序位a；

將所述第二數(shù)據(jù)隊(duì)列中，位于第a個順序位的位置參數(shù)確定為第一參考位置參數(shù)；

將所述第一參考位置參數(shù)對應(yīng)的待測內(nèi)存顆粒確定為故障內(nèi)存顆粒。

優(yōu)選地，

所述根據(jù)每一個檢測參數(shù)的大小，選擇一個未被選擇過的檢測參數(shù)，包括：根據(jù)每一個檢測參數(shù)的大小，按照由大到小的順序，選擇一個未被選擇過的檢測參數(shù)；

則，所述判斷所述訪問結(jié)果是否為預(yù)設(shè)訪問結(jié)果，包括：判斷所述訪問結(jié)果是否為訪問失敗；

所述根據(jù)選擇的檢測參數(shù)，以及每一個待測內(nèi)存顆粒的位置參數(shù)，確定故障內(nèi)存顆粒，包括：

按照由大到小的順序，利用至少一個檢測參數(shù)生成第三數(shù)據(jù)隊(duì)列，以及，利用各個待測內(nèi)存顆粒的位置參數(shù)生成第四數(shù)據(jù)隊(duì)列；

確定選擇的檢測參數(shù)在所述第三數(shù)據(jù)隊(duì)列中的第二順序位b；

將所述第四順序隊(duì)列中，位于第b-1個順序位的位置參數(shù)確定為第二參考位置參數(shù)；

將所述第二參考位置參數(shù)對應(yīng)的待測內(nèi)存顆粒確定為故障內(nèi)存顆粒。

優(yōu)選地，

所述確定待測內(nèi)存中對應(yīng)同一個失效數(shù)據(jù)位的待測內(nèi)存顆粒的數(shù)量，以及確定每一個所述待測內(nèi)存顆粒的位置參數(shù)，包括：

確定待測內(nèi)存對應(yīng)的一個失效數(shù)據(jù)位，以及確定待測內(nèi)存中內(nèi)存顆粒的數(shù)量以及顆粒位寬；

根據(jù)所述內(nèi)存顆粒的數(shù)量、所述顆粒位寬及所述失效數(shù)據(jù)位，確定所述待測內(nèi)存顆粒的數(shù)量，以及每一個所述待測內(nèi)存顆粒分別對應(yīng)的位置參數(shù)。

優(yōu)選地，

所述根據(jù)選擇的檢測參數(shù)，修改所述待測內(nèi)存的有效訪問區(qū)域，包括：將所述待測內(nèi)存的有效rank參數(shù)修改為選擇的檢測參數(shù)；

所述根據(jù)修改后的所述有效訪問區(qū)域，訪問所述待測內(nèi)存，包括：根據(jù)修改后的有效rank參數(shù)，依次訪問所述待測內(nèi)存的前n+1個rank，其中，n為選擇的檢測參數(shù)。

第二方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種內(nèi)存檢測裝置，包括：

第一確定模塊，用于確定待測內(nèi)存中對應(yīng)同一個失效數(shù)據(jù)位的待測內(nèi)存顆粒的數(shù)量，以及確定每一個所述待測內(nèi)存顆粒的位置參數(shù)；并根據(jù)所述待測內(nèi)存顆粒的數(shù)量確定至少一個檢測參數(shù)；

選擇模塊，用于根據(jù)每一個檢測參數(shù)的大小，選擇一個未被選擇過的一個檢測參數(shù)；

處理模塊，用于根據(jù)選擇的檢測參數(shù)，修改所述待測內(nèi)存的有效訪問區(qū)域；

檢測模塊，用于根據(jù)修改后的所述有效訪問區(qū)域，訪問所述待測內(nèi)存，并形成訪問結(jié)果；

判斷模塊，用于判斷所述訪問結(jié)果是否為預(yù)設(shè)訪問結(jié)果，如果是，則觸發(fā)所述選擇模塊；否則，觸發(fā)所述第二確定模塊；

第二確定模塊，用于根據(jù)選擇的檢測參數(shù)，以及每一個所述待測內(nèi)存顆粒的位置參數(shù)，確定故障內(nèi)存顆粒。

優(yōu)選地，

所述選擇模塊，用于根據(jù)每一個檢測參數(shù)的大小，按照由小到大的順序，選擇一個未被選擇過的檢測參數(shù)；

所述判斷模塊，用于判斷所述訪問結(jié)果是否為訪問成功；

所述第二確定模塊，包括：第一構(gòu)建單元、第一確定單元、第二確定單元和第三確定單元；其中，

所述第一構(gòu)建單元，用于按照由小到大的順序，利用至少一個檢測參數(shù)生成第一數(shù)據(jù)隊(duì)列，以及，利用各個所述待測內(nèi)存顆粒的位置參數(shù)生成第二數(shù)據(jù)隊(duì)列；

所述第一確定單元，用于確定選擇的檢測參數(shù)在所述第一數(shù)據(jù)隊(duì)列中的第一順序位a；

所述第二確定單元，用于將所述第二數(shù)據(jù)隊(duì)列中，位于第a個順序位的位置參數(shù)確定為第一參考位置參數(shù)；

所述第三確定單元，用于將所述第一參考位置參數(shù)對應(yīng)的待測內(nèi)存顆粒確定為故障內(nèi)存顆粒。

優(yōu)選地，

所述選擇模塊，用于根據(jù)每一個檢測參數(shù)的大小，按照由大到小的順序，選擇一個未被選擇過的檢測參數(shù)；

所述判斷模塊，用于判斷所述訪問結(jié)果是否為訪問失?。?/p>

所述第二確定模塊，包括：第二構(gòu)建單元、第四確定單元、第五確定單元和第六確定單元；其中，

所述第二構(gòu)建單元，用于按照由大到小的順序，利用至少一個檢測參數(shù)生成第三數(shù)據(jù)隊(duì)列，以及，利用各個待測內(nèi)存顆粒的位置參數(shù)生成第四數(shù)據(jù)隊(duì)列；

所述第四確定單元，用于確定選擇的檢測參數(shù)在所述第三數(shù)據(jù)隊(duì)列中的第二順序位b；

所述第五確定單元，用于將所述第四順序隊(duì)列中，位于第b-1個順序位的位置參數(shù)確定為第二參考位置參數(shù)；

所述第六確定單元，用于將所述第二參考位置參數(shù)對應(yīng)的待測內(nèi)存顆粒確定為故障內(nèi)存顆粒。

優(yōu)選地，

所述第一確定模塊，包括：第七確定單元和第八確定單元；其中，

所述第七確定單元，用于確定待測內(nèi)存對應(yīng)的一個失效數(shù)據(jù)位，以及確定待測內(nèi)存中內(nèi)存顆粒的數(shù)量以及顆粒位寬；

所述第八確定單元，用于根據(jù)所述內(nèi)存顆粒的數(shù)量、所述顆粒位寬及所述失效數(shù)據(jù)位，確定所述待測內(nèi)存顆粒的數(shù)量，以及每一個所述待測內(nèi)存顆粒分別對應(yīng)的位置參數(shù)。

優(yōu)選地，

所述處理模塊，用于將所述待測內(nèi)存的有效rank參數(shù)修改為選擇的檢測參數(shù)；

所述檢測模塊，用于根據(jù)修改后的有效rank參數(shù)，依次訪問所述待測內(nèi)存的前n+1個rank，其中，n為選擇的檢測參數(shù)。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種內(nèi)存檢測方法及裝置，在該方法中，由于對應(yīng)同一個失效數(shù)據(jù)位的待測內(nèi)存顆粒的數(shù)量即為待測內(nèi)存的rank數(shù)量，同時(shí)，需要根據(jù)設(shè)置待測內(nèi)存的有效訪問區(qū)域才能訪問待測內(nèi)存，且訪問待測內(nèi)存的多個rank時(shí)具備設(shè)定的順序；因此，可根據(jù)確定的對應(yīng)同一個失效數(shù)據(jù)位的待測內(nèi)存顆粒的數(shù)量來確定至少一個檢測參數(shù)(比如，待測內(nèi)存顆粒的數(shù)量為2時(shí)，即待測內(nèi)存的rank數(shù)量為2時(shí)，則可確定出檢測參數(shù)為0和1；在待測內(nèi)存顆粒的數(shù)量為4時(shí)，可確定出檢測參數(shù)為0、1、2、3)，然后根據(jù)確定的各個檢測參數(shù)的大小，選擇一個未被選擇過的檢測參數(shù)，并根據(jù)選擇的檢測參數(shù)修改待測內(nèi)存的有效訪問區(qū)域，即實(shí)現(xiàn)對待測內(nèi)存的有效訪問區(qū)域進(jìn)行限定(比如，限定可訪問的rank數(shù)量，或可訪問的內(nèi)存顆粒數(shù)量)，進(jìn)而根據(jù)修改后的有效訪問區(qū)域訪問待測內(nèi)存，并形成訪問結(jié)果；之后，即可根據(jù)形成的訪問結(jié)果，確定是否執(zhí)行根據(jù)選擇的檢測參數(shù)和每一個待測內(nèi)存顆粒分別對應(yīng)的位置參數(shù)確定故障內(nèi)存，直到確定出故障內(nèi)存顆粒為止。綜上可見，本發(fā)明提供的技術(shù)方案中，通過對內(nèi)存的有效訪問區(qū)域進(jìn)行限定，然后根據(jù)限定的有效訪問區(qū)域訪問內(nèi)存，并根據(jù)訪問結(jié)果及對應(yīng)的檢測參數(shù)、各個待測內(nèi)存顆粒的位置參數(shù)確定內(nèi)存的故障內(nèi)存顆粒，可更為準(zhǔn)確的檢測出內(nèi)存的故障內(nèi)存顆粒。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明一實(shí)施例提供的一種內(nèi)存檢測方法的流程圖；

圖2是本發(fā)明一實(shí)施例提供的另一種內(nèi)存檢測方法的流程圖；

圖3是本發(fā)明一實(shí)施例提供的又一種內(nèi)存檢測方法的流程圖；

圖4是本發(fā)明一實(shí)施例提供的一種內(nèi)存檢測裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本發(fā)明一實(shí)施例提供的另一種內(nèi)存檢測裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是本發(fā)明一實(shí)施例提供的又一種內(nèi)存檢測裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例，基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種內(nèi)存檢測方法，包括：

S0：確定待測內(nèi)存中對應(yīng)同一個失效數(shù)據(jù)位的待測內(nèi)存顆粒的數(shù)量，以及確定每一個所述待測內(nèi)存顆粒的位置參數(shù)；并根據(jù)所述待測內(nèi)存顆粒的數(shù)量確定至少一個檢測參數(shù)；

S1：根據(jù)每一個檢測參數(shù)的大小，選擇一個未被選擇過的一個檢測參數(shù)；

S2：根據(jù)選擇的檢測參數(shù)，修改所述待測內(nèi)存的有效訪問區(qū)域；

S3：根據(jù)修改后的所述有效訪問區(qū)域，訪問所述待測內(nèi)存，并形成訪問結(jié)果；

S4：判斷所述訪問結(jié)果是否為預(yù)設(shè)訪問結(jié)果，如果是，則執(zhí)行步驟S1；否則，執(zhí)行步驟S5；

S5：根據(jù)選擇的檢測參數(shù)，以及每一個所述待測內(nèi)存顆粒的位置參數(shù)，確定故障內(nèi)存顆粒。

本發(fā)明上述實(shí)施例中，由于對應(yīng)同一個失效數(shù)據(jù)位的待測內(nèi)存顆粒的數(shù)量即為待測內(nèi)存的rank數(shù)量，同時(shí)，需要根據(jù)設(shè)置待測內(nèi)存的有效訪問區(qū)域才能訪問待測內(nèi)存，且訪問待測內(nèi)存的多個rank時(shí)具備設(shè)定的順序；因此，可根據(jù)確定的對應(yīng)同一個失效數(shù)據(jù)位的待測內(nèi)存顆粒的數(shù)量來確定至少一個檢測參數(shù)(比如，待測內(nèi)存顆粒的數(shù)量為2時(shí)，即待測內(nèi)存的rank數(shù)量為2時(shí)，則可確定出檢測參數(shù)為0和1；在待測內(nèi)存顆粒的數(shù)量為4時(shí)，可確定出檢測參數(shù)為0、1、2、3)，然后根據(jù)確定的各個檢測參數(shù)的大小，選擇一個未被選擇過的檢測參數(shù)，并根據(jù)選擇的檢測參數(shù)修改待測內(nèi)存的有效訪問區(qū)域，即實(shí)現(xiàn)對待測內(nèi)存的有效訪問區(qū)域進(jìn)行限定(比如，限定可訪問的rank數(shù)量，或可訪問的內(nèi)存顆粒數(shù)量)，進(jìn)而根據(jù)修改后的有效訪問區(qū)域訪問待測內(nèi)存，并形成訪問結(jié)果；之后，即可根據(jù)形成的訪問結(jié)果，確定是否執(zhí)行根據(jù)選擇的檢測參數(shù)和每一個待測內(nèi)存顆粒分別對應(yīng)的位置參數(shù)確定故障內(nèi)存，直到確定出故障內(nèi)存顆粒為止。綜上可見，本發(fā)明提供的技術(shù)方案中，通過對內(nèi)存的有效訪問區(qū)域進(jìn)行限定，然后根據(jù)限定的有效訪問區(qū)域訪問內(nèi)存，并根據(jù)訪問結(jié)果及對應(yīng)的檢測參數(shù)、各個待測內(nèi)存顆粒的位置參數(shù)確定內(nèi)存的故障內(nèi)存顆粒，可更為準(zhǔn)確的檢測出內(nèi)存的故障內(nèi)存顆粒。

應(yīng)當(dāng)理解的是，訪問待測內(nèi)存，可以是想待測內(nèi)存寫入業(yè)務(wù)數(shù)據(jù)和讀取待測內(nèi)存內(nèi)存儲的業(yè)務(wù)數(shù)據(jù)。

由于訪問待測內(nèi)存的多個rank時(shí)具備設(shè)定的順序，因此，根據(jù)檢測參數(shù)的大小，從確定的各個檢測參數(shù)中選擇一個檢測參數(shù)來作為修改待測內(nèi)存的配置信息的依據(jù)時(shí)，具體可以包括如下兩種選擇方式：

選擇方式1：根據(jù)每一個檢測參數(shù)的大小，按照由小到大的順序，選擇一個未被選擇過的檢測參數(shù)。

則，所述判斷所述訪問結(jié)果是否為預(yù)設(shè)訪問結(jié)果，包括：判斷所述訪問結(jié)果是否為訪問成功；

所述根據(jù)選擇的檢測參數(shù)，以及每一個所述待測內(nèi)存顆粒的位置參數(shù)，確定故障內(nèi)存顆粒，包括：

按照由小到大的順序，利用至少一個檢測參數(shù)生成第一數(shù)據(jù)隊(duì)列，以及，利用各個所述待測內(nèi)存顆粒的位置參數(shù)生成第二數(shù)據(jù)隊(duì)列；

確定選擇的檢測參數(shù)在所述第一數(shù)據(jù)隊(duì)列中的第一順序位a；

將所述第二數(shù)據(jù)隊(duì)列中，位于第a個順序位的位置參數(shù)確定為第一參考位置參數(shù)；

將所述第一參考位置參數(shù)對應(yīng)的待測內(nèi)存顆粒確定為故障內(nèi)存顆粒。

舉例來說，具體以確定出檢測參數(shù)包括：0、1、2、3為例，按照由小到大的順序選擇確定的各個檢測參數(shù)時(shí)，首先選擇檢測參數(shù)0，即可根據(jù)選擇的檢測參數(shù)對待測內(nèi)存的有效訪問區(qū)域進(jìn)行修改，實(shí)現(xiàn)限定待測內(nèi)存的有效訪問區(qū)域?yàn)閞ank0；當(dāng)然，也可直接限定待測內(nèi)存的有效訪問區(qū)域?yàn)槠涞谝粋€rank對應(yīng)的各個內(nèi)存顆粒，比如，當(dāng)待測內(nèi)存的顆粒位寬為8it，則可修改待測內(nèi)存的有效訪問區(qū)域以限定待測內(nèi)存的有效內(nèi)存顆粒為其第1至第9個內(nèi)存顆粒，其中，第九個內(nèi)存顆粒為其前8個內(nèi)存顆粒的錯誤內(nèi)存校驗(yàn)位。相應(yīng)的，在根據(jù)修改后的配置信息訪問待測內(nèi)存的rank0時(shí)，如果訪問結(jié)果為訪問成功，則說明rank0的各個內(nèi)存顆粒中沒有故障內(nèi)存顆粒，再次執(zhí)行按照由小到大的順序選擇檢測參數(shù)1以繼續(xù)進(jìn)行檢測；反之，如果訪問結(jié)果為訪問失敗，則說明rank0中存在故障內(nèi)存顆粒，這里以確定的各個待測內(nèi)存顆粒對應(yīng)的位置參數(shù)是：2、11、20和29為例，即各個待測內(nèi)存顆粒在待測內(nèi)存中的排列順序位分別為：2、11、20和29；則可確定出位置參數(shù)為2的待測內(nèi)存顆粒時(shí)故障內(nèi)存顆粒。相應(yīng)的，當(dāng)選擇的檢測參數(shù)為1，且訪問結(jié)果為訪問失敗時(shí)，則可確定位置參數(shù)11對應(yīng)的待測內(nèi)存顆粒為故障內(nèi)存顆粒。

選擇方式2：根據(jù)每一個檢測參數(shù)的大小，按照由大到小的順序，選擇一個未被選擇過的檢測參數(shù)。

則，所述判斷所述訪問結(jié)果是否為預(yù)設(shè)訪問結(jié)果，包括：判斷所述訪問結(jié)果是否為訪問失??；

所述根據(jù)選擇的檢測參數(shù)，以及每一個待測內(nèi)存顆粒的位置參數(shù)，確定故障內(nèi)存顆粒，包括：

按照由大到小的順序，利用至少一個檢測參數(shù)生成第三數(shù)據(jù)隊(duì)列，以及，利用各個待測內(nèi)存顆粒的位置參數(shù)生成第四數(shù)據(jù)隊(duì)列；

確定選擇的檢測參數(shù)在所述第三數(shù)據(jù)隊(duì)列中的第二順序位b；

將所述第四順序隊(duì)列中，位于第b-1個順序位的位置參數(shù)確定為第二參考位置參數(shù)；

將所述第二參考位置參數(shù)對應(yīng)的待測內(nèi)存顆粒確定為故障內(nèi)存顆粒。

舉例來說，具體以確定出檢測參數(shù)包括：0、1、2、3為例，按照由大到小的順序選擇確定的各個檢測參數(shù)時(shí)，首先選擇出檢測參數(shù)3，則可根據(jù)檢測參數(shù)3對待測內(nèi)存的有效訪問區(qū)域進(jìn)行修改，實(shí)現(xiàn)限定待測內(nèi)存的有效訪問區(qū)域?yàn)閞ank0、rank1、rank2和rank3；當(dāng)然，也可直接限定待測內(nèi)存的有效訪問區(qū)域?yàn)榇郎y內(nèi)存的前4個rank對應(yīng)的各個內(nèi)存顆粒。相應(yīng)的，在根據(jù)修改后的配置信息訪問待測內(nèi)存的rank0、rank1、rank2和rank3時(shí)，如果訪問結(jié)果為訪問失敗，則按照由大到小的順序再次選擇檢測參數(shù)2修改有效訪問區(qū)域，進(jìn)而根據(jù)修改后的有效訪問區(qū)域訪問待測內(nèi)存的rank0、rank1、rank2，此時(shí)，如果訪問成功，則說明rank3中存在故障內(nèi)存顆粒；這里以各個待測內(nèi)存顆粒對應(yīng)的位置參數(shù)是：2、11、20和29為例，即各個待測內(nèi)存顆粒在待測內(nèi)存中的排列順序位分別為：2、11、20和29，則可確定出位置參數(shù)為29的待測內(nèi)存顆粒是故障內(nèi)存顆粒。相應(yīng)的，當(dāng)選擇的檢測參數(shù)為2時(shí)，對應(yīng)的訪問結(jié)果為訪問失敗，且選擇檢測參數(shù)為1時(shí)，對應(yīng)的訪問結(jié)果為訪問成功，則可確定位置參數(shù)20對應(yīng)的待測內(nèi)存顆粒為故障內(nèi)存顆粒。

本發(fā)明一個實(shí)施例中，所述確定待測內(nèi)存中對應(yīng)同一個失效數(shù)據(jù)位的待測內(nèi)存顆粒的數(shù)量，以及確定每一個所述待測內(nèi)存顆粒的位置參數(shù)，包括：

確定待測內(nèi)存對應(yīng)的一個失效數(shù)據(jù)位，以及確定待測內(nèi)存中內(nèi)存顆粒的數(shù)量以及顆粒位寬；

根據(jù)所述內(nèi)存顆粒的數(shù)量、所述顆粒位寬及所述失效數(shù)據(jù)位，確定所述待測內(nèi)存顆粒的數(shù)量，以及每一個所述待測內(nèi)存顆粒分別對應(yīng)的位置參數(shù)。

本發(fā)明上述實(shí)施例中，具體可通過從待測內(nèi)存的SPD(serial presence detect，模組存在的串行檢測)芯片中讀取待測內(nèi)存的配置信息，以根據(jù)讀取的配置信息確定待測內(nèi)存的內(nèi)存顆粒數(shù)量和顆粒位寬，這里以顆粒數(shù)量是36，顆粒位寬是8為例；同時(shí)，以通過memtest86+或RST Pro內(nèi)存測試工具確定的待測內(nèi)存對應(yīng)的一個失效數(shù)據(jù)位是43為例，則可確定出待測內(nèi)存顆粒的數(shù)量為4，且每一個待測內(nèi)存顆粒分別對應(yīng)的位置參數(shù)是6、15、24、34。

具體地，本發(fā)明一個實(shí)施例，所述根據(jù)選擇的檢測參數(shù)，修改所述待測內(nèi)存的有效訪問區(qū)域，包括：將所述待測內(nèi)存的有效rank參數(shù)修改為選擇的檢測參數(shù)；

所述根據(jù)修改后的所述有效訪問區(qū)域，訪問所述待測內(nèi)存，包括：根據(jù)修改后的有效rank參數(shù)，依次訪問所述待測內(nèi)存的前n+1個rank，其中，n為選擇的檢測參數(shù)。

舉例來說，內(nèi)存的配置信息通常存儲在其對應(yīng)的SPD芯片中，配置信息包括顆粒位寬、有效rank參數(shù)內(nèi)存顆粒的數(shù)量等，SPD芯片通常為一個8針的可讀寫存儲芯片，其第12位數(shù)據(jù)用于標(biāo)識內(nèi)存的有效rank參數(shù)和顆粒位寬，其中第12位數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為包括8個數(shù)據(jù)位的二進(jìn)制數(shù)據(jù)時(shí)，低三位用于標(biāo)識顆粒位寬，第四位至第六位用于標(biāo)識有效內(nèi)存參數(shù)，高兩位通常為0，比如，這里以選擇的檢測是2，修改前的有效rank參數(shù)是011為例，則可將檢測參數(shù)2轉(zhuǎn)換為包括三個數(shù)據(jù)位的二進(jìn)制數(shù)據(jù)010，利用010替換有效rank參數(shù)011，則可實(shí)現(xiàn)限定內(nèi)存的有效訪問區(qū)域?yàn)閮?nèi)存的前3個rank，即rank0、rank1和rank2。這里，具體體現(xiàn)在SPD中第12位數(shù)據(jù)下的修改情況則為將第12位數(shù)據(jù)下的十進(jìn)制數(shù)據(jù)25修改為十進(jìn)制數(shù)據(jù)16。

為了進(jìn)一步說明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)，下面具體以針對包括36個內(nèi)存顆粒、顆粒位寬為8的一個待測內(nèi)存進(jìn)行檢測為例，且以按照由小到大的順序選擇檢測參數(shù)，如圖2所示，具體可以包括如下各個步驟：

步驟201，通過memtest86+檢測待測內(nèi)存，以確定出待測內(nèi)存對應(yīng)的失效數(shù)據(jù)位。

這里，除memtest86+外，還可以使用其他工具檢測待測內(nèi)存對應(yīng)的失效數(shù)據(jù)位，比如RST Pro。

步驟202，從待測內(nèi)存的SPD芯片中讀取配置信息，根據(jù)讀取的配置信息確定待測內(nèi)存的顆粒位寬及內(nèi)存顆粒的數(shù)量。

這里，可通過對讀取的配置信息進(jìn)行解析，以獲取SPD芯片下的第12位數(shù)據(jù)，舉例來說，當(dāng)獲取其第12位數(shù)據(jù)是25時(shí)，將其轉(zhuǎn)換為包括8個數(shù)據(jù)位的二進(jìn)制數(shù)據(jù)則為00011001，低位開始計(jì)數(shù)，前三位為001，表征內(nèi)存顆粒的位寬為8bit，第四位至第6位為011，表征待測內(nèi)存包括4個rank，相應(yīng)的，即可確定出對應(yīng)同一個數(shù)據(jù)位的待測內(nèi)存顆粒的數(shù)量為4；由于處理器數(shù)據(jù)總線的位寬為64位，可確定出8個內(nèi)存顆粒則可形成一個rank，同時(shí)，待測內(nèi)存中每間隔8個內(nèi)存顆粒，需要設(shè)置一個對應(yīng)內(nèi)存錯誤校驗(yàn)位的內(nèi)存顆粒，因此，可確定出內(nèi)存顆粒的數(shù)量為36。

步驟203，根據(jù)內(nèi)存顆粒的數(shù)量、顆粒位寬及失效數(shù)據(jù)位，確定待測內(nèi)存顆粒的數(shù)量，以及每一個所述待測內(nèi)存顆粒分別對應(yīng)的位置參數(shù)。

本發(fā)明實(shí)施例中，以步驟1中確定出實(shí)效數(shù)據(jù)位是43為例，則可計(jì)算出每一個待測內(nèi)存顆粒分別對應(yīng)的位置參數(shù)是：6、15、24、33，即待測內(nèi)存的中第6個、第15個、第24個和第34個均為待測內(nèi)存。同時(shí)，可確定出檢測參數(shù)分別為：0、1、2、3。

步驟204，根據(jù)每一個檢測參數(shù)的大小，按照由小到大的順序，選擇一個未被選擇過的一個檢測參數(shù)。

本發(fā)明實(shí)施例中，僅以按照由小到大的順序選擇檢測參數(shù)為例；在實(shí)際業(yè)務(wù)場景中，也可以按照由大到小的順序選擇檢測參數(shù)，參見如圖3所示的實(shí)施例。

步驟205，將待測內(nèi)存的有效rank參數(shù)修改為選擇的檢測參數(shù)。

具體地，當(dāng)選擇的檢測參數(shù)為0時(shí)，可將待測內(nèi)存對應(yīng)的SPD芯片中第12位數(shù)據(jù)修改為1；當(dāng)選擇的檢測參數(shù)為1時(shí)，可將待測內(nèi)存對應(yīng)的SPD芯片中第12位數(shù)據(jù)修改為9；當(dāng)選擇的檢測參數(shù)為2時(shí)，可將待測內(nèi)存對應(yīng)的SPD芯片中第12位數(shù)據(jù)修改為17；當(dāng)選擇的檢測參數(shù)為3時(shí)，可將待測內(nèi)存對應(yīng)的SPD芯片中第12位數(shù)據(jù)修改為25；如此，即可實(shí)現(xiàn)對待測內(nèi)存的有效訪問區(qū)域進(jìn)行限定。

步驟206，根據(jù)修改后的有效rank參數(shù)，依次訪問所述待測內(nèi)存的前n+1個rank，并形成訪問結(jié)果。

其中，n為選擇的檢測參數(shù)。

本發(fā)明實(shí)施例中，當(dāng)待測內(nèi)存對應(yīng)的SPD芯片中第12位數(shù)據(jù)為1時(shí)，有效rank參數(shù)為000，表征可以訪問待測內(nèi)存的rank0，即第1至9個內(nèi)存顆粒；當(dāng)待測內(nèi)存對應(yīng)的SPD芯片中第12位數(shù)據(jù)為9時(shí)，有效rank參數(shù)為001，表征可以訪問待測內(nèi)存的rank0和rank1，即第1至18個內(nèi)存顆粒；當(dāng)待測內(nèi)存對應(yīng)的SPD芯片中第12位數(shù)據(jù)為17時(shí)，有效rank參數(shù)為010，表征可以訪問待測內(nèi)存的rank0、rank1和rank2，即第1至第27個內(nèi)存顆粒；當(dāng)待測內(nèi)存對應(yīng)的SPD芯片中第12位數(shù)據(jù)為25時(shí)，有效rank參數(shù)為011，表征可以訪問待測內(nèi)存的rank0、rank1、rank2和rank3，即第1至36個內(nèi)存顆粒。

其中，n為選擇的檢測參數(shù)。

步驟207，判斷訪問結(jié)果是否為訪問成功，如果是，則執(zhí)行步驟204；否則，執(zhí)行步驟208。

步驟208，按照由小到大的順序，利用至少一個檢測參數(shù)生成第一數(shù)據(jù)隊(duì)列，以及，利用各個所述待測內(nèi)存顆粒的位置參數(shù)生成第二數(shù)據(jù)隊(duì)列。

舉例來說，第一數(shù)據(jù)隊(duì)列為：[0、1、2、3]；第二數(shù)據(jù)隊(duì)列則為：[6、15、24、33]。

步驟209，確定選擇的檢測參數(shù)在第一數(shù)據(jù)隊(duì)列中的第一順序位a。

步驟210，將第二數(shù)據(jù)隊(duì)列中，位于第a個順序位的位置參數(shù)確定為第一參考位置參數(shù)。

步驟211，將第一參考位置參數(shù)對應(yīng)的待測內(nèi)存顆粒確定為故障內(nèi)存顆粒。

步驟208至步驟211中，舉例來說，當(dāng)選擇的檢測參數(shù)為0時(shí)，則可確定位置參數(shù)6對應(yīng)的待測內(nèi)存顆粒為故障內(nèi)存顆粒；當(dāng)選擇的檢測參數(shù)為1時(shí)，則可確定位置參數(shù)15對應(yīng)的待測內(nèi)存顆粒為故障內(nèi)存顆粒；當(dāng)選擇的檢測參數(shù)為2時(shí)，則可確定位置參數(shù)24對應(yīng)的待測內(nèi)存顆粒為故障內(nèi)存顆粒；當(dāng)選擇的檢測參數(shù)為3時(shí)，則可確定位置參數(shù)33對應(yīng)的待測內(nèi)存顆粒為故障內(nèi)存顆粒。

下面具體以針對包括36個內(nèi)存顆粒、顆粒位寬為8的一個待測內(nèi)存進(jìn)行檢測為例，且以按照由大到小的順序選擇檢測參數(shù)，如圖3所示，具體可以包括如下各個步驟：

步驟301，通過memtest86+檢測待測內(nèi)存，以確定出待測內(nèi)存對應(yīng)的失效數(shù)據(jù)位。

步驟302，從待測內(nèi)存的SPD芯片中讀取配置信息，根據(jù)讀取的配置信息確定待測內(nèi)存的顆粒位寬及內(nèi)存顆粒的數(shù)量。

步驟303，根據(jù)內(nèi)存顆粒的數(shù)量、顆粒位寬及失效數(shù)據(jù)位，確定待測內(nèi)存顆粒的數(shù)量，以及每一個所述待測內(nèi)存顆粒分別對應(yīng)的位置參數(shù)。

步驟301至步驟303的實(shí)現(xiàn)方法，與上述實(shí)施例中步驟201至步驟202的實(shí)現(xiàn)方法相同。

步驟304，根據(jù)每一個檢測參數(shù)的大小，按照由大到小的順序，選擇一個未被選擇過的一個檢測參數(shù)。

步驟305，將待測內(nèi)存的有效rank參數(shù)修改為選擇的檢測參數(shù)。

步驟306，根據(jù)修改后的有效rank參數(shù)，依次訪問所述待測內(nèi)存的前n+1個rank，并形成訪問結(jié)果。

本發(fā)明實(shí)施例中，步驟305至步驟306的實(shí)現(xiàn)方法，與上述實(shí)施例中步驟205至步驟206的實(shí)現(xiàn)方法相同。

步驟307，判斷訪問結(jié)果是否為訪問失敗，如果是，則執(zhí)行步驟304；否則，執(zhí)行步驟308。

步驟308，按照由大到小的順序，利用至少一個檢測參數(shù)生成第三數(shù)據(jù)隊(duì)列，以及，利用各個所述待測內(nèi)存顆粒的位置參數(shù)生成第四數(shù)據(jù)隊(duì)列。

舉例來說，第三數(shù)據(jù)隊(duì)列為：[3、2、1、0]；第四數(shù)據(jù)隊(duì)列則為：[33、24、15、6]。

步驟309，確定選擇的檢測參數(shù)在第三數(shù)據(jù)隊(duì)列中的第二順序位b。

步驟310，將第四數(shù)據(jù)隊(duì)列中，位于第a-1個順序位的位置參數(shù)確定為第二參考位置參數(shù)。

步驟311，將第二參考位置參數(shù)對應(yīng)的待測內(nèi)存顆粒確定為故障內(nèi)存顆粒。

步驟308至步驟311中，當(dāng)選擇的檢測參數(shù)為0時(shí)，則可確定位置參數(shù)15對應(yīng)的待測內(nèi)存顆粒為故障內(nèi)存顆粒；當(dāng)選擇的檢測參數(shù)為1時(shí)，則可確定位置參數(shù)24對應(yīng)的待測內(nèi)存顆粒為故障內(nèi)存顆粒；當(dāng)選擇的檢測參數(shù)為2時(shí)，則可確定位置參數(shù)33對應(yīng)的待測內(nèi)存顆粒為故障內(nèi)存顆粒。

應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)選擇的檢測參數(shù)為0時(shí)，對應(yīng)的訪問結(jié)果依然為訪問失敗，那么，則可確定位置參數(shù)6對應(yīng)的待測內(nèi)存顆粒為故障內(nèi)存顆粒。

如圖4所示，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種內(nèi)存檢測裝置，包括：

第一確定模塊401，用于確定待測內(nèi)存中對應(yīng)同一個失效數(shù)據(jù)位的待測內(nèi)存顆粒的數(shù)量，以及確定每一個所述待測內(nèi)存顆粒的位置參數(shù)；并根據(jù)所述待測內(nèi)存顆粒的數(shù)量確定至少一個檢測參數(shù)；

選擇模塊402，用于根據(jù)每一個檢測參數(shù)的大小，從至少一個檢測參數(shù)中選擇一個未被選擇過的一個檢測參數(shù)；

處理模塊403，用于根據(jù)選擇的檢測參數(shù)，修改所述待測內(nèi)存的有效訪問區(qū)域；

檢測模塊404，用于根據(jù)修改后的所述有效訪問區(qū)域，訪問所述待測內(nèi)存，并形成訪問結(jié)果；

判斷模塊405，用于判斷所述訪問結(jié)果是否為預(yù)設(shè)訪問結(jié)果，如果是，則觸發(fā)所述選擇模塊；否則，觸發(fā)所述第二確定模塊；

第二確定模塊406，用于根據(jù)選擇的檢測參數(shù)，以及每一個所述待測內(nèi)存顆粒的位置參數(shù)，確定故障內(nèi)存顆粒。

如圖5所示，本發(fā)明一個實(shí)施例中，所述選擇模塊402，用于根據(jù)每一個檢測參數(shù)的大小，按照由小到大的順序，從至少一個檢測參數(shù)中選擇一個未被選擇過的一個檢測參數(shù)；

所述判斷模塊405，用于判斷所述訪問結(jié)果是否為訪問成功；

所述第二確定模塊406，包括：第一構(gòu)建單元4061、第一確定單元4062、第二確定單元4063和第三確定單元4064；其中，

所述第一構(gòu)建單元4061，用于按照由小到大的順序，利用至少一個檢測參數(shù)生成第一數(shù)據(jù)隊(duì)列，以及，利用各個所述待測內(nèi)存顆粒的位置參數(shù)生成第二數(shù)據(jù)隊(duì)列；

所述第一確定單元4062，用于確定選擇的檢測參數(shù)在所述第一數(shù)據(jù)隊(duì)列中的第一順序位a；

所述第二確定單元4063，用于將所述第二數(shù)據(jù)隊(duì)列中，位于第a個順序位的位置參數(shù)確定為第一參考位置參數(shù)；

所述第三確定單元4064，用于將所述第一參考位置參數(shù)對應(yīng)的待測內(nèi)存顆粒確定為故障內(nèi)存顆粒。

如圖6所示，本發(fā)明一個實(shí)施例中，所述選擇模塊402，用于根據(jù)每一個檢測參數(shù)的大小，按照由大到小的順序，從至少一個檢測參數(shù)中選擇一個未被選擇過的一個檢測參數(shù)；

所述判斷模塊405，用于判斷所述訪問結(jié)果是否為訪問失??；

所述第二確定模塊406，包括：第二構(gòu)建單元4065、第四確定單元4066、第五確定單元4067和第六確定單元4068；其中，

所述第二構(gòu)建單元4065，用于按照由大到小的順序，利用至少一個檢測參數(shù)生成第三數(shù)據(jù)隊(duì)列，以及，利用各個待測內(nèi)存顆粒的位置參數(shù)生成第四數(shù)據(jù)隊(duì)列；

所述第四確定單元4066，用于確定選擇的檢測參數(shù)在所述第三數(shù)據(jù)隊(duì)列中的第二順序位b；

所述第五確定單元4067，用于將所述第四順序隊(duì)列中，位于第b-1個順序位下的位置參數(shù)確定為第二參考位置參數(shù)；

所述第六確定單元4068，用于將所述第二參考位置參數(shù)對應(yīng)的待測內(nèi)存顆粒確定為故障內(nèi)存顆粒。

本發(fā)明一個實(shí)施例中，所述第一確定模塊401，包括：第七確定單元(附圖中未示出)和第八確定單元(附圖中未示出)；其中，

所述第七確定單元，用于確定待測內(nèi)存對應(yīng)的一個失效數(shù)據(jù)位，以及確定待測內(nèi)存中內(nèi)存顆粒的數(shù)量以及顆粒位寬；

所述第八確定單元，用于根據(jù)所述內(nèi)存顆粒的數(shù)量、所述顆粒位寬及所述失效數(shù)據(jù)位，確定待測內(nèi)存顆粒的數(shù)量，以及每一個所述待測內(nèi)存顆粒分別對應(yīng)的位置參數(shù)。

本發(fā)明一個實(shí)施例中，所述處理模塊403，用于將所述待測內(nèi)存的有效rank參數(shù)修改為所述檢測參數(shù)；

所述檢測模塊404，用于根據(jù)所述檢測參數(shù)，依次訪問所述待測內(nèi)存的前n+1個rank，其中，n為所述檢測參數(shù)

上述裝置內(nèi)的各單元之間的信息交互、執(zhí)行過程等內(nèi)容，由于與本發(fā)明方法實(shí)施例基于同一構(gòu)思，具體內(nèi)容可參見本發(fā)明方法實(shí)施例中的敘述，此處不再贅述。

綜上所述，本發(fā)明各個實(shí)施例至少具有如下有益效果：

1、本發(fā)明一實(shí)施例中，由于對應(yīng)同一個失效數(shù)據(jù)位的待測內(nèi)存顆粒的數(shù)量即為待測內(nèi)存的rank數(shù)量，同時(shí)，需要根據(jù)設(shè)置待測內(nèi)存的有效訪問區(qū)域才能訪問待測內(nèi)存，且訪問待測內(nèi)存的多個rank時(shí)具備設(shè)定的順序；因此，可根據(jù)確定的對應(yīng)同一個失效數(shù)據(jù)位的待測內(nèi)存顆粒的數(shù)量來確定至少一個檢測參數(shù)(比如，待測內(nèi)存顆粒的數(shù)量為2時(shí)，即待測內(nèi)存的rank數(shù)量為2時(shí)，則可確定出檢測參數(shù)為0和1；在待測內(nèi)存顆粒的數(shù)量為4時(shí)，可確定出檢測參數(shù)為0、1、2、3)，然后根據(jù)確定的各個檢測參數(shù)的大小，選擇一個未被選擇過的檢測參數(shù)，并根據(jù)選擇的檢測參數(shù)修改待測內(nèi)存的有效訪問區(qū)域，即實(shí)現(xiàn)對待測內(nèi)存的有效訪問區(qū)域進(jìn)行限定(比如，限定可訪問的rank數(shù)量，或可訪問的內(nèi)存顆粒數(shù)量)，進(jìn)而根據(jù)修改后的有效訪問區(qū)域訪問待測內(nèi)存，并形成訪問結(jié)果；之后，即可根據(jù)形成的訪問結(jié)果，確定是否執(zhí)行根據(jù)選擇的檢測參數(shù)和每一個待測內(nèi)存顆粒分別對應(yīng)的位置參數(shù)確定故障內(nèi)存，直到確定出故障內(nèi)存顆粒為止。綜上可見，本發(fā)明提供的技術(shù)方案中，通過對內(nèi)存的有效訪問區(qū)域進(jìn)行限定，然后根據(jù)限定的有效訪問區(qū)域訪問內(nèi)存，并根據(jù)訪問結(jié)果及對應(yīng)的檢測參數(shù)、各個待測內(nèi)存顆粒的位置參數(shù)確定內(nèi)存的故障內(nèi)存顆粒，可更為準(zhǔn)確的檢測出內(nèi)存的故障內(nèi)存顆粒。

2、本發(fā)明一實(shí)施例中，可以依賴于現(xiàn)有的memtest86+以及RST Pro等檢測工具來對待測內(nèi)存進(jìn)行檢測，以提供本發(fā)明實(shí)施例所需要的待測內(nèi)存中對應(yīng)同一個失效數(shù)據(jù)位的多個待測內(nèi)存顆粒的位置參數(shù)，可提高測試效率。

需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個實(shí)體或者操作與另一個實(shí)體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個······”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同因素。

最后需要說明的是：以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，僅用于說明本發(fā)明的技術(shù)方案，并非用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。