本發(fā)明涉及一種指紋辨識(shí)系統(tǒng)及電子裝置，尤其涉及一種可降低寄生電容影響的指紋辨識(shí)系統(tǒng)及電子裝置。

背景技術(shù)：

隨著科技日新月異，移動(dòng)電話、數(shù)字相機(jī)、平板計(jì)算機(jī)、筆記本電腦等越來越多攜帶型電子裝置已經(jīng)成為了人們生活中必備的工具。由于攜帶型電子裝置通常供個(gè)人使用，而具有一定的隱私性，因此其內(nèi)部儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)，例如電話簿、相片、個(gè)人信息等等為私人所有。一旦電子裝置丟失，則這些數(shù)據(jù)可能被他人所利用，而造成不必要的損失。雖然目前已有利用密碼保護(hù)的方式來避免電子裝置為他人所使用，但密碼容易泄露或遭到破解，具有較低的安全性。并且，用戶需記住密碼才能使用電子裝置，若忘記密碼，則會(huì)帶給使用者許多不便。因此，目前發(fā)展出利用個(gè)人指紋辨識(shí)系統(tǒng)的方式來達(dá)到身份認(rèn)證的目的，以提升數(shù)據(jù)安全性。

在習(xí)知技術(shù)中，電容式指紋辨識(shí)系統(tǒng)是相當(dāng)受歡迎的一種指紋辨識(shí)方法，其系利用接觸層接受來自使用者的手指接觸，并感測接觸層的電容變化，以判斷使用者指紋的紋蜂(Finger Ridge)或紋谷(Finger Valley)。為了避免接觸層受到來自其他電路的干擾，習(xí)知技術(shù)通常會(huì)在電路布局時(shí)在接觸層下方布局一屏蔽層，以產(chǎn)生屏蔽效應(yīng)，避免屏蔽層以下的電路對接觸層產(chǎn)生干擾。然而，接觸層與屏蔽層的間會(huì)產(chǎn)生寄生電容，而寄生電容的電容值往往大于因接觸而產(chǎn)生的接觸電容的電容值，影響電容感測電路或電容式指紋辨識(shí)系統(tǒng)判斷接觸電容的電容值，以致于降低了指紋辨識(shí)的精準(zhǔn)度。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

因此，本發(fā)明的主要目的即在于提供一種既可降低寄生電容影響又可降低對溫度及噪聲敏感度的指紋辨識(shí)系統(tǒng)及電子裝置。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一指紋辨識(shí)系統(tǒng)，其包括復(fù)數(shù)個(gè)第一像素電路，所述復(fù)數(shù)個(gè)第一像素電路中一第一像素電路與一手指形成一接觸電容；一第一感測電路，耦接于所述第一像素電路，用來感測所述接觸電容并輸出一第一輸出信號(hào)，其中所述第一輸出信號(hào)包含一大信號(hào)分量以及一小信號(hào)分量，所述小信號(hào)分量相關(guān)于所述接觸電容的一變化量；至少一第二像素電路；一第二感測電路，耦接于所述至少一第二像素電路中一第二像素電路，用來輸出一第二輸出信號(hào)，其中所述第二輸出信號(hào)與所述大信號(hào)分量相等；以及一差分放大電路，耦接于所述第一感測電路及所述第二感測電路，用來將所述第一輸出信號(hào)與所述第二輸出信號(hào)的一相差值放大，以產(chǎn)生一放大輸出信號(hào)，其中所述放大輸出信號(hào)相關(guān)于所述小信號(hào)分量。

優(yōu)選地，所述第二感測電路包含有一接觸層，耦接于一第一驅(qū)動(dòng)電路，以接收一第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)，所述接觸層接受所述手指的接觸；一第一屏蔽層，設(shè)置于所述接觸層的下方；一第一金屬層，設(shè)置于所述第一屏蔽層的下方，耦接于一第二驅(qū)動(dòng)電路，以接收一第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)；以及一第二金屬層，設(shè)置于所述第一金屬層的下方；其中，所述第一屏蔽層與所述第二金屬層耦接于所述第二驅(qū)動(dòng)電路，以接收一第三驅(qū)動(dòng)信號(hào)；其中，所述第一金屬層耦接于所述第二感測電路。

優(yōu)選地，于一驅(qū)動(dòng)階段中，所述第一驅(qū)動(dòng)電路將所述接觸層驅(qū)動(dòng)至一正電壓，所述第二驅(qū)動(dòng)電路將所述第一屏蔽層、所述第一金屬層及所述第二金屬層驅(qū)動(dòng)至所述正電壓；以及于一感測階段中，所述第一驅(qū)動(dòng)電路提供所述接觸層一第一電壓。

優(yōu)選地，所述第二感測電路另包含一第三金屬層，所述第三金屬層與所述第二金屬層具有相同的水平位置，且與所述第二金屬層相互間隔，所述第三金屬層接收一固定電壓。

優(yōu)選地，所述第二感測電路另包含一第二屏蔽層，所述第二屏蔽層與所述第一屏蔽層具有相同的水平位置，且與所述第一屏蔽層相互間隔，所述第二屏蔽層接收一固定電壓。

優(yōu)選地，所述第一感測電路包含有一接觸層，用來接受所述手指的接觸，所述接觸層與所述手指形成所述接觸電容，所述接觸層耦接于一驅(qū)動(dòng)電路以及所述第一感測電路；以及一第一屏蔽層，設(shè)置于所述接觸層的下方。

優(yōu)選地，于一驅(qū)動(dòng)階段中，所述驅(qū)動(dòng)電路將所述接觸層驅(qū)動(dòng)至一正電壓。

優(yōu)選地，所述第一感測電路另包含一第二屏蔽層，所述第二屏蔽層與所述第一屏蔽層具有相同的水平位置，且與所述第一屏蔽層相互間隔，所述第二屏蔽層接收一固定電壓。

優(yōu)選地，所述差分放大電路為一程控增益放大器。

本發(fā)明另提供了一種電子裝置，包括一運(yùn)作電路；以及一指紋辨識(shí)系統(tǒng)，耦接于所述運(yùn)作電路，所述指紋辨識(shí)系統(tǒng)包含復(fù)數(shù)個(gè)第一像素電路，所述復(fù)數(shù)個(gè)第一像素電路中一第一像素電路與一手指形成一接觸電容一第一感測電路，耦接于所述第一像素電路，用來感測所述接觸電容并輸出一第一輸出信號(hào)，其中所述第一輸出信號(hào)包含一大信號(hào)分量以及一小信號(hào)分量，所述小信號(hào)分量相關(guān)于所述接觸電容的一變化量；至少一第二像素電路；一第二感測電路，耦接于所述至少一第二像素電路中一第二像素電路，用來輸出一第二輸出信號(hào)，其中所述第二輸出信號(hào)與所述大信號(hào)分量相等；以及一差分放大電路，耦接于所述第一感測電路及所述第二感測電路，用來將所述第一輸出信號(hào)與所述第二輸出信號(hào)的一相差值放大，以產(chǎn)生一放大輸出信號(hào)，其中所述放大輸出信號(hào)相關(guān)于所述小信號(hào)分量。

本發(fā)明提供的指紋辨識(shí)系統(tǒng)及電子裝置，其利用虛設(shè)像素電路產(chǎn)生虛設(shè)輸出信號(hào)，進(jìn)而消除寄生電容的效應(yīng)，以提升電容感測或指紋辨識(shí)的精準(zhǔn)度及效能。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例一指紋辨識(shí)系統(tǒng)的示意圖。

圖2為本發(fā)明實(shí)施例復(fù)數(shù)個(gè)時(shí)脈信號(hào)的波形圖。

圖3為本發(fā)明實(shí)施例一指紋辨識(shí)系統(tǒng)的示意圖。

圖4為本發(fā)明實(shí)施例一指紋辨識(shí)系統(tǒng)的俯視示意圖。

圖5為本發(fā)明實(shí)施例一電子裝置的示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

于傳統(tǒng)指紋辨識(shí)系統(tǒng)中，像素電路的輸出信號(hào)受到像素電路及感測電路內(nèi)部寄生電容的影響，使得像素電路的輸出信號(hào)中相關(guān)于接觸電容變化量的信號(hào)成份并不顯著，像素電路的輸出信號(hào)亦受到溫度和噪聲的影響，而使指紋辨識(shí)的精準(zhǔn)度下降。因此，本發(fā)明除了正常的像素電路之外，另包含虛設(shè)像素電路，利用虛設(shè)像素電路產(chǎn)生虛設(shè)輸出信號(hào)，來抵消復(fù)數(shù)個(gè)正常像素電路的輸出信號(hào)中受到寄生電容、溫度及噪聲影響的信號(hào)成份，并針對復(fù)數(shù)個(gè)正常像素電路的輸出信號(hào)中的指紋信號(hào)成份進(jìn)行放大以及后續(xù)信號(hào)處理，以判斷紋蜂(Finger Ridge)或紋谷(Finger Valley)，增加指紋辨識(shí)精準(zhǔn)度。

關(guān)于正常像素電路及虛設(shè)像素電路的電路結(jié)構(gòu)，請參考圖1及圖2，圖1為本發(fā)明實(shí)施例一指紋辨識(shí)系統(tǒng)10的示意圖，圖2為本發(fā)明實(shí)施例時(shí)脈(Clock)信號(hào)clk1、clk2、clk3的波形圖。為了方便說明，圖1繪示指紋辨識(shí)系統(tǒng)10中復(fù)數(shù)個(gè)正常像素電路的一正常像素電路以及一虛設(shè)像素電路的示意圖，如圖1所示，指紋辨識(shí)系統(tǒng)10包含一正常像素電路11、一虛設(shè)像素電路12、一第一感測電路115、一第二感測電路125以及一差分放大電路Amp。正常像素電路11及虛設(shè)像素電路12皆可接受一手指FG的接觸，并與手指FG分別形成一接觸電容Cf_1及一接觸電容Cf_2。第一感測電路115耦接于正常像素電路11，用來感測接觸電容Cf_1并輸出一第一輸出信號(hào)Vo1，另外，第二感測電路125耦接于虛設(shè)像素電路12，用來輸出一第二輸出信號(hào)Vo2。其中，第一輸出信號(hào)Vo1包含一大信號(hào)分量以及一小信號(hào)分量ΔVo1(即第一輸出信號(hào)Vo1可表示為)，其中大信號(hào)分量可為第一輸出信號(hào)Vo1的一平均值，而小信號(hào)分量ΔVo1相關(guān)于接觸電容Cf_1的一變化量ΔCf_1，其為用來進(jìn)行指紋辨識(shí)的指紋信號(hào)。需注意的是，虛設(shè)像素電路12可經(jīng)適當(dāng)設(shè)計(jì)，使得第二輸出信號(hào)Vo2與第一輸出信號(hào)Vo1的大信號(hào)分量相等(即第二輸出信號(hào)Vo2可表示為)。差分放大電路Amp接收第一輸出信號(hào)Vo1及第二輸出信號(hào)Vo2，用來將第一輸出信號(hào)Vo1與第二輸出信號(hào)Vo2之間的一相差值(Vo1－Vo2)放大，以產(chǎn)生一放大輸出信號(hào)VO，其中放大輸出信號(hào)VO僅針對相差值(Vo1－Vo2)放大。于一實(shí)施例中，差分放大電路Amp為一程控增益放大器(Programmable Gain Amplifier，PGA)。差分放大電路Amp可耦接至一模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器(Analog-to-Digital Converter，ADC)以及一后端電路(未繪示于圖1)，以對放大輸出信號(hào)VO進(jìn)行后續(xù)信號(hào)處理，并判斷正常像素電路11對應(yīng)于手指FG的一紋蜂或一紋谷。

換句話說，對應(yīng)于正常像素電路11的第一輸出信號(hào)Vo1相關(guān)于正常像素電路11所對應(yīng)的接觸電容Cf_1，即第一輸出信號(hào)Vo1包含指紋信號(hào)(即小信號(hào)分量ΔVo1)。另一方面，對應(yīng)于虛設(shè)像素電路12的第二輸出信號(hào)Vo2僅用來抵消第一輸出信號(hào)Vo1中受到寄生電容、溫度及噪聲影響的信號(hào)成份，而第二輸出信號(hào)Vo2并未包含指紋信號(hào)(即虛設(shè)像素電路12所對應(yīng)的接觸電容Cf_2并不會(huì)對第二輸出信號(hào)Vo2造成影響)。指紋辨識(shí)系統(tǒng)10利用差分放大電路Amp將第一輸出信號(hào)Vo1與第二輸出信號(hào)Vo2之間的相差值(Vo1－Vo2)放大，即將指紋信號(hào)放大，以進(jìn)行后續(xù)信號(hào)處理。

詳細(xì)來說，如圖1所示，正常像素電路11包含一接觸層110、一屏蔽層112以及一驅(qū)動(dòng)電路113，接觸層110及屏蔽層112皆為集成電路布局中的金屬層，接觸層110為一頂層金屬層(Top Metal)，用來接受手指FG的接觸，接觸層110與手指FG形成接觸電容Cf_1，而屏蔽層112可為頂層金屬層的下一層金屬層，即屏蔽層112布局于接觸層100的正下方，用來對屏蔽層112以下的電路產(chǎn)生屏蔽效應(yīng)，以避免屏蔽層112以下的電路對接觸層110產(chǎn)生干擾，屏蔽層112與接觸層110形成寄生電容Cp_1。接觸層110耦接于第一感測電路115，另外，接觸層110及屏蔽層112皆耦接于驅(qū)動(dòng)電路113，分別接收驅(qū)動(dòng)電路113所產(chǎn)生的時(shí)脈信號(hào)clk2、clk3。

如圖2所示，于驅(qū)動(dòng)階段中，時(shí)脈信號(hào)clk2、clk3為一高電位，此時(shí)驅(qū)動(dòng)電路113將接觸層110及屏蔽層112驅(qū)動(dòng)至一正電壓V_DD；于一感測階段中，時(shí)脈信號(hào)clk2及時(shí)脈信號(hào)clk3分別為一電壓V2及一電壓V3，此時(shí)第一感測電路115輸出第一輸出信號(hào)Vo1，其中第一輸出信號(hào)Vo1與接觸電容Cf_1及寄生電容Cp_1相關(guān)，第一輸出信號(hào)Vo1可表示為其中A、B、D為相關(guān)于正電壓V_DD或是驅(qū)動(dòng)電路及其所產(chǎn)生電壓的參數(shù)，可代表復(fù)數(shù)個(gè)像素電路所形成的復(fù)數(shù)個(gè)接觸電容的一平均值。另外，參數(shù)A、B、D會(huì)受到溫度或噪聲的影響而隨之變化。

另一方面，如圖1所示，虛設(shè)像素電路12包含一接觸層120、一屏蔽層122、金屬層124、126、一驅(qū)動(dòng)電路121以及一驅(qū)動(dòng)電路123，接觸層120、屏蔽層122及金屬層124、126皆為集成電路布局中的金屬層，其中接觸層120為一頂層金屬層，用來接受手指FG的接觸，接觸層120與手指FG形成接觸電容Cf_2，而屏蔽層122可為頂層金屬層的下一層金屬層，即屏蔽層122布局于接觸層120的正下方，用來對屏蔽層122以下的電路產(chǎn)生屏蔽效應(yīng)，以避免屏蔽層122以下的電路對接觸層120產(chǎn)生干擾，屏蔽層122與接觸層120形成一寄生電容Cp_2。另外，金屬層124可為屏蔽層122的下一層金屬層(即金屬層124可布局/設(shè)置于屏蔽層122下方)，而金屬層126可為金屬層124的下一層金屬層(即金屬層126可布局/設(shè)置于金屬層124下方)，金屬層124與金屬層126之間形成有一寄生電容Cp_3。接觸層120耦接于驅(qū)動(dòng)電路121，以接收一時(shí)脈信號(hào)clk1；金屬層124耦接于驅(qū)動(dòng)電路123，以接收時(shí)脈信號(hào)clk2；屏蔽層122及金屬層126耦接于驅(qū)動(dòng)電路123，以接收時(shí)脈信號(hào)clk3。另外，第二感測電路125耦接于金屬層124。需注意的是，時(shí)脈信號(hào)clk1與時(shí)脈信號(hào)clk2為不同電路所產(chǎn)生(即產(chǎn)生時(shí)脈信號(hào)clk1的驅(qū)動(dòng)電路121與產(chǎn)生時(shí)脈信號(hào)clk2的驅(qū)動(dòng)電路123為不同電路)，可進(jìn)一步降低接觸電容Cf_2(及寄生電容Cp_2)對第二輸出信號(hào)Vo2的影響。

如圖2所示，于驅(qū)動(dòng)階段中，時(shí)脈信號(hào)clk1、clk2、clk3為高電位(正電壓V_DD)，此時(shí)驅(qū)動(dòng)電路121將接觸層120驅(qū)動(dòng)至正電壓V_DD，而驅(qū)動(dòng)電路123將屏蔽層122及金屬層124、126驅(qū)動(dòng)至正電壓V_DD；于感測階段中，時(shí)脈信號(hào)clk1、時(shí)脈信號(hào)clk2及時(shí)脈信號(hào)clk3分別為一電壓V1、電壓V2及電壓V3，此時(shí)第二感測電路125輸出第二輸出信號(hào)Vo2，此外，驅(qū)動(dòng)電路121提供接觸層120電壓V1，第二感測電路125形成電壓V2，并提供屏蔽層122及金屬層126電壓V3。需注意的是，就波形而言，電壓V1可與電壓V2相等，即時(shí)脈信號(hào)clk1與時(shí)脈信號(hào)clk2可為具有相同波形的信號(hào)，然而，時(shí)脈信號(hào)clk1及時(shí)脈信號(hào)clk2分別由不同電路所產(chǎn)生，以指紋辨識(shí)系統(tǒng)10為例，時(shí)脈信號(hào)clk1及時(shí)脈信號(hào)clk2分別由驅(qū)動(dòng)電路121及驅(qū)動(dòng)電路123所產(chǎn)生。

需注意的是，接觸層120接收時(shí)脈信號(hào)clk1，即驅(qū)動(dòng)電路121始終施加于接觸層120正電壓V_DD或電壓V1(接觸層120并非浮接)，且第二感測電路125并未連接于接觸層120，因此，接觸電容Cf_2(及寄生電容Cp_2)并不會(huì)對第二輸出信號(hào)Vo2造成影響。第二輸出信號(hào)Vo2可表示為Vo2＝E*Cp_3+F，其中E、F為相關(guān)于正電壓V_DD或驅(qū)動(dòng)電路的參數(shù)，參數(shù)E、F也會(huì)受到溫度或噪聲的影響而隨之變化。

另外，虛設(shè)像素電路12可經(jīng)適當(dāng)設(shè)計(jì)，使得即第二輸出信號(hào)Vo2與第一輸出信號(hào)Vo1的大信號(hào)分量相等如此一來，差分放大電路Amp可僅針對指紋信號(hào)(即小信號(hào)分量ΔVo1，其中ΔVo1＝Vo1－Vo2＝A*ΔCf_1)放大，也就是說，放大輸出信號(hào)VO可表示為VO＝A_v*(Vo1－Vo2)＝A_v*ΔVo1，其中A_v代表差分放大電路Amp的一增益。如此一來，指紋辨識(shí)系統(tǒng)10的后端電路即可根據(jù)放大輸出信號(hào)VO，判斷正常像素電路11對應(yīng)于手指FG的紋蜂或紋谷。

需注意的是，于第一輸出信號(hào)Vo1中，參數(shù)A、B、D會(huì)受到溫度或噪聲的影響而隨之變化，然而于第二輸出信號(hào)Vo2中，參數(shù)E、F也會(huì)受到溫度或噪聲的影響而隨之變化。也就是說，利用差分放大電路Amp，第一輸出信號(hào)Vo1中受到溫度或噪聲的影響的信號(hào)成份可被消除(第一輸出信號(hào)Vo1減去第二輸出信號(hào)Vo2)，而差分放大電路Amp僅針對相關(guān)于接觸電容變化量ΔCf_1的指紋信號(hào)進(jìn)行放大，以增加指紋辨識(shí)系統(tǒng)10的指紋辨識(shí)精準(zhǔn)度。

由上述可知，指紋辨識(shí)系統(tǒng)10除了正常像素電路(正常像素電路11)之外，另包含虛設(shè)像素電路(虛設(shè)像素電路12)，利用虛設(shè)像素電路(虛設(shè)像素電路12)產(chǎn)生虛設(shè)輸出信號(hào)(第二輸出信號(hào)Vo2)，來抵消復(fù)數(shù)個(gè)正常像素電路的輸出信號(hào)中受到寄生電容、溫度及噪聲影響的信號(hào)成份，并針對復(fù)數(shù)個(gè)正常像素電路的輸出信號(hào)中的指紋信號(hào)成份(小信號(hào)分量ΔVo1，ΔVo1＝A*ΔCf_1)進(jìn)行放大以及后續(xù)信號(hào)處理，以判斷手指FG的紋蜂或紋谷。

需注意的是，前述實(shí)施例是用以說明本發(fā)明之概念，本領(lǐng)域具通常知識(shí)者當(dāng)可據(jù)以做不同之修飾，而不限于此。舉例來說，請參考圖3，圖3為本發(fā)明實(shí)施例一指紋辨識(shí)系統(tǒng)30的示意圖，指紋辨識(shí)系統(tǒng)30與指紋辨識(shí)系統(tǒng)10相似，故相同組件沿用相同符號(hào)。與指紋辨識(shí)系統(tǒng)10不同的是，一第一像素電路31(正常像素電路)包含一屏蔽層112_1以及一屏蔽層112_2，屏蔽層112_1及屏蔽層112_2為集成電路布局中同一層的金屬層(即屏蔽層112_1與屏蔽層112_2相互間隔，且具有相同的水平位置)，屏蔽層112_1耦接于驅(qū)動(dòng)電路113以接收時(shí)脈信號(hào)clk3，屏蔽層112_2接收一固定電壓或接地，屏蔽層112_1及屏蔽層112_2與接觸層110分別形成一寄生電容Cp_11及一寄生電容Cp_12。另外，一第二像素電路32包含一屏蔽層122_1、一屏蔽層122_2、一金屬層126_1以及一金屬層126_2，屏蔽層122_1及屏蔽層122_2為集成電路布局中同一層的金屬層(即屏蔽層122_1與屏蔽層122_2相互間隔，且具有相同的水平位置)，金屬層126_1及金屬層126_2為集成電路布局中同一層的金屬層(即金屬層126_1與金屬層126_2相互間隔，且具有相同的水平位置)，屏蔽層122_1及金屬層126_1耦接于驅(qū)動(dòng)電路113以接收時(shí)脈信號(hào)clk3，屏蔽層122_2及金屬層126_2接收一固定電壓或接地，屏蔽層122_1及屏蔽層122_2與接觸層120分別形成一寄生電容Cp_21及一寄生電容Cp_22，金屬層126_1及金屬層126_2與金屬層124分別形成一寄生電容Cp_31及一寄生電容Cp_32。對應(yīng)于第一像素電路31的一第一輸出信號(hào)Vo1’可表示為對應(yīng)于第二像素電路32的一第二輸出信號(hào)Vo2’可表示為Vo2’＝E₁*Cp_31+E₂*Cp_32+F，同樣的，參數(shù)B₁、B₂、E₁、E₂皆會(huì)受到溫度或噪聲的影響而隨之變化。虛設(shè)像素電路12可經(jīng)適當(dāng)設(shè)計(jì)，使得第二輸出信號(hào)Vo2’與第一輸出信號(hào)Vo1’的大信號(hào)分量相等(即)，其中大信號(hào)分量可表示為指紋辨識(shí)系統(tǒng)30其余操作原理與指紋辨識(shí)系統(tǒng)10相同，于此不再贅述。

需注意的是，指紋辨識(shí)系統(tǒng)30可視為將指紋辨識(shí)系統(tǒng)10中的屏蔽層112、屏蔽層122及金屬層126分割為二(即屏蔽層112分割成屏蔽層112_1、112_2，屏蔽層122分割成屏蔽層122_1、122_2，金屬層126分割成金屬層126_1、126_2)，而不在此限，指紋辨識(shí)系統(tǒng)10中的屏蔽層112、屏蔽層122及金屬層126可分割為三、四或更多部份，使得第二輸出信號(hào)精準(zhǔn)地等于第一輸出信號(hào)的大信號(hào)分量。

另外，本發(fā)明的指紋辨識(shí)系統(tǒng)中于正常像素電路及虛設(shè)像素電路并未有所限，請參考圖4，圖4為本發(fā)明實(shí)施例一指紋辨識(shí)系統(tǒng)40的俯視示意圖，指紋辨識(shí)系統(tǒng)40包含排列成一數(shù)組的復(fù)數(shù)個(gè)正常像素電路41以及復(fù)數(shù)個(gè)虛設(shè)像素電路42，如圖4所示，而復(fù)數(shù)個(gè)虛設(shè)像素電路42可以隨機(jī)的方式排列于所述數(shù)組。需注意的是，圖4所繪示復(fù)數(shù)個(gè)正常像素電路41以及復(fù)數(shù)個(gè)虛設(shè)像素電路42的排列方式僅為一實(shí)施方式，復(fù)數(shù)個(gè)虛設(shè)像素電路可排列于所述數(shù)組的周圍，或排列于所述數(shù)組的一行或一列，而不在此限。

另外，本發(fā)明的指紋辨識(shí)系統(tǒng)可應(yīng)用于一電子裝置中。請參考圖5，圖5為本發(fā)明實(shí)施例一電子裝置50的示意圖，電子裝置50可為一平板電腦或一智能手機(jī)，如圖5所示，電子裝置50包含一運(yùn)作電路52以及一指紋辨識(shí)系統(tǒng)54，指紋辨識(shí)系統(tǒng)54耦接于運(yùn)作電路52，其可由指紋辨識(shí)系統(tǒng)10、指紋辨識(shí)系統(tǒng)30或指紋辨識(shí)系統(tǒng)40來實(shí)現(xiàn)，另外，運(yùn)作電路52可包含一處理器(Processor)及一儲(chǔ)存裝置，儲(chǔ)存裝置可為只讀內(nèi)存(Read-Only Memory，ROM)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)(Random-Access Memory，RAM)、非揮發(fā)性內(nèi)存(Non-Volatile Memory，例如，一電子抹除式可復(fù)寫只讀內(nèi)存器(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory,EEPROM)或一快閃存儲(chǔ)(Flash Memory))。

綜上所述，本發(fā)明利用虛設(shè)像素電路產(chǎn)生虛設(shè)輸出信號(hào)，來抵消正常像素電路的輸出信號(hào)中受到寄生電容、溫度及噪聲影響的信號(hào)成份，并針對正常像素電路的輸出信號(hào)中的指紋信號(hào)進(jìn)行放大以及后續(xù)信號(hào)處理，以增加指紋辨識(shí)精準(zhǔn)度。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。