相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求共同擁有的于2015年1月30日提交的美國非臨時專利申請no.14/611,035的優(yōu)先權(quán)，該專利申請的內(nèi)容通過援引全部明確納入于此。

領(lǐng)域

本公開一般涉及三維集成電路堆疊。

相關(guān)技術(shù)描述

技術(shù)進(jìn)步已產(chǎn)生越來越小且越來越強(qiáng)大的計算設(shè)備。例如，當(dāng)前存在各種各樣的便攜式個人計算設(shè)備，包括較小、輕量且易于由用戶攜帶的無線電話，諸如移動和智能電話、平板以及膝上型計算機(jī)。這些設(shè)備可在無線網(wǎng)絡(luò)上傳達(dá)語音和數(shù)據(jù)分組。另外，許多此類設(shè)備納入附加功能性，諸如數(shù)碼相機(jī)、數(shù)碼攝像機(jī)、數(shù)字記錄器以及音頻文件播放器。同樣，此類設(shè)備可以處理可執(zhí)行指令，包括可被用于訪問因特網(wǎng)的軟件應(yīng)用，諸如web瀏覽器應(yīng)用。如此，這些設(shè)備可包括顯著的計算能力。

另外，技術(shù)進(jìn)步已實(shí)現(xiàn)了對更小的集成電路和電子器件的制造。除了減小的尺寸之外，這些集成電路中的許多集成電路已被優(yōu)化以提供更低的功率和更高速的操作。隨著集成電路和電子器件尺寸已減小并且低功率/高速操作已變得越來越重要，一些電路特性已變得越來越受限。例如，用于集成電路中的線寬的減小已減小了用于路由信號的導(dǎo)線的橫截面積。減小的橫截面積引起增加的導(dǎo)線電阻。然而，由于每個集成電路中的電子器件的數(shù)量已持續(xù)增加，還沒有導(dǎo)線長度的對應(yīng)減小來抵消橫截面積的減小。因此，導(dǎo)線電阻已變成對許多集成電路的性能的越來越重要的限制。

概述

為了克服導(dǎo)線電阻對集成電路性能的影響，可以縮短用于在集成電路的電子器件之間路由信號(例如，電流或電壓)的導(dǎo)線的總長度?？s短電子器件之間的導(dǎo)線跡線可以通過將電子器件在集成電路中間隔得更加靠近在一起來完成；然而，制造和設(shè)計約束會限制通過調(diào)節(jié)間隔能夠達(dá)到的益處。

還可以通過使用修改導(dǎo)線布線來減小導(dǎo)線長度。然而，傳統(tǒng)的配線方案會限制通過經(jīng)修改的導(dǎo)線布線能夠獲得的益處。例如，由于制造約束，超大規(guī)模集成電路通常使用曼哈頓(manhattan)配線方案(也被稱為“出租車布線”)來互連各電路器件。曼哈頓配線方案指代其中以模擬城市街區(qū)的方式來布置導(dǎo)線的配線方案。例如，導(dǎo)線的每一部分在兩個正交方向中的一個方向上取向，例如，在平行于笛卡爾坐標(biāo)系的x軸(按照慣例被稱為“水平”)的方向上或者在平行于笛卡爾坐標(biāo)系的y軸(按照慣例被稱為“垂直”)的方向上。曼哈頓配線方案中的導(dǎo)線通常被布置在由導(dǎo)電通孔互連的多個金屬層中。在該布置中，每一層包括在單個方向上(例如，水平或垂直)取向的導(dǎo)線，并且交替的層包括在不同方向上取向的導(dǎo)線(例如，如果第一層包括水平導(dǎo)線，則下一層包括垂直導(dǎo)線)。由此，在曼哈頓配線方案中，用于互連兩個電子器件的導(dǎo)線長度可具有器件之間的水平距離(即，距離的x方向分量)加上器件之間的垂直距離(即，距離的y方向分量)的下限。

為了克服曼哈頓配線方案的導(dǎo)線長度限制，可添加對角導(dǎo)線跡線。然而，對于非常小的導(dǎo)線寬度，添加具有對角(相對于曼哈頓配線方案)導(dǎo)線的金屬層會引起相當(dāng)大的制造困難，諸如對準(zhǔn)以及多次圖案化和/或多次曝光復(fù)雜性。

根據(jù)本文所描述的特定示例的各器件減小了導(dǎo)線長度，同時還使用曼哈頓配線方案。例如，兩個或更多個集成電路管芯可被組裝以形成三維(3d)集成電路(ic)堆疊。3dic堆疊中的每個管芯可包括根據(jù)曼哈頓配線方案來布置的配線。當(dāng)各管芯被堆疊時，曼哈頓配線方案彼此成角度地偏移。例如，第一管芯可包括根據(jù)第一曼哈頓布線方案來布置的第一配線，并且第二管芯可包括根據(jù)第二曼哈頓布線方案來布置的第二配線。當(dāng)?shù)谝还苄镜慕雍辖涌陔娺B接到第二管芯的接合接口以形成3dic堆疊時，第一曼哈頓布線方案相對于第二曼哈頓布線方案可以是非曼哈頓的(例如，可包括不水平且不垂直的導(dǎo)線)。例如，第一配線可包括基本上平行于0°參考軸來取向的第一水平導(dǎo)線，以及基本上平行于90°參考軸來取向的第一垂直導(dǎo)線。在該示例中，第二配線可包括基本上平行于45°參考軸來取向的第二水平導(dǎo)線，以及基本上平行于-45°參考軸來取向的第二垂直導(dǎo)線。替換地，在該示例中，第二配線可與第一配線偏移以形成另一角度差。為了解說，第二配線可與第一配線偏移(例如，具有角度差)5°至85°之間。

3dic堆疊的各電子器件可經(jīng)由管芯中的任一或兩者上的配線來連接。例如，可使用第一管芯和第二管芯兩者的配線將第一管芯上的電子器件耦合到第二管芯上的電子器件。因此，相對于曼哈頓配線方案中的一者呈對角的配線可以用于互連各電子器件，以便縮短兩個電子器件之間的總連接長度。類似地，可使用第二管芯上的配線將第一管芯上的第一電子器件耦合到第一管芯上的第二電子器件。因此，相對于第一管芯的曼哈頓配線方案的對角配線可用于連接第一管芯的兩個電子器件，以便縮短這兩個電子器件之間的總互連長度。由于每個管芯包括曼哈頓配線方案，避免了與制造非曼哈頓配線(例如，對角導(dǎo)線)相關(guān)聯(lián)的困難。然而，3dic堆疊使對角導(dǎo)線可用以縮短總導(dǎo)線長度。

在一特定方面，公開了一種3dic堆疊。所述3dic堆疊包括第一管芯。所述第一管芯包括具有第一布局取向的第一組配線以及耦合到所述第一組配線的第一接合接口。所述3dic堆疊還包括第二管芯。所述第二管芯包括具有第二布局取向的第二組配線以及耦合到所述第二組配線的第二接合接口。所述第一管芯和所述第二管芯在所述第一接合接口耦合到所述第二接合接口的情況下被堆疊，以使得所述第一布局取向與所述第二布局取向之間的角度差大于或等于5度并且小于或等于85度。

在另一特定方面，一種3dic堆疊包括第一管芯，所述第一管芯包括第一接合接口以及根據(jù)第一曼哈頓配線方案來布置的第一多個互連層。所述3dic堆疊還包括第二管芯，所述第二管芯包括第二接合接口以及根據(jù)第二曼哈頓配線方案來布置的第二多個互連層。所述第一管芯和所述第二管芯在所述第一接合接口耦合到所述第二接合接口的情況下被堆疊，以使得所述第一曼哈頓配線方案和所述第二曼哈頓配線方案相對于彼此是非曼哈頓的。

在另一特定方面，一種3dic堆疊包括第一管芯，所述第一管芯包括第一電子器件、第二電子器件和第一組導(dǎo)線，所述第一組導(dǎo)線根據(jù)第一曼哈頓配線方案來布置并且耦合到第一接合接口。所述3dic堆疊還包括第二管芯，所述第二管芯包括耦合到第二接合接口的第二組導(dǎo)線。所述第一管芯和所述第二管芯被堆疊成使得所述第一接合接口耦合到所述第二接合接口，以使用所述第二組導(dǎo)線中的導(dǎo)線在所述第一電子器件與所述第二電子器件之間形成導(dǎo)電路徑，其中，所述導(dǎo)電路徑比基于所述第一曼哈頓配線方案在所述第一電子器件與所述第二電子器件之間的常規(guī)路徑更短。

在另一特定方面，一種制造3dic堆疊的方法包括：對準(zhǔn)第一管芯的第一接合接口和第二管芯的第二接合接口。所述第一管芯包括耦合到所述第一接合接口、具有第一布局取向的第一組配線，并且所述第二管芯包括耦合到所述第二接合接口、具有第二布局取向的第二組配線。當(dāng)所述第一接合接口和所述第二接合接口對準(zhǔn)時，所述第一布局取向與所述第二布局取向之間的角度差大于或等于5度并且小于或等于85度。所述方法還包括：電連接所述第一接合接口和所述第二接合接口。

在另一特定方面，一種路由信號(例如，電流或電壓)的方法包括：使用第一組導(dǎo)線中的第一導(dǎo)線在第一管芯中路由信號，所述第一組導(dǎo)線根據(jù)第一布局取向來布置。所述方法還包括：將所述信號從所述第一管芯的第一接合接口路由到第二管芯的第二接合接口。所述方法進(jìn)一步包括：使用第二組導(dǎo)線中的第二導(dǎo)線在所述第二管芯中路由所述信號，所述第二組導(dǎo)線根據(jù)第二布局取向來布置。所述第一管芯和所述第二管芯被堆疊成使得所述第一布局取向與所述第二布局取向之間的角度差大于或等于5度并且小于或等于85度。

在另一特定方面，一種路由信號的方法包括：使用第一組導(dǎo)線在第一管芯中路由信號，所述第一組導(dǎo)線根據(jù)第一曼哈頓配線方案被布置在第一多個互連層中。所述方法還包括：將所述信號從所述第一管芯的第一接合接口路由到第二管芯的第二接合接口。所述方法進(jìn)一步包括：使用第二組導(dǎo)線在所述第二管芯中路由所述信號，所述第二組導(dǎo)線根據(jù)第二曼哈頓配線方案被布置在第二多個互連層中。所述第一管芯和所述第二管芯被堆疊成使得所述第一曼哈頓配線方案和所述第二曼哈頓配線方案相對于彼此是非曼哈頓的。

在另一特定方面，一種路由信號的方法包括：使用第一組導(dǎo)線中的第一導(dǎo)線將信號從第一管芯的第一電子器件路由到所述第一管芯的第一接合焊盤。所述方法還包括：將所述信號從第一接合焊盤路由到第二管芯的第二接合焊盤。所述方法進(jìn)一步包括：使用第二組導(dǎo)線中的第二導(dǎo)線在所述第二管芯中將所述信號從所述第二接合焊盤路由到所述第二管芯的第三接合焊盤。所述第二組導(dǎo)線根據(jù)曼哈頓配線方案來布置。所述方法還包括：將所述信號從第三接合焊盤路由到第一管芯的第四接合焊盤。所述方法進(jìn)一步包括：使用所述第一組導(dǎo)線中的第三導(dǎo)線將所述信號從所述第四接合焊盤路由到所述第一管芯的第二電子器件。

由所公開的各實(shí)施例中的至少一個實(shí)施例提供的一個特定優(yōu)點(diǎn)在于，用于形成曼哈頓配線方案的制造過程可以用于提供電子器件之間的對角(例如，非曼哈頓)互連。對角互連可以用于減小電子器件之間的導(dǎo)線長度，從而減小與互連相關(guān)聯(lián)的電阻。本公開的其他方面、優(yōu)點(diǎn)和特征將在閱讀了整個申請后變得明了，整個申請包括以下章節(jié)：附圖簡述、詳細(xì)描述、以及權(quán)利要求書。

附圖簡述

圖1是解說了三維集成電路堆疊的特定解說性實(shí)施例的立體視圖的圖；

圖2是圖1的三維集成電路堆疊的特定解說性實(shí)施例的俯視圖的圖；

圖3是圖1的三維集成電路堆疊的特定解說性實(shí)施例的橫截面視圖的圖；

圖4是三維集成電路堆疊中的兩個管芯的特定解說性實(shí)施例的圖；

圖5是三維集成電路堆疊的特定解說性實(shí)施例的框圖；

圖6是形成三維集成電路堆疊的方法的特定解說性實(shí)施例的流程圖；

圖7是使用三維集成電路堆疊來路由信號的方法的第一特定解說性實(shí)施例的流程圖；

圖8是使用三維集成電路堆疊來路由信號的方法的第二特定解說性實(shí)施例的流程圖；

圖9是使用三維集成電路堆疊來路由信號的方法的第三特定解說性實(shí)施例的流程圖；

圖10是包括三維集成電路堆疊的設(shè)備的框圖；以及

圖11是用于制造包括三維集成電路堆疊的電子設(shè)備的制造過程的特定解說性實(shí)施例的數(shù)據(jù)流圖。

詳細(xì)描述

圖1、2和3解說了包括第一管芯106和第二管芯108的三維(3d)集成電路(ic)堆疊100的特定實(shí)施例。圖1解說了第一管芯106與第二管芯108分開的立體視圖。圖2解說了第一管芯106的配線和第二管芯108的配線的俯視圖。圖3解說了第一管芯106和第二管芯108相接觸以形成3dic堆疊100的橫截面視圖。

在圖1-3中，某些組件已被省略以突出管芯106、108的導(dǎo)線的布置。例如，使管芯106、108的導(dǎo)線分開的電介質(zhì)已被省略。另外，僅解說了一些代表性的電子器件和一些代表性的通孔。在特定實(shí)施例中配線層、通孔和電子器件的具體布置和數(shù)量將取決于具體電路和設(shè)計目標(biāo)。例如，在一特定實(shí)施例中，第一管芯106包括一個或多個處理元件，并且第二管芯108包括一個或多個存儲器元件。為了解說，第一管芯106可包括或?qū)?yīng)于處理管芯，該處理管芯包括數(shù)字信號處理器(dsp)、圖形處理器單元(gpu)、中央處理單元(cpu)、或者其一個或多個處理核。在該示例中，第二管芯108可包括存儲器管芯，該存儲器管芯包括第一管芯106的一個或多個處理器可訪問的存儲器(例如，高速緩存)。因此，圖1-3中所示出的3dic堆疊是非限制性的并且應(yīng)當(dāng)被認(rèn)為解說本文所公開的原理和實(shí)施例。

在圖1-3中，第一管芯106包括第一基板102和第一配線103，并且第二管芯108包括第二基板104和第二配線105。第一配線103包括在第一方向152上取向的一組導(dǎo)線110、111，以及在第二方向153上取向的一組導(dǎo)線112、113、114。第一方向152垂直于第二方向153，如由圖2的角度154所解說的。因此，第一配線103包括按第一曼哈頓配線方案來布置的多條導(dǎo)線。第一配線103耦合到包括接合焊盤116、117和118的第一接合接口。

第二配線105包括在第三方向150上取向的一組導(dǎo)線120、121、122和123，以及在第四方向151上取向的一組配線124、125、126、127、128和129。第三方向150基本上垂直于第四方向151，如由圖2的角度156所解說的。因此，第二配線105根據(jù)第二曼哈頓配線方案來布置。第二曼哈頓配線方案可以不同于第一曼哈頓配線方案。例如，第一方向152可與第三方向150分開呈銳角(諸如在5°至85°之間)的角度158。為了解說，角度158可以是大約45°(例如，在40°至50°之間)。由此，雖然第一配線103根據(jù)第一曼哈頓配線方案來布置并且第二配線105根據(jù)第二曼哈頓配線方案來布置，但是第一曼哈頓配線方案相對于第二曼哈頓配線方案是非曼哈頓的。

第二配線105可耦合到第二接合接口，諸如接合焊盤130、131、132。第二接合接口可被布置成對應(yīng)于第一接合接口。例如，當(dāng)?shù)谝还苄?06耦合到第二管芯108時，接合焊盤116-118可與對應(yīng)接合焊盤130-132基本上對準(zhǔn)(例如，充分對準(zhǔn)以實(shí)現(xiàn)與對應(yīng)接合焊盤130-132的電互連)并且可被電連接(例如，通過焊球或者其他導(dǎo)電連接)。當(dāng)接合焊盤116-118與對應(yīng)的接合焊盤130-132基本上對準(zhǔn)時，管芯106、108的側(cè)面也可基本上對準(zhǔn)(例如，與3dic堆疊100的封裝充分對準(zhǔn))。

管芯106、108中的每一者可包括一個或多個電子器件。例如，第一管芯106可包括電子器件160、162，并且第二管芯108可包括電子器件140、142。另外，管芯106、108中的一者或兩者可包括在與接合接口相對的表面上的外部接口。例如，外部接口可包括一個或多個穿硅通孔144，其使得第一管芯106能夠耦合到附加管芯(諸如圖5中)。第一配線103和第二配線105中的各個配線層可通過通孔(諸如通孔164和165)彼此耦合并耦合到對應(yīng)的接合焊盤。

可使用第一配線103的一部分、第二配線105的一部分、或者第一配線103和第二配線105兩者的一部分來互連3dic堆疊100的電子器件140、142、160和162。在該布置中，根據(jù)曼哈頓配線方案來布置的配線可以用于提供對角互連，以減小某些器件互連信號路徑的導(dǎo)線長度，如參照圖4進(jìn)一步描述的。

例如，可使用第二配線105中的一條或多條導(dǎo)線以及第一導(dǎo)線103中的一條或多條導(dǎo)線將第二管芯108的第一電子器件140耦合到第二管芯108的第二電子器件142。由于第一導(dǎo)線103相對于第二管芯108的曼哈頓配線方案呈對角，因此第一電子器件140與第二電子器件142之間的總連接距離相對于僅使用第二配線105的曼哈頓配線方案來連接第一電子器件140和第二電子器件142可被縮短。類似地，可使用第一配線103中的一條或多條導(dǎo)線、第二配線105中的一條或多條導(dǎo)線、或兩者來互連第一管芯106的第三電子器件160和第四電子器件162。另外，可使用第一配線103中的導(dǎo)線和第二配線105中的導(dǎo)線將第一管芯106的電子器件(諸如第三電子器件160)耦合到第二管芯108的電子器件(諸如第一電子器件140)。由此，包括兩個不同曼哈頓配線方案的3dic堆疊實(shí)現(xiàn)了使用在傳統(tǒng)曼哈頓配線方案中不可用的對角布線布置。另外，由于管芯106、108中的兩者均可以使用曼哈頓配線方案制造過程來制造，因此可以避免與形成對角導(dǎo)線或者非曼哈頓配線方案相關(guān)聯(lián)的困難。

圖4是3dic堆疊中的兩個管芯的特定解說性實(shí)施例的圖。例如，圖4的管芯402和404可分別對應(yīng)于圖1-3的第一管芯106和第二管芯108。

在圖4中，第一管芯402具有第一曼哈頓配線方案(圖4中由“加號”形狀的符號414來標(biāo)示)，并且第二管芯404具有第二曼哈頓配線方案(圖4中由“x”形狀的符號416來標(biāo)示)。第一曼哈頓配線方案414不同于第二曼哈頓配線方案416。例如，第二曼哈頓配線方案416可相對于第一曼哈頓配線方案414旋轉(zhuǎn)。在一特定實(shí)施例中，第二曼哈頓配線方案416相對于第一曼哈頓配線方案414具有40度至50度之間(例如，大約45度)的角度差。在其他實(shí)施例中，第二曼哈頓配線方案416相對于第一曼哈頓配線方案414具有大于5度并且小于85度的角度差。由此，當(dāng)?shù)谝还苄?02和第二管芯404用于形成3dic堆疊時，如以下進(jìn)一步描述的，第一曼哈頓配線方案414提供相對于第二曼哈頓配線方案416的對角導(dǎo)電路徑，反之亦然。

每個管芯402和404包括接合接口，該接合接口包括一組接合焊盤。當(dāng)被堆疊以形成3dic堆疊時，接合接口面向彼此。在圖4中，用基準(zhǔn)標(biāo)記406、408、410、412來示出管芯402、404，以指示管芯402、404在3dic堆疊中如何布置。為了解說，當(dāng)?shù)诙苄?04與第一管芯402對準(zhǔn)并且電耦合到第一管芯402時，第一管芯402的第一“a”基準(zhǔn)標(biāo)記406可與第二管芯404的第二“a”基準(zhǔn)標(biāo)記408對準(zhǔn)。類似地，第一管芯402的第一“b”基準(zhǔn)標(biāo)記410可與第二管芯404的第二“b”基準(zhǔn)標(biāo)記412對準(zhǔn)。

如圖4中所解說的，管芯402、404中的每一者可包括多個電子器件。例如，第一管芯402包括代表性的電子器件420、421、422、423和424。類似地，第二管芯404包括代表性的電子器件430、431、432和433?？梢园词沟弥辽僖恍┗ミB的總長度減小的方式，使用兩個曼哈頓配線方案414、416的配線來互連各電子器件。例如，在圖4中，使用第一管芯402的配線將電子器件424耦合到第一管芯402的電子器件420。在另一示例中，第一管芯402的電子器件424可經(jīng)由第一管芯402的配線452、第一管芯402的接合焊盤451以及第二管芯404的對應(yīng)接合焊盤450耦合到第二管芯404的電子器件431。由此，在該示例中，主要使用第一管芯402的配線將電子器件424耦合到電子器件431。

在另一示例中，將第一管芯402的電子器件423耦合到第一管芯402的電子器件421的導(dǎo)電路徑的至少一部分可包括第二管芯404的一條或多條導(dǎo)線。例如，第一電子器件423可耦合到第一管芯402的接合焊盤445。接合焊盤445可耦合到第二管芯404的對應(yīng)接合焊盤444。第二管芯404的接合焊盤444可耦合到第二管芯404的導(dǎo)線443。導(dǎo)線443可耦合到第二管芯404的接合焊盤442。第二管芯404的接合焊盤442可耦合到第一管芯402的對應(yīng)接合焊盤441。第一管芯402的接合焊盤441可耦合到第一管芯402的導(dǎo)線440。導(dǎo)線440可耦合到第二電子器件421。由此，第一管芯402的兩個電子器件423和421可經(jīng)由導(dǎo)電路徑耦合在一起。該導(dǎo)電路徑的第一部分可包括第一管芯402的配線(例如，導(dǎo)線440)，并且該導(dǎo)電路徑的第二部分可包括第二管芯404的配線(例如，導(dǎo)線443)。由導(dǎo)線443和440形成的導(dǎo)電路徑可比使用第一管芯402的第一曼哈頓配線方案414可在電子器件423、421之間形成的常規(guī)導(dǎo)電路徑446更短。由此，使用第一管芯402和第二管芯404形成的3dic堆疊可以使用在常規(guī)曼哈頓配線方案中不可用的對角布線布置。另外，由于管芯402和404中的兩者均可以使用曼哈頓配線方案制造過程來制造，因此可以避免與形成對角導(dǎo)線或者非曼哈頓配線方案相關(guān)聯(lián)的困難。

圖5是3dic堆疊500的特定解說性實(shí)施例的框圖。在圖5中，使用參照圖4引入的符號來表示第一曼哈頓配線方案414和第二曼哈頓配線方案416。在圖5中，3dic堆疊500包括第一管芯502，該第一管芯502包括根據(jù)第一曼哈頓配線方案來布置的配線。第一管芯502耦合到第二管芯504，該第二管芯504包括根據(jù)第二曼哈頓配線方案來布置的配線。在圖5中，3dic堆疊500還包括第三管芯506。第三管芯506可包括根據(jù)第一曼哈頓配線方案來布置的配線、根據(jù)第二曼哈頓配線方案來布置的配線、或者根據(jù)另一(曼哈頓或者非曼哈頓)配線方案來布置的配線。3dic堆疊500還可包括一個或多個附加管芯508。該一個或多個附加管芯508中的每一者可包括根據(jù)第一曼哈頓配線方案來布置的配線、根據(jù)第二曼哈頓配線方案來布置的配線、或者根據(jù)另一(曼哈頓或者非曼哈頓)配線方案來布置的配線。因此，3dic堆疊500中的管芯502-508可以使用在常規(guī)曼哈頓配線方案中不可用的對角導(dǎo)電路徑，同時避免與制造具有非曼哈頓配線方案的器件相關(guān)聯(lián)的困難。

3dic堆疊500中的管芯502-508中的一者或多者可包括在兩個相對側(cè)面上的接合接口。例如，第二管芯504可包括在毗鄰于第一管芯502的側(cè)面上的、包含多個接合焊盤的第一接合接口，并且第二管芯504可包括在毗鄰于第三管芯506的側(cè)面上的、包含多個接合焊盤的第二接合接口。在一特定實(shí)施例中，第二管芯504包括在第一接合接口與第二接合接口之間的一個或多個貫通孔(例如，穿硅通孔(tsv))。在該實(shí)施例中，第一管芯502和第三管芯506可電連接而無需使用第二管芯504的配線。替換地，第二管芯504的配線可用于提供第一管芯502與第三管芯506之間的信號路徑的至少一部分。另外，管芯502-508中的一者或多者可包括外部接口。例如，第一管芯502可包括在與第二管芯504相對的側(cè)面上的外部接口。在該示例中，外部接口可用于將3dic堆疊500與該3dic堆疊外部的器件電連接。為了解說，外部接口可用于提供引腳輸出連接以用于封裝3dic堆疊。

圖6是形成三維集成電路堆疊的方法600的特定解說性實(shí)施例的流程圖。例如，方法600可用于形成圖1-3的三維集成電路(ic)堆疊、或者圖5的三維ic堆疊500。

方法600包括：在602處，對準(zhǔn)第一管芯的第一接合接口和第二管芯的第二接合接口。例如，第一接合接口可包括第一管芯的多個接合焊盤，并且第二接合接口可包括第二管芯的多個接合焊盤。為了解說，第一接合接口可包括圖1-3的接合焊盤116-118，并且第二接合接口可包括圖1-3的接合焊盤130-132。作為另一示例，第一接合接口可包括圖4的第一管芯402的接合焊盤，并且第二接合接口可包括圖4的第二管芯404的接合焊盤。

在方法600中，第一管芯包括耦合到第一接合接口、具有第一布局取向的第一組配線，并且第二管芯包括耦合到第二接合接口、具有第二布局取向的第二組配線。例如，第一管芯106可包括圖1的第一配線103，并且第二管芯108可包括圖1的第二配線105。在該示例中，第一配線103可根據(jù)與第一方向152和第二方向153相關(guān)聯(lián)的布局取向來布置，并且第二配線105可根據(jù)與第三方向150和第四方向151相關(guān)聯(lián)的布局取向來布置。為了解說，第一配線103可根據(jù)第一曼哈頓布線方案來布置，并且第二配線105可根據(jù)第二曼哈頓布線方案來布置。當(dāng)?shù)谝唤雍辖涌诤偷诙雍辖涌趯?zhǔn)時，第一布局取向與第二布局取向之間的角度差大于或等于5度并且小于或等于85度。例如，角度差可在40度至50度之間(例如，大約45度)。

方法600還包括：在604處，電連接第一接合接口和第二接合接口。例如，可向接合接口中的一者或兩者施加焊料?？杉訜?例如，使用回流工藝)焊料以電連接(并且物理地連接)各接合接口。由此，方法600實(shí)現(xiàn)了形成三維集成電路堆疊以使得該三維集成電路堆疊包括根據(jù)兩個或更多個不同曼哈頓配線方案來布置的配線。這兩個或更多個不同曼哈頓配線方案可使得電路器件能夠經(jīng)由比使用單個曼哈頓布線方案可達(dá)到的導(dǎo)電路徑更短的導(dǎo)電路徑彼此耦合。

方法600可被擴(kuò)展成形成具有兩個以上管芯的3dic堆疊。例如，方法600可用于形成圖5的3dic堆疊500。

圖7是使用三維集成電路堆疊來路由信號的方法700的第一特定解說性實(shí)施例的流程圖。例如，圖1-3的三維集成電路(ic)堆疊、或者圖5的三維ic堆疊500可根據(jù)方法700來路由信號。

方法700包括：在702處，使用第一組導(dǎo)線中的第一導(dǎo)線在第一管芯中路由信號。第一組導(dǎo)線根據(jù)第一布局取向來布置。例如，第一組導(dǎo)線可對應(yīng)于圖1-3的第一配線103，該第一配線103根據(jù)第一曼哈頓配線方案來布置。

方法700還包括：在704處，將信號從第一管芯的第一接合接口路由到第二管芯的第二接合接口。例如，信號可從圖1-3的第一配線103中的導(dǎo)線被路由到圖1-3的第一管芯106的接合焊盤116。接合焊盤116可電耦合到第二管芯108的接合焊盤130。因此，信號可被路由到第二管芯108的接合焊盤130。

方法700還包括：在706處，使用第二組導(dǎo)線中的第二導(dǎo)線在第二管芯中路由信號。第二組導(dǎo)線可根據(jù)第二布局取向來布置。例如，在圖1-3的第二管芯108的接合焊盤130處接收到的信號可通過第二配線105中的一條或多條導(dǎo)線被路由。如上面解釋的，第二配線105可根據(jù)與第一配線103不同的布局取向來布置。例如，第一管芯和第二管芯可被堆疊成使得第一布局取向與第二布局取向之間的角度差大于或等于5度并且小于或等于85度。由此，方法700實(shí)現(xiàn)了在三維集成電路堆疊中的兩個或更多個管芯內(nèi)路由信號。這兩個或更多個管芯可具有不同的曼哈頓配線方案，以使得各電路器件能夠經(jīng)由比使用單個曼哈頓布線方案可達(dá)到的導(dǎo)電路徑更短的導(dǎo)電路徑彼此耦合。

盡管方法700解說了在3dic堆疊中的兩個管芯中路由信號，但方法700可被擴(kuò)展成在3dic堆疊中的兩個以上管芯中路由信號。例如，方法700可被擴(kuò)展成將信號從圖5的3dic堆疊500中的第一管芯502路由到第三管芯506。在該示例中，各管芯中的一個或多個管芯(例如，第二管芯504)可包括穿硅通孔，這些穿硅通孔連接到第一管芯502的接合焊盤和第三管芯506的接合焊盤。替換地，第二管芯504的配線可用于提供第一管芯502與第三管芯506之間的信號路徑的至少一部分。

圖8是使用三維集成電路堆疊來路由信號的方法800的第二特定解說性實(shí)施例的流程圖。例如，圖1-3的三維集成電路(ic)堆疊、或者圖5的三維ic堆疊500可根據(jù)方法800來路由信號。

方法800包括：在802處，使用第一組導(dǎo)線中的第一導(dǎo)線將信號從第一管芯的第一電子器件路由到第一管芯的第一接合焊盤。例如，信號可經(jīng)由第一配線103中的一條或多條導(dǎo)線從圖1-3的第一管芯106的第三電子器件160被路由到接合焊盤116。

方法800包括：在804處，將信號從第一接合焊盤路由到第二管芯的第二接合焊盤。例如，圖1-3的第一管芯106的接合焊盤116可電耦合到第二管芯108的接合焊盤130。因此，信號可從接合焊盤116被路由到接合焊盤130。

方法800包括：在806處，使用第二組導(dǎo)線中的第二導(dǎo)線在第二管芯中將信號從第二接合焊盤路由到第二管芯的第三接合焊盤。第二組導(dǎo)線根據(jù)曼哈頓配線方案來布置。例如，信號可經(jīng)由第二配線105中的一條或多條導(dǎo)線從圖1-3的第二管芯108的接合焊盤130被路由到接合焊盤132。

方法800包括：在808處，將信號從第三接合焊盤路由到第一管芯的第四接合焊盤。例如，圖1-3的第二管芯108的接合焊盤132可電耦合到第一管芯106的接合焊盤118。因此，信號可從接合焊盤132被路由到接合焊盤118。

方法800包括：在810處，使用第一組導(dǎo)線中的第三導(dǎo)線將信號從第四接合焊盤路由到第一管芯的第二電子器件。例如，信號可經(jīng)由第一配線103中的一條或多條導(dǎo)線從接合焊盤132被路由到圖1-3的第一管芯106的第四電子器件162。由此，方法800實(shí)現(xiàn)了使用三維集成電路堆疊中的兩個或更多個管芯的配線在單個管芯的兩個電子器件之間路由信號。這兩個或更多個管芯可具有不同的配線取向(例如，不同的曼哈頓配線方案)，以使得各電路器件能夠經(jīng)由比使用單個曼哈頓布線方案可達(dá)到的導(dǎo)電路徑更短的導(dǎo)電路徑彼此耦合。

盡管方法800解說了使用3dic堆疊中的第二管芯的配線在單個管芯的兩個電子器件之間路由信號，但方法800可被擴(kuò)展成使用3dic堆疊中的兩個或更多個管芯的配線來路由信號。例如，方法800可被擴(kuò)展成：使用圖5的3dic堆疊中的第二管芯504的配線和第三管芯506的配線，將信號從第一管芯502的第一電子器件路由到第一管芯502的第二電子器件。

圖9是使用三維集成電路堆疊來路由信號的方法900的第三特定解說性實(shí)施例的流程圖。例如，圖1-3的三維集成電路(ic)堆疊、或者圖5的三維ic堆疊500可根據(jù)方法900來路由信號。

方法900包括：在902處，使用第一組導(dǎo)線在第一管芯中路由信號，該第一組導(dǎo)線根據(jù)第一曼哈頓配線方案被布置在第一多個互連層中。例如，第一組導(dǎo)線可對應(yīng)于圖1-3的第一配線103，該第一配線103根據(jù)第一曼哈頓配線方案被布置在多個互連層中。

方法900包括：在904處，將信號從第一管芯的第一接合接口路由到第二管芯的第二接合接口。例如，信號可從圖1-3的第一配線103中的導(dǎo)線被路由到圖1-3的第一管芯106的接合焊盤116。接合焊盤116可電耦合到第二管芯108的接合焊盤130。因此，信號可被路由到第二管芯108的接合焊盤130。

方法900包括：在906處，使用第二組導(dǎo)線在第二管芯中路由信號，該第二組導(dǎo)線根據(jù)第二曼哈頓配線方案被布置在第二多個互連層中。第一管芯和第二管芯被堆疊成使得第一曼哈頓配線方案和第二曼哈頓配線方案相對于彼此是非曼哈頓的。例如，第二組導(dǎo)線可對應(yīng)于圖1-3的第二布線105，該第二配線105根據(jù)第二曼哈頓配線方案被布置在多個互連層中。在圖1-3的第二管芯108的接合焊盤130處接收到的信號可通過第二配線105中的一條或多條導(dǎo)線被路由。如上面解釋的，第一管芯和第二管芯可被堆疊成使得第一曼哈頓配線方案和第二曼哈頓配線方案相對于彼此是非曼哈頓的。為了解說，第一管芯和第二管芯可被堆疊成使得在第一布局取向與第二布局取向之間存在非90度角。由此，方法900實(shí)現(xiàn)了在三維集成電路堆疊中的兩個或更多個管芯內(nèi)路由信號。這兩個或更多個管芯可具有不同的曼哈頓配線方案，以使得各電路器件能夠經(jīng)由比使用單個曼哈頓布線方案可達(dá)到的導(dǎo)電路徑更短的導(dǎo)電路徑彼此耦合。

盡管方法900解說了使用一個或兩個管芯的配線在兩個管芯的電子器件之間路由信號，但方法900可被擴(kuò)展成在3dic堆疊中的兩個以上管芯的電子器件之間路由信號。例如，方法900可被擴(kuò)展成：使用圖5的第二管芯504的配線、第一管芯502的配線、和/或第三管芯506的配線，將信號從第一管芯502的第一電子器件路由到第三管芯506的第二電子器件。作為另一示例，方法900可被擴(kuò)展成：使用圖5的第二管芯504的配線、第一管芯502的配線、和/或第三管芯506的配線，將信號從第一管芯502的第一電子器件路由到第二管芯504的第二電子器件和第三管芯506的第三電子器件。

參照圖10，描繪了一設(shè)備的特定解說性實(shí)施例的框圖并將其一般性地標(biāo)示為1000。設(shè)備1000包括耦合到存儲器1032的處理器，諸如數(shù)字信號處理器(dsp)1012。在一特定實(shí)施例中，dsp1012是3dic堆疊1010的一部分。3dic堆疊1010可包括dsp1012可訪問的高速緩存1018。3dic堆疊還可包括其他存儲器或處理組件，諸如gpu1014、cpu1016、或兩者。3dic堆疊1010可由多個管芯形成。3dic堆疊1010中的每個管芯可包括根據(jù)曼哈頓配線方案來布置的配線；然而，當(dāng)被堆疊時，曼哈頓配線方案彼此成角度地偏移。例如，3dic堆疊1010可包括或?qū)?yīng)于圖1-3的3dic堆疊100，使用圖4的管芯402、404形成的3dic堆疊，或者圖5的3dic堆疊500。

圖10還示出了顯示控制器1026，該顯示控制器1026耦合到dsp1012、gpu1014、cpu1016、或者其組合、以及顯示器1028。編碼器/解碼器(codec)1034也可耦合到dsp1012、gpu1014、cpu1016、或者其組合。揚(yáng)聲器1036和話筒1038可以耦合到codec1034。

圖10還指示無線控制器1040可以耦合到dsp1012、gpu1014、cpu1016、或者其組合、以及天線1042。在一特定實(shí)施例中，3dic堆疊1010、顯示控制器1026、存儲器1032、codec1034、以及無線控制器1040被包括在系統(tǒng)級封裝或片上系統(tǒng)設(shè)備1022中。在一特定實(shí)施例中，輸入設(shè)備1030和電源1044耦合到片上系統(tǒng)設(shè)備1022。此外，在一特定實(shí)施例中，如圖10中所解說的，顯示器1028、輸入設(shè)備1030、揚(yáng)聲器1036、話筒1038、天線1042和電源1044在片上系統(tǒng)設(shè)備1022外部。然而，顯示器1028、輸入設(shè)備1030、揚(yáng)聲器1036、話筒1038、天線1042和電源1044中的每一者可以耦合到片上系統(tǒng)設(shè)備1022的組件，諸如接口或控制器。

結(jié)合所描述的各實(shí)施例，公開了一種器件，該器件可包括用于在第一管芯中路由信號的第一組裝置，其中該用于路由信號的第一組裝置根據(jù)第一布局取向來布置并且耦合到用于對接的第一裝置。例如，用于路由信號的第一組裝置可對應(yīng)于或包括圖1-3的第一配線103、根據(jù)圖4和5的第一曼哈頓配線方案414來布置的配線、一個或多個其他器件或電路、或者其任何組合。用于對接的第一裝置可包括或?qū)?yīng)于圖1-3的接合焊盤116-118、圖4的接合接口、一個或多個其他器件或電路、或者其任何組合。該器件還可包括用于在第二管芯中路由信號的第二組裝置，其中，用于路由信號的第二組裝置根據(jù)第二布局取向來布置并且耦合到用于對接的第二裝置。例如，用于路由信號的第二組裝置可對應(yīng)于或包括圖1-3的第二配線105、根據(jù)圖4和5的第二曼哈頓配線方案416來布置的配線、一個或多個其他器件或電路、或者其任何組合。用于對接的第二裝置可包括或?qū)?yīng)于圖1-3的接合焊盤130-132、圖4的接合接口、一個或多個其他器件或電路、或者其任何組合。在該器件中，用于對接的第一裝置耦合到用于對接的第二裝置，以使得第一布局取向與第二布局取向之間的角度差大于或等于5度并且小于或等于85度。

結(jié)合所描述的各實(shí)施例，公開了一種器件，該器件可包括用于在第一管芯中路由信號的第一組裝置，其中該用于路由信號的第一組裝置根據(jù)第一曼哈頓配線方案被布置在第一多個互連層中。例如，用于路由信號的第一組裝置可對應(yīng)于或包括圖1-3的第一配線103、根據(jù)圖4和5的第一曼哈頓配線方案414來布置的配線、一個或多個其他器件或電路、或者其任何組合。該器件還可包括用于在第二管芯中路由信號的第二組裝置，其中，用于路由信號的第二組裝置根據(jù)第二曼哈頓配線方案被布置在第二多個互連層中。例如，用于路由信號的第二組裝置可對應(yīng)于或包括圖1-3的第二配線105、根據(jù)圖4和5的第二曼哈頓配線方案416來布置的配線、一個或多個其他器件或電路、或者其任何組合。在該器件中，第一多個互連層可電連接到第二多個互連層，并且第一管芯和第二管芯可被堆疊成使得第一曼哈頓配線方案和第二曼哈頓配線方案相對于彼此是非曼哈頓的。

前述公開的器件和功能性可被設(shè)計和配置在存儲于計算機(jī)可讀介質(zhì)上的計算機(jī)文件(例如，rtl、gdsii、gerber等)中。一些或全部此類文件可被提供給基于此類文件來制造器件的制造處理人員。結(jié)果得到的產(chǎn)品包括半導(dǎo)體晶片，其隨后被切割成半導(dǎo)體管芯并被封裝成半導(dǎo)體芯片。這些芯片隨后可被用在上述設(shè)備中。圖11描繪了電子設(shè)備制造過程1100的特定解說性實(shí)施例。

在制造過程1100處(諸如在研究計算機(jī)1106處)接收物理器件信息1102。物理器件信息1102可包括表示某一器件(諸如包括具有不同配線方案的多個管芯的3dic堆疊(例如，圖1的3dic堆疊100，使用圖4的管芯402、404形成的3dic堆疊，圖5的3dic堆疊500，或者其任何組合))的至少一個物理性質(zhì)的設(shè)計信息。例如，物理器件信息1102可包括經(jīng)由耦合到研究計算機(jī)1106的用戶接口1104輸入的物理參數(shù)、材料特性、以及結(jié)構(gòu)信息。研究計算機(jī)1106包括耦合到計算機(jī)可讀介質(zhì)(諸如存儲器1110)的處理器1108，諸如一個或多個處理核。存儲器1110可存儲計算機(jī)可讀指令，其可被執(zhí)行以使處理器1108變換物理器件信息1102以遵循某一文件格式并生成庫文件1112。

在一特定實(shí)施例中，庫文件1112包括至少一個包括經(jīng)變換的設(shè)計信息的數(shù)據(jù)文件。例如，庫文件1112可包括被提供以供與電子設(shè)計自動化(eda)工具1120一起使用的包括某一器件(該器件包括包含具有不同配線方案的多個管芯的3dic堆疊(例如，圖1的3dic堆疊100，使用圖4的管芯402、404形成的3dic堆疊，圖5的3dic堆疊500，或者其任何組合))的半導(dǎo)體器件的庫。

庫文件1112可在設(shè)計計算機(jī)1114處與eda工具1120協(xié)同使用，設(shè)計計算機(jī)1114包括耦合到存儲器1118的處理器1116，諸如一個或多個處理核。eda工具1120可被存儲為存儲器1118處的處理器可執(zhí)行指令，以使得設(shè)計計算機(jī)1114的用戶能夠設(shè)計庫文件1112的電路，該電路包括包含具有不同配線方案的多個管芯的3dic堆疊(例如，圖1的3dic堆疊100，使用圖4的管芯402、404形成的3dic堆疊，圖5的3dic堆疊500，或者其任何組合)。例如，設(shè)計計算機(jī)1114的用戶可經(jīng)由耦合到設(shè)計計算機(jī)1114的用戶接口1124來輸入電路設(shè)計信息1122。電路設(shè)計信息1122可包括表示半導(dǎo)體器件(諸如包括具有不同配線方案的多個管芯的3dic堆疊(例如，圖1的3dic堆疊100，使用圖4的管芯402、404形成的3dic堆疊，圖5的3dic堆疊500，或者其任何組合)中的一個或多個管芯)的至少一個物理性質(zhì)的設(shè)計信息。為了解說，電路設(shè)計性質(zhì)可包括特定電路的標(biāo)識以及與電路設(shè)計中其他元件的關(guān)系、定位信息、特征尺寸信息、互連信息、或表示半導(dǎo)體器件的物理性質(zhì)的其他信息。

設(shè)計計算機(jī)1114可被配置成變換設(shè)計信息(包括電路設(shè)計信息1122)以遵循某一文件格式。為了解說，文件形成可包括以分層格式表示關(guān)于電路布局的平面幾何形狀、文本標(biāo)記、以及其他信息的數(shù)據(jù)庫二進(jìn)制文件格式，諸如圖形數(shù)據(jù)系統(tǒng)(gdsii)文件格式。設(shè)計計算機(jī)1114可被配置成生成包括經(jīng)變換的設(shè)計信息的數(shù)據(jù)文件，諸如包括描述包含具有不同配線方案的多個管芯的3dic堆疊(例如，圖1的3dic堆疊100，使用圖4的管芯402、404形成的3dic堆疊，圖5的3dic堆疊500，或者其任何組合)的信息以及其它電路或信息的gdsii文件1126。為了解說，數(shù)據(jù)文件可包括與片上系統(tǒng)(soc)相對應(yīng)的信息，該soc包括包含具有不同配線方案的多個管芯的3dic堆疊(例如，圖1的3dic堆疊100，使用圖4的管芯402、404形成的3dic堆疊，圖5的3dic堆疊500，或者其任何組合)，并且還包括該soc內(nèi)的附加電子電路和組件。

可在制造過程1128處接收gdsii文件1126，以根據(jù)gdsii文件1126中的經(jīng)變換的信息來制造包括具有不同配線方案的多個管芯的3dic堆疊(例如，圖1的3dic堆疊100，使用圖4的管芯402、404形成的3dic堆疊，圖5的3dic堆疊500，或者其任何組合)。例如，器件制造過程可包括將gdsii文件1126提供給掩模制造商1130以創(chuàng)建一個或多個掩模，諸如用于與光刻處理聯(lián)用的掩模，其被解說為代表性掩模1132。掩模1132可在制造過程期間被用于生成一個或多個晶片1134，晶片1134可被測試并被分成管芯，諸如代表性管芯1136。管芯1136中的兩個或更多個管芯可被堆疊以形成包括具有不同配線方案的多個管芯的3dic堆疊(例如，圖1的3dic堆疊100，使用圖4的管芯402、404形成的3dic堆疊，圖5的3dic堆疊500，或者其任何組合)。

3dic堆疊可被提供給封裝過程1138，其中3dic堆疊被納入到代表性封裝1140中。例如，封裝1140可包括系統(tǒng)級封裝(sip)布置中的多個管芯。封裝1140可被配置成遵循一個或多個標(biāo)準(zhǔn)或規(guī)范，諸如電子器件工程聯(lián)合委員會(jedec)標(biāo)準(zhǔn)。

關(guān)于封裝1140的信息可被分發(fā)給各產(chǎn)品設(shè)計者(諸如經(jīng)由存儲在計算機(jī)1146處的組件庫)。計算機(jī)1146可包括耦合到存儲器1150的處理器1148，諸如一個或多個處理核。印刷電路板(pcb)工具可作為處理器可執(zhí)行指令被存儲在存儲器1150處，以處理經(jīng)由用戶接口1144從計算機(jī)1146的用戶接收的pcb設(shè)計信息1142。pcb設(shè)計信息1142可包括經(jīng)封裝半導(dǎo)體器件在電路板上的物理定位信息，該經(jīng)封裝半導(dǎo)體器件對應(yīng)于包括包含具有不同配線方案的多個管芯的3dic堆疊(例如，圖1的3dic堆疊100，使用圖4的管芯402、404形成的3dic堆疊，圖5的3dic堆疊500，或者其任何組合)的封裝1140。

計算機(jī)1146可被配置成變換pcb設(shè)計信息1142以生成數(shù)據(jù)文件，諸如具有包括經(jīng)封裝的半導(dǎo)體器件在電路板上的物理定位信息、以及電連接(諸如跡線和通孔)的布局的數(shù)據(jù)的gerber文件1152，其中經(jīng)封裝半導(dǎo)體器件對應(yīng)于包括包含具有不同配線方案的多個管芯的3dic堆疊(例如，圖1的3dic堆疊100，使用圖4的管芯402、404形成的3dic堆疊，圖5的3dic堆疊500，或者其任何組合)的封裝1140。在其他實(shí)施例中，由經(jīng)變換的pcb設(shè)計信息生成的數(shù)據(jù)文件可具有除gerber格式以外的格式。

可在板組裝過程1154處接收gerber文件1152并且該gerber文件1152被用于創(chuàng)建pcb，諸如根據(jù)gerber文件1152內(nèi)存儲的設(shè)計信息來制造的代表性pcb1156。例如，gerber文件1152可被上傳到一個或多個機(jī)器以執(zhí)行pcb生產(chǎn)過程的各個步驟。pcb1156可填充有電子組件(包括封裝1140)以形成代表性印刷電路組裝件(pca)1158。

可在產(chǎn)品制造過程1160處接收pca1158并將pca1158集成到一個或多個電子設(shè)備中，諸如第一代表性電子設(shè)備1162和第二代表性電子設(shè)備1164。作為解說性而非限定性示例，第一代表性電子設(shè)備1162、第二代表性電子設(shè)備1164、或這兩者可選自以下各項的組：機(jī)頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航設(shè)備、通信設(shè)備、個人數(shù)字助理(pda)、固定位置數(shù)據(jù)單元、以及計算機(jī)，其中集成有包括具有不同配線方案的多個管芯的3dic堆疊(例如，圖1的3dic堆疊100，使用圖4的管芯402、404形成的3dic堆疊，圖5的3dic堆疊500，或者其任何組合)。作為另一解說性而非限定性示例，電子設(shè)備1162和1164中的一者或多者可以是遠(yuǎn)程單元(諸如移動電話)、手持式個人通信系統(tǒng)(pcs)單元、便攜式數(shù)據(jù)單元(諸如個人數(shù)據(jù)助理)、啟用全球定位系統(tǒng)(gps)的設(shè)備、導(dǎo)航設(shè)備、固定位置數(shù)據(jù)單元(諸如儀表讀數(shù)裝備)、或者存儲或檢索數(shù)據(jù)或計算機(jī)指令的任何其他設(shè)備、或其任何組合。盡管圖11解說了根據(jù)本公開的教導(dǎo)的遠(yuǎn)程單元，但本公開不限于這些所解說的單元。本公開的各實(shí)施例可合適地用在包括包含存儲器和片上電路系統(tǒng)的有源集成電路系統(tǒng)的任何設(shè)備中。

一種包括包含具有不同配線方案的多個管芯的3dic堆疊(例如，圖1的3dic堆疊100，使用圖4的管芯402、404形成的3dic堆疊，圖5的3dic堆疊500，或者其任何組合)的器件可以被制造、處理并納入到電子設(shè)備中，如在解說性過程1100中所描述的。關(guān)于圖1-10所公開的各實(shí)施例的一個或多個方面可被包括在各個處理階段，諸如被包括在庫文件1112、gdsii文件1126、以及gerber文件1152內(nèi)，以及被存儲在研究計算機(jī)1106的存儲器1110、設(shè)計計算機(jī)1114的存儲器1118、計算機(jī)1146的存儲器1150、在各個階段(諸如在板組裝過程1154處)使用的一個或多個其他計算機(jī)或處理器(未示出)的存儲器處，并且還被納入到一個或多個其他物理實(shí)施例中，諸如掩模1132、管芯1136、封裝1140、pca1158、其他產(chǎn)品(諸如原型電路或設(shè)備(未示出))、或其任何組合。盡管描繪了從物理器件設(shè)計到最終產(chǎn)品的各個代表性生產(chǎn)階段，但在其他實(shí)施例中可使用較少的階段或可包括附加階段。類似地，過程1100可由單個實(shí)體或者由執(zhí)行過程1100的各個階段的一個或多個實(shí)體來執(zhí)行。

技術(shù)人員將進(jìn)一步領(lǐng)會，結(jié)合本文所公開的實(shí)施例來描述的各種解說性邏輯框、配置、模塊、電路、和算法步驟可被實(shí)現(xiàn)為電子硬件、由處理器執(zhí)行的計算機(jī)軟件、或這兩者的組合。各種解說性組件、框、配置、模塊、電路、和步驟已經(jīng)在上文以其功能性的形式作了一般化描述。此類功能性是被實(shí)現(xiàn)為硬件還是處理器可執(zhí)行指令取決于具體應(yīng)用和加諸于整體系統(tǒng)的設(shè)計約束。技術(shù)人員可針對每種特定應(yīng)用以不同方式來實(shí)現(xiàn)所描述的功能性，但此類實(shí)現(xiàn)決策不應(yīng)被解讀為致使脫離本公開的范圍。

結(jié)合本文所公開的實(shí)施例描述的方法或算法的各步驟可直接在硬件、由處理器執(zhí)行的軟件模塊、或這兩者的組合中體現(xiàn)。軟件模塊可駐留在隨機(jī)存取存儲器(ram)、閃存、只讀存儲器(rom)、可編程只讀存儲器(prom)、可擦式可編程只讀存儲器(eprom)、電可擦式可編程只讀存儲器(eeprom)、寄存器、硬盤、可移動盤、壓縮盤只讀存儲器(cd-rom)、或本領(lǐng)域中所知的任何其他形式的非瞬態(tài)存儲介質(zhì)中。示例性存儲介質(zhì)耦合到處理器，以使該處理器能從/向該存儲介質(zhì)讀寫信息。在替換方案中，存儲介質(zhì)可以被整合到處理器。處理器和存儲介質(zhì)可駐留在專用集成電路(asic)中。asic可駐留在計算設(shè)備或用戶終端中。在替換方案中，處理器和存儲介質(zhì)可作為分立組件駐留在計算設(shè)備或用戶終端中。

提供前面對所公開的實(shí)施例的描述是為了使本領(lǐng)域技術(shù)人員皆能制作或使用所公開的實(shí)施例。對這些實(shí)施例的各種修改對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言將是顯而易見的，并且本文所定義的原理可被應(yīng)用于其他實(shí)施例而不會脫離本公開的范圍。由此，本公開并非旨在被限定于本文所示出的實(shí)施例，而是應(yīng)被授予與如由所附權(quán)利要求定義的原理和新穎性特征一致的最廣的可能范圍。