本發(fā)明涉及集成電路技術領域，更準確的說涉及一種復位控制模塊及復位方法。

背景技術：

在數(shù)字信號處理的應用系統(tǒng)設計中，復位處理是一個基本但又極為關鍵的問題。復位是將電路中保持狀態(tài)的時序器件初始化，從而使電路的狀態(tài)初始化。在進行電路系統(tǒng)設計時，每個系統(tǒng)都需要有一個能夠正確復位整個系統(tǒng)的控制單元，在系統(tǒng)上電時對系統(tǒng)中各單元電路和芯片進行全局的復位控制。對于芯片來說，也需要保證芯片在上電時進行復位，初始化芯片內(nèi)部的各個部分，以保證芯片內(nèi)部各部分進入一個確定的狀態(tài)。在電路系統(tǒng)設計時，一般在系統(tǒng)內(nèi)設置專用的復位芯片，該專用復位芯片結合外圍電路組成復位控制電路，該復位控制電路輸出全局復位控制信號，對系統(tǒng)內(nèi)所有的芯片進行復位。相應地，在設計芯片時，需要專門設計一個復位控制管腳，通過此復位控制管腳，系統(tǒng)的全局復位控制信號能夠輸入芯片，使芯片復位。由于單獨設置復位芯片需要從外部控制芯片的復位，增加了電路設計的難度，同時增加了制造成本。為了解決上述問題，現(xiàn)有的解決方式是在芯片中集成復位控制芯片，實現(xiàn)芯片的自復位，同時通過一個芯片控制各單元電路的復位，電路設計更加簡潔，效率更高。現(xiàn)有的芯片控制模塊在進行復位時，會對芯片內(nèi)部所有邏輯進行復位，不會對需要復位的類型進行區(qū)分，而當芯片內(nèi)部具有如閃存模塊這一類復雜的模擬模塊時，該類模擬模塊的初始化會耗費較長時間，如果每次復位均為長復位，則上述模擬模塊每次復位均需要耗費較長的時間進行初始化，嚴重影響芯片的效率，進而影響電路的工作效率。

技術實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種復位控制模塊，所述復位控制模塊集成于芯片中，芯片中包括至少一個功能模塊，所述復位控制模塊通過寄存器配置內(nèi)容判斷所需復位類型，控制芯片中功能模塊進行長復位或短復位，減少不必要的模塊初始化時間，提高芯片工作效率。

本發(fā)明的另一個目的在于提供一種復位方法，所述復位方法通過檢測芯片中功能模塊所需的復位類型，通過復位控制芯片控制各個功能模塊進行相應的復位，過程簡單，方便實施。

為了達到上述目的，本發(fā)明提供一種復位控制模塊，集成于芯片中，所述芯片還包括至少一功能模塊，所述復位控制模塊與所述功能模塊之間存在信息傳遞，所述復位控制模塊收集所有所述功能模塊的復位信息，并且所述復位控制模塊根據(jù)所述寄存器配置內(nèi)容判斷所述功能模塊所需要的復位方式，并控制所述功能模塊進行長復位或者短復位。

優(yōu)選地，所述復位控制模塊具有一狀態(tài)機，所述狀態(tài)機具有一狀態(tài)0、一狀態(tài)1、一狀態(tài)2、一狀態(tài)3以及一空閑狀態(tài)，所述復位控制模塊按照所述寄存器配置內(nèi)容來判斷和控制所述功能模塊的復位方式。

優(yōu)選地，所述狀態(tài)0的進入條件為：發(fā)生上電復位或不可恢復的復位事件；所述狀態(tài)0的退出條件為:上電復位結束、不可恢復的復位事件結束、內(nèi)部快速晶振已經(jīng)運行10個周期以上并且電壓穩(wěn)壓器能夠穩(wěn)定提供電壓給所述芯片的內(nèi)部邏輯。

優(yōu)選地，所述狀態(tài)1的進入條件為：發(fā)生有效的長復位事件或者滿足狀態(tài)0的退出條件；所述狀態(tài)1的退出條件為：有效的長復位事件結束并且內(nèi)部快速晶振在狀態(tài)1下運行時間超過閃存模塊要求的recall時間。

優(yōu)選地，所述狀態(tài)2的進入條件為：滿足狀態(tài)1的退出條件。所述狀態(tài)2的退出條件為：所述功能模塊初始化結束。

優(yōu)選地，所述狀態(tài)3的進入條件為：發(fā)生有效的短復位事件或者滿足狀態(tài)2的退出條件；所述狀態(tài)3的退出條件為：有效的短復位事件結束并且復位端口已被釋放。

優(yōu)選地，所述空閑狀態(tài)的進入條件為：滿足狀態(tài)3的退出條件；所述空閑狀態(tài)的退出條件為：發(fā)生上電復位、不可恢復的復位事件、有效的長復位事件或者有效的短復位事件。

本發(fā)明還提供一種復位方法的流程示意圖，所述復位方法基于所述復位控制模塊11，包括步驟：

(A)復位控制模塊檢測并判斷功能模塊所需復位方式；

(B)復位控制模塊控制功能模塊進行長復位或短復位。

與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明公開的一種復位控制模塊和復位方法的優(yōu)點在于：所述復位控制模塊集成于芯片內(nèi)，控制芯片內(nèi)集成的功能模塊進行復位，同時控制集成電路的復位，電路集成化高，芯片效率高；所述復位控制模塊通過區(qū)分功能模塊所需要進行的復位類型控制其復位，大大縮短了復位所需時間，芯片工作效率大幅提高；所述復位方法基于所述復位控制模塊，過程簡單，方便實施。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

如圖1所示為本發(fā)明的一種復位控制模塊集成于芯片中的示意圖。

如圖2所示為所述復位控制模塊的復位狀態(tài)機的示意圖。

如圖3所示為本發(fā)明的一種復位方法的流程示意圖。

具體實施方式

如圖1所示，本發(fā)明的一種復位控制模塊11集成于一芯片10內(nèi)，所述芯片10還集成了至少一個功能模塊12，所述復位控制模塊11與各個所述功能模塊12之間分別存在信息傳遞。所述復位控制模塊11收集所有所述功能模塊12的復位信息，并且所述復位控制模塊11根據(jù)收集到的信息判斷所述功能模塊12所需要的復位方式，并控制所述功能模塊12進行復位。所述復位控制模塊11將復位方式分為長復位和短復位兩種方式。當所述功能模塊12為例如閃存模塊等復雜的模擬模塊時，對其進行長復位需要對其進行初始化，耗時較長，當僅需對所述功能模塊12部分邏輯進行復位時，所述復位控制模塊11控制其進行短復位，省略所述功能模塊12的初始化過程，縮短復位時間，提高了所述芯片10的工作效率。

如圖2所示為所述復位控制模塊11的復位狀態(tài)機示意圖，具有5個狀態(tài)，分別為狀態(tài)0(PHASE0)、狀態(tài)1(PHASE1)、狀態(tài)2(PHASE2)、狀態(tài)3(PHASE3)和空閑狀態(tài)(IDLE)。所述復位控制模塊11按照狀態(tài)機來判斷和控制復位方式。上述狀態(tài)均具有一進入條件和一退出條件，所述復位控制模塊11在不同的條件下進入或退出特定狀態(tài)。下面以所述功能模塊12為閃存模塊時的情況對所述復位狀態(tài)機進行說明。所述復位狀態(tài)機中狀態(tài)0的進入條件為：發(fā)生上電復位或不可恢復的復位事件。其中上電復位為所述芯片10剛接通電源后的復位，此時所述芯片10的所有邏輯都會進行復位，閃存模塊會進行recall，然后進行初始化過程。不可恢復的復位事件指的是會造成關鍵寄存器和存儲單元內(nèi)容丟失的時間，這種情況下復位處理方式與上電復位相同，所述芯片10的所有邏輯均會進行復位，閃存模塊會進行recall，然后進行初始化過程。所述復位狀態(tài)機中狀態(tài)0的退出條件為：上電結束；不可恢復的復位事件結束；內(nèi)部快速晶振已經(jīng)運行10個周期以上；電壓穩(wěn)壓器能夠穩(wěn)定提供電壓給所述芯片10的內(nèi)部邏輯。所述狀態(tài)1的進入條件為：發(fā)生有效的長復位事件或者滿足狀態(tài)0的退出條件。所述狀態(tài)1的退出條件為：有效的長復位事件結束并且內(nèi)部快速晶振在狀態(tài)1下運行時間超過閃存模塊要求的recall時間。所述狀態(tài)2的進入條件為：滿足狀態(tài)1的退出條件。所述狀態(tài)2的退出條件為：閃存模塊初始化結束。所述狀態(tài)3的進入條件為：發(fā)生有效的短復位事件或者滿足狀態(tài)2的退出條件。所述狀態(tài)3的退出條件為：有效的短復位事件結束并且復位端口已被釋放。其中復位端口在任何復位發(fā)生時，都會被所述芯片10拉至低電平來向外界指示所述芯片10內(nèi)部發(fā)生了復位。所述空閑狀態(tài)的進入條件為：滿足狀態(tài)3的退出條件。所述空閑狀態(tài)的退出條件為：發(fā)生上電復位、不可恢復的復位事件、有效的長復位事件或者有效的短復位事件。退出所述空閑狀態(tài)后，根據(jù)不同的退出條件，所述復位狀態(tài)機進入其他不同的狀態(tài)，例如，當發(fā)生上電復位或不可恢復的復位事件，所述復位控制模塊即由所述空閑狀態(tài)進入所述狀態(tài)0；當發(fā)生有效的長復位事件時，所述復位控制模塊即由所述空閑狀態(tài)進入所述狀態(tài)1，這一過程即為一長復位過程；當發(fā)生有效的短復位事件時，所述復位控制模塊即由所述空閑狀態(tài)進入所述狀態(tài)3，這一過程即為一短復位過程。所述長復位過程后所述閃存模塊需要再次初始化，所述短復位過程后所述閃存模塊無需初始化。所述復位控制模塊11對復位方式進行了區(qū)分，當無需進行長復位時，通過短復位完成復位過程能夠省略閃存模塊初始化過程，減少復位花費時間。

如圖3所示為本發(fā)明的一種復位方法的流程示意圖，所述復位方法基于所述復位控制模塊11，包括步驟：

(A)復位控制模塊檢測并判斷功能模塊所需復位方式；

(B)復位控制模塊控制功能模塊進行長復位或短復位。

對所公開的實施例的上述說明，使本領域專業(yè)技術人員能夠實現(xiàn)或使用本發(fā)明。對這些實施例的多種修改對本領域的專業(yè)技術人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。