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      利用計(jì)算機(jī)仿真計(jì)算被離子束轟擊的材料溫度的方法與流程

      文檔序號(hào):11729516閱讀:547來源:國(guó)知局
      利用計(jì)算機(jī)仿真計(jì)算被離子束轟擊的材料溫度的方法與流程

      本發(fā)明涉及一種計(jì)算離子束轟擊材料溫度的方法,屬于離子束應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域。



      背景技術(shù):

      離子束是在真空條件下,在離子源的離化室對(duì)惰性氣體離化后,經(jīng)過加速、集束等步驟,獲得具有一定速度并且?guī)в幸欢ㄊ艿碾x子流,用得最多的是氬離子。離子束一般應(yīng)用在以下四個(gè)方面:①離子刻蝕;②離子束濺射沉積鍍膜;③離子束濺射輔助鍍膜;④離子注入。

      在離子束對(duì)材料表面的轟擊過程中,其部分動(dòng)能轉(zhuǎn)移到被轟擊材料表面上,造成材料表面溫度上升,由于該工藝是在真空中進(jìn)行,所以非常不利于散熱(沒有對(duì)流散熱,熱傳導(dǎo)也很有限,散熱主要是以輻射的方式進(jìn)行),這可能會(huì)對(duì)被轟擊材料表面的性質(zhì)造成改變。因此,對(duì)離子束轟擊造成的熱效應(yīng)進(jìn)行研究、對(duì)被轟擊材料表面溫度上升造成危害的提前預(yù)防就顯得非常重要。

      目前,現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)于被轟擊材料表面溫度的測(cè)量,一般的測(cè)量手段都是實(shí)驗(yàn)間接測(cè)量離子束轟擊某種材料后所產(chǎn)生的溫度,而實(shí)際的測(cè)溫試驗(yàn)需要耗費(fèi)較長(zhǎng)的試驗(yàn)準(zhǔn)備時(shí)間,并且試驗(yàn)過程中試驗(yàn)數(shù)據(jù)的記錄分析和試驗(yàn)后期數(shù)據(jù)的處理也需要耗費(fèi)較長(zhǎng)時(shí)間,對(duì)實(shí)踐中被轟擊材料的溫度測(cè)量造成了很多麻煩,浪費(fèi)人力物力。



      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      為了解決上述問題,克服人工實(shí)驗(yàn)測(cè)量被轟擊材料溫度的不便,本發(fā)明提供了一種利用計(jì)算機(jī)仿真計(jì)算被離子束轟擊的材料溫度的方法,本發(fā)明原理是利用計(jì)算機(jī)仿真技術(shù),通過熱力學(xué)仿真分析,模擬仿真出被離子束轟擊材料的溫度隨時(shí)間變化的曲線,在實(shí)際使用時(shí)只需要改變被轟擊材料的參數(shù),便可得到某種被轟擊材料的溫度曲線,而不需要每次都做實(shí)際的測(cè)溫試驗(yàn)。

      本發(fā)明采用的具體技術(shù)方案如下:

      步驟一:計(jì)算離子束能量密度分布函數(shù)

      1、使用離子束對(duì)被轟擊材料進(jìn)行定點(diǎn)定時(shí)刻蝕,在離子束轟擊前與轟擊后,分別使用激光干涉儀測(cè)量被轟擊材料表面的面型數(shù)據(jù),使用轟擊前的面型數(shù)據(jù)減去轟擊后的面型數(shù)據(jù)得到刻蝕量,再除以刻蝕所耗費(fèi)的時(shí)間(即轟擊時(shí)間),從而獲得被轟擊材料的單位時(shí)間刻蝕速率(以下稱為材料去除工作函數(shù));

      材料去除工作函數(shù)=(轟擊前面型數(shù)據(jù)-轟擊后面型數(shù)據(jù))/轟擊時(shí)間;

      2、將材料去除工作函數(shù)(類高斯分布)轉(zhuǎn)換為離子束能量密度分布函數(shù),該離子束能量密度分布函數(shù)可以直接被下一步ansys熱力學(xué)仿真分析所調(diào)用。

      計(jì)算離子束能量密度分布函數(shù)的具體方法為:

      ①單位時(shí)間內(nèi)去除的材料體積=材料去除工作函數(shù)×(1.0×10-6)×像素尺寸2;

      ②單位時(shí)間內(nèi)轟擊到材料上的離子數(shù)量=(離子束電流/1000)/1.602176565×10-19(1.602176565×10-19是每個(gè)電子的帶電量);

      ③一個(gè)離子去除材料的體積=單位時(shí)間內(nèi)去除的材料體積/單位時(shí)間內(nèi)(1秒)轟擊到材料上的離子數(shù)量;

      ④計(jì)算得出單位時(shí)間內(nèi)離子束能量最大值=單位時(shí)間內(nèi)轟擊到材料上的離子數(shù)量×每個(gè)離子的能量(1000~1200電子伏特);ansys仿真里面需要用到單位時(shí)間內(nèi)離子束能量最大值參數(shù),該參數(shù)用于指示單位時(shí)間內(nèi)離子束能量的最大值,也就是在ansys熱力學(xué)仿真中假設(shè)離子束所攜帶的能量沒有任何損失全部轉(zhuǎn)換為熱能傳遞到被轟擊材料上。

      ⑤計(jì)算得出離子束分布函數(shù)=[材料去除工作函數(shù)×(1.0×10-6)×像素尺寸2]/一個(gè)離子去除材料的體積;

      ⑥每個(gè)離子的能量是1000~1200電子伏特,根據(jù)以下公式計(jì)算得出離子束能量密度分布函數(shù):離子束能量密度分布函數(shù)=[離子束分布函數(shù)×每個(gè)離子的能量×(1.602176565×10-19)]/[(像素尺寸/1000)×(像素尺寸/1000)],單位是焦耳/平方米;

      經(jīng)過計(jì)算得出:離子束能量密度分布函數(shù)=88500/exp(({x}2+{y}2)/0.081)

      上述單位時(shí)間內(nèi)均指1秒內(nèi)。

      步驟二:進(jìn)行熱力學(xué)仿真分析

      使用ansys軟件對(duì)被轟擊材料進(jìn)行建模,調(diào)用步驟一所產(chǎn)生的離子束能量密度分布函數(shù)進(jìn)行熱力學(xué)仿真分析,設(shè)定分析時(shí)間和選取被轟擊材料模型背面溫度點(diǎn),經(jīng)過ansys軟件的計(jì)算得出所選溫度點(diǎn)隨時(shí)間變化曲線。

      ansys熱力學(xué)仿真分析的步驟具體為:

      ①進(jìn)入ansys軟件的前處理器,定義被轟擊材料模型的單元類型采用熱分析單元solid90單元類型,它屬于高階精度的求解單元。定義材料的熱傳導(dǎo)率、密度和比熱容這三個(gè)參數(shù),ansys熱力學(xué)分析是與材料的這三個(gè)參數(shù)直接密切相關(guān)的,這三個(gè)參數(shù)缺少一個(gè)就無(wú)法進(jìn)行ansys熱力學(xué)仿真分析;

      ②建立被轟擊材料模型,指定其單元類型為solid90并劃分單元網(wǎng)格;

      ③使用ansys軟件讀入步驟一產(chǎn)生的離子束能量密度分布函數(shù)=88500/exp(({x}2+{y}2)/0.081),x和y是施加在模型節(jié)點(diǎn)上離子束能量密度分布函數(shù)的值,然后ansys會(huì)自動(dòng)計(jì)算出施加在該點(diǎn)(x,y)的離子束能量大小。離子束能量密度分布函數(shù),該函數(shù)在數(shù)學(xué)表達(dá)上一個(gè)連續(xù)曲面函數(shù),但是在ansys熱力學(xué)仿真過程中,因?yàn)橛?jì)算機(jī)模型是一些節(jié)點(diǎn)構(gòu)成,把離子束能量密度分布函數(shù)這個(gè)連續(xù)曲面覆蓋在由一些節(jié)點(diǎn)構(gòu)成的模型上,計(jì)算機(jī)會(huì)自動(dòng)找到覆蓋在模型節(jié)點(diǎn)上離子束能量密度分布函數(shù)的(x,y)值,從而自動(dòng)計(jì)算出覆蓋在該節(jié)點(diǎn)上的離子束能量密度分布函數(shù)的大小。定義高斯熱源表格,提前設(shè)置熱轉(zhuǎn)換效率系數(shù)為可變量系數(shù)(0~100%),高斯熱源=單位時(shí)間內(nèi)離子束能量最大值×88500×熱轉(zhuǎn)換效率系數(shù)/exp(distance**2/0.081),其中的distance=sqrt(a**2+b**2),a和b是步驟一中離子束的像素尺寸的值;

      ④施加高斯熱源表格到被轟擊材料模型表面,設(shè)定初始溫度,設(shè)置求解選項(xiàng)瞬態(tài)分析,然后加熱求解。

      進(jìn)一步,像素尺寸是指使用若干個(gè)正方形小塊分割材料去除工作函數(shù),這些正方形小塊水平和垂直方向的尺寸大小,單位是毫米,該參數(shù)屬于自定義,取值范圍根據(jù)材料去除工作函數(shù)的大小來定,如果材料去除工作函數(shù)大小在40mm×40mm以內(nèi),像素尺寸大小可以取值1.5mm,也就是使用1.5mm×1.5mm的正方形小塊來分割材料去除工作函數(shù)。一般來說,像素尺寸大小取值范圍是0.5mm,1mm,1.5mm,2mm。取值依據(jù)是,當(dāng)材料去除工作函數(shù)大小在20mm×20mm以內(nèi),像素尺寸可以選取0.5mm;當(dāng)材料去除工作函數(shù)大小在30mm×30mm以內(nèi),像素尺寸可以選取1mm;當(dāng)材料去除工作函數(shù)大小在40mm×40mm以內(nèi),像素尺寸可以選取1.5mm;當(dāng)材料去除工作函數(shù)大小在50mm×50mm以內(nèi),像素尺寸可以選取2mm。

      進(jìn)一步,在熱力學(xué)仿真分析中,需要設(shè)定離子束能量密度分布函數(shù)的熱轉(zhuǎn)換效率系數(shù),也就是在ansys中定義熱轉(zhuǎn)換效率系數(shù)為可變量系數(shù)(范圍在0~100%),該系數(shù)是用以調(diào)節(jié)實(shí)際測(cè)溫曲線與熱力學(xué)仿真分析得到的測(cè)溫曲線之間的差異大小,該系數(shù)的取值應(yīng)盡量做到模擬測(cè)溫曲線和實(shí)際測(cè)溫曲線誤差最小。

      定義離子束熱轉(zhuǎn)換效率系數(shù)的原因是,離子束所攜帶的能量(包含熱能),一部分直接傳遞給被轟擊材料,另一部分通過原子之間的碰撞,把離子的動(dòng)能轉(zhuǎn)化成為熱能傳遞給被轟擊材料,把這兩種熱傳遞綜合為一個(gè)熱轉(zhuǎn)換效率系數(shù),該系數(shù)的作用是用于指示離子束所攜帶的能量有多少轉(zhuǎn)換成了熱能傳遞給被轟擊材料。

      進(jìn)一步,在步驟二④的ansys求解前,設(shè)定施加高斯熱源總的時(shí)間是30分鐘,一般離子束對(duì)材料的表面進(jìn)行定點(diǎn)轟擊15分鐘材料就可以達(dá)到熱穩(wěn)定,故最大設(shè)定30分鐘已經(jīng)足夠。

      通過采用上述技術(shù)方案,本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)如下技術(shù)效果:

      本發(fā)明的模擬仿真方法改變了常規(guī)通過實(shí)驗(yàn)測(cè)量離子束轟擊材料溫度的方式,而是通過熱力學(xué)仿真分析,模擬仿真出被離子束轟擊材料的溫度隨時(shí)間的變化曲線,對(duì)于不同的轟擊材料,只需改變材料的三個(gè)參數(shù)即可得到該種材料的溫度變化曲線。經(jīng)試驗(yàn)驗(yàn)證,本發(fā)明方法與實(shí)際測(cè)溫試驗(yàn)的結(jié)果僅存在微小誤差。

      本發(fā)明方法的適用,能夠?qū)⒓夹g(shù)人員從繁瑣的實(shí)際測(cè)溫試驗(yàn)中解放出來,避免了一次次實(shí)際測(cè)溫試驗(yàn)的準(zhǔn)備、試驗(yàn)數(shù)據(jù)的記錄分析以及試驗(yàn)后期數(shù)據(jù)的處理,大為提高科研人員利用離子束研究各種材料特性的工作效率。另外,由于某些材料在高溫下會(huì)面臨材料特性的改變,因此本發(fā)明的應(yīng)用可以較為方便地為被轟擊材料溫度上升導(dǎo)致不利狀況提供提前預(yù)防的空間。

      附圖說明

      圖1是本發(fā)明實(shí)施例中實(shí)際測(cè)溫實(shí)驗(yàn)的裝置示意圖。

      圖2是本發(fā)明實(shí)施例中實(shí)際測(cè)溫實(shí)驗(yàn)的測(cè)溫點(diǎn)示意圖,圖中有兩個(gè)實(shí)際測(cè)溫點(diǎn),一個(gè)是位于離子束中心的a測(cè)溫點(diǎn),另一個(gè)是距離中心20毫米的b測(cè)溫點(diǎn)。

      圖3是本發(fā)明實(shí)施例中實(shí)際測(cè)溫實(shí)驗(yàn)的兩個(gè)測(cè)溫點(diǎn)a和b的溫度隨離子源中和燈絲熱輻射時(shí)間增加的溫度曲線圖。

      圖4是本發(fā)明實(shí)施例中ansys熱模擬仿真和實(shí)際測(cè)溫實(shí)驗(yàn)結(jié)果對(duì)比圖,c代表ansys模擬a測(cè)溫點(diǎn),d代表ansys模擬b測(cè)溫點(diǎn)。

      圖中標(biāo)記代表:1.離子源本體;2.匯聚離子束;3.被轟擊材料;4.五個(gè)溫度探頭。

      具體實(shí)施方式

      下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。

      采用本發(fā)明方法得到測(cè)溫曲線的過程如下:

      步驟一:計(jì)算離子束能量密度分布函數(shù)

      1、使用離子束對(duì)被轟擊材料進(jìn)行定點(diǎn)定時(shí)刻蝕,刻蝕時(shí)間1.5分鐘。在離子束轟擊前與轟擊后,使用激光干涉儀測(cè)量被轟擊材料表面的面型數(shù)據(jù),使用轟擊前的面型數(shù)據(jù)減去轟擊后的面型數(shù)據(jù)得到刻蝕量再除以刻蝕所耗費(fèi)的時(shí)間從而獲得被轟擊材料的單位時(shí)間刻蝕速率(以下稱為材料去除工作函數(shù));

      材料去除工作函數(shù)=(轟擊前面型數(shù)據(jù)-轟擊后面型數(shù)據(jù))/轟擊時(shí)間;

      2、把材料去除工作函數(shù)(類高斯分布)轉(zhuǎn)換為離子束能量密度分布函數(shù),該分布函數(shù)可以直接被下一步ansys模擬分析所調(diào)用。

      計(jì)算離子束能量密度分布函數(shù)的具體方法為:

      ①單位時(shí)間內(nèi)(1秒)去除的材料體積=材料去除工作函數(shù)×(1.0×10-6)×像素尺寸2

      ②單位時(shí)間內(nèi)(1秒)轟擊到材料上的離子數(shù)量=(離子束電流/1000)/1.602176565×10-19(1.602176565×10-19是每個(gè)電子的帶電量);

      ③一個(gè)離子去除材料的體積=單位時(shí)間內(nèi)(1秒)去除的材料體積/單位時(shí)間內(nèi)(1秒)轟擊到材料上的離子數(shù)量;

      ④計(jì)算得出單位時(shí)間內(nèi)(1秒)離子束能量最大值=單位時(shí)間內(nèi)(1秒)轟擊到材料上的離子數(shù)量×每個(gè)離子的能量(1000~1200電子伏特);

      ⑤計(jì)算得出離子束分布函數(shù)=[材料去除工作函數(shù)×(1.0×10-6)×像素尺寸2]/一個(gè)離子去除材料的體積;

      ⑥每個(gè)離子的能量是1000~1200電子伏特,根據(jù)以下公式計(jì)算得出離子束能量密度分布函數(shù):

      離子束能量密度分布函數(shù)=[離子束分布函數(shù)×每個(gè)離子的能量×(1.602176565×10-19)]/[(像素尺寸/1000)×(像素尺寸/1000)],單位是焦耳/平方米;

      經(jīng)過計(jì)算得出:離子束能量密度分布函數(shù)=88500/exp(({x}2+{y}2)/0.081)。

      步驟二:進(jìn)行熱力學(xué)仿真分析

      使用ansys軟件對(duì)被轟擊材料進(jìn)行建模,調(diào)用步驟一所產(chǎn)生的離子束能量密度分布函數(shù)進(jìn)行熱力學(xué)仿真分析,設(shè)定分析時(shí)間和選取被轟擊材料模型背面溫度點(diǎn),經(jīng)過ansys軟件的計(jì)算得出所選溫度點(diǎn)隨時(shí)間變化曲線。

      ansys熱力學(xué)仿真分析的步驟具體為:

      ①進(jìn)入ansys軟件的前處理器,定義被轟擊材料模型的單元類型采用熱分析單元solid90單元類型;定義材料的熱傳導(dǎo)率、密度和比熱容參數(shù);

      ②建立被轟擊材料模型,指定其單元類型為solid90并劃分單元網(wǎng)格;

      ③使用ansys軟件讀入步驟一產(chǎn)生的離子束能量密度分布函數(shù)=88500/exp(({x}2+{y}2)/0.081),x和y是施加在模型節(jié)點(diǎn)上離子束能量密度分布函數(shù)的值,然后ansys會(huì)自動(dòng)計(jì)算出施加在該點(diǎn)(x,y)的離子束能量大小。定義高斯熱源表格,提前設(shè)置熱轉(zhuǎn)換效率系數(shù)為可變量系數(shù)(0~100%),高斯熱源=單位時(shí)間內(nèi)離子束能量最大值(88500)×熱轉(zhuǎn)換效率系數(shù)/exp(distance**2/0.081),其中的distance=sqrt(a**2+b**2),a和b是步驟一中離子束像素尺寸大小;

      ④施加高斯熱源表格到模型表面,指定初始溫度(環(huán)境溫度10攝氏度),設(shè)置求解選項(xiàng)瞬態(tài)分析,然后加熱求解。在ansys求解前,設(shè)定施加高斯熱源總的時(shí)間是30分鐘,一般離子束對(duì)材料的表面進(jìn)行定點(diǎn)轟擊15分鐘材料就可以達(dá)到熱穩(wěn)定,故最大設(shè)定30分鐘已經(jīng)足夠。

      為了驗(yàn)證本發(fā)明方法,下面進(jìn)行被離子束轟擊材料的背面溫度實(shí)際測(cè)溫實(shí)驗(yàn):

      試驗(yàn)對(duì)象:直徑100mm,厚度5mm的石英玻璃圓片。

      測(cè)溫儀器:wzp-pt100溫度傳感器,美控meacon數(shù)顯溫控儀。

      試驗(yàn)過程:使用束流20~30毫安的聚焦離子束對(duì)石英玻璃圓片進(jìn)行定點(diǎn)轟擊,轟擊點(diǎn)有兩個(gè),a測(cè)溫點(diǎn)位于圓片背面中心,b測(cè)溫點(diǎn)距離中心點(diǎn)20mm,轟擊距離12cm,離子源工作參數(shù)見表1。

      表1離子源工作參數(shù)表

      步驟一:如圖1、圖2所示,準(zhǔn)備一塊厚度約5mm的石英玻璃板。板材的一面畫一個(gè)直徑約40mm的圓(此圓的大小根據(jù)離子束斑覆蓋面積的大小而定,本試驗(yàn)中離子束斑直徑約100mm,該圓的大小取值范圍在0~100mm),使用耐高溫的膠粘牢兩個(gè)溫度探頭,該圓中心放置一個(gè)溫度探頭,在圓上放置一個(gè)溫度探頭。因?yàn)殡x子束斑所產(chǎn)生的溫度分布呈現(xiàn)圓對(duì)稱分布,所以也可以在圓心的上下左右等距離各分布一個(gè)溫度探頭,故溫度探頭的數(shù)量可以在兩個(gè)到五個(gè)之間。溫度探頭的信號(hào)線分為真空室內(nèi)線和真空室外線,通過真空接插件穿過真空室壁進(jìn)行連接。

      步驟二:?jiǎn)?dòng)真空泵對(duì)真空室抽真空,當(dāng)真空度到達(dá)10-3pa這個(gè)級(jí)別時(shí),向真空室釋放惰性氣體(一般是氬氣),流量10sccm,此時(shí)可以啟動(dòng)射頻離子源,射頻離子源的射頻功率在100~130瓦,束能在1000~1200電子伏,加速電壓在100~110伏,中和燈絲電子流約100~200毫安,此時(shí)的真空度在2.5×10-2~3.5×10-2pa,此時(shí)的離子束流20~30毫安。

      步驟三:離子束產(chǎn)生后,把離子源移動(dòng)到被轟擊板材的12cm處停留,離子束的中心需要正對(duì)位于中心的溫度探頭,此時(shí)離子源口距離被轟擊材料表面12cm。根據(jù)不同材料的板材,溫度探頭所測(cè)溫度的穩(wěn)定時(shí)間不一,慢的需要十幾分鐘,快的大概一兩分鐘就可穩(wěn)定。記錄穩(wěn)定后的兩個(gè)溫度探頭的溫度值,每間隔1分鐘記錄一次。

      實(shí)際測(cè)溫實(shí)驗(yàn)結(jié)果如下:

      圖3是a測(cè)溫點(diǎn)和b測(cè)溫點(diǎn)的溫度隨離子源中和燈絲熱輻射時(shí)間增加的溫度曲線圖,初始溫度都是13℃,真空度是1.9×10-3pa。需要預(yù)先做a測(cè)溫點(diǎn)和b測(cè)溫點(diǎn)隨中和燈絲熱輻射時(shí)間增加的溫度曲線圖,因?yàn)殡x子束在工作的過程中需要中和燈絲產(chǎn)生的電子流來中和離子束所帶的正電荷,否則離子束會(huì)因?yàn)椴粚?dǎo)電的介質(zhì)材料上堆積太多正電荷而無(wú)法正常工作。而中和燈絲在工作的過程中會(huì)產(chǎn)生大量輻射熱,從而會(huì)影響到在ansys熱力學(xué)仿真中僅僅只有離子束對(duì)被轟擊材料產(chǎn)生的熱效應(yīng),所以實(shí)際測(cè)溫試驗(yàn)需要把中和燈絲產(chǎn)生的熱效應(yīng)排除在外。

      ansys熱分析模擬試驗(yàn),環(huán)境溫度是10℃,離子束能量轉(zhuǎn)換系數(shù)是1.5%,同時(shí)去除中和燈絲熱輻射的影響,也就是在同一時(shí)間減去中和燈絲造成的材料溫度上升。ansys熱力學(xué)仿真分析中并未考慮離子源中和燈絲對(duì)被離子束轟擊的材料所造成的溫度上升,所以在實(shí)際測(cè)溫試驗(yàn)中,環(huán)境溫度是10℃,圖4中的a測(cè)溫點(diǎn)和b測(cè)溫點(diǎn)的溫度都扣除掉中和燈絲照射所造成的溫升影響,見圖3。

      將上述實(shí)際測(cè)溫實(shí)驗(yàn)結(jié)果與本發(fā)明方法的仿真結(jié)果相比較,參見圖4。c代表ansys模擬a測(cè)溫點(diǎn),d代表ansys模擬b測(cè)溫點(diǎn)。圖4中的a和c代表了位于離子束斑中心點(diǎn)的溫度曲線,溫度誤差第15分鐘有10攝氏度的誤差,12分鐘前這兩條溫度曲線吻合的比較好。圖4中的b和d曲線代表了位于離子束斑中心點(diǎn)20mm出的溫度曲線圖,二者的趨勢(shì)吻合的比較好,但是存在10攝氏度的誤差,這是因?yàn)樵摲椒ㄖ杏?jì)算機(jī)建模是采用了簡(jiǎn)化了的模型。ansys熱力學(xué)仿真得到的溫度曲線和實(shí)驗(yàn)記錄溫度探頭得到的溫度曲線會(huì)存在一些誤差,但是總體趨勢(shì)是一樣的。因?yàn)樵谡婵窄h(huán)境中溫度場(chǎng)比較復(fù)雜,ansys熱力學(xué)仿真是建立在理想化的溫度場(chǎng)基礎(chǔ)上的,故存在一些誤差。一般誤差在10攝氏度范圍之內(nèi),這對(duì)于被離子束轟擊的材料能夠達(dá)到200攝氏度來說,誤差5%是可以接受的。

      本發(fā)明不限于上述實(shí)施例,一切采用等同替換或等效替換形成的技術(shù)方案均屬于本發(fā)明要求保護(hù)的范圍。

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