技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種FLASH數(shù)據(jù)讀寫方法及系統(tǒng)，該方法是在FLASH中分配N頁為數(shù)據(jù)存儲區(qū)用于存放數(shù)據(jù)記錄，其中用一頁作為索引區(qū)，其余N?1頁作為記錄區(qū)，還包括以下步驟：步驟S101:判斷所述目標(biāo)頁Nm是否寫滿，若未寫滿執(zhí)行S102，若寫滿則轉(zhuǎn)到如下步驟S1a～S1c；步驟S102:將所述待寫入數(shù)據(jù)順序?qū)懭胨鲇涗泤^(qū)的目標(biāo)頁Nm中；步驟S1a:擦除所述記錄區(qū)的頁Nm+2的信息即將該頁內(nèi)容全部置為0xff的標(biāo)識信息；步驟S1b:將所述數(shù)據(jù)記錄區(qū)中所述待寫入數(shù)據(jù)的頁Nm+1的頁碼號順序?qū)懭胨鏊饕齾^(qū)；步驟S1c:將所述待寫入數(shù)據(jù)順序?qū)懭胨鲇涗泤^(qū)的頁Nm+1中；所述記錄區(qū)的N?1頁為一個循環(huán)隊列的存儲區(qū)。本發(fā)明的技術(shù)方案降低了FLASH的擦寫次數(shù)，延長了使用壽命，上電能快速查找上次掉電時最后存儲記錄的位置。

技術(shù)研發(fā)人員：龍道志;張惠軍;沈鵬程;舒凱;陳蓉
受保護(hù)的技術(shù)使用者：武漢永力科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.04.17
技術(shù)公布日：2017.09.15