本發(fā)明涉及顯示技術領域,特別涉及一種觸控基板及其制備方法和觸控顯示面板。
背景技術:
隨著用戶對觸控顯示裝置的體驗需求的提升,觸摸顯示面板的無盲點化和無邊框化設計成為觸控顯示領域當前熱門的研究主題。
圖1為現(xiàn)有技術中單層多點外嵌式觸控顯示面板的結構示意圖,如圖1所示,該單層多點外嵌式(singlelayeron-cell,簡稱sloc)觸控顯示面板包括:交替設置的觸控區(qū)域1和信號走線區(qū)域2,其中,在觸控區(qū)域1中設置有若干個第一觸控電極3和若干個第二觸控電極4,第一觸控電極3與第二觸控電極4之間產生互電容;在信號走線區(qū)域2中設置有與對應的第一觸控電極3或第二觸控電極4連接的若干條信號走線5,信號走線5與第一觸控電極3、第二觸控電極4同層設置,信號走線用于與連接的第一觸控電極3或第二觸控電極4傳遞信號。
在現(xiàn)有的單層多點外嵌式觸控基板實現(xiàn)m×n的觸控分辨率時,對應的信號走線5數(shù)量最少為m*n+m或m*n+n,即需要布置的信號走線5數(shù)量較多,信號走線區(qū)域2面積較大,此時外嵌式觸控基板上存在較大的觸控盲區(qū)(信號走線區(qū)域所對應的區(qū)域)。
圖2為現(xiàn)有技術中多層多點外嵌式觸控顯示面板的結構示意圖,如圖2所示,該多層多點外嵌式(multi-layeron-cell,簡稱mloc)觸控顯示面板包括:觸控區(qū)域1和位于觸控區(qū)域周邊的信號走線區(qū)域2,其中,在觸控區(qū)域1中設置有若干個第一觸控電極3和若干個第二觸控電極4,第一觸控電極3包括若干個電極子圖形3a和連接各電極子圖形3a的導電橋線3b,導電橋線3b與電極子圖形3異層設置,電極子圖形3a與第二觸控電極4同層設置,第一觸控電極3與第二觸控電極4之間產生互電容;在信號走線區(qū)域2中設置有與對應的第一觸控電極3或第二觸控電極4連接的若干條信號走線5。
現(xiàn)有的多層多點外嵌式觸控基板雖然能解決觸控盲區(qū)的問題,但是由于信號走線設置在面板的周邊且為不透明的金屬走線,因而需要在對應信號走線的位置覆蓋一層遮光圖形層來遮蓋,此時觸控顯示基板的周邊區(qū)域存在邊框。為減小邊框的尺寸,現(xiàn)有技術中往往通過減小信號走線5線寬和線間距來實現(xiàn)邊框寬度的減小。然而在實際應用中發(fā)現(xiàn),信號走線的線寬的減小會使得其電阻增大,阻容延遲(rcdelay)現(xiàn)象比較嚴重;信號走線5的線間距減小會造成信號走線之間的串擾比較嚴重。更重要的是,現(xiàn)有技術中的減小信號走線5線寬和線間距的技術手段只能在一定程度上縮小邊框的尺寸,其無法做到真正意義上的無邊框。
由上述內容可見,現(xiàn)有技術中的觸控顯示面板無法同時做到無盲點和無邊框。
技術實現(xiàn)要素:
本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術中存在的技術問題之一,提出了一種觸控基板及其制備方法和觸控顯示面板。
為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供了一種觸控基板,包括:襯底基板和位于襯底基板上方的觸控電極層,所述觸控電極層包括:第一觸控電極和第二觸控電極,所述第一觸控電極和第二觸控電極用于形成互電容;
所述觸控電極層的上方設置有第一絕緣層,所述第一絕緣層上設置有第一過孔;
所述第一絕緣層的上方設置有信號走線,所述信號走線通過所述第一過孔與對應的所述第一觸控電極或所述第二觸控電極連接。
可選地,所述第一絕緣層和所述信號走線之間還設置有屏蔽層和第二絕緣層;
所述屏蔽層位于所述第一絕緣層的上方,所述屏蔽層在所述襯底基板上的正投影與所述第一過孔在所述襯底極板上的正投影不重疊;
第二絕緣層位于所述屏蔽層的上方,所述第二絕緣層上對應所述第一過孔的位置設置有第二過孔;
所述信號走線位于所述第二絕緣層的上方,所述信號走線通過所述第二過孔、第一過孔與對應的所述第一觸控電極或所述第二觸控電極連接。
可選地,所述屏蔽層的材料為透明導電材料。
可選地,所述透明導電材料為氧化銦錫。
可選地,所述第一觸控電極和所述第二觸控電極同層設置。
可選地,所述第一觸控電極包括:若干個獨立的電極子圖形和用于連接所述電極子圖形的導電橋線,所述電極子圖形與所述第二觸控電極同層設置,所述金屬橋線與所述第二觸控電極異層設置。
可選地,所述第一觸控電極的至少一端位于所述觸控基板的邊緣區(qū)域,所述第二觸控電極的至少一端位于所述觸控基板的邊緣區(qū)域;
所述第一過孔與所述第一觸控電極位于所述觸控基板的邊緣區(qū)域的端部對應設置或者與所述第二觸控電極位于所述觸控基板的邊緣區(qū)域的端部對應設置。
可選地,所述屏蔽層位于所述觸控基板的邊緣區(qū)域所圍成的區(qū)域內。
可選地,所述信號走線的形狀為折線狀。
為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明還提供了一種觸控顯示面板,包括:如上述的觸控基板。
可選地,還包括:黑矩陣,所述黑矩陣包括若干個第一遮光條和若干個第二遮光條,所述第一遮光條沿第一方向延伸,所述第二遮光條沿第二方向延伸;
所述信號走線與至少一個所述第一遮光條和至少一個所述第二遮光條均存在交叉。
可選地,所述第一方向為豎直方向,所述第二方向為水平方向;
所述信號走線上與第一遮光條交叉的部分其與豎直方向之間的夾角為:10°~20°。
為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明還提供了一種觸控基板的制備方法,包括:
在襯底基板的上方形成觸控電極層,所述觸控電極層包括:第一觸控電極和第二觸控電極,所述第一觸控電極和第二觸控電極用于形成互電容;
在所述觸控電極層的上方形成第一絕緣層,所述第一絕緣層上設置有第一過孔;
在所述第一絕緣層的上方形成信號走線,所述信號走線通過所述第一過孔與對應的所述第一觸控電極或所述第二觸控電極連接。
可選地,在所述觸控電極層的上方形成第一絕緣層的步驟和所述第一絕緣層的上方形成信號走線的步驟之間還包括:
在所述第一絕緣層的上方形成屏蔽層,所述屏蔽層在所述襯底基板上的正投影與所述第一過孔在所述襯底極板上的正投影不重疊;
在所述屏蔽層的上方形成第二絕緣層,第二絕緣層上對應所述第一過孔的位置設置有第二過孔,位于第二絕緣層的上方的所述信號走線通過所述第二過孔、第一過孔與對應的所述第一觸控電極或所述第二觸控電極連接。
可選地,所述在襯底基板的上方形成觸控電極層的步驟包括:
在所述襯底基板的上方通過一次構圖工藝以形成第一觸控電極的圖形和第二觸控電極的圖形。
可選地,所述在襯底基板的上方形成觸控電極層的步驟包括:
在所述襯底基板的上方通過一次構圖工藝以形成子電極圖形和若干個第二觸控電極的圖形。
在所述子電極圖形和所述第二觸控電極的上方形成第三絕緣層,所述第三絕緣層的上方對應所述子電極圖形的位置形成有第三過孔;
在所述第三絕緣層的上方通過一次構圖工藝以形成導電橋線,所述導電橋線通過所述第三過孔與對應的子電極圖形連接。
本發(fā)明具有以下有益效果:
本發(fā)明的技術方案通過將信號走線設置在觸控電極層的上方,即無需在觸控基板的周邊區(qū)域進行布線,從而可實現(xiàn)最終成型的觸控顯示面板的無邊框;與此同時,觸控電極層可覆蓋整個襯底基板,因而可保證觸控基板上無觸控盲點。本發(fā)明技術方案可使得最終成型的觸控顯示面板滿足無盲點和無邊框的要求。
附圖說明
圖1為現(xiàn)有技術中單層多點外嵌式觸控顯示面板的結構示意圖;
圖2為現(xiàn)有技術中多層多點外嵌式觸控顯示面板的結構示意圖;
圖3為本發(fā)明實施例一提供的一種觸控基板的結構示意圖;
圖4為圖3中a-a向截面示意圖;
圖5為折線狀間距縫隙與顯示面板中的黑矩陣疊放置時的模擬圖;
圖6為本發(fā)明實施例二提供的一種觸控基板的結構示意圖;
圖7為圖6中b-b向截面示意圖;
圖8為本發(fā)明中信號走線與黑矩陣層疊時的示意圖;
圖9為本發(fā)明實施例四提供的一種觸控基板的制備方法的流程圖;
圖10為本發(fā)明實施例五提供的一種觸控基板的制備方法的流程圖。
具體實施方式
為使本領域的技術人員更好地理解本發(fā)明的技術方案,下面結合附圖對本發(fā)明提供的一種觸控基板及其制備方法和觸控顯示面板進行詳細描述。
圖3為本發(fā)明實施例一提供的一種觸控基板的結構示意圖,圖4為圖3中a-a向截面示意圖,如圖3至圖4所示,該觸控基板包括:襯底基板6和位于襯底基板6上方的觸控電極層,觸控電極層包括:若干個第一觸控電極3和若干個第二觸控電極4,第一觸控電極3和第二觸控電極4用于形成互電容,觸控電極層的上方設置有第一絕緣層7,第一絕緣層7上對應各第一觸控電極3的位置和各第二觸控電極4的位置均設置有第一過孔8,第一絕緣層7的上方設置有信號走線5,信號走線5通過第一過孔8與對應的第一觸控電極3或第二觸控電極4連接。
需要說明的是,第一觸控電極3和第二觸控電極4中的一者為觸控驅動電極,另一者為觸控掃描電極,對于觸控驅動電極和觸控掃描電極實現(xiàn)互電容式觸控識別的過程,此處不進行詳細描述。
在將本實施例提供的觸控基板與顯示面板進行結合時,觸控基板中的信號走線5不可避免的經過顯示面板的顯示區(qū)域。為避免信號走線5對顯示面板的顯示效果造成影響,該信號走線5需采用透明導電材料,優(yōu)選地,信號走線5的材料為氧化銦錫(化學式ito)。
本發(fā)明的技術方案通過將信號走線5設置在觸控電極層的上方,即無需在觸控基板的周邊區(qū)域進行布線,從而可實現(xiàn)最終成型的觸控顯示面板的無邊框;與此同時,觸控電極層可覆蓋整個襯底基板6,因而可保證觸控基板上無觸控盲點。由此可見,本發(fā)明技術方案可使得最終成型的觸控顯示面板滿足無盲點和無邊框的要求。
本實施例中,為避免信號走線5與第一觸控電極3和第二觸控電極4之間發(fā)生串擾,優(yōu)選地,在第一絕緣層7和信號走線5之間還設置有屏蔽層9和第二絕緣層10,其中,屏蔽層9位于第一絕緣層7的上方,屏蔽層9在襯底基板6上的正投影與第一過孔8在襯底極板上的正投影不重疊,信號走線5不位于第一過孔8中的部分在屏蔽層9上的投影落入屏蔽層9所對應的區(qū)域內,第二絕緣層10位于屏蔽層9的上方,第二絕緣層10上對應第一過孔8的位置設置有第二過孔11,信號走線5位于第二絕緣層10的上方,信號走線5通過第二過孔11、第一過孔8與對應的第一觸控電極3或第二觸控電極4連接。本發(fā)明通過在觸控電極層和信號走線5之間設置屏蔽層9,可有效避免的信號走線5與觸控電極之間發(fā)生串擾,從而能保證觸控識別的精準性。
在本實施例中,屏蔽層9的材料為透明導電材料,進一步地,該透明導電材料為ito。
需要說明的是,本實施例中觸控電極層內觸控電極的結構為單層多點式觸控電極結構,具體地,第一觸控電極3和第二觸控電極4均為單層結構且兩者同層設置,此時,必然會存在部分第一觸控電極3或第二觸控電極4與對應的信號走線5之間的連接位置位于觸控基板的中間區(qū)域,即部分第一過孔8位于觸控基板的中間區(qū)域。
需要說明的是,附圖中第一觸控電極3和第二觸控電極4的具體形狀和尺寸僅起到示意性作用,其不會對本發(fā)明的技術方案產生限制。
在現(xiàn)有的單層多點外嵌式觸控顯示面板中,處于觸摸基板上的信號走線5呈直線狀且沿豎直方向延伸,當顯示面板發(fā)出平行光經過信號走線5所對應的區(qū)域時,覆蓋有信號走線5的區(qū)域和沒有覆蓋信號走線5的區(qū)域(相鄰信號走線5之間的間距縫隙12)的透過率不同,導致其透過的光線在間距縫隙12處發(fā)生多縫干涉,對應在間距縫隙12的位置會產生明顯的長條摩爾紋。
在本發(fā)明中,為避免摩爾紋的出現(xiàn),優(yōu)選地,信號走線5的形狀為折線狀,此時位于相鄰信號走線5之間的間距縫隙12也必然為折線狀,折線狀的信號走線5可有效避免長條摩爾紋的出現(xiàn)。
圖5為折線狀間距縫隙與顯示面板中的黑矩陣疊放置時的模擬圖,如圖5所示,黑矩陣13將折線型的間距縫隙12“分割”為若干個尺寸相對較小、排布不規(guī)則的部分(即折線型間距縫隙12中未被黑矩陣13覆蓋的部分),雖然間距縫隙12中這些未被黑矩陣13覆蓋的部分仍有摩爾紋現(xiàn)象,但是由于這些部分的尺寸相對較小且排布不規(guī)則,因此不會出現(xiàn)長條型的摩爾紋,摩爾紋現(xiàn)象表現(xiàn)不明顯。由此可見,本發(fā)明的技術方案可有效弱化觸控顯示面板的摩爾紋現(xiàn)象,從而保證顯示效果。
需要說明的是,上述信號走線5呈折線狀的情況為本實施例的優(yōu)選方案,其不會對本發(fā)明的技術方案產生限制。
圖6為本發(fā)明實施例二提供的一種觸控基板的結構示意圖,圖7為圖6中b-b向截面示意圖,如圖6至圖7所示,與上述實施例一中不同的,本實施例中的觸控電極層內觸控電極的結構為多層多點式觸控電極結構,具體地,第一觸控電極3包括:若干個獨立的電極子圖形3a和用于連接電極子圖形3a的導電橋線3b,其中,電極子圖形3a與第二觸控電極4同層設置,金屬橋線與第二觸控電極4異層設置。更具體地,在電極子圖形3a和第二觸控電極4的上方設置有第三絕緣層14,第三絕緣層14上對應電極子圖形3a的位置設置有第三過孔,金屬橋線位于第三絕緣層14的上方,且通過第三過孔將屬于同一第一觸控電極3中的電極子圖形3a電連接。
需要說明的是,附圖中第一觸控電極3和第二觸控電極4的具體形狀和尺寸僅起到示意性作用,其不會對本發(fā)明的技術方案產生限制。
本實施例中,第一觸控電極3的至少一端位于觸控基板的邊緣區(qū)域,第二觸控電極4的至少一端位于觸控基板的邊緣區(qū)域,第一過孔8位于各第一觸控電極3和各第二觸控電極4位于邊緣區(qū)域的端部的正上方,即本實施例中的第一過孔8均位于觸控基板的邊緣。相交于上述實施例一中至少部分第一過孔8位于觸控基板的中間區(qū)域(容易發(fā)生漏光問題,影響顯示質量)從而導致的情況,本實施例的技術方案通過將第一過孔8均設置在觸控基板的邊緣,可有效避免對觸控顯示面板的顯示質量的造成影響。
需要說明的是,本實施例中第二觸控電極4的兩端均位于邊緣區(qū)域,且該兩端均連接有信號走線5的情況可有效提升信號走線5與第二觸控電極4之間信號傳輸效率,其為本發(fā)明中的一種優(yōu)選方案。本領域技術人員應該理解的是,本發(fā)明中僅需保證各觸控電極均存在對應的信號走線5,而對于各觸控電極所對應的信號走線5的數(shù)量不做限定。
可選地,屏蔽層9位于觸控基板的邊緣區(qū)域所圍成的區(qū)域內。
對于本實施例中的第二絕緣層10、屏蔽層9、信號走線5的描述可參見前述實施例一中的相應內容,此處不再贅述。
本發(fā)明實施例三提供了一種觸控顯示面板,該觸控顯示面板為on-cell式觸控顯示面板,包括觸控基板和顯示面板,觸控基板采用上述實施例一或實施例二中的觸控基板,具體內容可參見上述實施例一和實施例二中的內容,此處不再贅述。
圖8為本發(fā)明中信號走線與黑矩陣層疊時的示意圖,如圖8所示,可選地,顯示面板中包括黑矩陣13,黑矩陣13包括若干個第一遮光條13a和若干個第二遮光條13b,第一遮光條13a沿第一方向延伸,第二遮光條13b沿第二方向延伸;信號走線5與至少一個第一遮光條13a和至少一個第二遮光條13b均存在交叉,即信號走線5不會為與第一方向或第二方向平行的直線狀(信號走線5中至少存在部分是處于傾斜的)。此時,位于相鄰信號走線5之間的間距縫隙12也會與至少一個第一遮光條13a和至少一個第二遮光條13b均存在交叉(間距縫隙12中至少存在部分是處于傾斜的),第一遮光條和第二遮光條將的間距縫隙12“分割”為若干個尺寸相對較小、排布不規(guī)則的部分。
可選地,第一方向為豎直方向,第二方向為水平方向,信號走線5上與第一遮光條交叉的部分其與豎直方向之間的夾角α的范圍為:10°~20°。此時,可在消除摩爾紋的同時,保證信號走線5的長度盡量較短,避免信號走線5中出現(xiàn)rcdelay(信號走線5要與位于觸控基板下側的處理芯片連接,信號走線5在水平方向上的分量越大,則信號走線5的整體長度越長,對應的電阻越大,rcdelay現(xiàn)象越嚴重)。
圖9為本發(fā)明實施例四提供的一種觸控基板的制備方法的流程圖,如圖9所示,該制備方法用于制備上述實施例一和實施例二中的觸控基板,該制備方法包括:
步驟s101、在襯底基板的上方形成觸控電極層。
其中,觸控電極層包括:若干個第一觸控電極和若干個第二觸控電極,第一觸控電極和第二觸控電極用于形成互電容。
可選地,步驟s101包括步驟s1011a。
步驟s1011a、在襯底基板的上方通過一次構圖工藝以形成第一觸控電極的圖形和第二觸控電極的圖形。
通過上述步驟1011a可制備出的上述實施例一中的觸控電極層。
需要說明的是,本發(fā)明中的構圖工藝是指包括光刻膠涂敷、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工藝。
可選地,步驟s101包括步驟s1011b~步驟s1013b。
步驟s1011b、在襯底基板的上方通過一次構圖工藝以形成子電極圖形和若干個第二觸控電極的圖形。
步驟s1012b、在子電極圖形和第二觸控電極的上方形成第三絕緣層。
其中,第三絕緣層的上方對應子電極圖形的位置形成有第三過孔。
步驟s1013b、在第三絕緣層的上方通過一次構圖工藝以形成導電橋線。
導電橋線通過第三過孔與對應的子電極圖形連接。
通過上述步驟s1011b~步驟s1013b可制備出的上述實施例二中的觸控電極層。
需要說明的是,附圖中僅示意性畫出制備上述實施例二中的觸控電極層的情況。
步驟s102、在觸控電極層的上方形成第一絕緣層。
其中,第一絕緣層上對應各第一觸控電極的位置和各第二觸控電極的位置均設置有第一過孔。
步驟s103、在第一絕緣層的上方形成信號走線。
通過一次構圖工藝以在第一絕緣層的上方形成信號走線,信號走線通過第一過孔與對應的第一觸控電極或第二觸控電極連接。
圖10為本發(fā)明實施例五提供的一種觸控基板的制備方法的流程圖,如圖10所示,該制備方法包括:
步驟s201、在襯底基板的上方形成觸控電極層。
其中,觸控電極層包括:若干個第一觸控電極和若干個第二觸控電極,第一觸控電極和第二觸控電極用于形成互電容。
對于步驟s201的描述可參見前述對實施例四中步驟s101的描述,此處不再贅述。
需要說明的是,附圖中僅示意性畫出制備上述實施例二中的觸控電極層的情況。
步驟s202、在觸控電極層的上方形成第一絕緣層。
其中,第一絕緣層上對應各第一觸控電極的位置和各第二觸控電極的位置均設置有第一過孔。
步驟s203、在第一絕緣層的上方形成屏蔽層。
其中,屏蔽層在襯底基板上的正投影與第一過孔在襯底極板上的正投影不重疊,且后續(xù)制備出的信號走線不位于第一過孔中的部分在屏蔽層上的投影落入屏蔽層所對應的區(qū)域內。
步驟s204、在屏蔽層的上方形成第二絕緣層。
其中,第二絕緣層上對應第一過孔的位置設置有第二過孔。
步驟s205、在第二絕緣層的上方形成信號走線。
通過一次構圖工藝以在第二絕緣層的上方形成信號走線,位于第二絕緣層的上方的信號走線通過第二過孔、第一過孔與對應的第一觸控電極或第二觸控電極連接。
可以理解的是,以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式,然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領域內的普通技術人員而言,在不脫離本發(fā)明的精神和實質的情況下,可以做出各種變型和改進,這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。