本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)處理技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種nandflash數(shù)據(jù)校驗的方法與裝置。

背景技術(shù)：

nandflash由于本身硬件的內(nèi)在特性，會導(dǎo)致偶爾出現(xiàn)位反轉(zhuǎn)的現(xiàn)象。所謂的位反轉(zhuǎn)，指的是原先nandflash中的某個位發(fā)生了變化，即要么從1變成0了，要么從0變成1了。nandflash的位反轉(zhuǎn)現(xiàn)象，主要是由以下一些原因/效應(yīng)所導(dǎo)致：1、漂移效應(yīng)，漂移效應(yīng)指的是nandflash中cell的電壓值慢慢地變了，變的和原始值不一樣了。2、編程干擾所產(chǎn)生的錯誤，此現(xiàn)象有時候也叫做過度編程效應(yīng)。對于某個頁面的編程操作，即寫操作，引起非相關(guān)的其他的頁面的某個位跳變了。3、讀操作干擾產(chǎn)生的錯誤(read-disturberrors)，此效應(yīng)是對一個頁進行數(shù)據(jù)讀取操作，卻使得對應(yīng)的某個位的數(shù)據(jù)，產(chǎn)生了永久性的變化，即nandflash上的該位的值變了。

如果恰巧是某個重要文件的某位變化了，往往會導(dǎo)致非常嚴重的后果。傳統(tǒng)方式中，一般采用ecc校驗算法來解決nandflash出現(xiàn)位反轉(zhuǎn)的問題。但是，存儲于sparearea的ecc碼本身也會存在位反轉(zhuǎn)的風(fēng)險。在nandflash的應(yīng)用中，如果恰巧是某個重要配置文件的某一位發(fā)生了位反轉(zhuǎn)，并且ecc碼也發(fā)生了位反轉(zhuǎn)，那么利用該ecc碼對nandflash的數(shù)據(jù)進行校驗，可能會導(dǎo)致非常嚴重的后果。此外，在nandflash中存儲的冷數(shù)據(jù)由于電荷漂移效應(yīng)產(chǎn)生位反轉(zhuǎn)的風(fēng)險更大。

可見，如何降低nandflash位反轉(zhuǎn)現(xiàn)象的風(fēng)險，是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明實施例的目的是提供一種nandflash數(shù)據(jù)校驗的方法與裝置，可以有效降低nandflash位反轉(zhuǎn)現(xiàn)象的風(fēng)險。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實施例提供一種nandflash數(shù)據(jù)校驗的方法，包括：

讀取第一數(shù)據(jù)頁中的校驗碼；其中，所述第一數(shù)據(jù)頁為第一存儲塊中的任意一頁；

利用所述校驗碼對目標數(shù)據(jù)頁中的ecc碼進行校驗；所述目標數(shù)據(jù)頁與所述第一數(shù)據(jù)頁頁數(shù)相同，所述目標數(shù)據(jù)頁所屬的存儲塊與所述第一存儲塊不相鄰；

利用校驗后的ecc碼對所述目標數(shù)據(jù)頁中的數(shù)據(jù)進行校驗。

可選的，還包括：

檢測nandflash中數(shù)據(jù)的使用頻率；

將使用頻率低于預(yù)設(shè)閾值的數(shù)據(jù)作為待處理數(shù)據(jù)；

當(dāng)?shù)竭_預(yù)設(shè)時間后，對所述待處理數(shù)據(jù)進行copy-back處理。

可選的，所述對所述待處理數(shù)據(jù)進行copy-back處理包括：

判斷所述待處理數(shù)據(jù)所屬的存儲塊中是否存在空閑數(shù)據(jù)頁；

若存在，則將所述數(shù)據(jù)copy-back至所述空閑數(shù)據(jù)頁。

可選的，所述對所述待處理數(shù)據(jù)進行copy-back處理包括：

將所述待處理數(shù)據(jù)從其所在的數(shù)據(jù)頁讀取到頁寄存器，

將所述頁寄存器中的所述待處理數(shù)據(jù)寫入到所述數(shù)據(jù)頁。

本發(fā)明實施例還提供了一種nandflash數(shù)據(jù)校驗的裝置，包括讀取單元、ecc碼校驗單元和數(shù)據(jù)校驗單元，

所述讀取單元，用于讀取第一數(shù)據(jù)頁中的校驗碼；其中，所述第一數(shù)據(jù)頁為第一存儲塊中的任意一頁；

所述ecc碼校驗單元，用于利用所述校驗碼對目標數(shù)據(jù)頁中的ecc碼進行校驗；所述目標數(shù)據(jù)頁與所述第一數(shù)據(jù)頁頁數(shù)相同，所述目標數(shù)據(jù)頁所屬的存儲塊與所述第一存儲塊不相鄰；

所述數(shù)據(jù)校驗單元，用于利用校驗后的ecc碼對所述目標數(shù)據(jù)頁中的數(shù)據(jù)進行校驗。

可選的，還包括檢測單元、選取單元和處理單元，

所述檢測單元，用于檢測nandflash中數(shù)據(jù)的使用頻率；

所述選取單元，用于將使用頻率低于預(yù)設(shè)閾值的數(shù)據(jù)作為待處理數(shù)據(jù)；

所述處理單元，用于當(dāng)?shù)竭_預(yù)設(shè)時間后，對所述待處理數(shù)據(jù)進行copy-back處理。

可選的，所述處理單元具體用于判斷所述待處理數(shù)據(jù)所屬的存儲塊中是否存在空閑數(shù)據(jù)頁；

若存在，則將所述數(shù)據(jù)copy-back至所述空閑數(shù)據(jù)頁。

可選的，所述處理單元具體用于將所述待處理數(shù)據(jù)從其所在的數(shù)據(jù)頁讀取到頁寄存器，

將所述頁寄存器中的所述待處理數(shù)據(jù)寫入到所述數(shù)據(jù)頁。

由上述技術(shù)方案可以看出，通過讀取第一數(shù)據(jù)頁中的校驗碼，利用該校驗碼對目標數(shù)據(jù)頁中的ecc碼進行校驗，以此來提升ecc碼的正確性，其中，目標數(shù)據(jù)頁與所述第一數(shù)據(jù)頁頁數(shù)相同，所述目標數(shù)據(jù)頁所屬的存儲塊與所述第一數(shù)據(jù)頁所屬的存儲塊為兩個不相鄰的距離較遠的存儲塊，可以有效降低過度編程和讀操作干擾帶來的位反轉(zhuǎn)的風(fēng)險。利用校驗后的ecc碼對所述目標數(shù)據(jù)頁中的數(shù)據(jù)進行校驗，由于提升了ecc碼的準確性，利用該ecc碼對數(shù)據(jù)進行校驗的準確性會更高，從而可以有效降低nandflash位反轉(zhuǎn)現(xiàn)象的風(fēng)險。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例，下面將對實施例中所需要使用的附圖做簡單的介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實施例提供的一種nandflash數(shù)據(jù)校驗的方法的流程圖；

圖2為本發(fā)明實施例提供的一種對待處理數(shù)據(jù)進行copy-back處理的方法的流程圖；

圖3為本發(fā)明實施例提供的一種nandflash數(shù)據(jù)校驗的裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下，所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護范圍。

為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本發(fā)明方案，下面結(jié)合附圖和具體實施方式對本發(fā)明作進一步的詳細說明。

接下來，詳細介紹本發(fā)明實施例所提供的一種nandflash數(shù)據(jù)校驗的方法。圖1為本發(fā)明實施例提供的一種nandflash數(shù)據(jù)校驗的方法的流程圖，該方法包括：

s101：讀取第一數(shù)據(jù)頁中的校驗碼。

在nandflash中可以包含有一個或多個存儲塊(block)，每個存儲塊可以由一個或多個數(shù)據(jù)頁構(gòu)成。第一存儲塊可以是nandflash中包含的一個存儲塊，第一數(shù)據(jù)頁可以是第一存儲塊中的任意一個數(shù)據(jù)頁。

s102：利用所述校驗碼對目標數(shù)據(jù)頁中的ecc碼進行校驗。

目標數(shù)據(jù)頁可以是需要對其數(shù)據(jù)進行校驗的一個數(shù)據(jù)頁?？紤]到ecc碼本身會存在位反轉(zhuǎn)的風(fēng)險，在本發(fā)明實施例中，在利用目標數(shù)據(jù)頁的ecc碼對該數(shù)據(jù)頁中的數(shù)據(jù)進行校驗之前，為了提升ecc碼的正確性，需要先對ecc碼進行校驗。

在每個數(shù)據(jù)頁的sparearea中存儲有兩種類型的ecc碼，分別是對本頁數(shù)據(jù)進行校驗的ecc碼，以及對其他數(shù)據(jù)頁中的ecc碼進行校驗的校驗碼。

在對某一個存儲塊中的某一頁ecc碼進行校驗時，可以選用另一個存儲塊中相同頁數(shù)的校驗碼，對該ecc碼進行校驗。為了最大程度的降低過度編程和讀操作干擾帶來的位反轉(zhuǎn)風(fēng)險，這兩個存儲塊應(yīng)該選用非相鄰的距離較遠的存儲塊。

在本發(fā)明實施例中可以預(yù)先設(shè)置好存儲塊之間的對應(yīng)關(guān)系，例如，在nandflash中包含有5個存儲塊，分別為存儲塊1、存儲塊2、存儲塊3、存儲塊4和存儲塊5，可以采用存儲塊1中的校驗碼對存儲塊3中的ecc碼進行校驗，存儲塊3中的校驗碼對存儲塊5中的ecc碼進行校驗，存儲塊5中的校驗碼對存儲塊2中的ecc碼進行校驗，存儲塊2中的校驗碼對存儲塊4中的ecc碼進行校驗，存儲塊4中的校驗碼對存儲塊1中的ecc碼進行校驗。

考慮到每個存儲塊中可能包含有多個數(shù)據(jù)頁，在設(shè)置了存儲塊之間的對應(yīng)關(guān)系后，可以將相同頁數(shù)的數(shù)據(jù)頁之間建立對應(yīng)關(guān)系，例如，可以采用存儲塊1中的第1個數(shù)據(jù)頁中的校驗碼對存儲塊3中的第1個數(shù)據(jù)頁中的ecc碼進行校驗，依次類推，采用存儲塊1中的第2個數(shù)據(jù)頁中的校驗碼對存儲塊3中的第2個數(shù)據(jù)頁中的ecc碼進行校驗。

需要說明的是，對于存儲塊之間的對應(yīng)關(guān)系，可以根據(jù)實際情況，以降低過度編程和讀操作干擾帶來的位反轉(zhuǎn)風(fēng)險為準則進行設(shè)置即可，本發(fā)明實施例對存儲塊之間的具體對應(yīng)關(guān)系不做限定。

s103：利用校驗后的ecc碼對所述目標數(shù)據(jù)頁中的數(shù)據(jù)進行校驗。

對ecc碼進行校驗后，可以有效的提升ecc碼的正確性，從而利用該ecc碼對目標數(shù)據(jù)頁中的數(shù)據(jù)進行校驗的正確性會較高。

由上述技術(shù)方案可以看出，通過讀取第一數(shù)據(jù)頁中的校驗碼，利用該校驗碼對目標數(shù)據(jù)頁中的ecc碼進行校驗，以此來提升ecc碼的正確性，其中，目標數(shù)據(jù)頁與所述第一數(shù)據(jù)頁頁數(shù)相同，所述目標數(shù)據(jù)頁所屬的存儲塊與所述第一數(shù)據(jù)頁所屬的存儲塊為兩個不相鄰的距離較遠的存儲塊，可以有效降低過度編程和讀操作干擾帶來的位反轉(zhuǎn)的風(fēng)險。利用校驗后的ecc碼對所述目標數(shù)據(jù)頁中的數(shù)據(jù)進行校驗，由于提升了ecc碼的準確性，利用該ecc碼對數(shù)據(jù)進行校驗的準確性會更高，從而可以有效降低nandflash位反轉(zhuǎn)現(xiàn)象的風(fēng)險。

考慮到存儲于nandflash中的數(shù)據(jù)長時間未被使用時，這部分數(shù)據(jù)的存儲區(qū)域由于漂移效應(yīng)帶來的位反轉(zhuǎn)風(fēng)險會較高，為了降低漂移效應(yīng)帶來的位反轉(zhuǎn)風(fēng)險，可以對這部分數(shù)據(jù)進行copy-back處理，該操作步驟如圖2所示。

s201：檢測nandflash中數(shù)據(jù)的使用頻率。

使用頻率可以用于表示數(shù)據(jù)單位時間內(nèi)被調(diào)用的次數(shù)。數(shù)據(jù)的使用頻率越低，其所在的存儲區(qū)域出現(xiàn)位反轉(zhuǎn)的風(fēng)險越高。

s202：將使用頻率低于預(yù)設(shè)閾值的數(shù)據(jù)作為待處理數(shù)據(jù)。

預(yù)設(shè)閾值可以用于表示數(shù)據(jù)使用頻率的下限值。當(dāng)數(shù)據(jù)的使用頻率低于該預(yù)設(shè)閾值，則可以說明該數(shù)據(jù)所在的存儲區(qū)域出現(xiàn)位反轉(zhuǎn)的風(fēng)險較高，需要對這部分數(shù)據(jù)進行相關(guān)處理，以降低位反轉(zhuǎn)的風(fēng)險，可以將這部分數(shù)據(jù)稱為待處理數(shù)據(jù)。

s203：當(dāng)?shù)竭_預(yù)設(shè)時間后，對所述待處理數(shù)據(jù)進行copy-back處理。

預(yù)設(shè)時間可以根據(jù)nandflash因漂移效應(yīng)出現(xiàn)較高位反轉(zhuǎn)風(fēng)險的時間確定。例如，當(dāng)nandflash使用一個月后，其由于漂移效應(yīng)出現(xiàn)位反轉(zhuǎn)的風(fēng)險會急劇增加，則可以設(shè)置一個月為周期時間。每經(jīng)過一個月的時間，則對nandflash中使用頻率較低的數(shù)據(jù)進行copy-back處理，以降低因漂移效應(yīng)帶來的位反轉(zhuǎn)風(fēng)險。

其中，對待處理數(shù)據(jù)進行copy-back處理方式可以有兩種。一種方式可以是將待處理數(shù)據(jù)存儲于空閑頁。具體的，可以判斷所述待處理數(shù)據(jù)所屬的存儲塊中是否存在空閑數(shù)據(jù)頁；若存在，則將所述數(shù)據(jù)copy-back至所述空閑數(shù)據(jù)頁。

例如，存儲塊block1中包含有5個數(shù)據(jù)頁，分別為page1、page2、page3、page4和page5，其中，page5為空閑數(shù)據(jù)頁，當(dāng)page1中的數(shù)據(jù)使用頻率低于預(yù)設(shè)閾值時，則可以將page1中的數(shù)據(jù)copy-back至page5，此時可以對page1進行清空處理，page1處于空閑狀態(tài)，即page1為空閑數(shù)據(jù)頁，當(dāng)有其他數(shù)據(jù)頁，如page2中的數(shù)據(jù)使用頻率低于預(yù)設(shè)閾值時，則可以將page2中的數(shù)據(jù)copy-back至page1，依次類推，可以完成該存儲塊中使用頻率低于預(yù)設(shè)閾值的數(shù)據(jù)的copy-back處理。

另一種方式可以是將所述待處理數(shù)據(jù)從其所在的數(shù)據(jù)頁讀取到頁寄存器，再將所述頁寄存器中的所述待處理數(shù)據(jù)寫入到所述數(shù)據(jù)頁。

上述舉例中均以一個存儲塊中的數(shù)據(jù)為例展開的介紹，其他存儲塊中數(shù)據(jù)的處理方式與其類似，在此不再贅述。參照上述操作步驟，可以完成對nandflash中所有使用頻率低于預(yù)設(shè)閾值的數(shù)據(jù)copy-back處理。

采用copy-back處理的好處在于，不需要用到外部的存儲空間，不需要讀出來放到外部的buffer里面，而是可以直接讀取數(shù)據(jù)到內(nèi)部的頁寄存器然后寫到新的頁里面去。通過copy-back處理可以有效降低因為漂移效應(yīng)帶來的位反轉(zhuǎn)風(fēng)險，并且該種處理方式，可以省去數(shù)據(jù)串行讀取出來，再串行寫入進去的時間，提高了系統(tǒng)整體性能。

圖3為本發(fā)明實施例提供的一種nandflash數(shù)據(jù)校驗的裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，包括讀取單元31、ecc碼校驗單元32和數(shù)據(jù)校驗單元33，

所述讀取單元31，用于讀取第一數(shù)據(jù)頁中的校驗碼；其中，所述第一數(shù)據(jù)頁為第一存儲塊中的任意一頁。

所述ecc碼校驗單元32，用于利用所述校驗碼對目標數(shù)據(jù)頁中的ecc碼進行校驗；所述目標數(shù)據(jù)頁與所述第一數(shù)據(jù)頁頁數(shù)相同，所述目標數(shù)據(jù)頁所屬的存儲塊與所述第一存儲塊不相鄰。

所述數(shù)據(jù)校驗單元33，用于利用校驗后的ecc碼對所述目標數(shù)據(jù)頁中的數(shù)據(jù)進行校驗。

可選的，還包括檢測單元、選取單元和處理單元，

所述檢測單元，用于檢測nandflash中數(shù)據(jù)的使用頻率。

所述選取單元，用于將使用頻率低于預(yù)設(shè)閾值的數(shù)據(jù)作為待處理數(shù)據(jù)。

所述處理單元，用于當(dāng)?shù)竭_預(yù)設(shè)時間后，對所述待處理數(shù)據(jù)進行copy-back處理。

可選的，所述處理單元具體用于判斷所述待處理數(shù)據(jù)所屬的存儲塊中是否存在空閑數(shù)據(jù)頁；

若存在，則將所述數(shù)據(jù)copy-back至所述空閑數(shù)據(jù)頁。

可選的，所述處理單元具體用于將所述待處理數(shù)據(jù)從其所在的數(shù)據(jù)頁讀取到頁寄存器，

將所述頁寄存器中的所述待處理數(shù)據(jù)寫入到所述數(shù)據(jù)頁。

圖3所對應(yīng)實施例中特征的說明可以參見圖1和圖2所對應(yīng)實施例的相關(guān)說明，這里不再一一贅述。

由上述技術(shù)方案可以看出，通過讀取第一數(shù)據(jù)頁中的校驗碼，利用該校驗碼對目標數(shù)據(jù)頁中的ecc碼進行校驗，以此來提升ecc碼的正確性，其中，目標數(shù)據(jù)頁與所述第一數(shù)據(jù)頁頁數(shù)相同，所述目標數(shù)據(jù)頁所屬的存儲塊與所述第一數(shù)據(jù)頁所屬的存儲塊為兩個不相鄰的距離較遠的存儲塊，可以有效降低過度編程和讀操作干擾帶來的位反轉(zhuǎn)的風(fēng)險。利用校驗后的ecc碼對所述目標數(shù)據(jù)頁中的數(shù)據(jù)進行校驗，由于提升了ecc碼的準確性，利用該ecc碼對數(shù)據(jù)進行校驗的準確性會更高，從而可以有效降低nandflash位反轉(zhuǎn)現(xiàn)象的風(fēng)險。

以上對本發(fā)明實施例所提供的一種nandflash數(shù)據(jù)校驗的方法與裝置進行了詳細介紹。說明書中各個實施例采用遞進的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處，各個實施例之間相同相似部分互相參見即可。對于實施例公開的裝置而言，由于其與實施例公開的方法相對應(yīng)，所以描述的比較簡單，相關(guān)之處參見方法部分說明即可。應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以對本發(fā)明進行若干改進和修飾，這些改進和修飾也落入本發(fā)明權(quán)利要求的保護范圍內(nèi)。

專業(yè)人員還可以進一步意識到，結(jié)合本文中所公開的實施例描述的各示例的單元及算法步驟，能夠以電子硬件、計算機軟件或者二者的結(jié)合來實現(xiàn)，為了清楚地說明硬件和軟件的可互換性，在上述說明中已經(jīng)按照功能一般性地描述了各示例的組成及步驟。這些功能究竟以硬件還是軟件方式來執(zhí)行，取決于技術(shù)方案的特定應(yīng)用和設(shè)計約束條件。專業(yè)技術(shù)人員可以對每個特定的應(yīng)用來使用不同方法來實現(xiàn)所描述的功能，但是這種實現(xiàn)不應(yīng)認為超出本發(fā)明的范圍。

結(jié)合本文中所公開的實施例描述的方法或算法的步驟可以直接用硬件、處理器執(zhí)行的軟件模塊，或者二者的結(jié)合來實施。軟件模塊可以置于隨機存儲器(ram)、內(nèi)存、只讀存儲器(rom)、電可編程rom、電可擦除可編程rom、寄存器、硬盤、可移動磁盤、cd-rom、或技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)所公知的任意其它形式的存儲介質(zhì)中。