本發(fā)明涉及光學(xué)指紋識(shí)別領(lǐng)域，尤其涉及一種光學(xué)指紋傳感器模組。

背景技術(shù)：

指紋成像識(shí)別技術(shù)，是通過(guò)光學(xué)指紋傳感器采集到人體的指紋圖像，然后與系統(tǒng)里的已有指紋成像信息進(jìn)行比對(duì)，來(lái)判斷正確與否，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)身份識(shí)別的技術(shù)。由于其使用的方便性，以及人體指紋的唯一性，指紋成像識(shí)別技術(shù)已經(jīng)大量應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域。比如公安局和海關(guān)等安檢領(lǐng)域、樓宇的門禁系統(tǒng)、以及個(gè)人電腦和手機(jī)等消費(fèi)品領(lǐng)域等等。指紋成像識(shí)別技術(shù)的實(shí)現(xiàn)方式有光學(xué)成像、電容成像、超聲成像等多種技術(shù)。相對(duì)來(lái)說(shuō)，光學(xué)指紋成像識(shí)別技術(shù)成像效果相對(duì)較好，設(shè)備成本相對(duì)較低。

公開(kāi)號(hào)為cn104933421a的中國(guó)發(fā)明專利申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N光學(xué)式指紋成像系統(tǒng)，通過(guò)在系統(tǒng)的保護(hù)層外表面、保護(hù)層的內(nèi)表面或光學(xué)指紋傳感器上表面增加濾光層，避免環(huán)境光對(duì)指紋圖像的干擾，減小環(huán)境光對(duì)指紋成像的影響。

然而，對(duì)于一個(gè)光學(xué)指紋傳感器模組而言，濾光作用還需要進(jìn)一步考慮其它因素，現(xiàn)有光學(xué)指紋傳感器模組的結(jié)構(gòu)有待改進(jìn)，性能有待提高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明解決的問(wèn)題是提供一種光學(xué)指紋傳感器模組，以優(yōu)化光學(xué)指紋傳感器模組的結(jié)構(gòu)，提高光學(xué)指紋傳感器模組的性能。

為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種光學(xué)指紋傳感器模組，光學(xué)指紋傳感器模組包括：光學(xué)指紋傳感器；保護(hù)層，所述保護(hù)層位于所述光學(xué)指紋傳感器上方；背光源，所述背光源位于所述光學(xué)指紋傳感器下方或側(cè)邊；還包括：透光起伏結(jié)構(gòu)，所述透光起伏結(jié)構(gòu)位于所述保護(hù)層和所述指紋傳感器之間；所述透光起伏結(jié)構(gòu)包括起伏單元和緩沖層；所述起伏單元緊密排布在所述緩沖層的第一表面，或者所述起伏單元分散排布在所述緩沖層的第一表面；干涉反射復(fù)合膜層；當(dāng)所述起伏單元緊密排布在所述緩沖層的第一表面時(shí)，所述干涉反射復(fù)合膜層原貌覆蓋所述起伏單元；當(dāng)所述起伏單元分散排布在所述緩沖層的第一表面時(shí)，所述干涉反射復(fù)合膜層原貌覆蓋所述起伏單元和空余的所述第一表面。

可選的，所述起伏單元的高度為1μm～100μm。

可選的，所述起伏單元的寬度為1μm～100μm。

可選的，當(dāng)所述起伏單元分散排布在所述緩沖層表面時(shí)，相鄰所述起伏單元之間的距離在50μm以下。

可選的，所述起伏單元的外形為圓錐形、截頂圓錐形、棱錐形、截頂棱錐形、球缺形和橢球缺形的一種或多種。

可選的，所述干涉反射復(fù)合膜層對(duì)所述背光源光線具有高透過(guò)作用，所述高透過(guò)率作用為所述干涉反射復(fù)合膜層對(duì)所述背光源光線的透過(guò)率大于50％。

可選的，所述干涉反射復(fù)合膜層對(duì)所述環(huán)境光具有高濾除作用，所述高濾除作用為所述干涉反射復(fù)合膜層對(duì)所述環(huán)境光的透過(guò)率小于30％。

可選的，所述干涉反射復(fù)合膜層的厚度為50nm～5000nm。

可選的，所述干涉反射復(fù)合膜層的層數(shù)為2～200。

可選的，所述光學(xué)指紋傳感器模組還包括濾光層，所述濾光層位于所述透光起伏結(jié)構(gòu)上方或下方，或者所述濾光層同時(shí)位于所述透光起伏結(jié)構(gòu)的上方和下方。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明的技術(shù)方案中，提供具有起伏單元的透光起伏結(jié)構(gòu)，然后在透光起伏結(jié)構(gòu)上制作相應(yīng)的干涉反射復(fù)合膜層，此時(shí)，干涉反射復(fù)合膜層能夠獲得透光起伏結(jié)構(gòu)的相應(yīng)微觀起伏結(jié)構(gòu)，進(jìn)而使得干涉反射復(fù)合膜層能夠?qū)Σ煌嵌鹊墓饩€均起到相應(yīng)的選擇通過(guò)作用，有效濾除角度較為分散的環(huán)境光，并保持對(duì)背光源光線的高透過(guò)作用，從而使得相應(yīng)的光學(xué)指紋傳感器能夠接收到大量有效的背光源光線用于指紋圖像識(shí)別，使得光學(xué)指紋傳感器模組具有良好的指紋識(shí)別性能。

進(jìn)一步，通過(guò)干涉反射復(fù)合膜層自身各尺寸大小的控制，可以使得干涉反射復(fù)合膜層的每個(gè)位置均是特別針對(duì)較小角度范圍光線的高透過(guò)(或高濾除)層結(jié)構(gòu)，從而進(jìn)一步提高干涉反射復(fù)合膜層的抗環(huán)境光的作用，以及對(duì)背光源光線的透過(guò)作用，并能夠進(jìn)一步減少膜層的層數(shù)和總厚度，降低相應(yīng)的工藝難度，降低工藝成本。

附圖說(shuō)明

圖1光學(xué)指紋傳感器模組的疊層結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例所提供的光學(xué)指紋傳感器模組剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是圖2所示光學(xué)指紋傳感器模組中光學(xué)指紋傳感器和背光源的俯視示意圖；

圖4是圖2所示光學(xué)指紋傳感器模組中部分起伏結(jié)構(gòu)和干涉反射復(fù)合膜層的第一種放大結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是圖2所示光學(xué)指紋傳感器模組中部分起伏結(jié)構(gòu)和干涉反射復(fù)合膜層的第二種放大結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是圖2所示光學(xué)指紋傳感器模組中部分起伏結(jié)構(gòu)和干涉反射復(fù)合膜層的第三種放大結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7是圖2所示光學(xué)指紋傳感器模組中部分起伏結(jié)構(gòu)和干涉反射復(fù)合膜層的第四種放大結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8是圖2所示光學(xué)指紋傳感器模組中部分起伏結(jié)構(gòu)和干涉反射復(fù)合膜層的第五種放大結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9是圖2所示光學(xué)指紋傳感器模組中部分起伏結(jié)構(gòu)和干涉反射復(fù)合膜層的第六種放大結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10是本發(fā)明另一實(shí)施例所提供的另一種光學(xué)指紋傳感器模組剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

光學(xué)指紋傳感器模組在設(shè)計(jì)時(shí)，會(huì)設(shè)置干涉反射復(fù)合膜層。通過(guò)入射光在干涉反射復(fù)合膜層內(nèi)部多層不同材質(zhì)薄膜間的多層反射和干涉，產(chǎn)生對(duì)入射光的增強(qiáng)或消弱作用，最終實(shí)現(xiàn)對(duì)特定波長(zhǎng)光的高透過(guò)作用或高反射作用。也就是說(shuō)，干涉反射復(fù)合膜層能夠使得某些波長(zhǎng)范圍的光(例如背光源的光)很容易地通過(guò)(透射)，即高透射低反射；而另外一些波長(zhǎng)范圍的光(例如環(huán)境光)則很難通過(guò)(透射)，即高反射低透射。利用干涉反射復(fù)合膜層的這個(gè)作用，設(shè)置干涉反射復(fù)合膜層可以使光學(xué)指紋傳感器模組更好地利用背光源的光線，并大大降低環(huán)境光的不良影響。

一種光學(xué)指紋傳感器模組具體具有如圖1所示的疊層結(jié)構(gòu)：基層和位于基層上的干涉反射復(fù)合膜層?；鶎訛楣鈱W(xué)指紋傳感器模組的某個(gè)特定層結(jié)構(gòu)，具有平坦表面。干涉反射復(fù)合膜層為平坦層結(jié)構(gòu)，覆蓋在基層表面。這種結(jié)構(gòu)下，由于環(huán)境光的入射光角度的分布很大，因此，當(dāng)利用干涉反射復(fù)合膜層來(lái)選擇阻擋環(huán)境光時(shí)，就會(huì)出現(xiàn)阻擋效果不理想的情況，例如圖1所示，雖然對(duì)于豎直方向上傳播的環(huán)境光，干涉反射復(fù)合膜層具有較好的防止通過(guò)作用(豎直向下的實(shí)線箭頭代表環(huán)境光線的豎直入射光線，豎直向上的虛線箭頭代表環(huán)境光線被反射回去的豎直反射光線)，但是，對(duì)于一定傾斜角度的環(huán)境光，干涉反射復(fù)合膜層無(wú)法有效阻擋，環(huán)境光仍然大量傳播進(jìn)入下方的基層(斜向下的實(shí)線箭頭代表環(huán)境光線的斜入射光線，斜向下的虛線箭頭代表環(huán)境光進(jìn)入基層后的光線)。

由理論計(jì)算可知，對(duì)于同一波長(zhǎng)的光來(lái)說(shuō)，如果要對(duì)不同入射角度的光都進(jìn)行相應(yīng)的通過(guò)(透射)或者反射作用，就需要不同的多層膜結(jié)構(gòu)。而如果此多層膜結(jié)構(gòu)制作在光滑的平面上時(shí)，為了實(shí)現(xiàn)多角度光(例如包括了180度范圍內(nèi)的光)的高反射(或高透射/通過(guò))效果，則需要依次制作對(duì)應(yīng)不同角度入射光的各個(gè)子膜疊層，最終會(huì)導(dǎo)致需要很多層薄膜結(jié)構(gòu)，工藝難度大大增加，會(huì)導(dǎo)致成本大大增加。由于膜層數(shù)目越多，與基底的應(yīng)力匹配會(huì)更差，最終導(dǎo)致薄膜附著力下降，甚至脫落，大大限制應(yīng)用范圍。

為此，本發(fā)明提供一種新的光學(xué)指紋傳感器模組，所述光學(xué)指紋傳感器模組通過(guò)起伏結(jié)構(gòu)和干涉反射復(fù)合膜層的配合，使得能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)多角度光的高反射和高濾除效果，從而有效阻擋角度較為分散的環(huán)境光，并保持對(duì)背光源光線的高透過(guò)作用，從而使得相應(yīng)的光學(xué)指紋傳感器能夠接收到大量有效的背光源光線用于指紋圖像識(shí)別，使得光學(xué)指紋傳感器模組具有良好的指紋識(shí)別性能。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說(shuō)明。

本說(shuō)明書中的上下關(guān)系，是以將光學(xué)指紋傳感器模組放置在用戶眼睛下方，并且令保護(hù)層比光學(xué)指紋傳感器更加靠近用戶眼睛的方式來(lái)進(jìn)行定義的。也就是說(shuō)，光學(xué)指紋傳感器模組中，如果說(shuō)一個(gè)結(jié)構(gòu)位于另一個(gè)結(jié)構(gòu)的上方，說(shuō)明這個(gè)結(jié)構(gòu)比另一個(gè)結(jié)構(gòu)更加靠近用戶眼睛，在此一并說(shuō)明。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種光學(xué)指紋傳感器模組，請(qǐng)參考圖2，所述光學(xué)指紋傳感器模組從上到下包括保護(hù)層110、第一吸光層120、透光膠層130、干涉反射復(fù)合膜層140、透光起伏結(jié)構(gòu)150、第二吸光層160和光學(xué)指紋傳感器170，在上述各結(jié)構(gòu)下方還具有背光源180。

由上述可知，保護(hù)層110位于光學(xué)指紋傳感器170上方，其中，光學(xué)指紋傳感器170的整個(gè)正上方可以均被保護(hù)層110覆蓋，當(dāng)然，光學(xué)指紋傳感器170和保護(hù)層110之間具有其它層結(jié)構(gòu)。同樣的，背光源180位于光學(xué)指紋傳感器170下方，此時(shí)，背光源180可以是位于光學(xué)指紋傳感器170正下方或者斜下方。

圖中雖未顯示，但光學(xué)指紋傳感器170可以包括指紋感測(cè)電路層和襯底基板。所述襯底基板為透光材質(zhì)，例如玻璃基板。在一種情況下，所述指紋感測(cè)電路層位于所述襯底基板上方，此時(shí)，光學(xué)指紋傳感器170可以為基于玻璃基板的以tft(thinfilmtransistor，薄膜晶體管)工藝制作的圖像傳感器，即襯底基板可以為玻璃；在另一種情況下，所述襯底基板位于所述指紋感測(cè)電層上方，此時(shí)，光學(xué)指紋傳感器170可以為基于玻璃基板、tft工藝的背照式圖像傳感器。

需要說(shuō)明的是，在其他實(shí)施例中，光學(xué)指紋傳感器170也可以是基于硅襯底且采用cmos工藝制作的光學(xué)傳感器，即襯底基板為硅襯底。這種情況下，由于光學(xué)指紋傳感器的襯底基板本身不透光，背光源就不能置于光學(xué)指紋傳感器正下方，而是置于光學(xué)指紋傳感器側(cè)邊(包括三種情況)即可。這種背光源設(shè)置在光學(xué)指紋傳感器側(cè)邊的方案下，第一種情況下，可以是將背光源設(shè)置在光學(xué)指紋傳感器側(cè)邊下方(斜下方)；第二種情況下，可以是將背光源設(shè)置在光學(xué)指紋傳感器同一水平高度的側(cè)邊；第三種情況下，可以是將背光源設(shè)置在光學(xué)指紋傳感器的側(cè)邊上方(斜上方)。當(dāng)背光源位于光學(xué)指紋傳感器同一水平高度的側(cè)邊或者側(cè)邊上方時(shí)，背光源發(fā)出的光線在向上傳播至保護(hù)層的過(guò)程中，可以不需要經(jīng)過(guò)光學(xué)指紋傳感器、吸光層和透光起伏結(jié)構(gòu)等各個(gè)結(jié)構(gòu)，從而更加有利于光線用于指紋識(shí)別。

所述指紋感測(cè)電路層包括像素區(qū)，圖3中用矩形虛線框示出像素區(qū)。所述像素區(qū)中具有多個(gè)感光像素單元。每個(gè)所述感光像素單元可以包括透光區(qū)域和非透光區(qū)域。所述感光像素單元的感光元件位于所述非透光區(qū)域。所述感光元件可以為感光二極管等結(jié)構(gòu)。感光像素單元的非透光區(qū)域并不是整個(gè)區(qū)域從上到下都是非透光的。而是，這些區(qū)域的底部具有非透光層，從而使得位于這些底部非透光層上方的光敏結(jié)構(gòu)(例如感光元件等結(jié)構(gòu))能夠被這些非透光層保護(hù)，不受從下方傳來(lái)的光線影響。但是，非透光區(qū)域中，在這些光敏結(jié)構(gòu)上方的結(jié)構(gòu)仍然是透光的，以使得這些光敏結(jié)構(gòu)能夠接收來(lái)自上方的光線。例如相應(yīng)的指紋反射光線能夠向下傳播，被感光元件接收。

上述透光區(qū)域的存在可知，光學(xué)指紋傳感器170整體是能夠透光的，因此，背光源180發(fā)出的光線能夠經(jīng)過(guò)光學(xué)指紋傳感器170一直傳播至保護(hù)層110上表面，而保護(hù)層110上表面為手指的接觸表面，當(dāng)光線到達(dá)手指指紋與保護(hù)層110上表面形成的界面時(shí)，會(huì)產(chǎn)生反射和折射等光學(xué)現(xiàn)象，相應(yīng)的反射光線會(huì)向下(斜向下)返回，并一步步重新傳播回到光學(xué)指紋傳感器170，被光學(xué)指紋傳感器170非透光區(qū)上的感光像素單元接收，感光像素單元再產(chǎn)生相應(yīng)的圖像信號(hào)(圖像采集)，實(shí)現(xiàn)指紋圖像的識(shí)別。

圖3還用三角形虛線框示出位于光學(xué)指紋傳感器170下方的背光源180，由圖3可知，背光源180位于像素區(qū)的斜下方，即在俯視時(shí)，背光源180和像素區(qū)沒(méi)有重疊部分。

請(qǐng)參考圖4至圖9，可知，透光起伏結(jié)構(gòu)150包括起伏單元和緩沖層，干涉反射復(fù)合膜層140均位于透光起伏結(jié)構(gòu)150上表面。

圖4為圖2中虛線框a包圍部分的透光起伏結(jié)構(gòu)150的放大示意圖，并且是第一種透光起伏結(jié)構(gòu)150a的部分放大示意圖。透光起伏結(jié)構(gòu)150a包括緩沖層152a和起伏單元151a。

在圖4中，起伏單元151a分散排布在緩沖層152a的第一表面(第一表面未標(biāo)注，第一表面為圖4中緩沖層152a上表面)。干涉反射復(fù)合膜層140原貌覆蓋起伏單元151a和空余的第一表面(空余的第一表面為第一表面未被起伏單元151a占據(jù)的部分)。

原貌覆蓋亦即保形覆蓋，即干涉反射復(fù)合膜層原貌覆蓋起伏單元和空余的第一表面之后(當(dāng)沒(méi)有空余的第一表面時(shí)，干涉反射復(fù)合膜層原貌覆蓋起伏單元表面)，干涉反射復(fù)合膜層上表面的形狀與原來(lái)起伏單元表面和空余的第一表面的總體形狀相同。

圖4中，起伏單元151a的外形為球缺形，具體是呈半球形。這種情況的起伏單元151a表面變化較為規(guī)則平緩，有助于干涉反射復(fù)合膜層140良好粘附形成在其表面。

圖4還顯示，干涉反射復(fù)合膜層140直接位于透光起伏結(jié)構(gòu)150a上。原貌覆蓋在透光起伏結(jié)構(gòu)150a上的干涉反射復(fù)合膜層140獲得了透光起伏結(jié)構(gòu)150a中起伏單元上表面和空余第一表面相應(yīng)的起伏形狀，因此，干涉反射復(fù)合膜層140各個(gè)不同位置是起伏不平的，此時(shí)根據(jù)光學(xué)原理可知，干涉反射復(fù)合膜層140能夠?qū)Σ煌嵌鹊沫h(huán)境光進(jìn)行濾除作用，圖4中顯示出干涉反射復(fù)合膜層140對(duì)四道不同環(huán)境光的濾除作用，其中向下(斜向下)的實(shí)線箭頭代表的是入射的環(huán)境光，而向上(斜向上)是虛線箭頭代表的是被干涉反射復(fù)合膜層140反射回去的環(huán)境光，從而被濾除(環(huán)境光同時(shí)還部分沒(méi)有被干涉反射復(fù)合膜層140反射回去，從而透過(guò)過(guò)反射復(fù)合膜層140進(jìn)入緩沖層152a)。

請(qǐng)參考圖5，圖5為圖2中虛線框a包圍部分的透光起伏結(jié)構(gòu)150的放大示意圖，并且是第二種透光起伏結(jié)構(gòu)150b的部分放大示意圖。透光起伏結(jié)構(gòu)150b包括緩沖層152b和起伏單元151b。

圖5中，起伏單元151b同樣是半球形，與圖4不同的是，圖5中，起伏單元151b是緊密排布在緩沖層152b的第一表面，此時(shí)第一表面全部被起伏單元151b占據(jù)，整個(gè)起伏結(jié)構(gòu)150b的上表面即為起伏單元151b的表面。

圖5中，干涉反射復(fù)合膜層140同樣原貌覆蓋起伏單元151b。相應(yīng)的，干涉反射復(fù)合膜層140獲得了起伏單元151b的表面所限定的微觀起伏形狀。

請(qǐng)參考圖6，圖6為圖2中虛線框a包圍部分的透光起伏結(jié)構(gòu)150的放大示意圖，并且是第三種透光起伏結(jié)構(gòu)150c的部分放大示意圖。透光起伏結(jié)構(gòu)150c包括緩沖層152c和起伏單元151c。圖6中，起伏單元151c是半橢球形(亦即橢球缺形)，起伏單元151c是緊密排布在緩沖層152c的第一表面，干涉反射復(fù)合膜層140原貌覆蓋起伏單元151c，干涉反射復(fù)合膜層140獲得了起伏單元151c的外表面所限定的微觀起伏形狀。

請(qǐng)參考圖7，圖7為圖2中虛線框a包圍部分的透光起伏結(jié)構(gòu)150的放大示意圖，并且是第四種透光起伏結(jié)構(gòu)150d的部分放大示意圖。透光起伏結(jié)構(gòu)150d包括緩沖層152d和起伏單元151d。圖7中，起伏單元151d的外形呈圓錐形(或棱錐形)，起伏單元151d是分散排布在緩沖層152d的第一表面，干涉反射復(fù)合膜層140原貌覆蓋起伏單元151d和空余第一表面，干涉反射復(fù)合膜層140獲得了起伏單元151d的外表面和空余第一表面所限定的微觀起伏形狀。

請(qǐng)參考圖8，圖8為圖2中虛線框a包圍部分的透光起伏結(jié)構(gòu)150的放大示意圖，并且是第五種透光起伏結(jié)構(gòu)150e的部分放大示意圖。透光起伏結(jié)構(gòu)150e包括緩沖層152e和起伏單元151e。圖8中，起伏單元151e的外形呈截頂圓錐形(或截頂棱錐形，也可稱梯臺(tái)形)，起伏單元151e是分散排布在緩沖層152e的第一表面，干涉反射復(fù)合膜層140原貌覆蓋起伏單元151e和空余第一表面，干涉反射復(fù)合膜層140獲得了起伏單元151e的表面和空余第一表面一同限定的微觀起伏形狀。

請(qǐng)參考圖9，圖9為圖2中虛線框a包圍部分的透光起伏結(jié)構(gòu)150的放大示意圖，并且是第六種透光起伏結(jié)構(gòu)150f的部分放大示意圖。透光起伏結(jié)構(gòu)150f包括緩沖層152f和起伏單元151f。圖9中，不同起伏單元151f的外形不同。具體的，透光起伏結(jié)構(gòu)150f具有截頂圓錐形起伏單元151f，半球形起伏單元151f和半橢球形起伏單元151f。這些起伏單元151f是分散排布在緩沖層152f的第一表面，干涉反射復(fù)合膜層140原貌覆蓋起伏單元151f和空余第一表面，干涉反射復(fù)合膜層140獲得了起伏單元的外表面和空余第一表面共同限定的微觀起伏形狀。其它情況下，起伏單元的外形還可以更加多樣。

需要說(shuō)明的是，上述各種情況下，不論起伏單元的外形是否相同，各起伏單元的尺寸可以基本相同，也可以在一定范圍內(nèi)分布。具體的，起伏單元的寬度可以為1μm～100μm(需要說(shuō)明的是，各剖面圖中僅顯示了其中一個(gè)寬度，另一個(gè)寬度的范圍同樣為1μm～100μm，所述另一個(gè)寬度通常與各剖面圖所示的寬度相垂直)，起伏單元的高度可以為1μm～100μm。當(dāng)起伏單元分散分布時(shí)，相鄰起伏單元之間的距離可以在50μm以下。相鄰起伏單元之間的距離、起伏單元的高度和起伏單元的寬度三個(gè)尺寸的大小范圍選擇，都考慮環(huán)境光和背光源180光線的波長(zhǎng)范圍。其原因在于，透光起伏結(jié)構(gòu)150是提供一種起伏不平的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)，以保證后續(xù)的干涉反射復(fù)合膜層140同樣具有起伏不平的結(jié)構(gòu)?；诖嗽?，在起伏單元分散排布在緩沖層的第一表面的情況下，通過(guò)控制上述三個(gè)尺寸的大小，保證全部起伏單元在緩沖層上表面的分散程度合適，單個(gè)起伏單元的大小合適，進(jìn)而保證相應(yīng)干涉反射復(fù)合膜層140起到更好的光學(xué)作用。

本實(shí)施例中，干涉反射復(fù)合膜層140的厚度為50nm～5000nm，干涉反射復(fù)合膜層140的層數(shù)為2～200。干涉反射復(fù)合膜層140通常為多層結(jié)構(gòu)，通過(guò)對(duì)內(nèi)部膜層層數(shù)的控制，以及對(duì)每一膜層厚度的控制和對(duì)膜層總厚度的控制，可以使干涉反射復(fù)合膜層140更好地達(dá)到相應(yīng)光學(xué)作用：對(duì)背光源180所在波長(zhǎng)的光具有高透過(guò)作用，而其他波段(波段指一定波長(zhǎng)范圍的集合)的光則具有高濾除作用，從而特定地濾除環(huán)境光，而同時(shí)保證背光源180的光線高效透過(guò)。同時(shí)，干涉反射復(fù)合膜層140的總厚度和總層數(shù)能夠控制在上述范圍內(nèi)，還得益于上述起伏單元的寬度、高度和相互距離的控制。

如前所述，干涉反射復(fù)合膜層140對(duì)背光源180光線具有高透過(guò)作用，具體的，所述高透過(guò)率作用為：干涉反射復(fù)合膜層140對(duì)背光源180光線的透過(guò)率大于50％。此高透過(guò)作用保證光學(xué)指紋傳感器模組具有較佳的指紋識(shí)別性能。

如前所述，干涉反射復(fù)合膜層140對(duì)環(huán)境光具有高濾除作用，具體的，所述高濾除作用為：干涉反射復(fù)合膜層140對(duì)環(huán)境光的透過(guò)率小于30％。此高濾除作用保證光學(xué)指紋傳感器模組具有較佳的指紋識(shí)別性能。

本實(shí)施例中，透光膠層130可以為光學(xué)膠，透光膠層130將第一吸光層120和干涉反射復(fù)合膜層140粘接在一起。而第一吸光層120本身可以是直接形成在保護(hù)層110的下表面(內(nèi)表面)的，第二吸光層160本身也可以是直接形成在光學(xué)指紋傳感器170上表面的，透光起伏結(jié)構(gòu)150可以是直接形成在第二吸光層160上表面。同時(shí)，上述內(nèi)容可知，干涉反射復(fù)合膜層140可以是直接形成在透光起伏結(jié)構(gòu)150的相應(yīng)位置表面的(從而更好地實(shí)現(xiàn)原貌覆蓋)。因此，只需要通過(guò)透光膠層130將第一吸光層120和干涉反射復(fù)合膜層140粘接在一起，圖2中所示的各疊層結(jié)構(gòu)就能夠成為相互層疊的整體結(jié)構(gòu)。

本實(shí)施例中，吸光層同時(shí)位于透光起伏結(jié)構(gòu)150的上方和下方(即同時(shí)具有第一吸光層和第二吸光層)。其中，吸光層的材料可以是油墨等。同時(shí)，設(shè)置吸光層對(duì)背光源180所在波長(zhǎng)的光具有高透過(guò)作用，而對(duì)其他波段的高具有高濾除作用(可以通過(guò)吸收作用進(jìn)行濾除)。需要說(shuō)明的是，其它實(shí)施例中，吸光層也可以僅位于透光起伏結(jié)構(gòu)150上方或下方，或者也可以完全省略吸光層。

環(huán)境光的入射光角度的分布很大，由于起伏結(jié)構(gòu)的存在，干涉反射復(fù)合膜層140能夠獲得相應(yīng)的起伏形狀。當(dāng)入射角范圍分布很大的光照射到干涉反射復(fù)合膜層140時(shí)，干涉反射復(fù)合膜層140的不同微觀位置對(duì)不同入射角度的入射光起作用，每個(gè)微觀位置都能夠?qū)σ欢ㄈ肷浣欠秶鷥?nèi)的入射光起到干涉反射作用，所述角度范圍約為10度。由于前面已經(jīng)設(shè)置了起伏結(jié)構(gòu)，因此，只需要制作較簡(jiǎn)單的干涉反射復(fù)合膜層140，就可以對(duì)不同角度的入射光(環(huán)境光)都會(huì)有一定比例的干涉反射作用，從而使不同角度的入射光(環(huán)境光)都得到一定比例的濾除。

綜上可知，本實(shí)施例所提供的光學(xué)指紋傳感器模組中，提供具有起伏單元的透光起伏結(jié)構(gòu)150，事實(shí)上就是提供具有微觀的起伏結(jié)構(gòu)，然后在起伏面上(即起伏單元表面，或者起伏單元與空白的第一表面共同構(gòu)成的表面)制作相應(yīng)的干涉反射復(fù)合膜層140，此時(shí)，干涉反射復(fù)合膜層140能夠獲得相應(yīng)的微觀起伏面結(jié)構(gòu)，進(jìn)而使得干涉反射復(fù)合膜層140能夠?qū)Σ煌嵌鹊墓饩€均起到相應(yīng)的選擇通過(guò)作用，大比例濾除角度較為分散的環(huán)境光，并保持對(duì)背光源180光線的高透過(guò)作用，從而使得相應(yīng)的光學(xué)指紋傳感器170能夠接收到大量有效的背光源180光線用于指紋圖像識(shí)別，使得光學(xué)指紋傳感器模組具有良好的指紋識(shí)別性能。

同時(shí)，通過(guò)干涉反射復(fù)合膜層140自身各尺寸大小的控制，可以使得干涉反射復(fù)合膜層140的每個(gè)位置均是特別針對(duì)較小角度范圍(例如10度以內(nèi))光線的高透過(guò)(或高濾除)層結(jié)構(gòu)，從而進(jìn)一步提高干涉反射復(fù)合膜層140的抗環(huán)境光的作用，以及對(duì)背光源180光線的透過(guò)作用，并能夠進(jìn)一步減少膜層的層數(shù)和總厚度，降低相應(yīng)的工藝難度，降低工藝成本。

本發(fā)明另一實(shí)施例提供一種光學(xué)指紋傳感器模組，請(qǐng)參考圖10，所述光學(xué)指紋傳感器模組從上到下包括保護(hù)層210、第一吸光層220、透光起伏結(jié)構(gòu)230、干涉反射復(fù)合膜層240、透光膠層250、第二吸光層260和光學(xué)指紋傳感器270，在上述各結(jié)構(gòu)下方還具有背光源280。

由上述可知，本實(shí)施例與圖2所示實(shí)施例的主要不同之處在于，透光起伏結(jié)構(gòu)230位于干涉反射復(fù)合膜層240上方，或者說(shuō)，干涉反射復(fù)合膜層240位于透光起伏結(jié)構(gòu)230下方。在此基礎(chǔ)上，本實(shí)施例中，透光起伏結(jié)構(gòu)230同樣包括相應(yīng)的緩沖層和起伏單元，但圖10中未進(jìn)行標(biāo)注和具體放大顯示，可以參考圖4至圖9相應(yīng)內(nèi)容。但是，與這些圖4和圖9顯示的具體放大結(jié)構(gòu)不同的是，如果將圖10中的部分透光起伏結(jié)構(gòu)230和對(duì)應(yīng)干涉反射復(fù)合膜層240進(jìn)行放大的時(shí)候，干涉反射復(fù)合膜層240會(huì)位于透光起伏結(jié)構(gòu)230的起伏單元下方，或者，干涉反射復(fù)合膜層240會(huì)位于起伏單元和空余的第一表面(第一表面同樣為緩沖層具有起伏單元的表面)下方。

圖10所示的結(jié)構(gòu)中，干涉反射復(fù)合膜層240位于透光起伏結(jié)構(gòu)230下方，其主要原因在于方便相應(yīng)的制作過(guò)程，例如具體制作光學(xué)指紋傳感器模組時(shí)，可以在保護(hù)層210下表面形成相應(yīng)的第一吸光層220，然后在第一吸光層220下表面繼續(xù)形成透光起伏結(jié)構(gòu)230的緩沖層，將緩沖層的下表面作為第一表面，在第一表面上形成起伏單元，之后，在起伏單元表面(此時(shí)也是下表面)上保形形成干涉反射復(fù)合膜層240，從而使是干涉反射復(fù)合膜層240原貌覆蓋起伏單元，此時(shí)，如果有空余的第一表面，則同時(shí)原貌覆蓋空余第一表面。

更多本實(shí)施例所提供光學(xué)指紋傳感器模組的結(jié)構(gòu)、性質(zhì)和優(yōu)點(diǎn)，可參考前述實(shí)施例相應(yīng)內(nèi)容。

雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。