本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種觸控基板及觸控顯示面板。
背景技術(shù):
隨著技術(shù)的發(fā)展,具有觸摸控制功能的觸控面板獲得了越來越多的應(yīng)用。
電容式觸控面板是觸控面板的一種重要形式,現(xiàn)有的觸控顯示面板中,在除驅(qū)動電路側(cè)(ic側(cè))外的其它三側(cè)由于有各種金屬走線排布,會產(chǎn)生寄生電容,從而影響觸控顯示面板中各側(cè)邊上的觸控電極塊的電容,進(jìn)而造成觸控顯示面板整體容值不均一,影響產(chǎn)品良率,同時也會造成資材的浪費(fèi)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一,提供一種觸控電極塊的容值均一的觸控基板。
解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種觸控基板,包括觸控區(qū)和位于所述觸控區(qū)的至少部分側(cè)邊外的走線區(qū);
所述走線區(qū)中設(shè)有與觸控區(qū)鄰近的信號線;
所述觸控區(qū)分為與走線區(qū)相鄰的附加感應(yīng)區(qū)和除附加感應(yīng)區(qū)外的正常感應(yīng)區(qū),且所述附加感應(yīng)區(qū)和正常感應(yīng)區(qū)內(nèi)均設(shè)有多個觸控電極塊,其中,所述附加感應(yīng)區(qū)中的每個觸控電極塊的面積均小于正常感應(yīng)區(qū)的每個觸控電極塊的面積。
優(yōu)選的,位于觸控區(qū)一側(cè)的附加感應(yīng)區(qū)具有指向與其相鄰的走線區(qū)且與觸控區(qū)該側(cè)垂直的外向方向;
在所述附加感應(yīng)區(qū)中的觸控電極塊在所述外向方向上的尺寸小于正常感應(yīng)區(qū)中的觸控電極塊在所述外向方向上的尺寸。
進(jìn)一步優(yōu)選的,附加感應(yīng)區(qū)中的觸控電極塊在所述外向方向上的尺寸d與正常感應(yīng)區(qū)中的觸控電極塊在所述外向方向上的尺寸c滿足:
d=(0.5~0.8)c。
優(yōu)選的,所述走線區(qū)至少位于所述觸控區(qū)的數(shù)據(jù)輸出側(cè)外。
進(jìn)一步優(yōu)選的,所述走線區(qū)還位于觸控區(qū)與數(shù)據(jù)輸出側(cè)相鄰的兩側(cè)外。
優(yōu)選的,所述附加感應(yīng)區(qū)中包括一排所述觸控電極塊。
優(yōu)選的,所述觸控電極塊由透明導(dǎo)電材料形成。
優(yōu)選的,所述觸控電極塊為自容式觸控電極塊。
優(yōu)選的,所述觸控基板也是顯示基板,所述觸控電極塊共用為公共電極。
解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的另一種技術(shù)方案是一種觸控顯示面板,包括上述任意一種觸控基板。
本發(fā)明的觸控基板包括觸控區(qū)和走線區(qū),其中,觸控區(qū)包括附加感應(yīng)區(qū)和正常感應(yīng)區(qū),均設(shè)有多個觸控電極塊,其中,附加感應(yīng)區(qū)中的每個觸控電極塊的面積均小于正常感應(yīng)區(qū)的每個觸控電極塊的面積,從而使附加感應(yīng)區(qū)中的每個觸控電極塊的電容小于正常感應(yīng)區(qū)中的每個觸控電極塊的電容,進(jìn)而在觸控基板工作時,附加感應(yīng)區(qū)中的每個觸控電極塊的電容受走線區(qū)的附加電容影響而增大至與正常感應(yīng)區(qū)中觸控電極塊相同的電容,實(shí)現(xiàn)在不影響觸控功能的條件下,使觸控基板上的觸控電極塊的容值均一。
附圖說明
圖1為本發(fā)明的實(shí)施例的觸控基板的結(jié)構(gòu)示意圖;
其中附圖標(biāo)記為:1、觸控區(qū);11、正常感應(yīng)區(qū);12、附加感應(yīng)區(qū);2、走線區(qū);3、信號線;4、觸控電極塊。
具體實(shí)施方式
為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案,下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
實(shí)施例1:
如圖1所示,本實(shí)施例提供一種觸控基板,其包括觸控區(qū)1和位于觸控區(qū)1的至少部分側(cè)邊外的走線區(qū)2;走線區(qū)2中設(shè)有與觸控區(qū)1鄰近的信號線3;觸控區(qū)1分為與走線區(qū)2相鄰的附加感應(yīng)區(qū)12和除附加感應(yīng)區(qū)12外的正常感應(yīng)區(qū)11,且附加感應(yīng)區(qū)12和正常感應(yīng)區(qū)11內(nèi)均設(shè)有多個觸控電極塊4,其中,附加感應(yīng)區(qū)12中的每個觸控電極塊4的面積均小于正常感應(yīng)區(qū)11的每個觸控電極塊4的面積。
觸控基板中具有用于實(shí)現(xiàn)觸控功能的觸控區(qū)1,而觸控基板中的很多信號線3(例如接地線gnd、綠色信號線dg等)不能直接設(shè)于觸控區(qū)1中,而要設(shè)在位于觸控區(qū)1外的走線區(qū)2中,而走線區(qū)2中有的信號線3會與觸控區(qū)1相鄰。觸控基板的觸控區(qū)1(包括附加感應(yīng)區(qū)12和正常感應(yīng)區(qū)11)內(nèi)設(shè)有多個觸控電極塊4,當(dāng)其工作時,觸控電極塊4的電容會根據(jù)人手指的觸摸發(fā)生變化,從而根據(jù)各觸控電極塊4的電容變化來判斷手指的具體位置?,F(xiàn)有技術(shù)中,觸控基板上由于走線區(qū)2設(shè)有信號線3,觸控基板在工作時,走線區(qū)2的信號線3會產(chǎn)生各種附加電容(例如寄生電容、感應(yīng)電容等),從而影響與走線區(qū)2相鄰的部分觸控基板(即附加感應(yīng)區(qū)12)中觸控電極塊4的電容,使附加感應(yīng)區(qū)12中觸控電極塊4的電容大于正常感應(yīng)區(qū)11中觸控電極塊4的電容,造成觸控區(qū)1的容值不均一。
故本實(shí)施例中,將附加感應(yīng)區(qū)12中的每個觸控電極塊4的面積減小,使其小于正常感應(yīng)區(qū)11的每個觸控電極塊4的面積,從而減小附加感應(yīng)區(qū)12中的每個觸控電極塊4的電容,進(jìn)而在觸控基板工作時,附加感應(yīng)區(qū)12中的每個觸控電極塊4的電容受走線區(qū)2的附加電容影響而增大至與正常感應(yīng)區(qū)11中觸控電極塊4相同的電容,達(dá)到同樣的觸控效果??梢岳斫獾氖?,減小觸控電極塊4的電容的方式還有多種,例如改變感應(yīng)介質(zhì)等,在此不再贅述。
優(yōu)選的,附加感應(yīng)區(qū)12和正常感應(yīng)區(qū)11內(nèi)的觸控電極塊4呈陣列均勻排布,從而便于觸控識別。
優(yōu)選的,位于觸控區(qū)1一側(cè)的附加感應(yīng)區(qū)12具有指向與其相鄰的走線區(qū)2且與觸控區(qū)1該側(cè)垂直的外向方向;在附加感應(yīng)區(qū)12中的觸控電極塊4在外向方向上的尺寸小于正常感應(yīng)區(qū)11中的觸控電極塊4在外向方向上的尺寸。
其中,觸控區(qū)1具有多個側(cè)邊,靠近其中任意一側(cè)邊的附加感應(yīng)區(qū)12具有與該側(cè)邊垂直的外向方向(如圖1中箭頭所示方向)。
具體的,如圖1所示,本實(shí)施例中,附加感應(yīng)區(qū)12中的觸控電極塊4在外向方向上的尺寸小于正常感應(yīng)區(qū)11中的觸控電極塊4在外向方向上的尺寸,從而使附加感應(yīng)區(qū)12中的觸控電極塊4的面積小于正常感應(yīng)區(qū)11中的觸控電極塊4的面積。
之所以這樣設(shè)置的原因是,在外向方向上減小附加感應(yīng)區(qū)12中的觸控電極塊4的尺寸,則只要同時在該外向方向上均勻增大正常感應(yīng)區(qū)11中的觸控電極塊4的尺寸,即可使觸控電極塊4仍然布滿整個觸控區(qū)1,從而在無需變附加感應(yīng)區(qū)12中的觸控電極塊4數(shù)量和觸控電極塊4間的間隙大小的情況下,達(dá)到同樣的觸控效果。
比如,平行于數(shù)據(jù)輸出端側(cè)(do側(cè))設(shè)有32排觸控電極塊4,其中最靠近do側(cè)的一排屬于附加感應(yīng)區(qū)12,則設(shè)置觸控區(qū)1在外向方向上的尺寸b、附加感應(yīng)區(qū)12中的觸控電極塊4在外向方向上的尺寸d與正常感應(yīng)區(qū)11中的觸控電極塊4在該外向方向上的尺寸c滿足b=31*c+d(不考慮各觸控電極塊4之間的間隙),使32排觸控電極塊4在該外向方向上覆蓋觸控區(qū)1。
而若通過改變其它方向上的尺寸來減小附加感應(yīng)區(qū)12中的觸控電極塊4的面積,則會造成觸控區(qū)1觸控電極塊4覆蓋不全,或者,需要通過增加觸控電極塊4的數(shù)量來保證觸控效果。而毋庸置疑的是,這樣做會增加觸控基板的復(fù)雜程度(例如讀取信號線3的排布設(shè)置)。
進(jìn)一步優(yōu)選的,附加感應(yīng)區(qū)12中的觸控電極塊4在外向方向上的尺寸d與正常感應(yīng)區(qū)11中的觸控電極塊4在外向方向上的尺寸c滿足:d=(0.5~0.8)c。
可以理解的是,為了使工作過程中觸控基板上的觸控電極塊4的容值均一,附加感應(yīng)區(qū)12中的觸控電極塊4的電容與正常感應(yīng)區(qū)11中的觸控電極塊4的電容大小關(guān)系與走線區(qū)2的附加電容有關(guān)。本實(shí)施例中,利用現(xiàn)有的觸控基板測定附加電容對感應(yīng)區(qū)中的觸控電極塊4的電容的影響,通過分析計(jì)算得出當(dāng)附加感應(yīng)區(qū)12中的觸控電極塊4在外向方向上的尺寸d與正常感應(yīng)區(qū)11中的觸控電極塊4在外向方向上的尺寸c滿足:d=(0.5~0.8)c時,觸控基板上的觸控電極塊4的容值均一性良好。當(dāng)然,根據(jù)觸控基板的規(guī)格與實(shí)際需求,可以對應(yīng)調(diào)整附加感應(yīng)區(qū)12中的觸控電極塊4在外向方向上的尺寸d與正常感應(yīng)區(qū)11中的觸控電極塊4在外向方向上的尺寸c的關(guān)系。
優(yōu)選的,觸控電極塊4為自容式觸控電極塊4。各自容式觸控電極塊4同層且相互獨(dú)立的設(shè)于觸控基板上,基于驅(qū)動電路ic的控制進(jìn)行工作,當(dāng)手指按壓時,自容式觸控電極塊4的電容發(fā)生變化,根據(jù)電容發(fā)生變化的觸控電極塊4的位置即可判斷出手指的位置。
優(yōu)選的,走線區(qū)2至少位于觸控區(qū)1的數(shù)據(jù)輸出側(cè)外。
其中,數(shù)據(jù)輸出側(cè)(do側(cè))指觸控基板上與驅(qū)動電路ic相對的一側(cè)。
如圖1所示,觸控基板的走線區(qū)2中的信號線3在觸控區(qū)1的do側(cè)(圖中下側(cè))密集排布,故其產(chǎn)生的附加電容對靠近do側(cè)的附加感應(yīng)區(qū)12的影響較大,易造成觸控基板容值不均觸控基板上的觸控電極塊4的容值均一。優(yōu)選的,靠近do側(cè)的附加感應(yīng)區(qū)12的外向方向與數(shù)據(jù)線(圖中未標(biāo)出)設(shè)置方向平行。
優(yōu)選的,走線區(qū)2還位于觸控區(qū)1與數(shù)據(jù)輸出側(cè)相鄰的兩側(cè)外。
觸控基板的走線區(qū)2中的信號線3還在觸控區(qū)1中與do側(cè)相鄰的兩側(cè)排布,其產(chǎn)生的附加電容會對靠近與do側(cè)相鄰的兩側(cè)(圖中左右兩側(cè))的附加感應(yīng)區(qū)12的產(chǎn)生影響,造成觸控基板容值不均,故在與do側(cè)相鄰的兩側(cè)的也可設(shè)附加感應(yīng)區(qū)12。
應(yīng)當(dāng)理解,以上不同位置的附加感應(yīng)區(qū)12的外向方向不同,故它們中的觸控電極快4的尺寸收縮方向也不同。而對于同時與兩不同方向的走線區(qū)2相鄰的觸控電極塊4(圖1中左下角和右下角的觸控電極塊4),則其在兩個方向的尺寸均可收縮。
優(yōu)選的,附加感應(yīng)區(qū)12中包括一排觸控電極塊4。
走線區(qū)2中產(chǎn)生的寄生電容通常對最靠近其的觸控電極塊4的電容產(chǎn)生影響,故本實(shí)施例中,附加感應(yīng)區(qū)12中包括一排觸控電極塊4。
優(yōu)選的,觸控電極塊4由透明導(dǎo)電材料形成。具體的,該透明導(dǎo)電材料為氧化銦錫(ito)。
優(yōu)選的,觸控基板也是顯示基板,觸控電極塊4共用為公共電極。該觸控基板可以為顯示基板,可分時實(shí)現(xiàn)觸控、顯示功能。其中,觸控電極塊4共用為公共電極,也就是說,在顯示階段觸控電極塊4被通入公共電壓信號,在觸控階段被通入觸控掃描信號,從而節(jié)約生產(chǎn)成本,也不會增加觸控基板的厚度。
本實(shí)施例提供的觸控基板包括觸控區(qū)1和走線區(qū)2,其中,觸控區(qū)1包括附加感應(yīng)區(qū)12和正常感應(yīng)區(qū)11,均設(shè)有多個觸控電極塊4,其中,附加感應(yīng)區(qū)12中的每個觸控電極塊4的面積均小于正常感應(yīng)區(qū)11的每個觸控電極塊4的面積,從而使附加感應(yīng)區(qū)12中的每個觸控電極塊4的電容小于正常感應(yīng)區(qū)11中的每個觸控電極塊4的電容,進(jìn)而在觸控基板工作時,附加感應(yīng)區(qū)12中的每個觸控電極塊4的電容受走線區(qū)2的附加電容影響而增大至與正常感應(yīng)區(qū)11中觸控電極塊4相同的電容,實(shí)現(xiàn)在不影響觸控功能的條件下,使觸控基板上的觸控電極塊4的容值均一。
實(shí)施例2:
本實(shí)施例提供了一種觸控顯示面板,包括實(shí)施例1中的觸控基板。
該觸控顯示面板優(yōu)選為自容式內(nèi)嵌式(in-cell)觸控面板。
本實(shí)施例提供的觸控顯示面板中,附加感應(yīng)區(qū)中的每個觸控電極塊的面積均小于正常感應(yīng)區(qū)的每個觸控電極塊的面積,從而使附加感應(yīng)區(qū)中的每個觸控電極塊的電容均小于正常感應(yīng)區(qū)中的每個觸控電極塊的電容,進(jìn)而在觸控基板工作時,附加感應(yīng)區(qū)中的每個觸控電極塊的電容受走線區(qū)的附加電容影響而增大至與正常感應(yīng)區(qū)中觸控電極塊相同的電容,實(shí)現(xiàn)在不影響觸控功能的條件下,使觸控基板上的觸控電極塊的容值均一,提高了觸控顯示面板的良品率。
可以理解的是,以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式,然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言,在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下,可以做出各種變型和改進(jìn),這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。