本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示基板及其制作方法、顯示面板和顯示裝置。

背景技術(shù)：

具有觸控功能的顯示面板被廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板電腦、公共場所大廳的信息查詢機(jī)等各種顯示裝置中。用戶只需用手指觸摸顯示面板上的標(biāo)識(shí)就能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)該顯示裝置的操作，消除了用戶對(duì)其他輸入設(shè)備(如鍵盤和鼠標(biāo)等)的依賴，使人機(jī)交互更為簡易。

為了更好地滿足用戶需求，通常在顯示面板中設(shè)置有用于檢測用戶按壓顯示面板時(shí)壓力大小的壓力傳感器，使顯示面板不僅能夠采集觸控位置信息，而且能夠采集壓力大小，以豐富觸控技術(shù)的應(yīng)用范圍。

顯示面板結(jié)構(gòu)復(fù)雜，其包括許多膜層，現(xiàn)有技術(shù)中直接設(shè)置在壓力傳感器所在膜層上方和下方的膜層的材質(zhì)均為氧化硅，其楊氏模量較小，在受到外力作用時(shí)，不僅會(huì)發(fā)生彈性形變，還會(huì)發(fā)生非彈性形變，其中，非彈性形變會(huì)殘留在膜層中，無法恢復(fù)，使得當(dāng)壓力傳感器所在位置無應(yīng)力作用時(shí)，壓力傳感器仍然具有一定的形變，導(dǎo)致壓力傳感器的基線發(fā)生漂移，影響壓力傳感器檢測壓力的精度。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示基板及其制作方法、顯示面板和顯示裝置，可以提高壓力傳感器檢測壓力的精度。

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示基板，所述顯示基板包括顯示區(qū)域和圍繞所述顯示區(qū)域的周邊區(qū)域，所述周邊區(qū)域內(nèi)設(shè)置有多個(gè)壓力傳感器，所述壓力傳感器的材質(zhì)為多晶硅，在垂直于所述顯示基板的方向上，所述壓力傳感器所在膜層下方直接設(shè)置有第一膜層，上方直接設(shè)置有第二膜層，所述第一膜層和所述第二膜層中的至少一個(gè)膜層的楊氏模量大于氧化硅的楊氏模量。

第二方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示面板，所述顯示面板包括以上任一項(xiàng)所述的顯示基板。

第三方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括以上所述的顯示面板。

第四方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示基板的制作方法，所述顯示基板的制作方法包括：

將所述顯示基板劃分為顯示區(qū)域和圍繞所述顯示區(qū)域的周邊區(qū)域；

在所述周邊區(qū)域內(nèi)形成第一膜層；

在形成所述第一膜層的所述周邊區(qū)域內(nèi)，直接形成多個(gè)壓力傳感器，所述壓力傳感器的材質(zhì)為多晶硅；

在形成多個(gè)所述壓力傳感器的所述周邊區(qū)域內(nèi)，直接形成第二膜層；

其中，所述第一膜層和所述第二膜層中的至少一個(gè)膜層的楊氏模量大于氧化硅的楊氏模量。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示基板及其制作方法、顯示面板和顯示裝置，其中，顯示基板包括顯示區(qū)域和圍繞顯示區(qū)域的周邊區(qū)域，周邊區(qū)域內(nèi)設(shè)置有多個(gè)壓力傳感器，壓力傳感器的材質(zhì)為多晶硅，在垂直于顯示基板的方向上，壓力傳感器所在膜層下方直接設(shè)置有第一膜層，上方直接設(shè)置有第二膜層，由于現(xiàn)有技術(shù)中直接設(shè)置在壓力傳感器所在膜層上方和下方的膜層的材質(zhì)均為氧化硅，而本發(fā)明實(shí)施例中第一膜層和第二膜層中的至少一個(gè)膜層的楊氏模量大于氧化硅的楊氏模量，使得與現(xiàn)有技術(shù)相比第一膜層和第二膜層中的至少一個(gè)膜層更難壓縮，不易發(fā)生非彈性形變，進(jìn)而使得當(dāng)壓力傳感器所在位置無應(yīng)力作用時(shí)，壓力傳感器不會(huì)發(fā)生形變，可以有效防止壓力傳感器的基線發(fā)生漂移，可以起到提高壓力傳感器檢測壓力的精度的作用。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示基板的俯視圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的圖1沿a-a’方向的截面示意圖；

圖3為現(xiàn)有技術(shù)中兩次使用相同大小的壓力按壓顯示面板時(shí)壓力傳感器的輸出信號(hào)示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的圖1沿b-b’方向的截面示意圖一；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的圖1沿b-b’方向的截面示意圖二；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示基板的顯示區(qū)域的俯視圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的壓力傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的壓力傳感器的連接示意圖；

圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置的俯視圖；

圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示基板的制作方法流程圖；

圖11為本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示基板的制作過程示意圖一；

圖12為本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示基板的制作過程示意圖二。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

需要說明的是，在不沖突的情況下，本發(fā)明實(shí)施例中的各特征可以相互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來詳細(xì)說明本申請(qǐng)。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示基板，如圖1和圖2所示，圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示基板的俯視圖，圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的圖1沿a-a’方向的截面示意圖，顯示基板1包括顯示區(qū)域a和圍繞顯示區(qū)域a的周邊區(qū)域b，周邊區(qū)域b內(nèi)設(shè)置有多個(gè)壓力傳感器10，壓力傳感器10的材質(zhì)為多晶硅，在垂直于顯示基板1的方向上，壓力傳感器10所在膜層下方直接設(shè)置有第一膜層20，上方直接設(shè)置有第二膜層30，第一膜層20和第二膜層30中的至少一個(gè)膜層的楊氏模量大于氧化硅(sio2)的楊氏模量(75gpa)。其中，上述“壓力傳感器10所在膜層下方直接設(shè)置有第一膜層20，上方直接設(shè)置有第二膜層30”指的是壓力傳感器10所在膜層的下表面與第一膜層20直接接觸，且上表面與第二膜層30直接接觸。

其中，壓力傳感器10檢測壓力大小的原理如下：在顯示面板上某一位置施加壓力時(shí)，壓力傳感器10所在位置具有由該壓力引發(fā)的應(yīng)力，在該應(yīng)力的作用下，壓力傳感器10發(fā)生形變，進(jìn)而使得壓力傳感器10的電阻發(fā)生變化，壓力傳感器10的輸出值發(fā)生變化，通過此變化即可計(jì)算得出施加在顯示面板上的壓力的大小。壓力傳感器10在無應(yīng)力作用時(shí)，壓力傳感器10的輸出值為壓力傳感器10的基線(baseline)，上述壓力傳感器10的輸出值的變化量即為：壓力傳感器10在有應(yīng)力作用時(shí)，對(duì)應(yīng)的輸出值與基線之間的差值。由以上所述可知，若壓力傳感器10的基線發(fā)生漂移，則會(huì)導(dǎo)致壓力傳感器10在有應(yīng)力作用時(shí)，即在顯示面板上施加壓力時(shí)，計(jì)算得到的壓力的大小不準(zhǔn)確，進(jìn)而使得壓力傳感器10檢測壓力的精度不高。造成壓力傳感器10的基線漂移的主要原因在于，顯示基板包括許多膜層，在受到按壓時(shí)，膜層會(huì)發(fā)生彈性形變和非彈性形變，其中，非彈性形變會(huì)殘留在膜層中，無法恢復(fù)，使得壓力傳感器10在無應(yīng)力作用時(shí)，壓力傳感器10仍然具有一定的形變。

通常材質(zhì)為多晶硅的壓力傳感器，與顯示區(qū)域中的薄膜晶體管包括的材質(zhì)也為多晶硅的有源層同一膜層制備，由于氧化硅與多晶硅接觸界面良好，使得該多晶硅具有比較好的半導(dǎo)體特性，薄膜晶體管具有很好的電性能，而且還會(huì)阻擋其他膜層(例如氮化硅層)中的氫元素與多晶硅的接觸，避免氫元素對(duì)多晶硅的半導(dǎo)體性能的負(fù)面影響。因此，通常直接設(shè)置在有源層上方和下方的膜層的材質(zhì)均為氧化硅，使得直接設(shè)置在壓力傳感器所在膜層上方和下方的膜層的材質(zhì)也均為氧化硅。然而氧化硅的楊氏模量較小，在受到外力作用時(shí)，不僅會(huì)發(fā)生彈性形變，還會(huì)發(fā)生非彈性形變，其中，非彈性形變會(huì)殘留在膜層中，無法恢復(fù)，使得當(dāng)壓力傳感器所在位置無應(yīng)力作用時(shí)，壓力傳感器仍然具有一定的形變，壓力傳感器10的基線發(fā)生漂移，壓力傳感器10檢測壓力的精度不高。

具體地，如圖3所示，圖3為現(xiàn)有技術(shù)中兩次使用相同大小的壓力按壓顯示面板時(shí)壓力傳感器的輸出信號(hào)示意圖，現(xiàn)有技術(shù)中兩次使用相同大小的壓力(例如500g)按壓顯示面板時(shí)，第一次按壓(圖3中表示為按壓1)過程中，壓力傳感器的輸出值與基線之間的差值為δv1，由于應(yīng)力在顯示面板包括的各膜層中的積累，使得第一次按壓后壓力傳感器的基線發(fā)生漂移，導(dǎo)致第二次按壓(圖3中表示為按壓2)過程中，壓力傳感器的輸出值與基線之間的差值為δv1’，其與δv1之間具有較大差異，導(dǎo)致壓力傳感器檢測壓力的精度不高。

而本發(fā)明實(shí)施例中，第一膜層20和第二膜層30中的至少一個(gè)膜層的楊氏模量大于氧化硅的楊氏模量，使得與現(xiàn)有技術(shù)相比第一膜層20和第二膜層30中的至少一個(gè)膜層更難壓縮，不易發(fā)生非彈性形變，進(jìn)而使得當(dāng)壓力傳感器10所在位置無應(yīng)力作用時(shí)，壓力傳感器10不會(huì)發(fā)生形變，可以有效防止壓力傳感器10的基線發(fā)生漂移，可以起到提高壓力傳感器10檢測壓力的精度的作用。

需要說明的是，第一膜層20和第二膜層30中的至少一個(gè)膜層的楊氏模量大于氧化硅的楊氏模量包括三種情況：第一種，只有第一膜層20的楊氏模量大于氧化硅的楊氏模量；第二種，只有第二膜層30的楊氏模量大于氧化硅的楊氏模量；第三種，第一膜層20和第二膜層30的楊氏模量均大于氧化硅的楊氏模量。由之前所述可知，通常直接設(shè)置在有源層上方和下方的膜層的材質(zhì)均為氧化硅，使得直接設(shè)置在壓力傳感器所在膜層上方和下方的膜層的材質(zhì)也均為氧化硅，因此，本發(fā)明實(shí)施例中可選擇第一膜層20和第二膜層30中僅有一個(gè)膜層的楊氏模量大于氧化硅的楊氏模量時(shí)，另一膜層的材質(zhì)為氧化硅，能夠起到防止壓力傳感器10的基線發(fā)生漂移的作用，提高壓力傳感器的檢測精度。進(jìn)一步地，第一膜層20和第二膜層30的楊氏模量均大于氧化硅的楊氏模量時(shí)，第一膜層20和第二膜層30均難以壓縮，能夠更好地起到防止壓力傳感器10的基線發(fā)生漂移的作用，提高壓力傳感器的檢測精度的效果更佳。

其中，楊氏模量大于氧化硅的楊氏模量的材質(zhì)均適用于本申請(qǐng)，例如，氮化硅(sin2)和氮氧化硅(sion)?；诖耍景l(fā)明實(shí)施例中，第一膜層20和第二膜層30的楊氏模量均大于氧化硅的楊氏模量時(shí)，第一膜層20和第二膜層30的材質(zhì)的選取可以有多種：例如，第一種，第一膜層20和第二膜層30的材質(zhì)均為氮化硅；第二種，第一膜層20和第二膜層30的材質(zhì)均為氮氧化硅；第三種，第一膜層20的材質(zhì)為氮化硅，第二膜層30的材質(zhì)為氮氧化硅；第四種，第一膜層20的材質(zhì)為氮氧化硅，第二膜層30的材質(zhì)為氮化硅。本申請(qǐng)的發(fā)明人經(jīng)過研究發(fā)現(xiàn)，氮化硅的楊氏模量高達(dá)220gpa，且現(xiàn)有技術(shù)的顯示基板上也設(shè)置有氮化硅膜層，因此，本發(fā)明實(shí)施例中可選擇，第一膜層20和第二膜層30中的至少一個(gè)膜層的材質(zhì)為氮化硅，進(jìn)一步地，第一膜層20和第二膜層30的材質(zhì)均為氮化硅。

可選地，本發(fā)明實(shí)施例中，如圖4和圖5所示，圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的圖1沿b-b’方向的截面示意圖一，圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的圖1沿b-b’方向的截面示意圖二，顯示區(qū)域a內(nèi)設(shè)置有多晶硅層40、第一氧化硅層50、第二氧化硅層60、第一氮化硅層70和第二氮化硅層80，其中，在垂直于顯示基板的方向上，第一氮化硅層70、第一氧化硅層50、多晶硅層40、第二氧化硅層60和第二氮化硅層80依次緊鄰設(shè)置；為了簡化顯示基板1的制作工藝且降低成本，本發(fā)明實(shí)施例中選擇壓力傳感器10所在膜層和多晶硅層40所在膜層為同一膜層。該多晶硅層40與顯示區(qū)域a中的各薄膜晶體管的有源層相對(duì)應(yīng)。

其中，第一氧化硅層50和第二氧化硅層60均直接與多晶硅層40接觸，不僅氧化硅與多晶硅層40接觸界面良好，使得該多晶硅層40具有比較好的半導(dǎo)體特性，與該多晶硅層40對(duì)應(yīng)的多個(gè)薄膜晶體管具有很好的電性能，而且還會(huì)阻擋第一氮化硅層70和第二氮化硅層80中的氫元素與多晶硅層40的接觸，避免氫元素對(duì)多晶硅層40的半導(dǎo)體性能的負(fù)面影響。

對(duì)于本發(fā)明實(shí)施例中的壓力傳感器10而言，雖然壓力傳感器10的材質(zhì)也為多晶硅，但利用的并非多晶硅的半導(dǎo)體特性，而是導(dǎo)電性，因此，其上方和下方直接設(shè)置的膜層為氮化硅不會(huì)對(duì)其性能產(chǎn)生影響。為了提高壓力傳感器10的性能，可提高其對(duì)應(yīng)的多晶硅的導(dǎo)電性，因此，本發(fā)明實(shí)施例中的壓力傳感器10的材質(zhì)可以為重?fù)诫s的多晶硅，n型摻雜或p型摻雜均可?？蛇x地，其摻雜的面摻雜濃度為10¹⁰/cm²～10¹⁵/cm²，采用上述面摻雜濃度的多晶硅，既能夠保證壓力傳感器10的應(yīng)變電阻阻值不會(huì)過大，有利于信號(hào)的傳輸與檢測，又能夠有效保護(hù)多晶硅的晶格結(jié)構(gòu)不被破壞。

進(jìn)一步地，基于顯示區(qū)域a中具有上述膜層，本發(fā)明實(shí)施例中的第一膜層20和第二膜層30可以采用如下兩種設(shè)置方式：

第一種，如圖4所示，第一膜層20與第一氮化硅層70為同一膜層，且第一氮化硅層70和第一氧化硅層50的總厚度與第一膜層20的厚度相同；第二膜層30與第二氮化硅層80為同一膜層，且第二氮化硅層80和第二氧化硅層60的總厚度與第二膜層30的厚度相同。此時(shí)，對(duì)于周邊區(qū)域b中第一膜層20和第二膜層30的總厚度，與顯示區(qū)域a中第一氧化硅層50、第二氧化硅層60、第一氮化硅層70、第二氮化硅層80的總厚度相同，從而使得具有上述各膜層的顯示基板的平坦程度好，有利于后續(xù)其他膜層的形成。

第二種，如圖5所示，第一膜層20與第一氮化硅層70為同一膜層，且二者厚度相同，第二膜層30與第二氮化硅層80為同一膜層，且二者厚度相同。此時(shí)，第一膜層20和第一氮化硅層70經(jīng)過一次構(gòu)圖工藝即可形成，第二膜層30和第二氮化硅層80經(jīng)過一次構(gòu)圖工藝即可形成，進(jìn)而使得顯示基板的制作工藝較為簡單，成本較低。

當(dāng)然，本發(fā)明實(shí)施例中第一膜層20和第二膜層30的設(shè)置方式不局限于以上兩種，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行選擇。

可選地，如圖4和圖5所示，本發(fā)明實(shí)施例中的顯示基板1的顯示區(qū)域a內(nèi)還設(shè)置有柵極金屬層90、第一絕緣層100和源漏極金屬層110。其中，第一氮化硅層70、第一氧化硅層50、多晶硅層40、第二氧化硅層60、第二氮化硅層80、柵極金屬層90、第一絕緣層100、源漏極金屬層110沿遠(yuǎn)離顯示基板1的襯底基板方向依次設(shè)置。

繼續(xù)參見圖4和圖5，柵極金屬層90中設(shè)置有柵線和薄膜晶體管的柵極g，源漏極金屬層110中設(shè)置有數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管的源極s和漏極d，薄膜晶體管的源極s和漏極d分別通過貫穿第二氧化硅層60、第二氮化硅層80和第一絕緣層100的過孔與有源層41連接。為使薄膜晶體管的源極s和漏極d與有源層41之間的接觸電阻較小，可以對(duì)有源層41的溝道區(qū)41a之外的區(qū)域進(jìn)行高濃度摻雜，形成兩個(gè)歐姆接觸區(qū)41b，兩個(gè)歐姆接觸區(qū)41b分別與薄膜晶體管的源極s和漏極d連接。

顯示區(qū)域a中設(shè)置有上述結(jié)構(gòu)的顯示基板1，適用于液晶顯示面板、有機(jī)發(fā)光顯示面板和微型發(fā)光二極管顯示面板中。基于上述結(jié)構(gòu)，本發(fā)明實(shí)施例中，壓力傳感器10的各輸入端和各輸出端可通過與柵極金屬層或者源漏極金屬層同一膜層制備的走線與集成電路電連接，可選地，如圖4和圖5所示，壓力傳感器10的各輸入端和各輸出端通過與源漏極金屬層110同一膜層制備的走線111與集成電路電連接。

此外，顯示基板1為液晶顯示面板中的陣列基板時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例中的顯示基板1的顯示區(qū)域a內(nèi)還可以設(shè)置有相互絕緣的公共電極層和像素電極層。如圖6所示，圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示基板的顯示區(qū)域的俯視圖，公共電極層120設(shè)置有多個(gè)公共電極塊121，多個(gè)公共電極塊121可在觸控階段復(fù)用作觸控電極，像素電極層130中設(shè)置有多個(gè)像素電極131，各像素電極131與上述薄膜晶體管的漏極d電連接，上述薄膜晶體管的源極s則與數(shù)據(jù)線1101電連接，上述薄膜晶體管的柵極g則與柵線901電連接顯示時(shí)，像素電極131和公共電極塊121之間形成多維電場，控制液晶分子偏轉(zhuǎn)。需要說明的是，圖6中僅以像素電極層130位于公共電極層120下方，公共電極121上設(shè)置有狹縫為例進(jìn)行描述，當(dāng)然，也可以使像素電極層130位于公共電極層120上方，此時(shí)則需要使像素電極131上有狹縫即可，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不進(jìn)行限定。

另外，本申請(qǐng)的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，壓力傳感器10所在膜層的厚度對(duì)壓力傳感器10的性能也會(huì)有影響，其中，壓力傳感器10所在膜層的厚度越薄，壓力傳感器10位置處越容易發(fā)生非彈性形變，壓力傳感器10的基線越容易發(fā)生漂移；壓力傳感器10所在膜層的厚度越厚，壓力傳感器10位置處越不容易發(fā)生非彈性形變，壓力傳感器10的基線越不容易發(fā)生漂移。因此，本發(fā)明實(shí)施例中選擇壓力傳感器10的厚度大于現(xiàn)有技術(shù)中壓力傳感器的厚度，例如，現(xiàn)有技術(shù)中壓力傳感器的厚度為45nm，本發(fā)明實(shí)施例中壓力傳感器10的厚度為50～75nm。需要說明的是，顯示區(qū)域a中的多晶硅層40的厚度可以與壓力傳感器10所在膜層的厚度相同，此時(shí)，二者可以經(jīng)過一次構(gòu)圖工藝形成，簡化顯示基板1的制作方法和制作成本，也可以使多晶硅層40的厚度根據(jù)顯示區(qū)域a中的薄膜晶體管對(duì)其包括的有源層的需求獨(dú)立進(jìn)行設(shè)置，以使薄膜晶體管的性能較好，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不進(jìn)行限定。

此外，如圖7所示，圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的壓力傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖，壓力傳感器10為一整塊半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，每個(gè)壓力傳感器10均包括第一輸入端i1、第二輸入端i2、第一輸出端o1和第二輸出端o2，當(dāng)壓力傳感器10的形狀為矩形時(shí)，其相對(duì)設(shè)置的兩邊分別作為第一輸入端i1和第二輸入端i2，相對(duì)設(shè)置的另兩邊分別作為第一輸出端o1和第二輸出端o2。第一輸入端i1和第二輸入端i2用于向壓力傳感器10輸入偏置電壓信號(hào)；第一輸出端o1和第二輸出端o2用于從壓力傳感器10輸出壓感檢測信號(hào)。進(jìn)一步地，壓力傳感器10的形狀可以為正方形。

當(dāng)壓力傳感器10對(duì)施加在顯示面板1上的壓力進(jìn)行檢測時(shí)，在壓力的作用下顯示面板1發(fā)生形變，使得壓力傳感器10發(fā)生形變，進(jìn)而使得第一輸出端o1和第二輸出端o2的輸出信號(hào)發(fā)生變化，通過第一輸出端o1和第二輸出端o2的輸出信號(hào)的大小即可計(jì)算得出施加在顯示面板1上的壓力的大小。

此外，如圖1所示，顯示面板1的周邊區(qū)域b的相對(duì)設(shè)置的兩側(cè)內(nèi)各均勻設(shè)置有4個(gè)壓力傳感器10。如圖8所示，圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的壓力傳感器的連接示意圖，圖8中所示的4個(gè)壓力傳感器分別表示為l1、l2、l3和l4，4個(gè)壓力傳感器10的第一輸入端通過同一條走線(圖8中表示為gnd_l)與集成電路(圖8中未示出)電連接，4個(gè)壓力傳感器10的第二輸入端通過同一條走線(圖8中表示為pow_l)與集成電路電連接，4個(gè)壓力傳感器10的各輸出端(即圖8中l(wèi)1a、l1b、l2a、l2b、l3a、l3b、l4a、l4b)均通過各自對(duì)應(yīng)的走線與集成電路電連接。需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例中，顯示面板1的周邊區(qū)域b的相對(duì)設(shè)置的兩側(cè)內(nèi)各均勻設(shè)置的壓力傳感器10的數(shù)量并不局限于4個(gè)，也可以是其他數(shù)量，如3個(gè)、5個(gè)等等。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示面板，顯示面板包括以上任一項(xiàng)所述的顯示基板。需要補(bǔ)充的是，本發(fā)明實(shí)施例中的顯示面板1可以為液晶顯示面板、有機(jī)發(fā)光顯示面板或者微型發(fā)光二極管顯示面板，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不進(jìn)行限定。

示例性地，顯示面板1為液晶顯示面板，該液晶顯示面板包括相對(duì)設(shè)置的陣列基板和彩膜基板，陣列基板和彩膜基板之間設(shè)置有液晶層。陣列基板上設(shè)置有縱橫交錯(cuò)的多條柵線和多條數(shù)據(jù)線，多條柵線和多條數(shù)據(jù)線限定出多個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元內(nèi)設(shè)置有薄膜晶體管和像素電極，薄膜晶體管的柵極與柵線電連接，源極與數(shù)據(jù)線電連接，漏極與像素電極電連接；彩膜基板包括網(wǎng)格狀的黑矩陣，以及設(shè)置于黑矩陣開口內(nèi)的陣列排布的多個(gè)色阻，色阻包括紅色色阻、綠色色阻和藍(lán)色色阻。

示例性地，顯示面板1為有機(jī)發(fā)光顯示面板，有機(jī)發(fā)光顯示面板包括陣列基板，陣列基板包括多個(gè)像素電路，有機(jī)發(fā)光顯示面板還包括設(shè)置于陣列基板上的多個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管(organiclight-emittingdiode，oled)，每個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管的陽極對(duì)應(yīng)與陣列基板上的像素電路電連接，多個(gè)發(fā)光二極管包括用于發(fā)紅光的發(fā)光二極管、用于發(fā)綠光的發(fā)光二極管和用于發(fā)藍(lán)光的發(fā)光二極管。此外，有機(jī)發(fā)光顯示面板還包括覆蓋于多個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管上的封裝層。

示例性地，顯示面板1為微型發(fā)光二極管顯示面板，微型發(fā)光二極管顯示面板包括陣列基板，陣列基板包括多個(gè)像素電路，微型發(fā)光二極管顯示面板還包括設(shè)置于陣列基板上的多個(gè)微型發(fā)光二極管(microlight-emittingdiode，mic-led)，每個(gè)微型發(fā)光二極管的陽極對(duì)應(yīng)與陣列基板上的像素電路電連接，多個(gè)微型發(fā)光二極管包括用于發(fā)紅光的微型發(fā)光二極管、用于發(fā)綠光的微型發(fā)光二極管和用于發(fā)藍(lán)光的微型發(fā)光二極管。其中，微型發(fā)光二極管可以在生長基板上制作，后續(xù)通過轉(zhuǎn)移的方式轉(zhuǎn)移至陣列基板上。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，如圖9所示，圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置的俯視圖，顯示裝置包括以上所述的顯示面板600。其中，當(dāng)顯示面板為液晶顯示面板時(shí)，顯示裝置還包括背光模組，背光模組位于液晶顯示面板包括的陣列基板遠(yuǎn)離彩膜基板的一側(cè)，背光模組為顯示面板提供光線。本申請(qǐng)實(shí)施例提供的顯示裝置可以是例如智能手機(jī)、可穿戴式智能手表、智能眼鏡、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀、車載顯示器、電子書等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示基板的制作方法，用以制作如圖2所示的顯示基板，具體地，如圖10所示，圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示基板的制作方法流程圖，顯示基板的制作方法包括：

步驟s1、將顯示基板劃分為顯示區(qū)域和圍繞顯示區(qū)域的周邊區(qū)域。

步驟s2、在周邊區(qū)域內(nèi)形成第一膜層。

步驟s3、在形成第一膜層的周邊區(qū)域內(nèi)，直接形成多個(gè)壓力傳感器，壓力傳感器的材質(zhì)為多晶硅。上述“直接形成多個(gè)壓力傳感器”指的是“形成于第一膜層的上表面直接接觸的多個(gè)壓力傳感器”。

步驟s4、在形成多個(gè)壓力傳感器的周邊區(qū)域內(nèi)，直接形成第二膜層。上述“直接形成第二膜層”指的是“形成于多個(gè)壓力傳感器的上表面直接接觸的第二膜層”。

其中，第一膜層和第二膜層中的至少一個(gè)膜層的楊氏模量大于氧化硅的楊氏模量。

可選地，第一膜層和第二膜層的楊氏模量均大于氧化硅的楊氏模量，使得第一膜層和第二膜層均難以壓縮，能夠更好地起到防止壓力傳感器的基線發(fā)生漂移的作用，提高壓力傳感器的檢測精度的效果較佳。進(jìn)一步地，由于氮化硅的楊氏模量高達(dá)220gpa，且現(xiàn)有技術(shù)的顯示基板上也設(shè)置有氮化硅膜層，因此，本發(fā)明實(shí)施例中選擇，第一膜層和第二膜層的材質(zhì)均為氮化硅。

由于顯示區(qū)域a內(nèi)也設(shè)置有多種膜層，例如，如圖4和圖5所示，顯示區(qū)域a內(nèi)設(shè)置有多晶硅層40、第一氧化硅層50、第二氧化硅層60、第一氮化硅層70和第二氮化硅層80，其中，在垂直于顯示基板的方向上，第一氮化硅層70、第一氧化硅層50、多晶硅層40、第二氧化硅層60和第二氮化硅層80依次緊鄰設(shè)置。因此，為形成顯示區(qū)域中的各膜層，本發(fā)明實(shí)施例中顯示基板的制作方法還包括：

在顯示區(qū)域內(nèi)形成第一氮化硅層。

在形成第一氮化硅層的顯示區(qū)域內(nèi)，直接形成第一氧化硅層。

在形成第一氧化硅層的顯示區(qū)域內(nèi)，直接形成多晶硅層。

在形成多晶硅層的顯示區(qū)域內(nèi)，直接形成第二氧化硅層。

在形成第二氧化硅層的顯示區(qū)域內(nèi)，直接形成第二氮化硅層。

為了簡化顯示基板1的制作工藝且降低成本，本發(fā)明實(shí)施例中選擇多晶硅層和多個(gè)壓力傳感器同時(shí)形成。

由以上所述可知，本發(fā)明實(shí)施例的顯示基板的制作方法中既需要在周邊區(qū)域內(nèi)形成材質(zhì)為氮化硅的第一膜層、材質(zhì)為氮化硅的第二膜層，也需要在顯示區(qū)域內(nèi)形成第一氮化硅層以及第二氮化硅層，因此，為了簡化顯示基板的制作工藝，降低顯示基板的成本，本發(fā)明實(shí)施例提供幾種形成以上各膜層的具體方法：

第一種，如圖11所示，圖11為本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示基板的制作過程示意圖一，在周邊區(qū)域b內(nèi)形成第一膜層20，在顯示區(qū)域a內(nèi)形成第一氮化硅層70具體包括：

在顯示基板的周邊區(qū)域b和顯示區(qū)域a內(nèi)同時(shí)形成一層氮化硅，其中，位于周邊區(qū)域b內(nèi)的氮化硅作為第一膜層20；

對(duì)位于顯示區(qū)域a內(nèi)的氮化硅進(jìn)行刻蝕，直至氮化硅的厚度減小量為第一氧化硅層50的厚度，形成第一氮化硅層70。

如圖11所示，在周邊區(qū)域b內(nèi)形成第一膜層20，在顯示區(qū)域a內(nèi)形成第一氮化硅層70后，先在顯示區(qū)域a內(nèi)形成第一氧化硅層50，然后在周邊區(qū)域b內(nèi)形成多個(gè)壓力傳感器10，以及在顯示區(qū)域a內(nèi)形成多晶硅層40，多晶硅層40包括與顯示區(qū)域a中的薄膜晶體管對(duì)應(yīng)的有源層41，有源層41包括溝道區(qū)41a和歐姆接觸區(qū)41b，然后在顯示區(qū)域a內(nèi)形成第二氧化硅層60。

繼續(xù)參見圖11，在周邊區(qū)域b內(nèi)形成第二膜層30，在顯示區(qū)域a內(nèi)形成第二氮化硅層80具體包括：

在顯示基板的周邊區(qū)域b和顯示區(qū)域a內(nèi)同時(shí)形成一層氮化硅，其中，位于周邊區(qū)域b內(nèi)的氮化硅作為第二膜層30；

對(duì)位于顯示區(qū)域a內(nèi)的氮化硅進(jìn)行刻蝕，直至氮化硅的厚度減小量為第二氧化硅層60的厚度，形成第二氮化硅層80。

此時(shí)，對(duì)于周邊區(qū)域b中第一膜層20和第二膜層30的總厚度，與顯示區(qū)域a中第一氧化硅層50、第二氧化硅層60、第一氮化硅層70、第二氮化硅層80的總厚度相同，從而使得具有上述各膜層的顯示基板的平坦程度好，有利于后續(xù)其他膜層的形成。

第二種，如圖12所示，圖12為本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示基板的制作過程示意圖二，在周邊區(qū)域b內(nèi)形成第一膜層20，在顯示區(qū)域a內(nèi)形成第一氮化硅層70具體包括：

在顯示基板的周邊區(qū)域b和顯示區(qū)域a內(nèi)同時(shí)形成一層氮化硅，其中，位于周邊區(qū)域b內(nèi)的氮化硅作為第一膜層20，位于顯示區(qū)域a內(nèi)的氮化硅作為第一氮化硅層70，第一膜層20和第一氮化硅層70的厚度相同。

如圖12所示，在周邊區(qū)域b內(nèi)形成第一膜層20，在顯示區(qū)域a內(nèi)形成第一氮化硅層70后，先在顯示區(qū)域a內(nèi)形成第一氧化硅層50，然后在周邊區(qū)域b內(nèi)形成多個(gè)壓力傳感器10，以及在顯示區(qū)域a內(nèi)形成多晶硅層40，多晶硅層40包括與顯示區(qū)域a中的薄膜晶體管對(duì)應(yīng)的有源層41，有源層41包括溝道區(qū)41a和歐姆接觸區(qū)41b，然后在顯示區(qū)域a內(nèi)形成第二氧化硅層60。

繼續(xù)參見圖12，在周邊區(qū)域b內(nèi)形成第二膜層30，在顯示區(qū)域a內(nèi)形成第二氮化硅層80具體包括：

在顯示基板的周邊區(qū)域b和顯示區(qū)域a內(nèi)同時(shí)形成一層氮化硅，其中，位于周邊區(qū)域b內(nèi)的氮化硅作為第二膜層30，位于顯示區(qū)域a內(nèi)的氮化硅作為第二氮化硅層80，第二膜層30和第二氮化硅層80的厚度相同。

此時(shí)，第一膜層20和第一氮化硅層70經(jīng)過一次構(gòu)圖工藝即可形成，第二膜層30和第二氮化硅層80經(jīng)過一次構(gòu)圖工藝即可形成，進(jìn)而使得顯示基板的制作工藝較為簡單，成本較低。

當(dāng)然，第一膜層、第二膜層，第一氮化硅層以及第二氮化硅層的制作方法不局限于以上所述，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行選擇。

可選地，在形成第一膜層的周邊區(qū)域內(nèi)，直接形成多個(gè)壓力傳感器，壓力傳感器的材質(zhì)為多晶硅具體包括：

在形成第一膜層的周邊區(qū)域內(nèi)，直接形成一層非晶硅；

對(duì)非晶硅進(jìn)行激光晶化，形成材質(zhì)為多晶硅的多個(gè)壓力傳感器。

進(jìn)一步地，為使壓力傳感器具有更好的導(dǎo)電性，可以使壓力傳感器的材質(zhì)為重?fù)诫s的多晶硅，與之對(duì)應(yīng)地，顯示基板的制作方法還包括：在形成第二膜層之后，對(duì)材質(zhì)為多晶硅的多個(gè)壓力傳感器進(jìn)行重?fù)诫s。

需要說明的是，之前關(guān)于顯示基板中的各膜層的具體細(xì)節(jié)均適用于以上關(guān)于顯示基板的制作方法中，此處不再進(jìn)行贅述。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示基板及其制作方法、顯示面板和顯示裝置，其中，顯示基板包括顯示區(qū)域和圍繞顯示區(qū)域的周邊區(qū)域，周邊區(qū)域內(nèi)設(shè)置有多個(gè)壓力傳感器，壓力傳感器的材質(zhì)為多晶硅，在垂直于顯示基板的方向上，壓力傳感器所在膜層下方直接設(shè)置有第一膜層，上方直接設(shè)置有第二膜層，由于現(xiàn)有技術(shù)中直接設(shè)置在壓力傳感器所在膜層上方和下方的膜層的材質(zhì)均為氧化硅，而本發(fā)明實(shí)施例中第一膜層和第二膜層中的至少一個(gè)膜層的楊氏模量大于氧化硅的楊氏模量，使得與現(xiàn)有技術(shù)相比第一膜層和第二膜層中的至少一個(gè)膜層更難壓縮，即其發(fā)生形變的難度更大，不易發(fā)生非彈性形變，進(jìn)而使得當(dāng)壓力傳感器所在位置無應(yīng)力作用時(shí)，壓力傳感器不會(huì)發(fā)生形變，可以有效防止壓力傳感器的基線發(fā)生漂移，可以起到提高壓力傳感器檢測壓力的精度的作用。

最后應(yīng)說明的是：以上各實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述各實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。