一種觸控屏或電氣面板的彩色邊框涂層的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明屬于半導體領域，特別涉及一種觸控屏或電氣面板的彩色邊框涂層。
【背景技術】
[0002]傳統(tǒng)的觸控屏或電氣面板的邊框采用的是絲印遮光油墨層或者先在鋼化玻璃基板上涂布黑色感光材料(BM)，之后再在其上面覆蓋有機流平層(OC)，以便后續(xù)制備ITO導電膜，然后制作ITO電極層并將其圖形化，接著將FPC通過熱壓連接到ITO圖案電極層上，最后在SENSOR功能區(qū)貼附一層防爆膜保護。
[0003]傳統(tǒng)方法均存在不足的地方，影響了產品的使用壽命和產品率，如:
[0004](I)由于采用有機油墨，其化學生產方法對環(huán)境和生產人員產生不利影響；
[0005](2)有機物容易老化，不利于產品的使用壽命；
[0006](3)特別地針對OGS觸控屏，由于黑色感光材料的吸光率不足，要達到遮光的效果，涂布的厚度至少要在微米級，這樣對后續(xù)的工藝實施增加了較大的難度和生產成本；
[0007](4)然而涂布的黑色感光材料不耐高溫，高溫老化嚴重，甚至碳化，在后續(xù)的熱壓和ITO成膜上造成很大的困難，局部碳化會形成游離電極，干擾正常觸摸的電容信號；
[0008](5)針對于高反發(fā)白的反射涂層，由于黏結劑為有機物，隨著使用環(huán)境的溫度和濕度影響，黏結劑會產生化合鍵斷裂，變質而發(fā)黃。

【發(fā)明內容】

[0009]本發(fā)明所要解決的技術問題是:提供一種觸控屏或電氣面板的彩色邊框涂層，該涂層可以在玻璃面板上存在多種膜系結構，制備方法可以用多種真空鍍膜方法:多弧離子鍍、磁控濺射和蒸發(fā)鍍等物理氣相沉積方法甚至化學氣相沉積CVD方法，通過以上方法制備出來的彩色邊框可以形成純單質所呈現(xiàn)的金屬顏色；紫色、黃色、藍色、綠色等化合物薄膜顏色；各種干涉色以及黑色；該涂層具有較好的中高溫抗氧化性，在工業(yè)級使用溫度范圍可以長期保持色調的穩(wěn)定；該涂層根據需求既可實現(xiàn)符合通訊產品要求的透過率
0.1%,電阻率高于111 Ω.cm，厚度在300nm以內，有不干擾信號又可遮光的效果；又有可實現(xiàn)電器產品屏蔽電磁輻射的要求。
[0010]為解決上述技術問題，本發(fā)明采用如下技術方案:
[0011]使用在觸控屏上，可以實現(xiàn)電阻率高于10ηΩ.cm，形成不干擾信號傳輸的遮光層使用的單層膜系結構，使用的材料選自:禁帶寬度小于1.55ev的半導體材料、金屬氧化物、氮化物、硫化物、硼化物、或者這幾種材料的混合型化合物如氮氧化合物、氧硼化合物或氮硼化合物等等，幾種代表性金屬為T1、Cr、Zr、Nb、Ta、W、Mo,或它們的合金。
[0012]使用在電氣面板上，實現(xiàn)電器產品的電磁輻射屏蔽，更好的抵抗外界信號的干擾使用的單層膜系結構，使用的材料選自:純金屬W、W的合金、其它有色金屬或者合金，或者禁帶寬度小于1.55ev的半導體材料、或有色金屬(包括單質及它們的化合物，這些單質的合金及它們的化合物)；除此之外還有一些過渡族金屬、或它們的氮化物、碳化物、硫化物、氧化物、硼化物，或者這幾種材料的混合型化合物如氮氧化合物、碳氮化合物、氮硼化合物等等，它們都具備選擇吸收的特性，符合低透的要求，譬如純金屬W以及W的合金、Cu2S,HfC, MoO3摻 Mo、V 205、ReO3' Eu2O3' PbS, CuOx、TiNx以及 Cr XB 等等。
[0013]實現(xiàn)彩色邊框的采用半導體材料或者合金，如金銅合金為玫瑰金、V2O5為土黃色、FeOx為酒紅色、Cu 2S為黑色、TiNxS金黃色或者棕色等。
[0014]具備耐高溫特性的彩色邊框采用多層復合膜系結構，其膜層結構為“電介質層一金屬單質層一電介質層”、“干涉一增強選擇性吸收疊堆”以及漸變光學性能涂層干涉一增強選擇性吸收疊堆”或稱“電介質層一吸收層一電介質層一吸收層”，簡稱D — A — D — A疊堆，為了增加涂層的遮光，涂層為將電介質層D和吸收層A周期性的疊堆在一起，即D —A-D-A-D-A-D......D，周期數至少在2以上。
[0015]采用“電介質層一金屬單質層一電介質層”的涂層結構，金屬單質層為厚度在50納米以上的灰白色單質金屬層，如銦、銀、鋁、鎳、鉻、不銹鋼等一系列的灰白色金屬單質或它們的合金，電介質層為一些折射率在2.2以內的材料如氧化物和氮化物，由以上材料形成多層復合膜系結構，其表面呈現(xiàn)出來的是一系列的隨電介質層厚度變化的干涉色，甚至因厚度不均勻時而出現(xiàn)的七彩色。
[0016]采用“干涉一增強選擇性吸收疊堆”的涂層結構，吸收層為所有的金屬單質或者其合金，厚度在50納米以內，金屬層還沒形成連續(xù)性薄膜，薄膜具備較大的電阻，此時，金屬層表現(xiàn)出強烈的吸收特性；除此之外還包括禁帶寬度小于1.55ev的半導體材料、有色金屬、過渡族金屬、過渡族金屬的氮化物、碳化物、硫化物、氧化物、硼化物、氮氧化合物、碳氮化合物、或氮硼化合物；所述有色金屬為金屬單質或其化合物或其合金。所述的過渡族金屬選自T1、Cr、Zr、Nb、Ta、W、Mo或其合金。而電介質層為折射率在2.2以內的材料如氧化物和氮化物。
[0017]而采用漸變光學性能涂層，所述漸變光學性能涂層的折射率由上到下逐漸變大，消光系數由上到下逐漸增大，其材料為電介質-金屬復合材料，或同種金屬的不同化合物。如ALN-Al、S12-N1、Al2O3-Pt等。所述電介質-金屬復合材料為在體積百分數在50%以內的電介質基體中嵌入有金屬粒子的復合材料。所述電介質-金屬復合材料為在體積百分數在50%以內的電介質基體中嵌入有金屬粒子的復合材料，如ALN-Al、S12-N1、Al2O3-Pt等。所述同種金屬的不同化合物為過渡族金屬的氮化物、碳化物、硫化物、氧化物、硼化物、氮氧化合物、碳氮化合物、氮硼化合物中的一種或幾種；所述過渡族金屬選自T1、Cr、Zr、Nb、Ta、W、Mo或其合金。
[0018]以上所述涂層具有較好的中高溫抗氧化性，在工業(yè)級使用溫度范圍內可長期保持色調的穩(wěn)定，可以采用多種物理氣相沉積方法(多弧離子鍍、磁控濺射、蒸發(fā)鍍)和化學氣相沉積CVD方法制備，對環(huán)境友好。
【附圖說明】
[0019]圖1是本發(fā)明實施例6的電介質層一金屬單質層一電介質層的結構示意圖；
[0020]圖2是本發(fā)明實施例7的干涉一增強選擇性吸收疊堆的結構示意圖；其中，中間白色部分表示重疊的CrNx/Si3N4;
[0021]圖3是本發(fā)明實施例8的漸變光學性能涂層的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0022]下面結合附圖對本發(fā)明作進一步說明。以下是對本發(fā)明的進一步說明，而不是對本發(fā)明的限制；
[0023]實施例1
[0024]涂層結構為單層的附05(或(:11(^，厚度在120nm以上，可實現(xiàn)低透過，高絕緣的黑化邊框，采用蒸發(fā)和磁控的方法均可實現(xiàn)。
[0025]實施例2
[0026]涂層結構為單層的有色金屬鶴或者石墨、厚度在30nm以