海面紅外對(duì)抗仿真系統(tǒng)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及計(jì)算機(jī)仿真技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種海面紅外對(duì)抗仿真系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著圖像技術(shù)的發(fā)展，現(xiàn)在有很多仿真平臺(tái)，如遠(yuǎn)距離對(duì)抗模擬作戰(zhàn)系統(tǒng)，遠(yuǎn)距離 坦克激光對(duì)抗訓(xùn)練系統(tǒng)等。但是目前的仿真系統(tǒng)均不能對(duì)打擊目標(biāo)的紅外信息和可見(jiàn)光信 息同時(shí)進(jìn)行仿真，并且不能完成復(fù)雜的對(duì)抗仿真。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明旨在至少在一定程度上解決相關(guān)技術(shù)中的技術(shù)問(wèn)題之一。為此，本發(fā)明的 一個(gè)目的在于提出一種具有實(shí)時(shí)、高效、可擴(kuò)展性強(qiáng)的海面紅外對(duì)抗仿真系統(tǒng)。
[0004] 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實(shí)施例提出一種海面紅外對(duì)抗仿真系統(tǒng)，包括：場(chǎng)景模 擬單元，用于模擬海面目標(biāo)與打擊的對(duì)抗場(chǎng)景，所述對(duì)抗場(chǎng)景中設(shè)置多個(gè)元素，所述元素至 少包括：目標(biāo)；紅外探測(cè)單元，用于從所述對(duì)抗場(chǎng)景中搜索所述目標(biāo)；干擾單元，用于設(shè)置 干擾參數(shù)和干擾策略，生成并發(fā)射干擾；控制單元，用于控制所述跟蹤單元在所述對(duì)抗場(chǎng)景 中搜索所述目標(biāo)，在所述目標(biāo)遭受打擊時(shí)，控制所述干擾單元發(fā)射所述干擾。
[0005] 根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的海面紅外對(duì)抗仿真系統(tǒng)，抽象出了仿真過(guò)程中的各個(gè)元素， 紅外探測(cè)單元能夠?qū)崟r(shí)計(jì)算可見(jiàn)光場(chǎng)景和相應(yīng)的紅外成像，控制單元用于當(dāng)目標(biāo)遭受打擊 時(shí)，控制目標(biāo)選擇干擾策略，即控制干擾單元發(fā)射干擾。本發(fā)明實(shí)施例的仿真系統(tǒng)仿真了紅 外成像、干擾的發(fā)射和演變、紅外跟蹤過(guò)程，并且能夠有效展示仿真的動(dòng)態(tài)過(guò)程。
[0006] 在一些示例中，所述仿真系統(tǒng)還包括：噪聲單元，用于模擬所述紅外探測(cè)單元的噪 聲，所述噪聲單元由所述控制單元控制。
[0007] 在一些示例中，所述紅外探測(cè)單元包括：紅外成像模塊，用于生成所述對(duì)抗場(chǎng)景的 紅外圖像；跟蹤模塊，用于從所述紅外圖像中搜索所述目標(biāo)。
[0008] 在一些示例中，所述紅外成像模塊還用于：獲取所述多個(gè)元素的環(huán)境參數(shù)，根據(jù)所 述環(huán)境參數(shù)獲取光譜輻射出射度；根據(jù)所述光譜輻射出射度獲取預(yù)定波長(zhǎng)區(qū)間的輻射亮 度；根據(jù)所述輻射亮度獲取大氣對(duì)紅外輻射的影響；根據(jù)所述輻射亮度對(duì)不同情形下的所 述目標(biāo)進(jìn)行紅外渲染；建立大氣傳輸模型，并根據(jù)所述大氣傳輸模型實(shí)現(xiàn)對(duì)所述影響的模 擬。
[0009] 在一些示例中，所述跟蹤模塊還用于：獲取當(dāng)前所述紅外圖像的目標(biāo)區(qū)域；對(duì)所 述紅外圖像的當(dāng)前幀的所述目標(biāo)區(qū)域進(jìn)行分析以獲取分析結(jié)果，根據(jù)所述分析結(jié)果獲取目 標(biāo)通道；對(duì)所述當(dāng)前幀的所述目標(biāo)區(qū)域進(jìn)行雙后向映射，獲取映射圖；獲取所述目標(biāo)在所 述映射圖的中心。
[0010] 在一些示例中，所述干擾包括冷干擾和熱干擾。
[0011] 進(jìn)一步地，在一些示例中，應(yīng)用粒子演化模型模擬所述干擾。
[0012] 本發(fā)明附加的方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變 得明顯，或通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐了解到。
【附圖說(shuō)明】
[0013] 圖1是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的海面紅外對(duì)抗仿真系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)框圖；
[0014] 圖2是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的對(duì)抗場(chǎng)景模擬示意圖；
[0015] 圖3是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的不同距離下，用霧化模擬大氣透過(guò)率與程輻射的效果 示意圖；
[0016] 圖4是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例跟蹤過(guò)程示意圖；
[0017] 圖5是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的跟蹤效果示意圖；
[0018] 圖6是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的干擾示意圖；和
[0019] 圖7本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的對(duì)抗仿真過(guò)程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020] 在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語(yǔ)"中心"、"縱向"、"橫向"、"長(zhǎng)度"、"寬度"、 "厚度"、"上"、"下"、"前"、"后"、"左"、"右"、"豎直"、"水平"、"頂"、"底" "內(nèi)"、"外"、"順時(shí) 針"、"逆時(shí)針"、"軸向"、"徑向"、"周向"等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或 位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必 須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0021] 此外，術(shù)語(yǔ)"第一"、"第二"僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性 或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有"第一"、"第二"的特征可以明示或 者隱含地包括至少一個(gè)該特征。在本發(fā)明的描述中，"多個(gè)"的含義是至少兩個(gè)，例如兩個(gè)， 三個(gè)等，除非另有明確具體的限定。
[0022] 在本發(fā)明中，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語(yǔ)"安裝"、"相連"、"連接"、"固定"等 術(shù)語(yǔ)應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或成一體；可以是機(jī)械連 接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過(guò)中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi) 部的連通或兩個(gè)元件的相互作用關(guān)系，除非另有明確的限定。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員 而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語(yǔ)在本發(fā)明中的具體含義。
[0023] 在本發(fā)明中，除非另有明確的規(guī)定和限定，第一特征在第二特征"上"或"下"可以 是第一和第二特征直接接觸，或第一和第二特征通過(guò)中間媒介間接接觸。而且，第一特征在 第二特征"之上"、"上方"和"上面"可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或僅僅表示 第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征"之下"、"下方"和"下面"可以是 第一特征在第二特征正下方或斜下方，或僅僅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0024] 下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終 相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過(guò)參考附 圖描述的實(shí)施例是示例性的，旨在用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0025] 參見(jiàn)圖1，本發(fā)明實(shí)施例的海面紅外對(duì)抗仿真系統(tǒng)100包括：場(chǎng)景模擬單元101、紅 外探測(cè)單元102、干擾單元103和控制單元104。
[0026] 場(chǎng)景模擬單元101用于模擬海面目標(biāo)與打擊的對(duì)抗場(chǎng)景，對(duì)抗場(chǎng)景中設(shè)置多個(gè)元 素，元素包括：目標(biāo)。紅外探測(cè)單元102用于從對(duì)抗場(chǎng)景中搜索目標(biāo)。干擾單元103用于設(shè) 置干擾參數(shù)和干擾策略，生成并發(fā)射干擾?？刂茊卧?04用于控制紅外探測(cè)單元102在對(duì) 抗場(chǎng)景中搜索目標(biāo)，在目標(biāo)遭受打擊時(shí)，控制干擾單元103發(fā)射干擾。
[0027] 具體的，場(chǎng)景模擬