一種膜結(jié)構(gòu)單層多點的電容式觸摸屏感應(yīng)器制作工藝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于觸摸屏制作技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種膜結(jié)構(gòu)單層多點的電容式觸摸屏 感應(yīng)器制作工藝。
【背景技術(shù)】
[0002] 觸摸屏是一種將感應(yīng)信號轉(zhuǎn)化為數(shù)字信號，實現(xiàn)人機交互的一種裝置；其中電容 觸摸屏是將手指或者導(dǎo)電介質(zhì)在觸摸時與基板上的電極間所產(chǎn)生的電容變化，通過驅(qū)動芯 片的數(shù)字轉(zhuǎn)換，輸出手指或者導(dǎo)電介質(zhì)觸控的坐標(biāo)位置。目前電容觸摸屏已經(jīng)廣泛應(yīng)用于 手機，平板等領(lǐng)域?，F(xiàn)在主流的電容式觸摸屏結(jié)構(gòu)有G+F、G+F2、OGS、on-cell、in-cell等 結(jié)構(gòu)。其中，G+F的單層設(shè)計中，為了實現(xiàn)單層多點觸控采用的圖案設(shè)計無法滿足在同一平 面內(nèi)布線不交叉的條件，只能采用跳線的設(shè)計。目前單層多點的跳線設(shè)計存在制作精度較 低、平滑度不夠、良品率低等缺點。
[0003] 電容式觸摸屏感應(yīng)器的制造方法主要有印刷制程、鐳雕制程和黃光制程等；印刷 制程工藝簡單，設(shè)備成本較低，但其線路精度只能做到0. 1_，而且線性度較差，觸控感應(yīng)不 靈敏，不適合大尺寸的感應(yīng)器制作；鐳雕制程線路精度可達到0. 05mm，但存在工藝效率和 爆點問題，不適合復(fù)雜圖形的批量生產(chǎn)；黃光制程線路精度可達到0. 〇4_，線性度良好，觸 控感應(yīng)靈敏，支持復(fù)雜圖形的設(shè)計，是目前比較主流的生產(chǎn)方式。傳統(tǒng)的黃光制程工藝是對 感應(yīng)器的IT0層采用曝光顯影的制作方法，對金屬層采用銀漿印刷的方法，這樣的工藝需 要兩次圖像成型，工序較為復(fù)雜，對上下層圖形的對位精準(zhǔn)度要求較高，金屬層線寬較大， 優(yōu)良率低。
[0004] 現(xiàn)有公開的一種GF2雙面導(dǎo)電薄膜結(jié)構(gòu)的觸控模組的制作工藝，它依次包括以下 步驟：步驟A、干膜覆合：在導(dǎo)電薄膜的雙面貼合干膜；步驟B、曝光、顯影；步驟C、第一次蝕 亥IJ、剝膜；步驟D、耐酸印刷；步驟E、第二次蝕刻、剝膜；步驟F、絕緣印刷；步驟G、覆膜分切。 該方法采用干膜工藝，干膜制程會產(chǎn)生膜渣的，造成污染物多，且產(chǎn)品的厚度會比較厚，費 用成本較高，精細的線路合格率降低，在制作中干膜制成容易存在毛邊和裂痕，生產(chǎn)過程容 易影響良率等缺點；其次，干膜制成還會導(dǎo)致膜覆蓋性能較差，產(chǎn)品的線寬距受到限制等缺 點。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種基于一次曝光成型的膜結(jié)構(gòu)觸 摸屏感應(yīng)器黃光工藝的單層多點方案，采用濕膜制作工藝，增強了膜的附著力，覆蓋性能 好，改善了線寬線距，降低了產(chǎn)品厚度，提高單層多點類觸摸屏產(chǎn)品的制作精度、平滑度、良 品率等。實現(xiàn)了單層多點的突破，回避了玻璃結(jié)構(gòu)的單層多點（0GS)產(chǎn)品易碎裂、良品率 低等缺點；同時又區(qū)別于傳統(tǒng)多次曝光的膜結(jié)構(gòu)單層多點產(chǎn)品，相比之下更加節(jié)省材料，節(jié) 省工時，且不產(chǎn)生污染，厚度更?。欢易罱K成品具有比普通膜結(jié)構(gòu)單層多點更細的線寬線 距，優(yōu)于同等線寬線距下的鐳射工藝的線路平滑性。
[0006] 為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的一種膜結(jié)構(gòu)單層多點的電容式觸摸屏感應(yīng)器制 作工藝，依次包括以下步驟： 51、 涂布：在鍍銅IT0膜表面上涂敷液態(tài)光阻劑，并烘烤使得所述液態(tài)光阻劑固化為光 阻層； 52、 曝光：對涂敷在鍍銅IT0膜表面上的光阻層進行曝光； 53、 顯影：將曝光后的鍍銅IT0膜用堿性溶液顯影； 54、 第一次蝕刻：將顯影后的鍍銅IT0膜用酸性溶液進行蝕刻，同時在鍍銅金屬層和 IT0膜上形成圖案；本步驟利用酸性溶液同時對金屬層和IT0進行蝕刻，在金屬層和IT0上 都形成圖案； 55、 第一次剝膜：將蝕刻后的鍍銅IT0膜用堿性溶液去除鍍銅IT0膜表面的光阻層； 56、 油墨印刷：在剝膜后的鍍銅IT0膜上印刷耐酸油墨，經(jīng)紫外燈照射下固化耐酸油 墨，以保護可視區(qū)外的經(jīng)步驟S4蝕刻形成的金屬線路圖案； 57、 第二次蝕刻：將印刷耐酸油墨后的鍍銅IT0膜用強氧化性溶液進行浸泡或噴淋，進 一步蝕刻可視區(qū)的金屬層；利用第二次蝕刻，將進一步蝕刻可視區(qū)的金屬層，使經(jīng)過第一次 蝕刻后在金屬層和IT0上形成圖案更加精準(zhǔn)； 58、 第二次剝膜：將經(jīng)過步驟S7后的鍍銅IT0膜用堿性溶液進行浸泡或噴淋，去除耐酸 油墨； 59、 絕緣印刷：在經(jīng)過步驟S8后的鍍銅IT0膜上印刷透明的絕緣油墨，并在紫外燈照射 下固化； S10、銀漿印刷：在經(jīng)過步驟S9后的鍍銅IT0膜上印上導(dǎo)電銀漿，并在紫外燈下固化形 成跳線，得到所述膜結(jié)構(gòu)單層多點的電容式觸摸屏感應(yīng)器。
[0007] 進一步的，所述的步驟S1中涂敷液態(tài)光阻劑為正性光刻膠，厚度為4~7um，所述 烘烤固化溫度為120~130°C。
[0008] 更進一步的，所述的步驟S2的曝光是在黃光環(huán)境中，用波長為200~400nm的紫外 線垂直照射光阻層，曝光能量為200~300J/cm2。
[0009] 更進一步的，所述步驟S3中顯影溫度為20~25°C，顯影時間為50±20S ;所述堿性 溶液為氫氧化鈉或碳酸鈉溶液，質(zhì)量濃度為〇. 1~1.〇 %wt。
[0010] 更進一步的，所述步驟S4中蝕刻溫度為30~50°C，蝕刻時間為50±30S;所述酸性 溶液為硝酸或鹽酸溶液，質(zhì)量濃度為20 ± 2%wt。
[0011] 更進一步的，所述步驟S5中剝膜溫度為30±5°C，剝膜時間為40±10S;所述堿性 溶液為氫氧化鈉或碳酸鈉溶液，質(zhì)量濃度為2 ±0. 5%wt。
[0012] 更進一步的，所述步驟S7中蝕刻溫度為30~40°C，蝕刻時間為50±30S ;所述的強 氧化性溶液為雙氧水，質(zhì)量濃度為5~6%wt。
[0013] 更進一步的，所述步驟S8中剝膜溫度為30±5°C，剝膜時間為40±10s;所述堿性 溶液為氫氧化鈉或碳酸鈉溶液，質(zhì)量濃度為2±0. 5%wt。所述步驟S8中剝膜溶液同樣可以 使用上述步驟S5中的剝膜溶液，且可以循環(huán)使用，減少污染，節(jié)省工業(yè)成本。
[0014] 優(yōu)選的，所述步驟S6中的耐酸油墨為日本互應(yīng)化學(xué)工業(yè)株式會社的型號為 TPER-194B-2的耐酸油墨；所述步驟S9中的絕緣油墨為為日本東洋紡績株式會社的型號 為FR-200C-4的絕緣油墨；所述步驟S10中的導(dǎo)電銀漿為日本東洋紡績株式會社的型號為 DW-440L-29C的導(dǎo)電銀漿。
[0015] 本發(fā)明的有益效果：（1)與傳統(tǒng)多次曝光工藝相比，本發(fā)明采用一次曝光成型工 藝實現(xiàn)單層多點膜結(jié)構(gòu)，節(jié)省了工序；（2)經(jīng)首次蝕刻后用絕緣油墨保護可視區(qū)外的金屬 線路，進行再次蝕刻，提高了金屬線路的制作精度、平滑度，使產(chǎn)品具有比普通膜結(jié)構(gòu)單層 多點更細的線寬線距；（3)本工藝采用絕緣印刷和銀漿印刷的濕制程，實現(xiàn)了單層多點的 突破，回避了玻璃結(jié)構(gòu)的單層多點（0GS)產(chǎn)品易碎裂、良品率低等缺點，且不產(chǎn)生污染，產(chǎn)品 厚度更?。唬?)本工藝中前后兩次的剝膜溶液可以通用，且可以循環(huán)使用，減少污染，節(jié)省 成本。
【具體實施方式】
[0016] 下面具體的實施例對本發(fā)明作進一步描述。以下實施例僅用于更加清楚地說明本 發(fā)明的技術(shù)方案，而不能以此來限制本發(fā)明的保護范圍。
[0017] 實施例1 本發(fā)明提供的一種膜結(jié)構(gòu)單層多點的電容式觸摸屏感應(yīng)器制作工藝，依次包括以下步 驟：裁切預(yù)定尺寸的鍍銅IT0膜后，進行如下步驟； 51、 涂布：在鍍銅IT0膜表面上涂敷液態(tài)光阻劑，所述液態(tài)光阻劑為蘇州瑞紅電子化 學(xué)品有限公司生產(chǎn)的型號為RZJ-2500正性光刻膠，涂敷液態(tài)光阻劑的厚度為4um，并在 120°C下烘烤，使光阻劑固化，凝固在鍍銅IT0表面形成光阻層；利用高溫固化光阻劑使其 溶劑揮發(fā)，不影響光阻劑的效果； 52、 曝光：對涂敷在鍍銅IT0膜表面上的光阻層進行曝光，采用光罩對涂敷有光阻層的 鍍銅IT0膜進行曝光，在黃光環(huán)境下，用波長為200nm的紫外線從光罩面向光阻層的方向 垂直照射，對光阻層的曝光能量為200~300J/cm2; 53、 顯影：將曝光后的鍍銅IT0膜用堿性溶液顯影，在黃光環(huán)境下，將曝光后的鍍銅IT0 膜浸泡在溫度為20°C，質(zhì)量濃度為0. 1 %wt的氫氧化鈉溶液中進行顯影，顯影時間為30s; 54、 第一次蝕刻：將顯影后的鍍銅IT0膜用酸性溶液進行蝕刻，同時在鍍銅金屬層和 IT0膜上形成圖