元260在Tl時(shí)刻產(chǎn)生第一激勵(lì)信號(hào)VI。在所述第一激勵(lì)信號(hào)Vl的作用下，所述第二極板2130a,2130b......也被設(shè)置于第一電位VI。
[0123]接著，在維持非晶開(kāi)關(guān)器件2110截?cái)嗟臓顟B(tài)下，進(jìn)行第一次信號(hào)采樣，所述讀出單元2500獲得背景電信號(hào)SI。由于所述背景電信號(hào)SI在采集過(guò)程中，所述非晶開(kāi)關(guān)器件2110維持截?cái)酄顟B(tài)，因此，所述背景電信號(hào)SI包含的信息為信號(hào)線2300以及讀出單元2500中的本底信息。
[0124]之后，所述激勵(lì)單元260在第二時(shí)刻T2產(chǎn)生第二激勵(lì)信號(hào)V2。所述第二極板2130a,2130b……在所述激勵(lì)單元260的作用下被設(shè)置于第二電位V2。
[0125]隨著第二極板2130a、2130b……被設(shè)置于第二電位V2，首先通過(guò)內(nèi)部電容Ca(l、Cbo……的耦合，會(huì)引起第一極板2120a、2120b……上感應(yīng)電荷量發(fā)生變化AQal、AQbl……；
其次由于第二極板2130a、2130b......被設(shè)置于第二電位V2，通過(guò)第二極板2130a、
2130b……與手指之間形成的外部電容Ca2、Cb2……的耦合，會(huì)引起手指真皮層的電位發(fā)生變化，再通過(guò)手指與第一極板2120a、2120b......之間形成的外部電容Cal、Cbl......的耦合，進(jìn)一步會(huì)引起第一極板2120a、2120b……上感應(yīng)電荷量發(fā)生變化AQa2、AQb2……
[0126]然后，所述驅(qū)動(dòng)單元2400在第三時(shí)刻T3產(chǎn)生開(kāi)啟信號(hào)K，以打開(kāi)非晶開(kāi)關(guān)器件2110。接著，進(jìn)行第二次信號(hào)采樣，所述讀取電路2500在T4時(shí)刻讀取所述第一極板2120獲得的米樣電?目號(hào)S2。
[0127]由于在第二次信號(hào)采樣時(shí)，非晶開(kāi)關(guān)器件2110實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通。因此所述采樣電信號(hào)S2除了包括有背景電信號(hào)SI中的本底信息之外，還包含有第一極板2120a、2120b……上感應(yīng)電荷的變化，即由內(nèi)部電容和外部電容引起的感應(yīng)電荷的變化量的總和:△ Qal+ △ Qa2、A Qbl+ A Qb2......
[0128]由于電位變化而引起的電容兩端感應(yīng)電荷的變化與電容的大小相關(guān)。因此，由內(nèi)部電容引起的感應(yīng)電荷的變化量AQal、AQa2,……與所述內(nèi)部電容Ca(l、Cm……的大小相關(guān)，對(duì)于像素陣列中所有的像素單元來(lái)說(shuō)，由于內(nèi)部電容Ca(l、Cbo……都是相等的，因此感應(yīng)電荷的變化量AQal、AQa2,……都是相等的，SP AQal= AQa2=……；而由外部電容引起的感應(yīng)電荷的變化量AQal、AQa2、......與外部電容Ca、Cb......的大小相關(guān)，對(duì)像素陣列中不同位置的像素單元來(lái)說(shuō)，外部電容Ca、Cb……的大小與表皮層與感測(cè)平面之間的距離相關(guān)。
[0129]最后，根據(jù)所述背景電信號(hào)SI和所述采樣電信號(hào)S2獲得電容信號(hào)S。，并根據(jù)所述電容信號(hào)S。獲得指紋圖像。具體的，所述指紋獲取單元，所述指紋獲取單元基于所述采樣電信號(hào)S2和所述背景電信號(hào)SI的差值獲得指紋圖像。
[0130]具體的，所述背景電信號(hào)SI和所述采樣電信號(hào)S2的差值即能夠從所述采樣電信號(hào)S2中去除本地信息，因此所獲得所述電容信號(hào)S。具有更好的信噪比，根據(jù)所述電容信號(hào)
S。能夠獲得質(zhì)量更好的指紋圖像。
[0131]由于所述電信號(hào)S2中包含有與表皮層與感測(cè)平面之間距離相關(guān)的感應(yīng)電荷的變化量AQal、AQa2、……因此，所述電容信號(hào)S。中也包含有與表皮層與感測(cè)平面之間距離相關(guān)的信息，根據(jù)所述電容信號(hào)S。在感測(cè)平面的分布能夠獲得所感測(cè)手指的指紋圖像。
[0132]本實(shí)施例中，不同列中的第二極板2130與同一外圍導(dǎo)線相連，并與位于外圍電路上的激勵(lì)單元260相連。所述激勵(lì)單元260通過(guò)同一外圍導(dǎo)線向不同列中的第二極板2130提供相同的激勵(lì)信號(hào)，從而保證了所述讀出單元2500獲得的電信號(hào)僅與指紋相關(guān)。
[0133]但是需要說(shuō)明的是，將所述第二極板2130—端相連，再與同一外圍導(dǎo)線相連的做法僅為一示例。在本發(fā)明其他實(shí)施例中，還可以使所述第二極板2130分組相連，不同組的所述第二極板2130通過(guò)不同的外圍導(dǎo)線與所述激勵(lì)單元260相連。本發(fā)明對(duì)所述第二極板2130的連接方式不做限定。
[0134]參考圖12至圖14，示出本發(fā)明電容式指紋傳感器第三實(shí)施例的示意圖。(需要說(shuō)明的是，為了使附圖簡(jiǎn)潔，圖12至圖14中未示意出基板)
[0135]參考圖12，示出了本發(fā)明電容式指紋傳感器第三實(shí)施例的電路示意圖。
[0136]本實(shí)施例與圖4至圖11所述實(shí)施例相同之處不再贅述。本實(shí)施例與前述實(shí)施例的一個(gè)不同之處為所述激勵(lì)單元3600位于由像素單元3100構(gòu)成的像素陣列行向的一端，與所述第二極板3130相連，向所述第二極板3130提供所述激勵(lì)信號(hào)。
[0137]需要說(shuō)明的是，所述驅(qū)動(dòng)單元3400也位于所述像素陣列行向，因此，本實(shí)施例中，所述激勵(lì)單元3600與所述驅(qū)動(dòng)單元3400分別位于所述像素陣列行向的兩端，以避免所述電容式指紋傳感器一側(cè)邊框過(guò)大過(guò)于復(fù)雜。
[0138]此外，在像素陣列行向的一端設(shè)置所述激勵(lì)單元3600還能夠使所述激勵(lì)單元3600與像素單元3100通過(guò)同一非晶硅工藝制程形成，從而達(dá)到簡(jiǎn)化工藝步驟，降低制造成本的目的。
[0139]參考圖13和圖14，示出了圖12中像素單元3100的結(jié)構(gòu)示意圖。其中圖13為所述像素單元3100的俯視圖，圖14為圖13中沿C-C’線的剖視圖。
[0140]本實(shí)施例與前述實(shí)施例的另一不同之處在于所述第二極板3130位于所述第二絕緣層3115與所述保護(hù)層3117之間。
[0141]此外，本實(shí)施例中，所述遮光層3116覆蓋于第二絕緣層3115和第一極板3120上，所述保護(hù)層3117覆蓋所述遮光層3116表面。因此，所述第二極板3130與所述遮光層3116可以為同層金屬，可以同時(shí)制作。
[0142]此外，所述電容式指紋傳感器的第二極板還可以采用其他材料組合實(shí)現(xiàn)。
[0143]參考圖15和圖16，示出了本發(fā)明電容式指紋傳感器第四實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。(需要說(shuō)明的是，為了使附圖簡(jiǎn)潔，圖15和圖16中未示意出基板)
[0144]其中，圖15為所述電容式指紋傳感器第四實(shí)施例中像素單元4100的俯視圖，圖16為圖15中沿D-D’線的剖視圖。
[0145]本實(shí)施例與前述實(shí)施例相同之處此處不再贅述，本實(shí)施例的不同之處在于:所述第二極板4130包括位于所述第一絕緣層4114表面的第一導(dǎo)體4130i和位于所述第一導(dǎo)體4130?表面的第二導(dǎo)體4130u，所述第一導(dǎo)體4130i與所述第二導(dǎo)體4130u之間電性連接。所述保護(hù)層4117還覆蓋所述第二導(dǎo)體4130U，以防止所述第二導(dǎo)體4130U受到后續(xù)工藝的影響。所述第二極板4130的多種設(shè)置方式，降低了所述電容式指紋傳感器的制造難度，降低了制造成本。
[0146]本實(shí)施例中，所述第一極板4120位于所述第一絕緣層4114上；所述遮光層4116覆蓋于所述第二絕緣層4115和所述第一極板4120上。
[0147]因此，本實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)體4130i與所述第一極板4120同層，位于第一絕緣層4114上；所述第二導(dǎo)體4130u與所述遮光層4116同層，覆蓋于所述第一導(dǎo)體4130i表面，且與所述第一導(dǎo)體4130i電連接。因此，所述第一導(dǎo)體4130i與所述第一極板4120可以為同層金屬，可以同時(shí)形成；所述第二導(dǎo)體4130u與所述遮光層4116可以為同層金屬，可以同時(shí)形成，由此可以簡(jiǎn)化制造過(guò)程，降低制造成本。
[0148]相應(yīng)的，本發(fā)明還提供一種指紋成像模組，包括:
[0149]本發(fā)明所提供的電容式指紋傳感器；覆蓋于所述電容式指紋傳感器上的保護(hù)蓋板。
[0150]參考圖17，示出了本發(fā)明指紋成像模組一實(shí)施例的示意圖。
[0151]所述指紋成像模組包括:
[0152]本發(fā)明所提供的電容式指紋傳感器5000，用以獲得指紋圖像。具體方案參考前述電容式指紋傳感器的實(shí)施例，在此不再贅述。
[0153]所述指紋成像模組還包括覆蓋于所述電容式指紋傳感器5000上的保護(hù)蓋板110。
[0154]所述保護(hù)蓋板110用于保護(hù)所述電容式指紋傳感器5000，防止所述電容式指紋傳感器5000被磨損。
[0155]為了提高所述電容式指紋傳感器5000所獲得的信號(hào)強(qiáng)度，提高信號(hào)質(zhì)量，本實(shí)施例中，所述保護(hù)蓋板110材料為高介電常數(shù)材料。具體的，本實(shí)施例中，所述保護(hù)蓋板110為硬質(zhì)的保護(hù)面板或者是覆蓋所述電容式指紋傳感器5000的防護(hù)涂層，其中保護(hù)面板材料包括陶瓷、藍(lán)寶石或玻璃。
[0156]綜上，本發(fā)明通過(guò)設(shè)置非晶開(kāi)關(guān)器件以及與非晶開(kāi)關(guān)器件相連的第一極板，通過(guò)所述第一極板獲得帶有指紋信息的電信號(hào)，并根據(jù)所述電信號(hào)獲得指紋圖像。所述非晶開(kāi)關(guān)器件以及所述第一極板通過(guò)非晶硅工藝集成，避免了現(xiàn)有技術(shù)中的晶體硅工藝，能夠有效的降低器件制造工藝難度，降低工藝復(fù)雜性，提高器件制造良品率，降低器件制造成本。此外，本發(fā)明的可選方案中，通過(guò)在所述非晶開(kāi)關(guān)器件上設(shè)置遮光層，以遮擋所述非晶開(kāi)關(guān)器件的溝道，避免所述溝道受到光照射，避免由于溝道受到光照射而產(chǎn)生漏電流影響信號(hào)，減小了所述非