具含銀的透明導電層的投影電容式觸控面板的制作方法
【專利說明】具含銀的透明導電層的投影電容式觸控面板
[0001] 本申請設及一種投影電容式觸控面板，特別是，具有含銀的透明導電層的投影電 容式觸控面板。
[000引發(fā)明背景
[0003] 一種電容式觸控面板包括絕緣體，例如玻璃，被涂上導電涂層。由于人體也是導電 體，當接觸面板的表面時會導致面板的靜電場的變形，可測量電容的變化。透明觸摸面板可 與顯示器組合，例如形成觸摸屏的液晶面板。投影電容式（PROCA巧觸控面板允許手指或其 他接觸，通過導電涂層前的保護層被傳感。保護層增加耐久性，且同時可通過絕緣體傳感接 觸，允許用戶在戴手套時操作觸控面板。
[0004] 圖1(a)至圖1(g)中示出一種相關技術的電容式觸控面板的示例，例如，參照美國 專利No. 8, 138, 425,其公開的內(nèi)容被納入此處作為參考。
[000引參照圖1 (a)，提供基片11，行的X軸導體12、絕緣體13、用于列的y軸導體14,和 導電跡線15?；?1可W是透明材料，例如玻璃。X軸導體12和y軸導體14可W是透明 導電涂層，通常為銅錫氧化物（IT0)。絕緣體13可W是任何絕緣材料（例如，氮化娃），其 抑制X軸導體12和y軸導體14之間的傳導性。跡線15在多個導體的每一個和信號處理 器（未示出）之間提供導電性。
[0006] 參照1圖化），X軸導體12 (例如，IT0)被形成在基片11上。ITO被涂在基片11 上的連續(xù)層中然后進行第一次光刻處理，將ITO圖案化至X軸導體12。圖1(C)示出圖1化） 的橫斷面A-A'，包括形成在基片11上的X軸導體12。參照圖1 (d)，絕緣體13被形成在基 片11上，于X軸導體12的X軸通道之上。圖1 (e)示出圖1 (d)的橫斷面B-B'，包括絕緣體 13,被形成在基片11和X軸導體12上。圖l(d)-(e)中示出的絕緣體區(qū)13通過將絕緣材 料（例如，氮化娃）的連續(xù)層沉積在基片11上被形成，于導體12之上，并對絕緣材料進行 第二次光刻、蝕刻，或其他圖案化處理，將絕緣材料圖案化至絕緣體區(qū)13。參照圖1(f)，然 后，y軸導體14被形成在基片上，于絕緣體區(qū)13和X軸導體之上。ITO被涂在基片11上， 于12、13之上，然后進行第S次光刻或其他圖案化處理，將ITO圖案化至y軸導體14。當大 部分y軸導體材料14被直接形成在基片11上，y軸通道被形成在絕緣體13上來抑制X軸 導體12和y軸導體14之間的傳導性。圖1 (g)示出圖1 (f)的橫斷面C-C'，包括y軸導體 14的一部分，其被形成在基片11上，于絕緣體區(qū)13之上并于示例性X軸導體12之上。應 注意，圖l(a)-(g)中示出的制造該結構的過程需要S個沉積步驟和S次光刻型處理，使制 造過程變得較麻煩，效率低、W及昂貴。
[0007] 圖1化）示出根據(jù)相關技術的投射電容式觸控面板的X軸導體12和y軸導體14 的交叉點的另一示例。參照圖1化），ITO層被形成在基片11上，然后在第一次光刻處理中 被圖案化至X軸導體12和y軸導體14。然后，絕緣層被形成在基片上并在第二次光刻處理 中被圖案化至絕緣體區(qū)13。然后，金屬的導電層被形成在基片11上，于12-14之上，并在 第=次光刻處理中被圖案化至傳導性橋接16中。金屬的橋接16用于在X軸導體12上為 y軸導體14提供導電性。此外，此制造過程需要=個沉積步驟和=次不同的光刻處理。
[000引圖1(a)至1化）中示出的投影電容式觸控面板可W是互電容裝置和自電容裝置。
[0009] 在互電容裝置中，X軸導體12和y軸導體14(或金屬的橋接16)之間的每個交叉 點具有一個電容器。當y軸導體14的電壓被測量時電壓被施加至X軸導體12 (反之亦然）。 當用戶將手指或鐵筆靠近裝置的表面時，局部靜電場中的變化減少互電容。網(wǎng)格上的各散 點的電容變化可被測量，來準確地確定接觸位置。
[0010] 在自電容裝置中，X軸導體12和y軸導體14本質上獨立操作。經(jīng)自電容，手指等 的電容負載通過流速計在各X軸導體12和y軸導體14上被測量。
[0011] 如圖1(g)和1似中所示出的，相關技術的投射電容式觸控面板需要至少；個薄 膜層（例如ITO層、絕緣體、和其他ITO層或金屬的橋接），形成在基片11上來制備觸摸感 應結構，且W上可能具有進一步的保護層。各薄膜層通常具有各自的光刻和/或激光圖案 化過程，增加了制造成本和/或時間。
[0012] 如上所述，透明的導體12和14通常為銅錫氧化物（ITO)，其成本較高。ITO層還具 有較高的片電阻（至少約100歐姆/平方）。為了使ITO層具有小于5歐姆/平方的片電 阻，層必須較厚（例如，大于400nm)。較厚的ITO層比較昂貴并且不太透明。因此，較薄的 ITO層片電阻較高，限制其被用于大型觸控面板（例如，具有5英寸W上的對角線的面板） 上需要狹長跡線的布局中。應理解，當前需要在本技術領域中解決上述指出的一個或多個 問題。
[0013] 發(fā)明的示例性實施例概述
[0014] 上述和其他缺陷可通過一種具有含銀的透明導電層的投影電容式觸控面板被克 月良，其中，含銀的層可夾在至少第一和第二介質層之間。
[0015] 在本發(fā)明的示例性實施例中，提供一種電容式觸控面板，包括；基片；含有銀的透 明導電層，其由所述基片支撐，其形成行電極，多個列電極，和多個跡線的矩陣；W及信號處 理器，按順序測量各行電極和相鄰的列電極之間的電容，其中，所述行電極，多個列電極，和 多個跡線，位于與所述基片基本平行的平面上，各行電極通過多個跡線中的至少一個，與所 述處理器電連接，且所述多個跡線基本與列電極平行。
[0016] 在本發(fā)明的示例性實施例中，提供一種用于制造含有基片和信號處理器的投影電 容式觸控面板的方法，所述方法包括；將含有銀的透明導電涂層沉積在基片上，從而形成行 電極、多個列電極、和多個跡線的矩陣，其中，所述行電極，多個列電極，和多個跡線的矩陣 位于與所述基片基本平行的平面上，各行電極通過多個跡線中的至少一個與所述信號處理 器電連接，且所述多個跡線與所述列電極基本平行。
[0017] 所述含有銀的透明導電涂層，從所述基片按順序可包括：第一基于娃的層；第一 介質層；第二介質層，經(jīng)第=介質層被分離，從而形成第二介質層的第一和第二部分；銀 層，位于所述第二介質層的第二部分之上并直接與其接觸；含有鑲和/或銘的氧化物的上 接觸層，直接位于所述銀層之上并與其接觸；第四介質層，和第二基于娃的層，其中，所述第 =介質層包括氧化鐵或氧化錫。
[001引附圖簡要說明
[0019] 圖1 (a)至1化）是示出相關技術的投影電容式觸控面板的示例。
[0020] 圖2(a)是示出根據(jù)示例性實施例的投影電容式觸控面板的頂部或底部計劃布 局。
[0021] 圖2化）是示出圖2(a)和/或3中的投影電容式觸控面板的電路示意圖。
[0022] 圖3是示出根據(jù)另一示例性實施例的投影電容式觸控面板的頂部或底部計劃布 局。
[0023] 圖4是示出根據(jù)示例性實施例，圖2-3中的觸控面