電容屏及其形成方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于觸控設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種電容屏及其形成方法。
【背景技術(shù)】
[0002]電容式觸摸屏中，投射式電容觸摸屏是當(dāng)前應(yīng)用較為廣泛的一種，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、透光率高等特點(diǎn)。投射式電容觸摸屏的觸摸感應(yīng)部件一般為多個(gè)行電極和列電極交錯(cuò)形成感應(yīng)矩陣。通常采用的設(shè)計(jì)方式包括將行電極和列電極分別設(shè)置在同一透明基板的兩面，防止在交錯(cuò)位置出現(xiàn)短路；或者將行電極和列電極設(shè)置在同一透明基板的同側(cè)，形成于同一導(dǎo)電膜(通常為ITO導(dǎo)電膜)上，在行電極和列電極交錯(cuò)的位置通過(guò)設(shè)置絕緣層并架導(dǎo)電橋的方式，將行電極和列電極隔開并保證在各自的方向上導(dǎo)通，可以有效的防止其在交錯(cuò)位置短路。
[0003]通常采用的設(shè)計(jì)方案為:行電極或者列電極之一在導(dǎo)電膜上連續(xù)設(shè)置，則另一個(gè)電極在導(dǎo)電膜上以連續(xù)設(shè)置的電極為間隔設(shè)置成若干電極塊，在交錯(cuò)點(diǎn)的位置通過(guò)導(dǎo)電橋?qū)⑾噜彽碾姌O塊連接，從而形成另一方向上的連續(xù)電極；導(dǎo)電橋與連續(xù)設(shè)置的電極之間由絕緣層分隔，從而有效的阻止行電極和列電極在交錯(cuò)點(diǎn)短路。通常采用金屬橋的金屬膜層是MoNb、AlNb、MoNb三層合金層堆積而成的，其制作方法是:在玻璃基板上真空磁控濺鍍金屬膜層，然后通過(guò)曝光、顯影、蝕刻等工序來(lái)完成金屬橋的制作。
[0004]但采用傳統(tǒng)的制作方案的電容式觸摸屏，因?yàn)榻饘贅虻耐腹饴什桓?，使得用戶在觸摸屏的正面可以看見金屬橋點(diǎn)，大大影響了視覺效果，且整體受力彎曲變形時(shí)，容易在界面出現(xiàn)分離，導(dǎo)致電極斷路觸摸失效，觸摸屏感應(yīng)部件損壞。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明旨在至少在一定程度上解決上述技術(shù)問(wèn)題之一或至少提供一種有用的商業(yè)選擇。為此，本發(fā)明的目的在于提出一種具有透光率高、具有一定柔韌性的電容屏及其形成方法。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明第一方面公開一種電容屏，包括以下部分:基板；ITO電極層，所述ITO電極層形成在所述基板之上，包括多行多列的、相互交錯(cuò)設(shè)置的多個(gè)ITO電極單元，其中第一方向上相鄰的ITO電極單元連貫，第二方向上相鄰的ITO電極單元隔斷；第一絕緣層，所述第一絕緣層包括多個(gè)第一絕緣塊，每個(gè)所述第一絕緣塊位于第一方向上相鄰ITO電極單元的連貫位置上方；印刷金屬層，所述印刷金屬層包括多個(gè)金屬橋電極和金屬走線，其中，每個(gè)所述金屬橋電極從所述第一絕緣塊頂部跨接所述第一絕緣塊附近的第二方向上相鄰的兩個(gè)ITO電極單元，所述印刷金屬層的材料為納米銀絲材料；以及第二絕緣層，所述第二絕緣層覆蓋所述ITO電極層、第一絕緣層和印刷金屬層。
[0007]該實(shí)施例的電容屏采用納米銀絲材料的金屬橋電極，該材料透光率好且具有可撓性，因此電容屏具有透光率高、柔韌性好的優(yōu)點(diǎn)。
[0008]可選地，本發(fā)明的電容屏還可以具有如下技術(shù)特征:
[0009]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，還包括:樹脂裝飾層，所述樹脂裝飾層位于所述基板與所述ITO電極層之間，所述樹脂裝飾層覆蓋所述電容屏的非視窗區(qū)域。
[0010]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，還包括:消影層，所述消影層位于所述基板與所述ITO電極層之間，所述消影層包括二氧化硅層和位于所述二氧化硅層之上的五氧化二鈮層。
[0011]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述納米銀絲材料的銀絲直徑為25-200nm，長(zhǎng)度為20-100 μm。
[0012]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述電容屏為OGS結(jié)構(gòu)的電容屏，所述印刷金屬層的厚度為4-6 μ m。
[0013]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明第二方面公開一種電容屏的形成方法，包括以下步驟:提供基板；形成ITO電極層，所述ITO電極層形成在所述基板之上，包括多行多列的、相互交錯(cuò)設(shè)置的多個(gè)ITO電極單元，其中第一方向上相鄰的ITO電極單元連貫，第二方向上相鄰的ITO電極單元隔斷；形成第一絕緣層，所述第一絕緣層包括多個(gè)第一絕緣塊，每個(gè)所述第一絕緣塊位于第一方向上的相鄰ITO電極單元的連貫位置上方；形成印刷金屬層，所述印刷金屬層包括多個(gè)金屬橋電極和金屬走線，其中，每個(gè)所述金屬橋電極從所述第一絕緣塊頂部跨接所述第一絕緣塊附近的第二方向上相鄰的兩個(gè)ITO電極單元，所述印刷金屬層的材料為納米銀絲材料；以及形成第二絕緣層，所述第二絕緣層覆蓋所述ITO電極層、第一絕緣層和印刷金屬層。
[0014]該實(shí)施例的形成的電容屏中包括納米銀絲材料的金屬橋電極，該材料透光率好且具有可撓性，因此電容屏具有透光率高、柔韌性好的優(yōu)點(diǎn)。
[0015]可選地，本發(fā)明的電容屏的形成方法還可以具有如下技術(shù)特征:
[0016]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，還包括:在所述基板與所述ITO電極層之間形成樹脂裝飾層，所述樹脂裝飾層覆蓋所述電容屏的非視窗區(qū)域。
[0017]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，還包括:在所述基板與所述ITO電極層之間形成消影層，所述消影層包括二氧化硅層和位于所述二氧化硅層之上的五氧化二鈮層。
[0018]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述納米銀絲材料的銀絲直徑為25_200nm，長(zhǎng)度為20-100 μm。
[0019]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)絲網(wǎng)印刷工藝形成所述印刷金屬層，使用350-420目的鋼絲網(wǎng)或聚脂網(wǎng)，印刷厚度為4-6um。
[0020]本發(fā)明的附加方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐了解到。
【附圖說(shuō)明】
[0021]本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從結(jié)合下面附圖對(duì)實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中:
[0022]圖1是本發(fā)明實(shí)施例的電容屏的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023]圖2是本發(fā)明實(shí)施例的電容屏中的ITO電極層的俯視示意圖。
[0024]圖3是本發(fā)明實(shí)施例的電容屏中的第一絕緣塊以及金屬電極橋的俯視示意圖。
[0025]圖4是本發(fā)明實(shí)施例的電容屏中的樹脂裝飾層的俯視示意圖。
[0026]圖5是本發(fā)明實(shí)施例的電容屏的形成方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027]下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過(guò)參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，旨在用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0028]在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語(yǔ)“中心”、“縱向”、“橫向”、“長(zhǎng)度”、“寬度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底” “內(nèi)”、“外”、“順時(shí)針”、“逆時(shí)針”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0029]此外，術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括一個(gè)或者更多個(gè)該特征。在本發(fā)明的描述中，“多個(gè)”的含義是兩個(gè)或兩個(gè)以上，除非另有明確具體的限定。
[0030]在本發(fā)明中，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語(yǔ)“安裝”、“相連”、“連接”、“固定”等術(shù)語(yǔ)應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過(guò)中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語(yǔ)在本發(fā)明中的具體含義。
[0031]如圖1所示，本發(fā)明提出一種電容屏，包括依次層疊的基板10、ITO電極層20、第一絕緣層30、印刷金屬層40以及第二絕緣層50。
[0032]如圖2所示，ITO電極層20包括多行多列的、相互交錯(cuò)設(shè)置的多個(gè)ITO電極單元201。其中第一方向(列方向)上相鄰的ITO電極單兀201連貫,第二方向(行方向)上相鄰的ITO電極單元201隔斷。需要說(shuō)明的是，行方向和列方向是相對(duì)的，因此也可以第一方向?yàn)樾蟹较?、第二方向?yàn)榱蟹较颍⒉桓淖儽景l(fā)明的原理。
[0033]如圖3所示，第一絕緣層30包括多個(gè)第一絕緣塊301。每個(gè)第一絕緣塊301位于列方向的相鄰ITO電極單元201的連貫位置上方。
[0034]如圖3所示，印刷金屬層40包括多個(gè)金屬橋電極401和金屬走線(圖中未示出)。其中，每個(gè)金屬橋電極401從第一絕緣塊301頂部跨接第一絕緣塊301附近的第二方向上相鄰的兩個(gè)ITO電極單元201。金屬走線通常位于電容屏的邊緣位置，相關(guān)細(xì)節(jié)為本領(lǐng)域技術(shù)人員已知知識(shí)，本文不贅述。具體地:
[0035]印刷金屬層40的材料為納米銀絲材料。現(xiàn)有技術(shù)中將納米銀線作為薄膜材料在GF (Glass Film)結(jié)構(gòu)的觸摸屏上使用。而本發(fā)明將納米銀絲材料作為印刷材料使用。納米銀絲材料是一種膠狀溶劑，可以用于制作成線路，特別適用于OGS(One Glass Solut1n,即一體化觸控)結(jié)構(gòu)的觸摸屏上使用。該實(shí)施例的電容屏采用納米銀絲材料的金屬橋電極，該材料透光率好(其透過(guò)率可達(dá)到92%以上)且具有可撓性，因此電容屏具有透光率高、柔韌性好的優(yōu)點(diǎn)。納米銀絲材料的銀絲直徑為25-200nm，長(zhǎng)度為20-100 μ m。
[0036]該印刷金屬層40可以是通過(guò)絲網(wǎng)印刷工藝形成的。使用印刷工藝，具有制程簡(jiǎn)單、良率高、成本低的優(yōu)點(diǎn)。絲網(wǎng)印刷過(guò)程中使用350-420目的鋼絲網(wǎng)或聚脂網(wǎng)，得到的印刷金屬層40厚度為4-6um。
[0037]第二絕緣層50覆蓋ITO電極層20、第一絕緣層30和印刷金屬層40，起到封裝電容屏、與外界絕緣的作用。
[0038]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，電容屏還包括樹脂裝飾層60。該樹脂裝飾層60位于基板10與ITO電極層20之間。如圖4所示，該樹脂裝飾層60可以覆蓋電容屏的非視窗區(qū)域。
[0039]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，電容屏還包括基板10與ITO電極層20之間形成消影層。該消影層包括二氧化硅層和位于二氧化硅