電表參數(shù)數(shù)據(jù)的擦寫(xiě)方法、在電表存儲(chǔ)設(shè)備中搜索電力線參數(shù)的方法以及一種電表的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種有效利用電表一般存儲(chǔ)芯片進(jìn)行數(shù)據(jù)擦寫(xiě)的方法以及在存儲(chǔ)芯片中搜索目標(biāo)數(shù)據(jù)的方法和設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]在當(dāng)前電測(cè)量設(shè)備，例如電表的小數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)中，25系列FLASH由于其廉價(jià)的優(yōu)勢(shì)，被應(yīng)用的越來(lái)越廣泛，逐步超過(guò)例如鐵電，45系列的FLASH芯片。但是同樣存在一定弊端，例如25系列FLASH中對(duì)數(shù)據(jù)的擦除必須是以頁(yè)為單位(例如MX25L3206E系列是以4K個(gè)字節(jié)為一頁(yè))，在寫(xiě)操作以位為最小單位時(shí)只能將I寫(xiě)成O。如果一頁(yè)有10個(gè)數(shù)據(jù)有效，則這10個(gè)數(shù)據(jù)將同時(shí)被擦除，如果一頁(yè)僅設(shè)有一個(gè)有效數(shù)據(jù)則因此占用了過(guò)多的存儲(chǔ)空間，不能達(dá)到隨意使任意個(gè)數(shù)據(jù)失效的目的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明第一技術(shù)方案的目的在于設(shè)計(jì)一種電表參數(shù)數(shù)據(jù)的擦寫(xiě)方法，以解決在使用一般性的FLASH芯片作為電表存儲(chǔ)介質(zhì)時(shí)，能夠有效地擦除數(shù)據(jù)，而避免按照常規(guī)FLASH芯片設(shè)定的以頁(yè)為單位進(jìn)行擦寫(xiě)。在第二技術(shù)方案中，基于第一技術(shù)方案提供在電表存儲(chǔ)介質(zhì)中搜索電力線參數(shù)的方法，根據(jù)所述方法能夠準(zhǔn)確地搜索電表處理單元所需要的電力參數(shù)信息，以根據(jù)這些參數(shù)信息生成參數(shù)曲線，例如按照時(shí)鐘搜索數(shù)據(jù)時(shí)避免時(shí)鐘單元本身的誤差所帶來(lái)的曲線誤差。
[0004]技術(shù)方案1:電表參數(shù)數(shù)據(jù)的擦寫(xiě)方法，在電表中配置有FLASH和與之電耦接的單片機(jī)，所述單片機(jī)對(duì)所述FLASH中的數(shù)據(jù)以頁(yè)為單位進(jìn)行擦除或?qū)懭耄龅姆椒ò▽⑺鯢LASH內(nèi)每頁(yè)數(shù)據(jù)的首若干個(gè)字節(jié)設(shè)為數(shù)據(jù)判斷區(qū)域，在所述數(shù)據(jù)判斷區(qū)域內(nèi)設(shè)定每個(gè)字節(jié)中的標(biāo)志位以表示數(shù)據(jù)是否有效，若任一字節(jié)被判斷為從有效變?yōu)闊o(wú)效則改變其標(biāo)志位；進(jìn)一步包括:1)始終設(shè)定每一字節(jié)數(shù)據(jù)的初始狀態(tài)為恒定值；2)分別將最早寫(xiě)入此數(shù)據(jù)判斷區(qū)域中的一個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)在所述FLASH中的位置、最新寫(xiě)入此數(shù)據(jù)判斷區(qū)域中的一個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)在FLASH中的位置進(jìn)行記錄和存儲(chǔ)；3)通過(guò)單片機(jī)對(duì)所述的兩個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)的位置進(jìn)行確定；4)通過(guò)單片機(jī)設(shè)置一個(gè)預(yù)設(shè)時(shí)間節(jié)點(diǎn)，將大于所述預(yù)設(shè)時(shí)間節(jié)點(diǎn)之前的數(shù)據(jù)擦除。
[0005]進(jìn)一步地，在步驟4)中進(jìn)一步包括，將小于所讀取數(shù)據(jù)時(shí)間點(diǎn)的位置和時(shí)間值的字節(jié)數(shù)據(jù)的狀態(tài)標(biāo)記為“最早寫(xiě)入此數(shù)據(jù)判斷區(qū)域中的字節(jié)數(shù)據(jù)在所述FLASH中的位置和時(shí)間值Tf”，并修改其標(biāo)志位。
[0006]技術(shù)方案2:在電表存儲(chǔ)設(shè)備中搜索電力線參數(shù)的方法，所述電表存儲(chǔ)設(shè)備選用FLASH，在電表中進(jìn)一步設(shè)置與之電耦接的單片機(jī)，所述的方法包括:1)始終設(shè)定每一字節(jié)數(shù)據(jù)的初始狀態(tài)為定值；2)分別將最早寫(xiě)入此數(shù)據(jù)判斷區(qū)域中的一個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)在所述FLASH中的位置和時(shí)間值TF、最新寫(xiě)入此數(shù)據(jù)判斷區(qū)域中的一個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)在FLASH中的位置和時(shí)間1進(jìn)行記錄；3)通過(guò)單片機(jī)對(duì)所述的兩個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)的位置和時(shí)間值進(jìn)行搜索；4)通過(guò)單片機(jī)設(shè)置一個(gè)預(yù)設(shè)時(shí)間節(jié)點(diǎn)Tm，將大于所述預(yù)設(shè)時(shí)間節(jié)點(diǎn)Tm之前的數(shù)據(jù)擦除；5)通過(guò)單片機(jī)讀取所述預(yù)設(shè)時(shí)間節(jié)點(diǎn)Tm處兩端的位置，通過(guò)預(yù)設(shè)命令搜索大于等于所讀取數(shù)據(jù)時(shí)間點(diǎn)的位置和時(shí)間值。
[0007]進(jìn)一步地，在步驟4)中進(jìn)一步包括，僅在所設(shè)置的預(yù)設(shè)時(shí)間節(jié)點(diǎn)Tm滿(mǎn)足時(shí)間值TF〈TM〈T^t，通過(guò)單片機(jī)執(zhí)行所述預(yù)設(shè)命令。
[0008]進(jìn)一步地，所述預(yù)設(shè)命令包括通過(guò)關(guān)系式L = (TF+TE)/2TM，搜索大于等于讀取數(shù)據(jù)時(shí)間點(diǎn)的新位置和時(shí)間值。
[0009]進(jìn)一步地，在步驟4)中進(jìn)一步包括，在搜索之前判斷所述的兩個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)是否有效，若未搜索到有效字節(jié)數(shù)據(jù)則選擇與這兩個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)最接近的位置和時(shí)間值的字節(jié)數(shù)據(jù)。
[0010]進(jìn)一步地，重復(fù)執(zhí)行關(guān)系式L = (TF+TE)/2TM，直至單片機(jī)搜索到恰好大于等于讀取數(shù)據(jù)時(shí)間點(diǎn)的位置和時(shí)間值，將小于所讀取數(shù)據(jù)時(shí)間點(diǎn)的位置和時(shí)間值的字節(jié)數(shù)據(jù)的狀態(tài)標(biāo)記為“最早寫(xiě)入此數(shù)據(jù)判斷區(qū)域中的字節(jié)數(shù)據(jù)在所述FLASH中的位置和時(shí)間值TF”，并修改其標(biāo)志位。技術(shù)方案3: —種電表，所述包括電表存儲(chǔ)設(shè)備，所述電表存儲(chǔ)設(shè)備選用FLASH，在電表中進(jìn)一步設(shè)置與之電耦接的單片機(jī)，所述單片機(jī)設(shè)有:數(shù)據(jù)狀態(tài)設(shè)定單元，用于始終設(shè)定每一字節(jié)數(shù)據(jù)的初始狀態(tài)為定值；數(shù)據(jù)提取單元，用于將最早寫(xiě)入此數(shù)據(jù)判斷區(qū)域中的一個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)在所述FLASH中的位置和時(shí)間值TF、最新寫(xiě)入此數(shù)據(jù)判斷區(qū)域中的一個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)在FLASH中的位置和時(shí)間Te進(jìn)行提取，并存儲(chǔ)至FLASH以外的一個(gè)新緩存區(qū)；數(shù)據(jù)搜素單元，對(duì)所述的兩個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)的位置和時(shí)間值進(jìn)行搜索；時(shí)鐘單元，設(shè)置一個(gè)預(yù)設(shè)時(shí)間節(jié)點(diǎn)TM，使得搜素單元將大于所述預(yù)設(shè)時(shí)間節(jié)點(diǎn)Tm之前的數(shù)據(jù)擦除，搜索大于等于所讀取數(shù)據(jù)時(shí)間點(diǎn)的位置和時(shí)間值。
[0011]進(jìn)一步地，所述時(shí)鐘單元僅設(shè)置為單片機(jī)的內(nèi)部時(shí)鐘晶振，僅通過(guò)其計(jì)數(shù)器對(duì)電表的時(shí)鐘進(jìn)行自動(dòng)校準(zhǔn)。
[0012]進(jìn)一步地，所述數(shù)據(jù)搜素單元通過(guò)關(guān)系式L = (TF+TE)/2TM，搜索大于等于讀取數(shù)據(jù)時(shí)間點(diǎn)的新位置和時(shí)間值。
【具體實(shí)施方式】
[0013]實(shí)施例1:電表參數(shù)數(shù)據(jù)的擦寫(xiě)方法，在電表中配置有FLASH和與之電耦接的單片機(jī)，所述單片機(jī)對(duì)所述FLASH中的數(shù)據(jù)以頁(yè)為單位進(jìn)行擦除或?qū)懭耄龅姆椒ò▽⑺鯢LASH內(nèi)每頁(yè)數(shù)據(jù)的首若干個(gè)字節(jié)設(shè)為數(shù)據(jù)判斷區(qū)域，在所述數(shù)據(jù)判斷區(qū)域內(nèi)設(shè)定每個(gè)字節(jié)中的標(biāo)志位以表示數(shù)據(jù)是否有效，若任一字節(jié)被判斷為從有效變?yōu)闊o(wú)效則改變其標(biāo)志位；進(jìn)一步包括:1)始終設(shè)定每一字節(jié)數(shù)據(jù)的初始狀態(tài)為恒定值；2)分別將最早寫(xiě)入此數(shù)據(jù)判斷區(qū)域中的一個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)在所述FLASH中的位置、最新寫(xiě)入此數(shù)據(jù)判斷區(qū)域中的一個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)在FLASH中的位置進(jìn)行記錄和存儲(chǔ)；3)通過(guò)單片機(jī)對(duì)所述的兩個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)的位置進(jìn)行確定；4)通過(guò)單片機(jī)設(shè)置一個(gè)預(yù)設(shè)時(shí)間節(jié)點(diǎn)，將大于所述預(yù)設(shè)時(shí)間節(jié)點(diǎn)之前的數(shù)據(jù)擦除。
[0014]進(jìn)一步地，在步驟4)中進(jìn)一步包括，將小于所讀取數(shù)據(jù)時(shí)間點(diǎn)的位置和時(shí)間值的字節(jié)數(shù)據(jù)的狀態(tài)標(biāo)記為“最早寫(xiě)入此數(shù)據(jù)判斷區(qū)域中的字節(jié)數(shù)據(jù)在所述FLASH中的位置和時(shí)間值Tf”，并修改其標(biāo)志位。
[0015]實(shí)施例2:在電表存儲(chǔ)設(shè)備中搜索電力線參數(shù)的方法，所述存儲(chǔ)設(shè)備選用FLASH，在電表中進(jìn)一步設(shè)置與之電耦接的單片機(jī)，所述的方法包括:1)始終設(shè)定每一字節(jié)數(shù)據(jù)的初始狀態(tài)為定值；2)分別將最早寫(xiě)入此數(shù)據(jù)判斷區(qū)域中的一個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)在所述FLASH中的位置和時(shí)間值TF、最新寫(xiě)入此數(shù)據(jù)判斷區(qū)域中的一個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)在FLASH中的位置和時(shí)間Te進(jìn)行記錄；3)通過(guò)單片機(jī)對(duì)所述的兩個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)的位置和時(shí)間值進(jìn)行搜索；4)通過(guò)單片機(jī)設(shè)置一個(gè)預(yù)設(shè)時(shí)間節(jié)點(diǎn)TM，將大于所述預(yù)設(shè)時(shí)間節(jié)點(diǎn)Tm之前的數(shù)據(jù)擦除；5)通過(guò)單片機(jī)讀取所述預(yù)設(shè)時(shí)間節(jié)點(diǎn)Tm處兩端的位置，通過(guò)預(yù)設(shè)命令搜索大于等于所讀取數(shù)據(jù)時(shí)間點(diǎn)的位置和時(shí)間值。
[0016]進(jìn)一步地，在步驟4)中進(jìn)一步包括，僅在所設(shè)置的預(yù)