一種工藝開發(fā)包中參數(shù)化單元的drc驗證方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及半導體領域，具體地，本發(fā)明涉及一種工藝開發(fā)包中參數(shù)化單元的DRC驗證方法。
【背景技術】
[0002]隨著集成電路技術的持續(xù)發(fā)展，芯片上將集成更多器件，芯片也將采用更快的速度。在這些要求的推進下，器件的幾何尺寸將不斷縮小，在芯片的制造工藝中不斷采用新材料、新技術和新的制造工藝。這些改進對于單個器件的壽命影響非常大，可能造成局部區(qū)域的脆弱性增加、功率密度的提高、器件的復雜性增加以及引入新的失效機制，同時較小的容錯空間意味著壽命問題必須在設計的一開始就考慮，并且在器件的開發(fā)和制造過程中一直進行監(jiān)控和測試，一直到最終產(chǎn)品的完成。
[0003]在集成電路開發(fā)過程中通常用到PCell，所述PCell是指芯片代工廠提供給客戶進行集成電路設計的參數(shù)化器件單元，該PCell必須經(jīng)過設計規(guī)則檢查(DRC, Design RuleCheck)驗證，以確保在各種參數(shù)變化時，PCell的版圖沒有DRC錯誤(DRC v1lat1n)，從而保證客戶使用PCell設計的電路沒有DRC錯誤。
[0004]目前集成電路設計是利用PCell進行電路設計，以減小電路設計的復雜性，縮短設計時間。作為電路設計基本模塊的PCell必須是各種參數(shù)設置都沒有DRC錯誤，否則，以此設計的電路不可避免有DRC錯誤。
[0005]現(xiàn)有技術中常用的驗證方法是按經(jīng)驗對PCell參數(shù)在設計范圍內隨意取值，實例數(shù)量在幾百個的量級，覆蓋率不足導致驗證不充分，經(jīng)常發(fā)生發(fā)布給客戶后，客戶使用中發(fā)現(xiàn)PCell有DRC錯誤。
[0006]由于PCell的參數(shù)眾多，而且參數(shù)的變化范圍較大，組合后產(chǎn)生的PCell實例數(shù)以千萬計，在有限的開發(fā)時間和有限的計算資源條件下，將所有PCell實例進行DRC驗證是不可能的。如何高效、全面地產(chǎn)生PCell實例并進行DRC驗證是目前PCell開發(fā)中的需要解決的問題。
[0007]因此，需要對現(xiàn)有技術中對PCell參數(shù)的DRC驗證方法進行改進，以便消除上述各種弊端，提高DRC驗證的效率以及準確率。

【發(fā)明內容】

[0008]在
【發(fā)明內容】
部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在【具體實施方式】部分中進一步詳細說明。本發(fā)明的
【發(fā)明內容】
部分并不意味著要試圖限定出所要求保護的技術方案的關鍵特征和必要技術特征，更不意味著試圖確定所要求保護的技術方案的保護范圍。
[0009]本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術中存在的問題，提供了一種工藝開發(fā)包中參數(shù)化單元的DRC驗證方法，包括以下步驟:
[0010]步驟(a)產(chǎn)生PCell實例；
[0011]步驟(b)對所述PCell實例進行版圖布局；
[0012]步驟(c)執(zhí)行DRC檢查，檢查所述PCell實例中的PCell參數(shù)是否存在錯誤。
[0013]作為優(yōu)選，所述步驟(a)包括以下子步驟:
[0014]步驟(a-Ι)根據(jù)PCell參數(shù)的種類，對影響Pcell版圖的參數(shù)關鍵點遍歷；
[0015]步驟(a-2)對所述參數(shù)關鍵點以外的Pcell參數(shù)遍歷。
[0016]作為優(yōu)選，所述PCell參數(shù)的種類包括數(shù)值型的PCell參數(shù)和開關選項PCell參數(shù)；
[0017]作為優(yōu)選，所述數(shù)值型的PCell參數(shù)包括柵極長度、柵極寬度、接觸孔列和指狀數(shù)目；所述開關選項PCell參數(shù)包括源漏極開關和襯底連接類型(bodytie type)。
[0018]作為優(yōu)選，其中所述數(shù)值型的PCell參數(shù)的最小值、最大值、缺省值都產(chǎn)生對應的PCell實例；
[0019]所述開關選項PCell參數(shù)都產(chǎn)生對應的PCell實例。
[0020]作為優(yōu)選，所述關鍵點是指在設計規(guī)則中，同一條設計規(guī)則根據(jù)不同的限制條件產(chǎn)生不同數(shù)值，所述限制條件為DRC驗證中的關鍵點。
[0021]作為優(yōu)選,所述參數(shù)關鍵點以外的Pcell參數(shù)以從小到大或從大到小步進的增長方式產(chǎn)生；或者按指數(shù)的增長方式產(chǎn)生；
[0022]所述增長步進值的最小值為該工藝的格點值，所述格點值從PCell設計文件獲得。
[0023]作為優(yōu)選，所述步驟(b)包括以下子步驟:
[0024]步驟(b-Ι)對所述PCell實例的間距進行計算；
[0025]步驟(b-2)以PCell參數(shù)分類按規(guī)律擺放PCell實例；
[0026]步驟(b-3)將所述PCell參數(shù)標注于所述PCell實例。
[0027]作為優(yōu)選，所述步驟(b-Ι)中對所述PCell實例的間距進行計算的方法包括:
[0028]從PCell設計文件或技術文件中提取版圖中層的間距要求，或設定各層最小間距中最大值作為擺放PCell實例的間距，以大于所述間距的距離擺放所述PCell實例，以避免產(chǎn)生PCell實例間距的DRC錯誤。
[0029]作為優(yōu)選，所述步驟(b-2)中以PCell參數(shù)分類按規(guī)律擺放PCell實例的方法包括:
[0030]將PCell共同參數(shù)步進變化產(chǎn)生的PCell實例排列于同一行或列。
[0031]作為優(yōu)選，所述步驟(b-3)中將所述PCell參數(shù)標注于所述PCell實例的方法包括:
[0032]所述PCell參數(shù)以文字形式標注于PCell實例的特定位置；步進變化的PCell參數(shù)以文字形式標注于PCell實例版圖中的特定位置。
[0033]作為優(yōu)選，所述步驟(C)包括以下子步驟:
[0034]步驟(c-Ι)執(zhí)行DRC檢查，若所述PCell參數(shù)沒有DRC錯誤，則通過DRC驗證；
[0035]步驟(c-2)若所述PCell參數(shù)存在DRC錯誤，則定位出錯的PCell參數(shù)，并進行改正，至通過DRC驗證為止。
[0036]作為優(yōu)選，所述步驟(c-2)中定位出錯的PCell參數(shù)的方法包括:
[0037]步驟(c-2-l)查找所述DRC錯誤是否存在于整行或者整列所述PCell實例中；
[0038]步驟(c-2-2)若所述DRC錯誤存在于單個PCell實例中，根據(jù)標注的文字確定該PCell參數(shù)設置，修改該PCell參數(shù)；
[0039]若所述DRC錯誤存在于整行或列，根據(jù)該行或列的共同參數(shù)來判定對應的PCell參數(shù)，修改該PCell參數(shù)；
[0040]步驟(c-2-3)修改所述PCell參數(shù)后,重復步驟(a)至步驟(C),至過DRC驗證為止。
[0041]本發(fā)明為了在有限的開發(fā)時間和有限的計算資源條件下，盡可能高效、全面地對PCell實例進行DRC驗證，提出了一種可以快速有效產(chǎn)生大量PCell實例，并進行DRC驗證的方法。
[0042]本發(fā)明中快速批量產(chǎn)生用于DRC驗證的PCell實例的方法:從最小值到最大值遍歷，包括缺省值，影響PCell結構的關鍵值及正負一個最小工藝格點，步長可以是等值、指數(shù)、自定義等；PCell實例版圖布局時在特定位置標示PCell參數(shù)文字，以便于發(fā)現(xiàn)DRC違例后快速查詢PCell參數(shù)；避免PCell實例版圖引入DRC違例的方法=PCell實例布局后添加邊界圖層(BORDER)，PCe 11實例之間的間隔以避免層(layer)之間產(chǎn)生DRC間距錯誤；對布局后的PCell實例版圖進行DRC診斷的方法:用DRC文件檢查布局好的PCell實例版圖，在PCell內部應該沒有DRC違例，如果有，可以定位DRC違例是位于哪些PCell實例以及該實例對應的PCell參數(shù)，需要返回修改對應的PCell。
[0043]在所述方法中如果生成的PCell實例存在DRC錯誤，本發(fā)明的方法可以快速準確的定位存在DRC錯誤的PCell相關參數(shù)，以便于開發(fā)人員找到DRC錯誤的原因并修改PCell0
【附圖說明】
[0044]本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的裝置及原理。在附圖中，
[0045]圖1為本發(fā)明的一【具體實施方式】中工藝開發(fā)包中參數(shù)化單元的DRC驗證的流程示意圖。
【具體實施方式】
[0046]在下文的描述中，給出了大量具體的細節(jié)以便提供對本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對于本領域技術人員而言顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個或多個這些細節(jié)而得以實施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對于本領域公知的一些技術特征未進行描述。
[0047]應予以注意的是，這里所使用的術語僅是為了描述具體實施例，而非意圖限制根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例。如在這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式也意圖包括復數(shù)形式。此外，還應當理解的是，當在本說明書中使用術語“包含”和/或“包括”時，其指明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加一個或多個其他特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組合。
[0048]現(xiàn)在，將參照附圖更詳細地描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例。然而，這些示例性實施例可以多種不同的形式來實施，并且不應當被解釋為只限于這里所闡述的實施例。應當理解的是，提供這些實施例是為了使得本發(fā)明的公開徹底且完整，并且將這些示例性實施例的構思充分傳達給本領域普通技術人員。在附圖中，為了清楚起見，使用相同的附圖標記表示相同的元件，因而將省略對它們的描述。
[0049]本發(fā)明中提供了一種工藝開發(fā)包中參數(shù)化單元的DRC驗證方法，包括以下步驟:
[0050]步驟(a)，產(chǎn)生PCe 11實例；
[0051]步驟(b)，對所述PCell實例進行版圖布局；
[0052]步驟(C)，執(zhí)行DRC檢查，檢查所述PCell實例中的PCell參數(shù)是否存在錯誤。
[0053]其中，所述步驟(a)包括以下子步驟:
[0054]步驟(a-Ι),依據(jù)PCell參數(shù)的種類,對影響Pcell版圖的參數(shù)關鍵點遍歷；
[0055]步驟(a-2),對所述參數(shù)關鍵點以外的Pcell參數(shù)遍歷。
[0056]進一步,步驟(a)中PCell實例生成方法:
[0057]步驟(a-Ι),依據(jù)PCell參數(shù)的種類,每一個影響Pcell版圖的參數(shù)都要遍歷到，PCell參數(shù)有兩類:數(shù)值、開關選項。
[0058]在本發(fā)明的一【具體實施方式】中，以MOS為例，PCelI參數(shù)可能包括:柵極長度(gatelength)、柵極寬度(gate width)、接觸孔列(contact row)、指狀數(shù)目(finger number)、源漏極開關(switch S/D)和襯底連接類型(bodytie type)。
[0059]其中，所述柵極長度(gate length)、柵極寬度(gate width)、接觸孔列(contactrow)屬于數(shù)值型的PCell參數(shù)；所述源漏極開關(switch S/D)和襯底連接類型(bodytietype)是開關選項PCell參數(shù)。
[0060]其中，關鍵點是指在設計規(guī)則中，同一條設計規(guī)則(rule)根據(jù)不同的限制條件會有不同數(shù)值，這些限制條件就成為P