通過接入第二分流電阻R2，可以對經(jīng)過肖特基二極管的陰極N和襯底接頭I之間的模擬電路的電流進行分流，從而能夠消除或者降低肖特基二極管的陰極N和襯底接頭I之間的反向泄漏對肖特基二極管SPICE模型在進行電路模擬時的影響。而同時接入這兩個分流電阻，則很好地消除或降低了肖特基二極管的陰極N和陽極P之間、陰極N和襯底接頭I之間以及陽極P和襯底接頭I之間的反向泄漏對肖特基二極管SPICE模型在進行電路模擬時的影響，能夠使得使用SPICE模型對肖特基二極管進行模擬最終所獲得的結(jié)果更加準確。
[0071]在第二種實施方式中，也可以僅保留第一分流電阻Rl或者第二分流電阻R2，對于提升肖特基二極管SPICE模型的模擬性能，均能夠有明顯改善。
[0072]作為一種優(yōu)選的方案，第一分流電阻Rl和第二分流電阻R2均為熱敏電阻，即第一分流電阻Rl和第二分流電阻R2的阻值是跟隨者溫度的變化而相應地變化的。這種設計可以使得分流電阻與肖特基二極管的溫度特性相匹配，獲得更加真實準確的模擬結(jié)果。
[0073]例如，第一分流電阻Rl在25攝氏度時的電阻為le7至Iell歐，優(yōu)選地為2e9歐；第二分流電阻R2在125攝氏度時的電阻為le6至IelO歐，優(yōu)選地為8e8歐。
[0074]第一分流電阻Rl和第二分流電阻R2的電阻值可以從與自對準多晶硅化物的伏安特性相匹配的電路模型中提取。
[0075]本申請還提供了一種肖特基二極管SPICE模型的形成方法，該形成方法包括:步驟S1:提供第一二極管，并將第一二極管的陰極N連接至第一限流電阻rsl的第一端；步驟S2:提供第二二極管，并將第二二極管的陰極N連接至第二限流電阻rs2的第一端；步驟S3:將第一限流電阻rsl的第二端連接在肖特基二極管的陰極N，將第二限流電阻rs2的第二端連接在第一限流電阻rsl的第二端。通過該種形成方法，可以形成如圖5所示的肖特基二極管SPICE模型的直流等效電路。
[0076]作為對所形成的肖特基二極管SPICE模型的進一步改進，形成方法還可以包括:提供第一分流電阻R1，并將第一分流電阻Rl的第一端連接在第一二極管的陽極P，將第一分流電阻Rl的第二端連接在第一限流電阻rsl的第二端。通過該第一分流電阻R1，可以消除或者降低在模擬肖特基二極管的陰極N和陽極P之間的伏安特性時，由于反向泄漏所導致的偏壓問題，提高測試的準確性。
[0077]作為對所形成的肖特基二極管SPICE模型的另一種改進，形成方法還包括:提供第一分流電阻R1，并將第一分流電阻Rl的第一端連接在第一二極管的陽極P，將第一分流電阻Rl的第二端連接在第一限流電阻rsl的第二端。通過該第二分流電阻R2，可以消除或者降低在測試肖特基二極管的陰極N和襯底接頭I之間的伏安特性時，由于反向泄漏所導致的偏壓問題，提高測試的準確性。
[0078]作為對所形成的肖特基二極管SPICE模型的第三種改進，形成方法還包括:提供第一分流電阻R1，并將第一分流電阻Rl的第一端連接在第一二極管的陽極P，將第一分流電阻Rl的第二端連接在第一限流電阻rsl的第二端；提供第二分流電阻R2，并將第二分流電阻R2的第一端連接在第二二極管的陽極P，將第二分流電阻R2的第二端連接在第二限流電阻rs2的第二端。通過同時提供第一分流電阻Rl和第二分流電阻R2所形成的肖特基二極管SPICE模型，可以更好地更加全面地消除或降低肖特基二極管的陰極N和陽極P之間、陰極N和襯底接頭I之間以及陽極P和襯底接頭I之間的反向泄漏對肖特基二極管SPICE模型模擬肖特基二極管的伏安特性時的影響。
[0079]在上述肖特基二極管SPICE模型的基礎上，本申請還提供了一種肖特基二極管SPICE模型的應用方法，該應用方法包括:將肖特基二極管的陽極P連接至電源正極，將所述肖特基二極管的陰極N連接至電源負極，模擬所述肖特基二極管SPICE模型的陽極P至陰極N的伏安特性曲線；將所述肖特基二極管的襯底接頭I連接至所述電源正極，將所述肖特基二極管的陰極N連接至所述電源負極，模擬所述肖特基二極管SPICE模型的襯底接頭I至負極的伏安特性曲線；將所述肖特基二極管的陽極P連接至所述電源正極，將所述肖特基二極管的襯底接頭I連接至所述電源負極，模擬肖特基二極管SPICE模型的陽極P至襯底接頭I的伏安特性曲線。
[0080]下面結(jié)合圖6至圖10以及圖12至16來對應用本申請中的肖特基二極管SPICE模型之后的伏安特性進行分析。
[0081]圖6至圖10示出了基于本申請中的第一種實施方式中的肖特基二極管SPICE模型模擬出的肖特基二極管的伏安特性曲線與肖特基二極管的實際伏安特性曲線的比較圖，其中的LI為肖特基二極管SPICE模型模擬出的肖特基二極管的伏安特性曲線，L2為肖特基二極管的實際伏安特性曲線。
[0082]圖6中示出的是第一種實施方式中的肖特基二極管的陽極P到陰極N的模擬伏安特性曲線與實際伏安特性曲線的比較圖，從圖6和圖7中可以看出，采用第一種實施方式的肖特基二極管SPICE模型模擬出的肖特基二極管的伏安特性曲線LI與肖特基二極管的實際伏安特性曲線L2是基本相吻合的，也即采用第一種實施方式基本上可以比較真實地對肖特基二極管的伏安特性進行模擬。
[0083]圖7是對圖6沿縱軸方向按一定比例進行放大之后(即在水平電壓軸不變的情況下對縱向電流軸的單位按一定比例進行放大)所得到的比較圖，其目的是為了更加清楚地顯示通過第一種實施方式的SPICE模型所獲得的伏安特性曲線LI在正向偏壓時與實際的肖特基二極管的陽極P到陰極N的模擬伏安特性曲線L2之間的區(qū)別。從圖7中可以看出，雖然采用第一種實施方式基本上可以模擬出真實的肖特基二極管的伏安特性，但是由于反向泄漏的存在，會產(chǎn)生反向偏壓，這就導致在模擬肖特基二極管的陽極P到陰極N的模擬伏安特性曲線LI時,所獲得的伏安特性曲線LI在正向偏壓時與實際的肖特基二極管的陽極P到陰極N的模擬伏安特性曲線L2相匹配，而在反向偏壓時，則存在較大差異，實際情況下，如果不存在反向泄漏，在肖特基二極管的陽極P到陰極N之間應該存在反向電流，但是由于反向偏壓的存在，在通過SPICE模型模擬出的伏安特性曲線LI中，反向電流幾乎為零，且是穩(wěn)定不變的，這使明顯與實際的伏安特性曲線L2相背離的。
[0084]圖8中示出的是肖特基二極管的襯底接頭I到陰極N的模擬伏安特性曲線LI與實際伏安特性曲線L2的比較圖，從圖8中可以看出，采用第一種實施方式的肖特基二極管SPICE模型模擬出的肖特基二極管的伏安特性曲線LI與肖特基二極管的實際伏安特性曲線L2是基本相吻合的，也即采用第一種實施方式基本上可以比較真實地對肖特基二極管的伏安特性進行模擬。
[0085]圖9是對圖8沿縱軸方向按一定比例進行放大之后(即在水平電壓軸不變的情況下對縱向電流軸的單位按一定比例進行放大)所得到的比較圖，其目的是為了更加清楚地顯示通過第一種實施方式的SPICE模型所獲得的伏安特性曲線LI在正向偏壓時與實際的肖特基二極管的陽極P到陰極N的模擬伏安特性曲線L2之間的區(qū)別。從圖9中可以看出，雖然采用第一種實施方式基本上可以模擬出真實的肖特基二極管的襯底接頭I到陰極N之間的伏安特性曲線LI，但是由于反向泄漏的存在，會產(chǎn)生反向偏壓，這就導致在模擬肖特基二極管的襯底接頭I到陰極N的模擬伏安特性曲線LI時，所獲得的伏安特性曲線LI在正向偏壓時與實際的肖特基二極管的陽極P到陰極N的模擬伏安特性曲線L2相匹配，而在反向偏壓時，則存在一些差異，雖然這個差異相比于陰極N和陽極P模擬時的差異較小，但仍然會影響到采用SPICE模型對肖特基二極管進行模擬時的準確性。從圖9中可以明顯看出，實際情況下，如果不存在反向泄漏，在肖特基二極管的襯底接頭I到陰極N之間應該存在反向電流，但是由于反向偏壓的存在，在通過SPICE模型模擬出的伏安特性曲線LI中，反向電流幾乎為零，且是穩(wěn)定不變的，這使得模擬出的肖特基二極管的襯底接頭I到陰極N的伏安特性曲線LI明顯與實際的伏安特性曲線L2不相匹配，也即通過SPICE模型模擬出的襯底接頭I到陰極N的伏安特性曲線LI也是存在較大誤差的。
[0086]圖10中示出的是肖特基二極管的陰極N到襯底接頭I的模擬伏安特性曲線LI與實際伏安特性曲線L2的比較圖，從圖8中可以看出，不管是存在正向偏壓還是反向偏壓，采用第一種實施方式的肖特基二極管SPICE模型模擬出的肖特基二極管的伏安特性曲線LI與肖特基二極管的實際伏安特性曲線L2的匹配性均是有所欠缺的，并不能夠十分準確地模擬出肖特基二極管的伏安特性曲線。
[0087]圖12至圖16示出了基于本申請中的第二種實施方式中的肖特基二極管SPICE模型模擬出的肖特基二極管的伏安特性曲線與肖特基二極管的實際伏安特性曲線的比較圖，其中的LI為肖特基二極管SPICE模型模擬出的肖特基二極管的伏安特性曲線，L2為肖特基二極管的實際伏安特性曲線。
[0088]圖12中示出的是第二種實施方式中的肖特基二極管的陽極P到陰極N的模擬伏安特性曲線與實際伏安特性曲線的比較圖，從圖12中可以看出，采用第二種實施方式的肖特基二極管SPICE模型模擬出的肖特基二極管的伏安特性曲線LI與肖特基二極管的實際伏安特性曲線L2是基本相吻合的，也即采用第二種實施方式基本上可以比較真實地對肖特基二極管的伏安特性曲線進行模擬。
[0089]圖13是對圖12沿縱軸方向按一定比例進行放大之后(即在水平電壓軸不變的情況下對縱向電流軸的單位按一定比例進行放大)所得到的比較圖，其目的是為了更加清楚地顯示通過第二種實施方式的SPICE模型所獲得的伏安特性曲線LI在正向偏壓時與實際的肖特基二極管的陽極P到陰極N的模擬伏安特性曲線L2之間的區(qū)別。從圖13中可以看出，采用第二種實施方式基本上可以模擬出真實的肖特基二極管的伏安特性，且由于第一分流電阻Rl的存在，可以很好地消除或者