存儲(chǔ)狀態(tài)。
[0073] 在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，所述獲取預(yù)保存數(shù)據(jù)的保存時(shí)間之前，磨損優(yōu)化方法還 可以包括：基于閃存操作特征及錯(cuò)誤源特征，構(gòu)建錯(cuò)誤模型，其中，該錯(cuò)誤源特征表征引起 閃存中錯(cuò)誤的來(lái)源；根據(jù)錯(cuò)誤模型，建立并存儲(chǔ)預(yù)設(shè)的保存時(shí)間與編程操作的對(duì)應(yīng)關(guān)系。
[0074] 閃存中存在一錯(cuò)誤校驗(yàn)機(jī)制（Error checking mechanism,簡(jiǎn)稱(chēng)：ECC)，該錯(cuò)誤校 驗(yàn)機(jī)制用于保證閃存在一定錯(cuò)誤率范圍內(nèi)的可靠性，這個(gè)錯(cuò)誤率是各種原因?qū)е碌腻e(cuò)誤率 的和。因此，如果保存時(shí)間導(dǎo)致的錯(cuò)誤率降低，編程電壓引起的錯(cuò)誤率就可以更大一點(diǎn)，反 之亦然。所以保存時(shí)間與編程操作之間的關(guān)系可以通過(guò)閃存錯(cuò)誤模型進(jìn)行關(guān)聯(lián)，以平衡由 于保存時(shí)間和編程操作導(dǎo)致的閃存錯(cuò)誤。
[0075] 進(jìn)一步地，所述獲取預(yù)保存數(shù)據(jù)的保存時(shí)間之后，磨損優(yōu)化方法還可以包括：根據(jù) 前一次數(shù)據(jù)更新時(shí)間間隔，預(yù)測(cè)所述預(yù)保存數(shù)據(jù)的失效時(shí)間范圍；若確定所述保存時(shí)間在 所述失效時(shí)間范圍內(nèi)，則執(zhí)行所述在預(yù)設(shè)的保存時(shí)間與編程操作的對(duì)應(yīng)關(guān)系中，匹配與所 述保存時(shí)間對(duì)應(yīng)的編程操作；若確定所述保存時(shí)間未在所述失效時(shí)間范圍內(nèi)，則刷新所述 寫(xiě)操作要寫(xiě)入數(shù)據(jù)的閃存塊。
[0076] 可選地，所述采用所述與所述保存時(shí)間對(duì)應(yīng)的編程操作，存儲(chǔ)所述預(yù)保存數(shù)據(jù)之 后，磨損優(yōu)化方法還可以包括：到達(dá)周期性查詢(xún)時(shí)間之后，從所述失效隊(duì)列的頭部開(kāi)始，查 詢(xún)所述失效隊(duì)列，判斷是否需要刷新所述閃存中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)；若確定需要刷新所述閃存中 存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，則將刷新后的數(shù)據(jù)根據(jù)新的失效時(shí)間添加到另一失效隊(duì)列，其中，所述失效隊(duì) 列與保存時(shí)間對(duì)應(yīng)設(shè)置，所述失效隊(duì)列的個(gè)數(shù)為多個(gè)；否則，等待下一次周期性查詢(xún)。
[0077] 其中，判斷是否需要刷新所述閃存中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)可以有多種途徑，例如，通過(guò)以下 途徑進(jìn)行判斷：若確定所述失效隊(duì)列中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)達(dá)到失效時(shí)間，則進(jìn)行刷新操作，且所述 刷新操作中采取的編程操作相較于所述寫(xiě)操作對(duì)應(yīng)的編程操作的磨損要大。另外，該場(chǎng)景 下，所述將刷新后的數(shù)據(jù)根據(jù)新的失效時(shí)間添加到另一失效隊(duì)列可以包括：將執(zhí)行所述刷 新操作后的數(shù)據(jù)添加到所述另一個(gè)失效隊(duì)列，該另一失效隊(duì)列中各數(shù)據(jù)的保存時(shí)間大于所 述失效隊(duì)列中各數(shù)據(jù)的保存時(shí)間。
[0078] 需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例主要用于改善閃存中由于熱數(shù)據(jù)的擦寫(xiě)所導(dǎo)致的磨 損，因?yàn)闊釘?shù)據(jù)的更新及刷新是閃存磨損的主要來(lái)源。
[0079] 本發(fā)明實(shí)施例結(jié)合保存時(shí)間的需求確定編程操作，單次編程操作中的閃存磨損； 且基于失效時(shí)間進(jìn)行閃存中已存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的刷新，減少刷新次數(shù)，從而進(jìn)一步降低閃存磨損， 延長(zhǎng)閃存壽命。
[0080] 圖5為本發(fā)明SSD控制器實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明實(shí)施例的SSD控制器可 以為一芯片，例如，F(xiàn)PGA或ASIC。如圖5所示，該SSD控制器50包括：接收模塊51、寫(xiě)操作 選擇模塊52和訪(fǎng)問(wèn)引擎53。
[0081] 其中，接收模塊51用于當(dāng)接收到寫(xiě)操作時(shí)，觸發(fā)寫(xiě)操作選擇模塊52 ;寫(xiě)操作選擇 模塊52與接收模塊51連接，用于獲取寫(xiě)操作對(duì)應(yīng)的預(yù)保存數(shù)據(jù)的保存時(shí)間；及在預(yù)設(shè)的保 存時(shí)間與編程操作的對(duì)應(yīng)關(guān)系中，匹配與保存時(shí)間對(duì)應(yīng)的編程操作；若匹配到與保存時(shí)間 對(duì)應(yīng)的編程操作，則觸發(fā)訪(fǎng)問(wèn)引擎53,其中，預(yù)設(shè)的保存時(shí)間與編程操作的對(duì)應(yīng)關(guān)系為保存 時(shí)間、臨界電壓閾值及脈沖步幅之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系，且該對(duì)應(yīng)關(guān)系滿(mǎn)足不影響閃存的整體寫(xiě) 操作性能；訪(fǎng)問(wèn)引擎53與寫(xiě)操作選擇模塊52連接，用于采用與保存時(shí)間對(duì)應(yīng)的編程操作， 存儲(chǔ)預(yù)保存數(shù)據(jù)。
[0082] 常規(guī)SSD控制器包括主機(jī)接口 54、檢錯(cuò)/糾錯(cuò)模塊（圖5中未示出）和收發(fā)模塊 (例如，本實(shí)施例中的接收模塊51)幾個(gè)部分，通過(guò)主機(jī)接口 54接收主機(jī)（圖5中未示出） 下發(fā)的請(qǐng)求及信息，通過(guò)閃存接口 55與閃存（圖5中未示出）連接，對(duì)閃存進(jìn)行控制。
[0083] 本發(fā)明實(shí)施例在常規(guī)SSD控制器的基礎(chǔ)上進(jìn)行了改進(jìn)，新增寫(xiě)操作選擇模塊52和 訪(fǎng)問(wèn)引擎53,在此基礎(chǔ)上實(shí)施方案，執(zhí)行如圖3所示的閃存磨損優(yōu)化方法實(shí)施例的技術(shù)方 案，其實(shí)現(xiàn)原理和技術(shù)效果類(lèi)似，此處不再贅述。
[0084] 在上述實(shí)施例中，寫(xiě)操作選擇模塊52保存有讀操作、寫(xiě)操作和擦除操作等不同類(lèi) 型的指令；訪(fǎng)問(wèn)引擎53用來(lái)向閃存提交不同類(lèi)型的讀操作、寫(xiě)操作和擦除操作。
[0085] -種實(shí)現(xiàn)方式中，寫(xiě)操作選擇模塊52可以具體用于：根據(jù)預(yù)保存數(shù)據(jù)所對(duì)應(yīng)的失 效隊(duì)列，確定其保存時(shí)間，該失效隊(duì)列用于記錄每一閃存塊中所存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的失效時(shí)間。
[0086] 可選地，寫(xiě)操作選擇模塊52可進(jìn)一步用于：根據(jù)預(yù)存保存數(shù)據(jù)所對(duì)應(yīng)的失效隊(duì) 列，獲得寫(xiě)操作要寫(xiě)入數(shù)據(jù)的閃存塊中所存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的失效時(shí)間；根據(jù)寫(xiě)操作要寫(xiě)入數(shù)據(jù)的 閃存塊中所存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的失效時(shí)間和寫(xiě)操作寫(xiě)入的時(shí)間，確定寫(xiě)操作的保存時(shí)間，并更新對(duì) 應(yīng)失效隊(duì)列中閃存塊中所存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的失效時(shí)間。
[0087] 另一種實(shí)現(xiàn)方式中，若寫(xiě)操作對(duì)應(yīng)的閃存頁(yè)中未寫(xiě)入數(shù)據(jù)，則寫(xiě)操作選擇模塊52 可具體用于：設(shè)置寫(xiě)操作對(duì)應(yīng)的預(yù)保存數(shù)據(jù)的保存時(shí)間為預(yù)設(shè)時(shí)間；并觸發(fā)訪(fǎng)問(wèn)引擎53在 保存時(shí)間對(duì)應(yīng)的失效隊(duì)列中，添加預(yù)保存數(shù)據(jù)及其失效時(shí)間，其中，該失效時(shí)間為寫(xiě)操作的 與入時(shí)間與保存時(shí)間的加和。
[0088] 圖6為本發(fā)明SSD控制器實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖6所示，本發(fā)明實(shí)施例在 如圖5所示實(shí)施例的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步地，SSD控制器60還可以包括：與上述各模塊連接的寫(xiě) 操作與閃存塊映射模塊61，其中，寫(xiě)操作與閃存塊映射模塊61用于根據(jù)接收模塊51接收 的寫(xiě)操作，確定寫(xiě)操作對(duì)應(yīng)的閃存塊；訪(fǎng)問(wèn)引擎53可具體用于：在寫(xiě)操作與閃存塊映射模 塊61確定的閃存塊內(nèi)，采用脈沖步幅，將閃存中的FG充電至臨界電壓閾值，該臨界電壓閾 值的個(gè)數(shù)為至少一個(gè)，其中，臨界電壓閾值是由寫(xiě)操作選擇模塊52確定的；并記錄寫(xiě)操作 與閃存塊的映射關(guān)系至寫(xiě)操作與閃存塊映射模塊61。該實(shí)施例中，寫(xiě)操作與閃存塊映射模 塊61用來(lái)維護(hù)寫(xiě)操作類(lèi)型和閃存塊之間的映射關(guān)系。
[0089] 在上述基礎(chǔ)上，寫(xiě)操作選擇模塊52還可以用于：基于閃存操作特征及錯(cuò)誤源特 征，構(gòu)建錯(cuò)誤模型，其中，錯(cuò)誤源特征表征引起閃存中錯(cuò)誤的來(lái)源；根據(jù)錯(cuò)誤模型，建立并存 儲(chǔ)預(yù)設(shè)的保存時(shí)間與編程操作的對(duì)應(yīng)關(guān)系。
[0090] 圖7為本發(fā)明SSD控制器實(shí)施例三的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖7所示，在圖6所示實(shí)施 例的基礎(chǔ)上，SSD控制器70還可以包括：與訪(fǎng)問(wèn)引擎53及寫(xiě)操作與閃存塊映射模塊61連 接的智能刷新模塊71。
[0091] 其中，智能刷新模塊71用于根據(jù)前一次數(shù)據(jù)更新時(shí)間間隔，預(yù)測(cè)預(yù)保存數(shù)據(jù)的失 效時(shí)間；若確定保存時(shí)間在失效時(shí)間內(nèi)，則觸發(fā)寫(xiě)操作選擇模塊52執(zhí)行在預(yù)設(shè)的保存時(shí)間 與編程操作的對(duì)應(yīng)關(guān)系中，匹配與保存時(shí)間對(duì)應(yīng)的編程操作；若確定保存時(shí)間未在失效時(shí) 間內(nèi)，則刷新寫(xiě)操作要寫(xiě)入數(shù)據(jù)的閃存塊。該實(shí)施例中，智能刷新模塊用來(lái)執(zhí)行基于數(shù)據(jù)失 效時(shí)間的刷新方案，從而保證閃存中所存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的有效性。
[0092] 補(bǔ)充說(shuō)明的是，在如圖5所示的SSD控制器的基礎(chǔ)上，則智能刷新模塊與寫(xiě)操作選 擇模塊52和訪(fǎng)問(wèn)引擎53連接，本發(fā)明實(shí)施例不局限于智能刷新模塊與其它模塊的連接方 式，只要能滿(mǎn)足其功能即可。
[0093] 進(jìn)一步地，智能刷新模塊71還可以用于：到達(dá)周期性查詢(xún)時(shí)間之后，從失效隊(duì)列 的頭部開(kāi)始，查詢(xún)失效隊(duì)列，判斷是否需要刷新閃存中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)；若確定需要刷新閃存中 存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，則將刷新后的數(shù)據(jù)根據(jù)新的失效時(shí)間添加到另一失效隊(duì)列，其中，失效隊(duì)列與 保存時(shí)間對(duì)應(yīng)設(shè)置，失效隊(duì)列的個(gè)數(shù)為多個(gè)；否則，等待下一次周期性查詢(xún)。
[0094] 可選地，智能刷新模塊71可進(jìn)一步用于：若確定失效隊(duì)列中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)達(dá)到失效 時(shí)間，則進(jìn)行刷新操作，且刷新操作中采取的編程操作相較于寫(xiě)操作對(duì)應(yīng)的編程操作的磨 損要大；則智能刷新模塊71在執(zhí)行將刷新后的數(shù)據(jù)根據(jù)新的失效時(shí)間添加到另一失效隊(duì) 列時(shí)，具體用于：將執(zhí)行刷新操作后的數(shù)據(jù)添加到另一個(gè)失效隊(duì)列，該另一失效隊(duì)列中各數(shù) 據(jù)的保存時(shí)間大于失效隊(duì)列中各數(shù)據(jù)的保存時(shí)間。本發(fā)明實(shí)施例的作用在于：若某一數(shù)據(jù) 寫(xiě)入閃存時(shí)的保存時(shí)間較短，可采用本實(shí)施例中的技術(shù)方案，將該數(shù)據(jù)的保存時(shí)間延長(zhǎng)，從 而減少對(duì)該數(shù)據(jù)進(jìn)行刷新的次數(shù)。
[0095] 圖8為本發(fā)明SSD控制器實(shí)施例四的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖8所示，SSD控制器80包 括：接收器81和與接收器81連接的處理器82。
[0096] 其中，接收器81用于當(dāng)接收到寫(xiě)操作時(shí)，觸發(fā)處理器82 ;處理器82用于獲取寫(xiě)操 作對(duì)應(yīng)的預(yù)保存數(shù)據(jù)的保存時(shí)間；及，在預(yù)設(shè)的保存時(shí)間與編程操作的對(duì)應(yīng)關(guān)系中，若匹配 到與保存時(shí)間對(duì)應(yīng)的編程操作，則采用與所述保存時(shí)間對(duì)應(yīng)的編程操作，存儲(chǔ)預(yù)保存數(shù)據(jù)， 其中，預(yù)設(shè)的保存時(shí)間與編程操作的對(duì)應(yīng)關(guān)系為保存時(shí)間、臨界電壓閾值及脈沖步幅之間 的對(duì)應(yīng)關(guān)系，且該對(duì)應(yīng)關(guān)系滿(mǎn)足不影響閃存的整體寫(xiě)操作性能。
[0097] 本實(shí)施例的SSD控制器，可以用于執(zhí)行圖3所示方法實(shí)施例的技術(shù)方案，其實(shí)現(xiàn)原 理和技術(shù)效果類(lèi)似，此處不再贅述。
[0098] 在上述基礎(chǔ)上，處理器82可具體用于：根據(jù)預(yù)保存數(shù)據(jù)所對(duì)應(yīng)的失效隊(duì)列，確定 其保存時(shí)間，該失效隊(duì)列用于記錄每一閃存塊中所存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的失效時(shí)間?？蛇x地，處理器82 可進(jìn)一步用于：根據(jù)預(yù)存保存數(shù)據(jù)所對(duì)應(yīng)的失效隊(duì)列，獲得寫(xiě)操作要寫(xiě)入數(shù)據(jù)的閃存塊中 所存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的失效時(shí)間；及，根據(jù)寫(xiě)操作要寫(xiě)入數(shù)據(jù)的閃存塊中所存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的失效時(shí)間和 寫(xiě)操作寫(xiě)入的時(shí)間，確定寫(xiě)操作的保存時(shí)間，并更新對(duì)應(yīng)失效隊(duì)列中閃存塊中所存儲(chǔ)數(shù)據(jù) 的失效時(shí)間。
[0099] 可選地，若寫(xiě)操作對(duì)應(yīng)的閃存頁(yè)中未寫(xiě)入數(shù)據(jù)，則處理器82可具體用于：設(shè)置寫(xiě) 操作對(duì)應(yīng)的預(yù)保存數(shù)據(jù)的保存時(shí)間