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      一種自電容觸控顯示面板及其驅(qū)動(dòng)方法、觸控顯示裝置的制造方法

      文檔序號(hào):8942682閱讀:392來源:國(guó)知局
      一種自電容觸控顯示面板及其驅(qū)動(dòng)方法、觸控顯示裝置的制造方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及觸控、顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種自電容觸控顯示面板及其驅(qū)動(dòng)方法、觸控顯示裝置。
      【背景技術(shù)】
      [0002]目前,為了實(shí)現(xiàn)觸控面板的薄型化和輕量化,將觸控面板和液晶顯示面板一體化的研究日漸盛行。其中,將觸控面板嵌入到液晶顯示面板內(nèi)部的內(nèi)嵌式(In-Cell)觸控方案受到人們的廣泛關(guān)注。In-Cell觸控方案包括自電容觸控和互電容觸控兩種方式。
      [0003]自電容觸控方式:將陣列基板上用作公共(VCOM)電極的透明導(dǎo)電層分割成若干方塊作為觸控傳感器單元,利用特定的金屬走線一端通過過孔和觸控傳感器單元連通,另一端連接至驅(qū)動(dòng)集成電路,當(dāng)手指觸碰觸控顯示面板時(shí),會(huì)引起相應(yīng)位置處觸控傳感器單元電容值的波動(dòng),驅(qū)動(dòng)集成電路通過檢測(cè)電容值的波動(dòng)能夠確定觸碰點(diǎn)的位置,從而實(shí)現(xiàn)觸控功能。
      [0004]互電容觸控方式:在陣列基板上設(shè)計(jì)橫向驅(qū)動(dòng)電極(Tx)線,在彩膜基板上設(shè)計(jì)縱向感應(yīng)電極(Rx)線,Tx線依次發(fā)射激勵(lì)信號(hào),所有Rx線同時(shí)接收信號(hào),得到整個(gè)觸控顯示面板二維平面的電容大小,由此根據(jù)電容值的變化量計(jì)算出觸控點(diǎn)的位置,從而實(shí)現(xiàn)觸控功能。
      [0005]綜上所述,現(xiàn)有技術(shù)自電容觸控方式的觸控顯示面板,由于與觸控傳感器單元連接的觸控引線采用特定的金屬,需要增加黑矩陣的寬度對(duì)觸控引線進(jìn)行遮擋,是以通常會(huì)導(dǎo)致像素開口率和透過率的較大下降。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0006]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種自電容觸控顯示面板及其驅(qū)動(dòng)方法、觸控顯示裝置,用以提高自電容觸控顯示面板的像素開口率和透過率。
      [0007]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種自電容觸控顯示面板,包括相對(duì)設(shè)置的陣列基板和彩膜基板,所述陣列基板包括位于襯底基板上的公共電極,所述公共電極復(fù)用為若干觸控電極,每一所述觸控電極電連接一觸控電極引線,其中,所述觸控電極引線復(fù)用為公共電極線。
      [0008]由本發(fā)明實(shí)施例提供的自電容觸控顯示面板,包括相對(duì)設(shè)置的陣列基板和彩膜基板,陣列基板包括位于襯底基板上的公共電極,公共電極復(fù)用為若干觸控電極,每一觸控電極電連接一觸控電極引線,其中,觸控電極引線復(fù)用為公共電極線。本發(fā)明實(shí)施例將觸控電極引線復(fù)用為公共電極線,能夠減小因觸控電極引線的引入造成的像素開口區(qū)和透光率的下降。
      [0009]較佳地,所述公共電極的形狀為條形。
      [0010]較佳地,所述陣列基板包括若干平行排列的數(shù)據(jù)線,所述觸控電極引線與所述數(shù)據(jù)線同層絕緣設(shè)置,每一所述觸控電極至少對(duì)應(yīng)一所述觸控電極引線。
      [0011]較佳地,所述陣列基板包括若干陣列排列的像素單元,每一所述像素單元至少包括三個(gè)亞像素單元,每一像素單元對(duì)應(yīng)一觸控電極引線,觸控電極引線設(shè)置在相鄰兩個(gè)像素單元之間。
      [0012]較佳地,所述像素單元包括色阻顏色為紅色的亞像素單元、色阻顏色為綠色的亞像素單元和色阻顏色為藍(lán)色的亞像素單元,所述觸控電極引線與色阻顏色為藍(lán)色的亞像素單元緊鄰設(shè)置。
      [0013]較佳地,所述觸控電極引線在襯底基板上的正投影區(qū)域的面積與所述數(shù)據(jù)線在襯底基板上的正投影區(qū)域的面積相等。
      [0014]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種觸控顯示裝置,該觸控顯示裝置包括上述的自電容觸控顯示面板。
      [0015]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種上述自電容觸控顯示面板的驅(qū)動(dòng)方法,所述方法包括:
      [0016]在顯示階段,通過觸控電極引線向觸控電極加載公共電極信號(hào);
      [0017]在觸控階段,通過觸控電極引線向觸控電極加載觸控驅(qū)動(dòng)信號(hào),以及所述觸控電極輸出感應(yīng)信號(hào),與每一所述觸控電極電連接的觸控電極引線與檢測(cè)觸控信號(hào)模塊連接,所述檢測(cè)觸控信號(hào)模塊根據(jù)所述觸控電極輸出的感應(yīng)信號(hào)確定觸控位置。
      【附圖說明】
      [0018]圖1為現(xiàn)有技術(shù)的自電容觸控顯示面板的平面結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0019]圖2為圖1中沿AAl方向的截面結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0020]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的自電容觸控顯示面板的平面結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0021]圖4為圖3中沿BBl方向的截面結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0022]圖5為本發(fā)明實(shí)施例對(duì)色阻顏色為綠色的亞像素單元和色阻顏色為藍(lán)色的亞像素單元的光效模擬圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0023]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種自電容觸控顯示面板及其驅(qū)動(dòng)方法、觸控顯示裝置,用以提高自電容觸控顯示面板的像素開口率和透過率。
      [0024]本發(fā)明是基于以下考慮實(shí)現(xiàn)的:
      [0025]為了解決像素開口率和透過率降低的問題,最直接的手段為減小黑矩陣的寬度。而基于現(xiàn)有技術(shù)中的自容觸控顯示面板結(jié)構(gòu)而言,單純減小黑矩陣則會(huì)導(dǎo)致液晶偏轉(zhuǎn)紊亂區(qū)被暴露,如圖2所示,若單純減少黑矩陣221左側(cè)寬度,則導(dǎo)致公共電極213與Tx引線212之間的區(qū)域暴露,而暴露的該區(qū)域液晶由于出于像素電極214與公共電極213所形成的電場(chǎng)邊緣,其偏轉(zhuǎn)會(huì)出現(xiàn)紊亂,進(jìn)而影響整體面板顯示效果。進(jìn)一步的,作為解決上述像素開口率和透過率降低的問題的技術(shù)手段,同時(shí)仍需滿足不會(huì)造成光效的降低的目的。
      [0026]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚,下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒景l(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
      [0027]附圖中各膜層厚度和區(qū)域大小、形狀不反應(yīng)各膜層的真實(shí)比例,目的只是示意說明本
      【發(fā)明內(nèi)容】
      。
      [0028]現(xiàn)有技術(shù)的自電容觸控顯示面板的平面結(jié)構(gòu)圖如圖1所示,圖中沿AAl方向的截面圖如圖2所示,自電容觸控顯示面板包括相對(duì)設(shè)置的陣列基板21和彩膜基板22,陣列基板21采用6道掩膜板制程,依次形成位于襯底基板上的柵極、半導(dǎo)體有源層、像素電極、源極、漏極、鈍化層和公共電極。將公共電極分割成若干方塊復(fù)用為觸控電極,每個(gè)觸控電極通過貫穿鈍化層的過孔和一條觸控電極(Tx)引線相連,Tx引線最后連接到集成顯示和觸控功能的驅(qū)動(dòng)集成電路上。
      [0029]如圖1所示,陣列基板包括若干陣列排列的像素單元10,每一像素單元10包括三個(gè)亞像素單元,分別對(duì)應(yīng)彩膜基板的紅色(R)色阻、綠色(G)色阻和藍(lán)色(B)色阻,一個(gè)像素單元10中包括三條數(shù)據(jù)(Data)線和一條Tx引線,Data線和Tx引線共用同一層金屬,一個(gè)像素單元中的Tx引線和下一個(gè)像素單元的Data線組成雙源結(jié)構(gòu)。具體地,圖中像素單元10中包括Datal、Data2和Data3三條Data線和一條Tx引線,Tx引線和下一個(gè)像素單元中的Data4組成雙源結(jié)構(gòu)。
      [0030]如圖2所示,為了直觀的說明陣列基板21雙源結(jié)構(gòu)位置處對(duì)應(yīng)的彩膜基板22上的黑矩陣221的寬度,圖2中示出了通常設(shè)置的各個(gè)部分的寬度。從圖中可以看到,Data線211的寬度為3微米(μπι),Tx引線212的寬度為3 μm,Data線211和Tx引線212之間的距離為3 μm,為了保證黑矩陣221開口區(qū)的設(shè)計(jì)在三個(gè)亞像素單元處都一致,Tx引線212左側(cè)需要設(shè)計(jì)一條公共電極,Tx引線212和Tx引線212左側(cè)的公共電極213之間的距離為
      2.5 μπι,以保證工藝波動(dòng)最差的情況下,Tx引線和公共電極之間不會(huì)發(fā)生交疊;Τχ引線212左側(cè)公共電極213的寬度為3 μ m,黑矩陣221右側(cè)邊緣距離Data線211的右側(cè)邊緣的值為1.5 μ m,黑矩陣221左側(cè)邊緣距離Tx引線212的左側(cè)邊緣的值為4 μ m,Tx引線212與像素電極214之間的距離為7.5 μ m,Data線211與像素電極214之間的距離為5 μ m,公共電極的寬度W1,以及相鄰兩個(gè)公共電極之間的距離SI根據(jù)實(shí)際的生產(chǎn)可以設(shè)置為不同的值,從圖中可以看到,黑矩陣221的寬度為14.5 μπι。圖中標(biāo)號(hào)215和標(biāo)號(hào)216均表示絕緣層。
      [0031]現(xiàn)有技術(shù)的雙源結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中,因Tx引線和Data線共用同一層金屬,Tx引線的引入會(huì)造成像素開口區(qū)的減小,從而導(dǎo)致像素透過率的較大降低。
      [0032]為了提高自電容觸控顯示面板的像素開口率和透過率,本發(fā)明具體實(shí)施例提供一種自電容觸控顯示面板,包括位于襯底基板上的公共電極,公共電極復(fù)用為若干陣列排列的觸控電極,每一觸控電極電連接一觸控電極引線,本發(fā)明具體實(shí)施例中的觸控電極引線復(fù)用為公共電極線。
      [0033]本發(fā)明具體實(shí)施例觸控電極,以及觸控電極引線的具體設(shè)置與現(xiàn)有技術(shù)相同,這里不再贅述。
      [0034]由于自電容觸控顯示面板在顯示和觸控階段,Tx引線上加載的信號(hào)始終和公共電極的信號(hào)保持一致,本發(fā)明具體實(shí)施例將觸控電極引線復(fù)用為公共電極線,而無需像現(xiàn)有技術(shù)在觸控電極引線旁邊再額外設(shè)計(jì)一條公共電極,從而能夠減小因觸控電極引線的引入造成的像素開口區(qū)和透光率的下降。
      [0035]下面結(jié)合附圖詳細(xì)介紹本發(fā)明具體實(shí)施例提供的自電容觸控顯示面板。
      [0036]如圖3和圖4所示,本發(fā)明具體實(shí)施例的自電容觸控顯示面板,包括相對(duì)設(shè)置的陣列基板21和彩膜基板22,圖4為圖3沿BBl方向的截
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