芯片正常運(yùn)行后提高中央處理器22的運(yùn)行頻率，并從所述對照表格中查詢該芯片和板級環(huán)境下中央處理器22此時運(yùn)行的頻率所對應(yīng)的溫度，同時判斷溫度傳感器23此時獲得的溫度數(shù)值是否超過對照表格中查詢獲的溫度，是，則控制中央處理器22選擇下一檔位的頻率進(jìn)行運(yùn)行(這樣避免了提高中央處理器22頻率到A后又馬上被溫控降低到了 B)，否，則不進(jìn)行操作。
[0026]在本發(fā)明中，所述板級環(huán)境由三個元素形成，三個元素為:芯片對應(yīng)的電路板、芯片運(yùn)行時的溫度以及芯片的外殼模具；所述芯片運(yùn)行的溫度是通過傳感器進(jìn)行采集獲得，芯片對應(yīng)的電路板和外殼模具是芯片形成后已確定。該外殼模具影響芯片的散熱性。
[0027]所述溫頻測試單元20運(yùn)行后，讀取磁盤中是否存在中央處理器22運(yùn)行頻率與溫度數(shù)值的對照表格，是，則直接進(jìn)入芯片正常運(yùn)行狀態(tài)，頻率電壓管理單元21開始運(yùn)行；否，則所述溫頻測試單元20讓中央處理器22運(yùn)行在不同的頻率下，來獲得對照表格。
[0028]請參閱圖3所述，一種芯片溫控管理方法，所述方法需提供一溫頻測試單元、一頻率電壓管理單元、一中央處理器以及一溫度傳感器；
[0029]所述方法具體為:
[0030]步驟S31、所述溫頻測試單元讓中央處理器運(yùn)行在不同的頻率下，并利用溫度傳感器讀取各個頻率下中央處理器的溫度；
[0031]步驟S32、所述溫頻測試單元生成當(dāng)前芯片與板級環(huán)境下的中央處理器運(yùn)行頻率與溫度數(shù)值的對照表格；
[0032]步驟S33、頻率電壓管理單元，在芯片正常運(yùn)行后提高中央處理器的運(yùn)行頻率；
[0033]步驟S34、頻率電壓管理單元，從對照表格中查詢該芯片和板級環(huán)境下中央處理器此時運(yùn)行的頻率所對應(yīng)的溫度，
[0034]步驟S35、判斷溫度傳感器此時獲得的溫度數(shù)值是否超過對照表格中查詢獲的溫度，是，則進(jìn)入步驟S36、控制中央處理器選擇下一檔位的頻率進(jìn)行運(yùn)行，否，則進(jìn)入步驟S37、不進(jìn)行操作。
[0035]在本發(fā)明中，所述板級環(huán)境由三個元素形成，三個元素為:芯片對應(yīng)的電路板、芯片運(yùn)行時的溫度以及芯片的外殼模具；所述芯片運(yùn)行的溫度是通過傳感器進(jìn)行采集獲得，芯片對應(yīng)的電路板和外殼模具是芯片形成后已確定。
[0036]所述溫頻測試單元讓中央處理器運(yùn)行在不同的頻率下，并利用溫度傳感器讀取各個頻率下中央處理器的溫度，之前還包括:所述溫頻測試單元運(yùn)行后，讀取磁盤中是否存在中央處理器運(yùn)行頻率與溫度數(shù)值的對照表格，是，則直接進(jìn)入“所述頻率電壓管理單元，在芯片正常運(yùn)行后提高中央處理器的運(yùn)行頻率”的步驟；否，則進(jìn)入“所述溫頻測試單元讓中央處理器運(yùn)行在不同的頻率下，并利用溫度傳感器讀取各個頻率下中央處理器的溫度，”的步驟。
[0037]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明申請專利范圍所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種芯片溫控管理系統(tǒng)，其特征在于:包括溫頻測試單元、頻率電壓管理單元、中央處理器以及溫度傳感器；所述溫頻測試單元、頻率電壓管理單元、中央處理器、溫度傳感器依次連接， 所述溫頻測試單元讓中央處理器運(yùn)行在不同的頻率下，并利用溫度傳感器讀取各個頻率下中央處理器的溫度，生成當(dāng)前芯片與板級環(huán)境下的中央處理器運(yùn)行頻率與溫度數(shù)值的對照表格； 頻率電壓管理單元，在芯片正常運(yùn)行后提高中央處理器的運(yùn)行頻率，并從所述對照表格中查詢該芯片和板級環(huán)境下中央處理器此時運(yùn)行的頻率所對應(yīng)的溫度，同時判斷溫度傳感器此時獲得的溫度數(shù)值是否超過對照表格中查詢獲的溫度，是，則控制中央處理器選擇下一檔位的頻率進(jìn)行運(yùn)行，否，則不進(jìn)行操作。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種芯片溫控管理系統(tǒng)，其特征在于:所述板級環(huán)境由三個元素形成，三個元素為:芯片對應(yīng)的電路板、芯片運(yùn)行時的溫度以及芯片的外殼模具；所述芯片運(yùn)行的溫度是通過傳感器進(jìn)行采集獲得，芯片對應(yīng)的電路板和外殼模具是芯片形成后已確定。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種芯片溫控管理系統(tǒng)，其特征在于:所述溫頻測試單元運(yùn)行后，讀取磁盤中是否存在中央處理器運(yùn)行頻率與溫度數(shù)值的對照表格，是，則直接進(jìn)入芯片正常運(yùn)行狀態(tài)，頻率電壓管理單元開始運(yùn)行；否，則所述溫頻測試單元讓中央處理器運(yùn)行在不同的頻率下，來獲得對照表格。4.一種芯片溫控管理方法，其特征在于:所述方法需提供一溫頻測試單元、一頻率電壓管理單元、一中央處理器以及一溫度傳感器； 所述方法具體為: 所述溫頻測試單元讓中央處理器運(yùn)行在不同的頻率下，并利用溫度傳感器讀取各個頻率下中央處理器的溫度； 所述溫頻測試單元生成當(dāng)前芯片與板級環(huán)境下的中央處理器運(yùn)行頻率與溫度數(shù)值的對照表格； 頻率電壓管理單元，在芯片正常運(yùn)行后提高中央處理器的運(yùn)行頻率； 頻率電壓管理單元，從對照表格中查詢該芯片和板級環(huán)境下中央處理器此時運(yùn)行的頻率所對應(yīng)的溫度，判斷溫度傳感器此時獲得的溫度數(shù)值是否超過對照表格中查詢獲的溫度，是，則控制中央處理器選擇下一檔位的頻率進(jìn)行運(yùn)行，否，則不進(jìn)行操作。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種芯片溫控管理方法，其特征在于:所述板級環(huán)境的判斷具體為:所述板級環(huán)境由三個元素形成，三個元素為:芯片對應(yīng)的電路板、芯片運(yùn)行時的溫度以及芯片的外殼模具；所述芯片運(yùn)行的溫度是通過傳感器進(jìn)行采集獲得，芯片對應(yīng)的電路板和外殼模具是芯片形成后已確定。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種芯片溫控管理方法，其特征在于:所述溫頻測試單元讓中央處理器運(yùn)行在不同的頻率下，并利用溫度傳感器讀取各個頻率下中央處理器的溫度，之前還包括:所述溫頻測試單元運(yùn)行后，讀取磁盤中是否存在中央處理器運(yùn)行頻率與溫度數(shù)值的對照表格，是，則直接進(jìn)入“所述頻率電壓管理單元，在芯片正常運(yùn)行后提高中央處理器的運(yùn)行頻率”的步驟；否，則進(jìn)入“所述溫頻測試單元讓中央處理器運(yùn)行在不同的頻率下，并利用溫度傳感器讀取各個頻率下中央處理器的溫度，”的步驟。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種芯片溫控管理系統(tǒng)，該系統(tǒng)中內(nèi)置一溫頻測試單元，在讀取系統(tǒng)負(fù)載狀況，判定系統(tǒng)處于閑置狀態(tài)下時，不斷的要求頻率電壓管理單元提高中央處理器的頻率，并從溫度傳感器實(shí)時采樣溫度，針對性的建立頻率與溫度的對應(yīng)關(guān)系的對照表格。該溫頻測試單元只運(yùn)行一次，生成的頻率與溫度對應(yīng)關(guān)系的對照表格保存在磁盤中。后續(xù)頻率電壓管理單元獲得溫度數(shù)值后，從磁盤中讀取對應(yīng)關(guān)系，來指導(dǎo)頻率電壓管理單元進(jìn)行降頻。從而增加了溫控機(jī)制的穩(wěn)定性和靈活性，取得良好的生產(chǎn)效益。
【IPC分類】G06F1/20, G06F11/30
【公開號】CN105278647
【申請?zhí)枴緾N201510682959
【發(fā)明人】謝修鑫
【申請人】福州瑞芯微電子股份有限公司
【公開日】2016年1月27日
【申請日】2015年10月20日