元件C1。如圖3所示，電容元件C1的一端與作為驅(qū)動(dòng) 信號(hào)源的交流信號(hào)源S連接，電容元件C1的另一端與作為觸摸檢測(cè)部的電壓檢測(cè)器DET連 接。電壓檢測(cè)器DET例如由在圖1所示的觸摸檢測(cè)信號(hào)放大部42中包含的積分電路構(gòu)成。
[0145] 如果從交流信號(hào)源S對(duì)電容元件C1的一端、即驅(qū)動(dòng)電極E1施加例如具有幾曲Z~ 幾百曲Z左右的頻率的交流矩形波Sg，則經(jīng)由連接到電容元件C1的另一端、即檢測(cè)電極E2 側(cè)的電壓檢測(cè)器DET，產(chǎn)生作為輸出波形的檢測(cè)信號(hào)Vdet。另外，該交流矩形波Sg例如相 當(dāng)于圖4所示的驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vcom。
[0146] 在手指尚未接觸W及靠近的狀態(tài)、即非接觸狀態(tài)中，如圖3所示，伴隨著對(duì)于電容 元件C1的充放電，流過(guò)與電容元件C1的電容值相應(yīng)的電流Ii。電壓檢測(cè)器DET將與交流 矩形波Sg相應(yīng)的電流Ii的變動(dòng)轉(zhuǎn)換為電壓的變動(dòng)。該電壓的變動(dòng)在圖4中W實(shí)線的波形 V。示出。
[0147]另一方面，在手指已接觸或者靠近的狀態(tài)、即接觸狀態(tài)中，受到由手指形成的靜電 電容C2的影響，由驅(qū)動(dòng)電極E1W及檢測(cè)電極E2形成的電容元件C1的電容值變小。因此， 在圖3所示的電容元件C1中流過(guò)的電流Ii變動(dòng)。電壓檢測(cè)器DET將與交流矩形波Sg相應(yīng) 的電流Ii的變動(dòng)轉(zhuǎn)換為電壓的變動(dòng)。該電壓的變動(dòng)在圖4中W虛線的波形Vi示出。該情 況下，與上述的波形V。相比，波形V1的振幅變小。由此，波形V。和波形V1的電壓差的絕對(duì) 值IAV|根據(jù)手指等從外部靠近的物體的影響而變化。另外，電壓檢測(cè)器DET為了更高精 度地檢測(cè)波形V。和波形V1的電壓差的絕對(duì)值IAVI，優(yōu)選設(shè)為設(shè)置了期間Reset的動(dòng)作， 其中，在該期間Reset中，通過(guò)電路內(nèi)的開(kāi)關(guān)，配合交流矩形波Sg的頻率對(duì)電容器的充放電 進(jìn)行重置。
[014引在圖1所示的例子中，觸摸檢測(cè)設(shè)備30根據(jù)從驅(qū)動(dòng)電極驅(qū)動(dòng)器14提供的驅(qū)動(dòng)信 號(hào)Vcom，按與一個(gè)或者多個(gè)驅(qū)動(dòng)電極C0ML(參照后述的圖5或圖6)對(duì)應(yīng)的每個(gè)檢測(cè)塊進(jìn)行 觸摸檢測(cè)。目P，觸摸檢測(cè)設(shè)備30按與一個(gè)或者多個(gè)驅(qū)動(dòng)電極C0ML的各個(gè)對(duì)應(yīng)的每個(gè)檢測(cè) 塊，經(jīng)由圖3所示的電壓檢測(cè)器DET，輸出檢測(cè)信號(hào)Vdet，且將已輸出的檢測(cè)信號(hào)Vdet提供 給觸摸檢測(cè)部40的觸摸檢測(cè)信號(hào)放大部42。
[0149]A/D轉(zhuǎn)換部43是在與驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vcom同步的定時(shí)，對(duì)從觸摸檢測(cè)信號(hào)放大部42輸 出的模擬信號(hào)分別進(jìn)行采樣而轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)的電路。
[0150] 信號(hào)處理部44具備數(shù)字濾波器，該數(shù)字濾波器減少在A/D轉(zhuǎn)換部43的輸出信號(hào) 中包含的、對(duì)驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vcom進(jìn)行了采樣的頻率W外的頻率分量、即噪聲分量。信號(hào)處理部 44是基于A/D轉(zhuǎn)換部43的輸出信號(hào)，檢測(cè)對(duì)于觸摸檢測(cè)設(shè)備30的觸摸的有無(wú)的邏輯電路。 信號(hào)處理部44進(jìn)行僅取出手指產(chǎn)生的差分電壓的處理。該手指產(chǎn)生的差分電壓為上述的 波形V。和波形Vi的差分的絕對(duì)值IAV|。信號(hào)處理部44可W進(jìn)行將每個(gè)檢測(cè)塊的絕對(duì)值 AVI平均化的運(yùn)算，求出絕對(duì)值IΔVI的平均值。由此，信號(hào)處理部44能夠減少噪聲產(chǎn)生 的影響。信號(hào)處理部44將檢測(cè)出的手指產(chǎn)生的差分電壓與預(yù)定的闊值電壓進(jìn)行比較，如果 是該闊值電壓W上，則判斷為從外部靠近的外部靠近物體的接觸狀態(tài)，如果小于闊值電壓， 則判斷為外部靠近物體的非接觸狀態(tài)。如此進(jìn)行觸摸檢測(cè)部40的觸摸檢測(cè)。
[0151] 坐標(biāo)提取部45是在信號(hào)處理部44中檢測(cè)出了觸摸時(shí)，求出被檢測(cè)出觸摸的位置 的坐標(biāo)、即觸摸面板中的輸入位置的邏輯電路。檢測(cè)定時(shí)控制部46進(jìn)行控制，使得A/D轉(zhuǎn) 換部43、信號(hào)處理部44、坐標(biāo)提取部45同步地進(jìn)行動(dòng)作。坐標(biāo)提取部45將觸摸面板坐標(biāo) 作為信號(hào)輸出Vout而輸出。
[0152] < 模塊〉
[0153] 圖5是表示安裝了實(shí)施方式1的顯示裝置的模塊的一例的俯視圖。
[0154]如圖5所示，實(shí)施方式1中的附帶觸摸檢測(cè)功能的顯示設(shè)備10具有基板21、基板 31、多個(gè)驅(qū)動(dòng)電極C0ML、多個(gè)檢測(cè)電極TDL。基板31具有作為一個(gè)主面的頂面、和作為與頂 面相反側(cè)的另一主面的底面。運(yùn)里，將在基板31的頂面內(nèi)或者基板31的底面內(nèi)相互交叉、 優(yōu)選正交的兩個(gè)方向設(shè)為X軸方向W及Y軸方向。運(yùn)時(shí)，多個(gè)驅(qū)動(dòng)電極C0ML在俯視時(shí)分別 在X軸方向上延伸，并且在Y軸方向上排列。此外，多個(gè)檢測(cè)電極TDL在俯視時(shí)分別在Y軸 方向上延伸，并且在X軸方向上排列。
[0155] 如利用圖7后述那樣，多個(gè)驅(qū)動(dòng)電極C0ML的各個(gè)在俯視時(shí)被設(shè)置為，與在X軸方 向上排列的多個(gè)子像素SPix重疊。目P，一個(gè)驅(qū)動(dòng)電極C0ML對(duì)于多個(gè)子像素SPix被設(shè)置為 公共的電極。
[0156] 另外，在本申請(qǐng)說(shuō)明書(shū)中，"在俯視時(shí)"是指，從與作為基板31或者基板21的主面 的頂面垂直的方向觀察的情況。
[0157] 在圖5所示的例子中，附帶觸摸檢測(cè)功能的顯示設(shè)備10包括在俯視時(shí)在X軸方向 上分別延伸且相互對(duì)置的兩個(gè)邊、和在Y軸方向上分別延伸且相互對(duì)置的兩個(gè)邊，具有矩 形形狀。在Y軸方向上的附帶觸摸檢測(cè)功能的顯示設(shè)備10的一側(cè)設(shè)置有端子部TM。端子 部TM和多個(gè)檢測(cè)電極TDL的各個(gè)之間分別通過(guò)路由布線WRT電連接。端子部TM與布線基 板WS電連接，布線基板WS與安裝在該模塊的外部的觸摸檢測(cè)部40 (參照?qǐng)D1)連接。從而， 檢測(cè)電極TOL經(jīng)由路由布線WRT、端子部TMW及布線基板WS與觸摸檢測(cè)部40連接。
[015引附帶觸摸檢測(cè)功能的顯示設(shè)備10具有C0G19。C0G19是安裝在基板21上的忍片， 內(nèi)置了圖1所示的控制部11、柵極驅(qū)動(dòng)器12、源極驅(qū)動(dòng)器13等顯示動(dòng)作所需的各個(gè)電路。 此外，C0G19也可W內(nèi)置驅(qū)動(dòng)電極驅(qū)動(dòng)器14。雖然省略詳細(xì)的圖示，但C0G19和多個(gè)驅(qū)動(dòng)電 極C0ML的各個(gè)之間分別通過(guò)路由布線WRC而電連接。
[0159]另外，作為基板21W及基板31，例如能夠使用玻璃基板，或者例如由樹(shù)脂構(gòu)成的 薄膜等各種對(duì)可見(jiàn)光透明的基板。此外，在本申請(qǐng)說(shuō)明書(shū)中，"對(duì)可見(jiàn)光透明"是指對(duì)于可見(jiàn) 光的透射率例如為90%W上，對(duì)于可見(jiàn)光的透射率是指對(duì)于例如具有380~780nm的波長(zhǎng) 的光的透射率的平均值。此外，透射率是指，在照射到附帶觸摸檢測(cè)功能的顯示設(shè)備10(參 照后述的圖6)的背面的光中，在顯示區(qū)域Ad中透射至與附帶觸摸檢測(cè)功能的顯示設(shè)備10 的背面相反側(cè)的表面的光的比例。
[0160] <附帶觸摸檢測(cè)功能的顯示設(shè)備〉
[0161] 下面，參照?qǐng)D5~圖8詳細(xì)說(shuō)明附帶觸摸檢測(cè)功能的顯示設(shè)備10的構(gòu)成例。圖6 是表示實(shí)施方式1的顯示裝置的附帶觸摸檢測(cè)功能的顯示設(shè)備的截面圖。圖7是表示實(shí)施 方式1的顯示裝置的附帶觸摸檢測(cè)功能的顯示設(shè)備的電路圖。圖8是表示實(shí)施方式1的顯 示裝置的驅(qū)動(dòng)電極W及檢測(cè)電極的一構(gòu)成例的立體圖。圖6是沿圖5的A-A線的截面圖。
[0162] 附帶觸摸檢測(cè)功能的顯示設(shè)備10具有陣列基板2、對(duì)置基板3、偏振片4、偏振片 5、液晶層6、密封部7。對(duì)置基板3與陣列基板2對(duì)置配置，使得陣列基板2的作為主面的 頂面和對(duì)置基板3的作為主面的底面對(duì)置。偏振片4夾持陣列基板2而設(shè)置在與對(duì)置基板 3相反的一側(cè)。偏振片4夾持對(duì)置基板3而設(shè)置在與陣列基板2相反的一側(cè)。液晶層6被 設(shè)置在陣列基板2和對(duì)置基板3之間。目P，液晶層6被夾在基板21的頂面和基板31的底 面之間。在陣列基板2的外周部和對(duì)置基板3的外周部之間設(shè)置有密封部7,陣列基板2和 對(duì)置基板3之間的空間，通過(guò)密封部7將該空間的外周部密封。并且，在外周部通過(guò)密封部 被密封的空間中，裝入了液晶層6。
[0163] 陣列基板2具有基板21。此外，對(duì)置基板3具有基板31。
[0164] 基板31具有作為一個(gè)主面的頂面、和作為與頂面相反一側(cè)的主面的底面，且與基 板21對(duì)置配置，使得基板21的作為主面的頂面和基板31的作為主面的底面對(duì)置?；?1 的頂面包含作為頂面的一部分區(qū)域的顯示區(qū)域Ad、和作為頂面的另一區(qū)域且比顯示區(qū)域 Ad位于基板21的外周側(cè)的區(qū)域的周邊區(qū)域As。因此，周邊區(qū)域As是基板31的頂面的區(qū) 域且比顯示區(qū)域Ad位于基板31的外周側(cè)的區(qū)域?；蛘?，顯示區(qū)域AdW及周邊區(qū)域As也 可W包含在基板31的作為另一主面的底面。
[0165] 或者，顯示區(qū)域AdW及周邊區(qū)域As也可W包含在基板21的作為一個(gè)主面的頂 面。運(yùn)時(shí)，基板21具有作為一個(gè)主面的頂面，基板21的頂面具有顯示區(qū)域Ad、和作為比顯 示區(qū)域Ad位于基板21的外周側(cè)的區(qū)域的周邊區(qū)域As。從而，周邊區(qū)域As是基板21的頂 面的區(qū)域且是比顯示區(qū)域Ad位于基板21的外周側(cè)的區(qū)域。
[0166] 如圖7所示，在顯示區(qū)域Ad中，在基板21上形成了多個(gè)掃描線GCL、多個(gè)信號(hào)線 及多個(gè)薄膜晶體管燈binFilmTransistor;TFT)即TFT元件Tr。另外，在圖6中， 省略掃描線Ga、信號(hào)線SGLW及TFT元件Tr的圖示。此外，掃描線意味著柵極布線，信號(hào) 線意味著源極布線。
[0167] 如圖7所示，多個(gè)掃描線G化在顯示區(qū)域Ad中，在X軸方向上分別延伸且在Y軸 方向上排列。多個(gè)信號(hào)線S化在顯示區(qū)域Ad中，在Y軸方向上分別延伸且在X軸方向上排 列。從而，多個(gè)信號(hào)線SGL的各個(gè)在俯視時(shí)與多個(gè)掃描線G化交叉。運(yùn)樣，在俯視時(shí)，在相 互交叉的多個(gè)掃描線G化和多個(gè)信號(hào)線S化的交點(diǎn)上配置子像素SPix，通過(guò)多個(gè)不同顏色 的子像素SPix形成一個(gè)像素Pix。目P，多個(gè)子像素SPix被設(shè)置在基板21的頂面，在俯視時(shí) 被配置在顯示區(qū)域Ad內(nèi)，在X軸方向W及Y軸方向上W矩陣狀排列。
[016引在俯視時(shí)，在多個(gè)掃描線GCL的各個(gè)與多個(gè)信號(hào)線SGL的各個(gè)交叉的交叉部上形 成了TFT元件Tr。從而，在顯示區(qū)域Ad中，在基板21上形成了多個(gè)TFT元件Tr，運(yùn)些多個(gè) TFT元件Tr在X軸方向W及Υ軸方向上W矩陣狀排列。目P，在多個(gè)子像素SPix的每一個(gè)中 設(shè)置有TFT元件Tr。此外，在多個(gè)子像素SPix的每一個(gè)中，除了TFT元件Tr之外，設(shè)置有 液晶元件LC。
[0169]TFT元件化例如由作為η溝道型的M0S(金屬氧化物半導(dǎo)體）的薄膜晶體管構(gòu)成。 TFT元件Tr的柵極電極與掃描線G化連接。TFT元件Tr的源極電極或者漏極電極中的一 方與信號(hào)線S化連接。TFT元件Tr的源極電極或者漏極電極中的另一方經(jīng)由像素電極22 與液晶元件LC的一端連接。液晶元件LC例如其一端與TFT元件Tr的源極電極或者漏極 電極連接，另一端與驅(qū)動(dòng)電極C0ML連接。
[0170] 如圖6所示，陣列基板2具有基板21、多個(gè)驅(qū)動(dòng)電極C0ML、絕緣膜24、多個(gè)像素電 極22。在俯視時(shí)，在顯示區(qū)域Ad的內(nèi)部，多個(gè)驅(qū)動(dòng)電極C0ML被設(shè)置在作為基板21的一個(gè) 主面的頂面。包含多個(gè)驅(qū)動(dòng)電極C0ML的各自的表面而在基板21的頂面上形成了絕緣膜 24。在顯示區(qū)域Ad中，在絕緣膜24上形成了多個(gè)像素電極22。從而，絕緣膜24將驅(qū)動(dòng)電 極C0ML和像素電極22電絕緣。
[017。 如圖7所示，在俯視時(shí)，在顯示區(qū)域Ad的內(nèi)部，多個(gè)像素電極22在X軸方向W及 Y軸方向上W矩陣狀排列的多個(gè)子像素SPix的各自的內(nèi)部分別形成。從而，多個(gè)像素電極 22在X軸方向W及Y軸方向上W矩陣狀排列。
[0172] 在圖6所示的例子中，多個(gè)驅(qū)動(dòng)電極C0ML的每一個(gè)形成在基板21和像素電極22 之間。此外，如圖7中示意性地示出的那樣，在俯視時(shí)，多個(gè)驅(qū)動(dòng)電極C0ML的每一個(gè)被設(shè)置 為與多個(gè)像素電極22重疊。并且，通過(guò)在多個(gè)像素電極22的每一個(gè)與多個(gè)驅(qū)動(dòng)電極C0ML 的每一個(gè)之間施加電壓，在多個(gè)像素電極22的每一個(gè)與多個(gè)驅(qū)動(dòng)電極C0ML的每一個(gè)之間、 即多個(gè)子像素SPix的每一個(gè)中設(shè)置的液晶元件LC上形成電場(chǎng)，從而在顯示區(qū)域Ad中顯示 圖像。運(yùn)時(shí)在驅(qū)動(dòng)電極C0ML和像素電極22之間形成電容Cap,電容Cap作為保持電容而發(fā) 揮作用。
[017引運(yùn)樣，當(dāng)附帶觸摸檢測(cè)功能的顯示設(shè)備10包含顯示設(shè)備20的情況下，由液晶元件LC、多個(gè)像素電極22、驅(qū)動(dòng)電極C0ML、多個(gè)掃描線G化、多個(gè)信號(hào)線S化形成用于控制圖像 的顯示的顯示控制部。顯示控制部通過(guò)控制在多個(gè)像素電極22的每一個(gè)與驅(qū)動(dòng)電極C0ML 之間施加的電壓，從而控制顯示區(qū)域Ad中的圖像的顯示。顯示控制部被設(shè)置在陣列基板2 和對(duì)置基板3之間。
[0174] 另外，多個(gè)驅(qū)動(dòng)電極C0ML的每一個(gè)也可W夾持像素電極22而形成在與基板21相 反的一側(cè)。此外，在圖6所示的例子中，驅(qū)動(dòng)電極C0ML和像素電極22的配置為，在俯視時(shí)驅(qū) 動(dòng)電極C0ML和像素電極22重疊。成為作為橫電場(chǎng)模式的FFS(化ingeFieldSwitching, 邊緣場(chǎng)開(kāi)關(guān)）模式中的配置。但是驅(qū)動(dòng)電極COML和像素電極22的配置也可W是，在俯視 時(shí)驅(qū)動(dòng)電極C0ML和像素電極22不重疊，成為作為橫電場(chǎng)模式的IPS(InPlaneSwitching, 平板開(kāi)關(guān)）模式中的配置（在實(shí)施方式2W及實(shí)施方式3中也同樣）。
[017引液晶層6根據(jù)電場(chǎng)的狀態(tài)對(duì)通過(guò)其中的光進(jìn)行調(diào)制，例如使用與前述的FFS模式 或者IPS模式等的橫電場(chǎng)模式對(duì)應(yīng)的液晶層。目P，作為液晶顯示設(shè)備20,使用基于FK模式 或者IPS模式等的橫電場(chǎng)模式的液晶顯示設(shè)備。另外，在圖6所示的液晶層6和陣列基板 2之間、W及液晶層6和對(duì)置基板3之間，也可W分別設(shè)置有取向膜（在實(shí)施方式2W及實(shí) 施方式3中也同樣）。
[0176] 如圖7所示，在X軸方向上排列的多個(gè)子像素SPix、即屬于液晶顯示設(shè)備20的同 一行的多個(gè)子像素SPix通過(guò)掃描線G化而相互連接。掃描線G化與柵極驅(qū)動(dòng)器12 (參照 圖1)連接，由柵極驅(qū)動(dòng)器12提供掃描信號(hào)Vscan(參照?qǐng)D1)。此外，在Y軸方向上排列的 多個(gè)子像素SPix、即屬于液晶顯示設(shè)備20的同一列的多個(gè)子像素SPix通過(guò)信號(hào)線S化而 相互連接。信號(hào)線S化與源極驅(qū)動(dòng)器13 (參照?qǐng)D1)連接，由源極驅(qū)動(dòng)器13提供像素信號(hào) 化ix(參照?qǐng)D1)。
[0177] 驅(qū)動(dòng)電極C0ML與驅(qū)動(dòng)電極驅(qū)動(dòng)器14 (參照?qǐng)D5)連接，由驅(qū)動(dòng)電極驅(qū)動(dòng)器14提供 驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vcom(參照?qǐng)D1)。也就是說(shuō)，在圖7所示的例子中，屬于同一行的多個(gè)子像素SPix 將共享一個(gè)驅(qū)動(dòng)電極C0ML。多個(gè)驅(qū)動(dòng)電極C0ML在顯示區(qū)域Ad中，在X軸方向上分別延伸 且在Y軸方向上排列。如前述那樣，多個(gè)掃描線G化在顯示區(qū)域Ad中，在X軸方向上分別 延伸且在Y軸方向上排列，因而多個(gè)驅(qū)動(dòng)電極C0ML的每一個(gè)延伸的方向與多個(gè)掃描線GCL 的每一個(gè)延伸的方向平行。但是，多個(gè)驅(qū)動(dòng)電極C0ML的每一個(gè)延伸的方向不受限定，例如 多個(gè)驅(qū)動(dòng)電極C0ML的每一個(gè)延伸的方向也可W是與多個(gè)信號(hào)線SGL的每一個(gè)延伸的方向 平行的方向。
[0178] 圖1所示的柵極驅(qū)動(dòng)器12通過(guò)經(jīng)由圖7所示的掃描線G化將掃描信號(hào)Vscan施 加到各子像素SPix的TFT元件Tr的柵極電極，從而依次選擇在液晶顯示設(shè)備20中矩陣狀 形成的子像素SPix中的一行、即一條水平線作為顯示驅(qū)動(dòng)的對(duì)象。圖1所示的源極驅(qū)動(dòng)器 13經(jīng)由圖7所示的信號(hào)線SGL將像素信號(hào)化ix分別提供給構(gòu)成由柵極驅(qū)動(dòng)器12依次選 擇的一條水平線的多個(gè)子像素SPix。并且，在構(gòu)成一條水平線的多個(gè)子像素SPix中，進(jìn)行 與所提供的像素信號(hào)化ix相應(yīng)的顯示。
[0179] 圖1所示的驅(qū)動(dòng)電極驅(qū)動(dòng)器14施加驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vcom，按與一個(gè)或者多個(gè)驅(qū)動(dòng)電極 C0ML對(duì)應(yīng)的每一個(gè)檢測(cè)塊，對(duì)驅(qū)動(dòng)電極C0ML進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。
[0180] 在液晶顯示設(shè)備20中，柵極驅(qū)動(dòng)器12進(jìn)行驅(qū)動(dòng)W便W時(shí)分方式依次掃描掃描線 G化，從而子像素SPixW每次一條水平線地依次被選擇。此外，在液晶顯示設(shè)備20中，通過(guò) 由源極驅(qū)動(dòng)器13對(duì)屬于一條水平線的子像素SPix提供像素信號(hào)化ix，從而每次一條水平 線地進(jìn)行顯示。在進(jìn)行該顯示動(dòng)作時(shí)，驅(qū)動(dòng)電極驅(qū)動(dòng)器14對(duì)于包含與該一條水平線對(duì)應(yīng)的 驅(qū)動(dòng)電極C0ML的檢測(cè)塊施加驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vcom。
[0181] 本實(shí)施方式1的顯示裝置1中的驅(qū)動(dòng)電極C0ML作為液晶顯示設(shè)備20的驅(qū)動(dòng)電極 發(fā)揮作用，并且作為觸摸檢測(cè)設(shè)備30的驅(qū)動(dòng)電極發(fā)揮作用。圖8是表示實(shí)施方式1的顯示 裝置的驅(qū)動(dòng)電極W及檢測(cè)電極的一構(gòu)成例的立體圖。
[0182] 觸摸檢測(cè)設(shè)備30具有在陣列基板2中設(shè)置的多個(gè)驅(qū)動(dòng)電極C0ML、和在對(duì)置基板3 中設(shè)置的多個(gè)檢測(cè)電極TDL。在俯視時(shí)，多個(gè)檢測(cè)電極TDL在與多個(gè)驅(qū)動(dòng)電極C0ML的每一 個(gè)延伸的方向交叉的方向上分別延伸。換言么在俯視時(shí)，多個(gè)檢測(cè)電極TOL相互隔開(kāi)間隔 而排列，W便與多個(gè)驅(qū)動(dòng)電極C0ML分別交叉。并且，多個(gè)檢測(cè)電極TDL的每一個(gè)在與陣列 基板2所包含的基板21的頂面垂直的方向上，與多個(gè)驅(qū)動(dòng)電極C0ML的每一個(gè)對(duì)置。換言 么多個(gè)驅(qū)動(dòng)電極C0ML的每一個(gè)被設(shè)置為在俯視時(shí)與多個(gè)檢測(cè)電極TDL的每一個(gè)重疊。并 且，多個(gè)檢測(cè)電極TDL的每一個(gè)與觸摸檢測(cè)部40的觸摸檢測(cè)信號(hào)放大部42 (參照?qǐng)D1)分 別連接。
[0183] 在多個(gè)驅(qū)動(dòng)電極C0ML的每一個(gè)和多個(gè)檢測(cè)電極TDL的每一個(gè)的俯視時(shí)的交叉部 中，產(chǎn)生靜電電容。并且，基于多個(gè)驅(qū)動(dòng)電極COML的每一