20。運些連接件在本文中被稱作支撐柱。圖5C中所展示的實施方案 具有得自將可移動反射層14的光學功能與其機械功能去禪的額外益處，所述去禪由可變 形層34執(zhí)行。此去禪允許用于反射層14的結構設計和材料和用于可變形層34的結構設 計和材料獨立于彼此而優(yōu)化。
[0066] 圖5D展示IM孤的另一實例，其中可移動反射層14包括反射子層14曰?？梢苿臃?射層14擱置于例如支撐柱18等支撐結構上。支撐柱18提供可移動反射層14與下部固定 電極（即，所說明的IMOD中的光學堆疊16的部分）的分離，使得（例如）在可移動反射層 14處于經(jīng)松弛位置時，間隙19形成于可移動反射層14與光學堆疊16之間?？梢苿臃瓷鋵?14還可包括可經(jīng)配置W充當電極的導電層14c和支撐層14b。在此實例中，導電層14c安 置于支撐層14b的遠離襯底20的一側上，且反射子層14a安置于支撐層14b的接近襯底20 的另一側上。在一些實施方案中，反射子層14a可為導電的，且可安置于支撐層14b與光學 堆疊16之間。支撐層14b可包括一個或一個W上電介質材料（例如，氮氧化娃（SiON)或 二氧化娃（Si化)）層。在一些實施方案中，支撐層14b可為若干層的堆疊，例如Si化/SiON/ Si化Ξ層堆疊。反射子層14a和導電層14c中的任一者或兩者可包括（例如）具有約0. 5% 化的A1合金，或另一反射金屬材料。使用電介質支撐層14b上方的導電層14c和電介質支 撐層14b下方的導電層14a可平衡應力且提供增強的導電。在一些實施方案中，反射子層 14a和導電層14c可由不同材料形成，W實現(xiàn)多種設計目的，例如實現(xiàn)可移動反射層14內的 特定應力輪廓。
[0067] 如圖抓中所說明，一些實施方案還可包括黑色掩模結構23。黑色掩模結構23可 形成在光學上非作用區(qū)中（例如，像素之間或柱18下方），W吸收環(huán)境光或雜散光。黑色掩 模結構23還可通過抑制光從顯示器的非作用部分反射或透射通過顯示器的非作用部分而 改進顯示裝置的光學性質，借此增大對比率。另外，黑色掩模結構23可為導電的，且經(jīng)配置 W充當電總線傳輸（bussing)層。在一些實施方案中，行電極可連接到黑色掩模結構23,W 減小所連接的行電極的電阻。可使用包括沉積技術和圖案化技術的多種方法來形成黑色掩 模結構23。黑色掩模結構23可包括一個或一個W上層。舉例來說，在一些實施方案中，黑 色掩模結構23包括充當光學吸收體的鋼銘（Mo化）層、Si化層，和充當反射體和總線傳輸層 的侶合金，其厚度分別在約3:0A到微A、鎌Q;A到1擲0A和筑臘A到微臘矣的范圍中?？?使用多種技術來將所述一個或一個W上層圖案化，所述技術包括光刻和干式蝕刻（其包括 (例如）針對Mo化層和Si〇2層的CF4和/或02,和針對侶合金層的化和/或BC13)。在一 些實施方案中，黑色掩模23可為標準具（etalon)或干設式堆疊結構。在此干設式堆疊黑 色掩模結構23中，導電吸收體可用W在每一行或列的光學堆疊16中的下部固定電極之間 傳輸或W總線傳輸信號。在一些實施方案中，分隔物層35可用W-般使吸收體層16a與黑 色掩模23中的導電層電隔離。 W側圖祀展示IM孤的另一實例，其中可移動反射層14為自支撐的。與圖5D對比，圖 5E的實施方案不包括支撐柱18。而是，可移動反射層14在多個位置處接觸下伏光學堆疊 16,且可移動反射層14的曲率提供足夠支撐，使得在跨越干設式調制器的電壓不足W引起 激活時，可移動反射層14返回到圖祀的未激活位置。為清晰起見，此處將可含有多個若干 不同層的光學堆疊16展示為包括光學吸收體16a和電介質16b。在一些實施方案中，光學 吸收體16a可充當固定電極和部分反射層兩者。 W例在例如圖5A到祀中所展示的那些實施方案的實施方案中，IM0D充當直觀式裝置， 其中從透明襯底20的前側（即，與其上布置有調制器的側相對的側）觀看圖像。在運些實 施方案中，裝置的背面部分（即，顯示裝置的在可移動反射層14后方的任何部分，其包括 (例如）圖5C中所說明的可變形層34)可經(jīng)配置，且可對其進行操作，而不會沖擊或不利地 影響顯示裝置的圖像質量，因為反射層14W光學方式遮蔽裝置的那些部分。舉例來說，在 一些實施方案中，可在可移動反射層14后方包括總線結構（未說明），其提供將調制器的光 學性質與調制器的機電性質分離的能力（例如，電壓尋址和由此尋址引起的移動）。另外， 圖5A到5E的實施方案可簡化例如圖案化等處理。
[0070] 圖6展示說明干設式調制器的制造工藝80的流程圖的實例，且圖7A到7E展示此 制造工藝80的對應階段的橫截面示意性說明的實例。在一些實施方案中，除了圖6中未展 示的其它塊之外，還可實施制造工藝80W制造（例如）圖1和5中所說明的一般類型的干 設式調制器。參看圖1、5和6,工藝80在塊82處W在襯底20上形成光學堆疊16開始。圖 7A說明形成于襯底20上的此光學堆疊16。襯底20可為例如玻璃或塑料等透明襯底，其可 為柔性的或相對硬且不彎曲的，且可能已經(jīng)受之前的制備工藝（例如，清潔）W促進有效地 形成光學堆疊16。如上文所論述，光學堆疊16可為導電的，部分透明且部分反射的，且可 (例如）通過將具有所要性質的一個或一個W上層沉積到透明襯底20上而制造。在圖7A 中，光學堆疊16包括具有子層16a和16b的多層結構，但更多或更少的子層可包括于一些 其它實施方案中。在一些實施方案中，子層16a、16b中的一者可配置有光學吸收性質和導 電性質兩者，例如組合式導體/吸收體子層16a。另外，子層16a、16b中的一者或一者W上 可被圖案化成平行條帶，且可形成顯示裝置中的行電極?？赏ㄟ^掩蓋和蝕刻工藝或此項技 術中已知的另一合適工藝來執(zhí)行此圖案化。在一些實施方案中，子層16a、16b中的一者可 為絕緣層或電介質層，例如沉積于一個或一個W上金屬層（例如，一個或一個W上反射層 和/或導電層）上的子層16b。另外，光學堆疊16可被圖案化成形成顯示器的行的個別且 平行的條帶。
[0071] 工藝80在塊84處W在光學堆疊16上形成犧牲層25而繼續(xù)。稍后移除犧牲層 25 (例如，在塊90處）W形成腔19,且因此，未在圖1中所說明的所得干設式調制器12中 展示犧牲層25。圖7B說明包括形成于光學堆疊16上的犧牲層25的經(jīng)部分制造的裝置。 在光學堆疊16上形成犧牲層25可包括：W在后續(xù)移除之后提供具有所要設計大小的間隙 或腔19 (還參看圖1和7巧而選擇的厚度來沉積例如鋼（Mo)或非晶娃（Si)等二氣化氣 狂eFz)可蝕刻材料?？墒褂美缥锢須庀喑练e（PVD，例如，瓣鍛）、等離子體增強型化學氣 相沉積（PECVD)、熱化學氣相沉積（熱CVD)或旋涂等沉積技術來執(zhí)行犧牲材料的沉積。
[0072] 工藝80在塊86處W形成支撐結構（例如，如圖1、5和7C中所說明的柱18)而繼 續(xù)。形成柱18可包括將犧牲層25圖案化W形成支撐結構孔隙，接著使用例如PVD、PECVD、 熱CVD或旋涂等沉積方法將材料（例如，聚合物或無機材料（例如，氧化娃））沉積到所述 孔隙中W形成柱18。在一些實施方案中，形成于犧牲層中的支撐結構孔隙可通過犧牲層25 與光學堆疊16兩者而延伸到下伏襯底20,使得柱18的下端接觸襯底20,如圖5A中所說明。 或者，如圖7C中所描繪，形成于犧牲層25中的孔隙可延伸通過犧牲層25,但不通過光學堆 疊16。舉例來說，圖7E說明支撐柱18的下端與光學堆疊16的上表面接觸。通過將支撐結 構材料層沉積于犧牲層25上且將遠離犧牲層25中的孔隙而定位的支撐結構材料的多個部 分圖案化，可形成柱18或其它支撐結構。支撐結構可位于孔隙內（如圖7C中所說明），但 還可至少部分地在犧牲層25的一部分上延伸。如上文所述，犧牲層25和/或支撐柱18的 圖案化可通過圖案化和蝕刻工藝來執(zhí)行，但還可通過替代性蝕刻方法來執(zhí)行。
[0073] 工藝80在塊88處W形成可移動反射層或薄膜（例如，圖1、5和7D中所說明的可 移動反射層14)而繼續(xù)?？赏ㄟ^使用一個或一個W上沉積步驟（例如，反射層（例如，侶、 侶合金）沉積）連同一個或一個W上圖案化、掩蓋和/或蝕刻步驟來形成可移動反射層14。 可移動反射層14可為導電的，且被稱作導電層。在一些實施方案中，可移動反射層14可包 括多個子層14a、14b、14c，如圖7D中所展示。在一些實施方案中，所述子層中的一者或一者 W上（例如，子層14a、14c)可包括針對其光學性質所選擇的高反射子層，且另一子層14b 可包括針對其機械性質所選擇的機械子層。由于犧牲層25仍存在于在塊88處所形成的經(jīng) 部分制造的干設式調制器中，所W可移動反射層14通常在此階段不可移動。含有犧牲層25 的經(jīng)部分制造的IMOD還可在本文中被稱作"未釋放的"IMOD。如上文結合圖1所描述，可 將可移動反射層14圖案化成形成顯示器的列的個別且平行的條帶。
[0074]工藝80在塊90處W形成腔（例如，如圖1、5和7E中所說明的腔19)而繼續(xù)?？?通過將犧牲材料25 (在塊84處所沉積）暴露到蝕刻劑而形成腔19。舉例來說，可（例如） 通過將犧牲層25暴露到氣體或蒸氣蝕刻劑（例如，從固態(tài)XeFz得到的蒸氣）并持續(xù)對移 除所要量的材料（通常相對于圍繞腔19的結構而選擇性地移除）為有效的時間周期，通過 干式化學蝕刻來移除例如Mo或非晶Si等可蝕刻犧牲材料。還可使用例如濕式蝕刻和/或 等離子體蝕刻等其它蝕刻方法。由于在塊90期間移除犧牲層25,所W可移動反射層14通 常可在此階段之后移動。在移除犧牲材料25之后，所得的經(jīng)完全或部分制造的IM0D可在 本文中被稱作"經(jīng)釋放的"IM0D。
[00巧]反射顯示器（例如，包含例如圖7E中所展示的實施方案的干設式調制器的反射顯 示器）可朝向觀看者反射環(huán)境光，借此向觀看者提供所顯示的圖像。然而，在一些情況下， 例如圖8A中所展示的顯示器810的反射顯示器可能需要額外照明，W恰當?shù)仫@示圖像。圖 8A為說明顯示器由照明裝置照明。反射顯示器（例如，干設式模塊化顯示器或其它反射顯 示器）可能需要照明裝置820來照明顯示器810,W便使圖像被觀看者看到。在環(huán)境光（即 使存在）不足W完全照明顯示器時運可為合意的。在一些實施方案中，照明裝置820可包 括前燈，所述前燈具有轉向特征W使在光導內所導引的光朝向顯示器810轉向，從而允許 經(jīng)轉向的光從顯示器810朝向觀看者反射離開?？赏ㄟ^禪合到照明裝置820的一個或一個 W上LED(未展示LED)而將光注入到光導820中?；蛘?，在一些其它實施方案中，L邸可禪 合到邊緣桿（未圖示）中，所述邊緣桿可接著沿著光導820的寬度散布待在光導820內導 引且接著朝向顯示器810射出W照明顯示器810的光。
[0076] 在一些實施方案中，可能需要另外包括顯示裝置800的觸摸傳感器能力，如圖8B 的實施方案中所展示。圖8B為說明顯示器與照明裝置和觸摸傳感器的實例。如圖8B的實 施方案中所展示，用照明裝置820照明顯示器810。觸摸傳感器830堆疊于所述照明裝置上。 觸摸傳感器830能夠通過感測形成于觸摸傳感器830中的導體的電容的改變而確定觸摸的 位置，其中所述導體的電容的改變是由人的手指835的接近而誘發(fā)。觸摸傳感器830與照 明裝置820的使用允許用戶的手指與顯示裝置800的有用交互。舉例來說，通過在不同位 置觸摸屏幕，用戶可使用他的或她的手指835來選擇顯示于顯示裝置800的顯示器810上 的某一圖標837。在一些實施方案中，照明裝置820不與觸摸傳感器830 -起集成。因此， 照明裝置820與觸摸傳感器830中的一者機械地堆疊于另一者頂部上。如圖8B中所展示， 觸摸傳感器830堆疊于照明裝置820上，然而，在其它實施方案中，照明裝置820可堆疊于 觸摸傳感器830上。如所展示，觸摸傳感器830較接近觀看顯示器810的用戶。在又其它 實施方案中，觸摸傳感器830可在顯示器810后方。
[0077] 參看圖8C，展示說明顯示器與集成式照明裝置與觸摸傳感器的實施方案的實例。 圖8C展示形成于顯示器810上的與觸摸傳感器一起集成的照明裝置840,與顯示器810相 比，在顯示器810的顯示圖像的側（即，圖像顯示側）上的與觸摸傳感器一起集成的照明裝 置840更接近觀看者。與觸摸傳感器一起集成的照明裝置840可同時照明反射顯示器810 W提供照明，同時還允許觸摸傳感器能力。在各種實施方案中，與觸摸傳感器一起集成的照 明裝置840的一個或一個W上組件同時具有照明W及觸摸感測功能。舉例來說，形成于與 觸摸傳感器一起集成的照明裝置840中的導體可提供照明能力W及觸摸感測能力兩者，如 將在下文中更詳細地描述。如所說明，與觸摸傳感器一起集成的照明裝置840包括一個單 元或層。然而，應理解，與觸摸傳感器一起集成的照明裝置840可包括多個層和組件。
[0078] 在一些實施方案中，與觸摸傳感器一起集成的照明裝置840可能能夠確定人的手 指835是否已觸摸或充分緊密地接觸與觸摸傳感器一起集成的照明裝置840,W便影響導 體（其中至少一者形成于與觸摸傳感器一起集成的照明裝置840中）的電容。在各種實施 方案中，與觸摸傳感器一起集成的照明裝置840能夠確定由人的手指835在與觸摸傳感器 一起集成的照明裝置840上的一次或一次W上觸摸在x-y坐標中的位置。由人的手指835 在與觸摸傳感器一起集成的照明裝置840上的所述一次或一次W上觸摸可同時或暫時隔 離。一種將圖8B的照明裝置820與觸摸傳感器830 -起集成W形成如圖8C中所說明的實 施方案的方式為使用照明裝置820中的金屬化的轉向特征，同時使用照明裝置的金屬化的 光轉向特征作為導體來與觸摸感測電極系統(tǒng)電連通。觸摸感測電極系統(tǒng)可能能夠感測由人 的手指835的接近所誘發(fā)的導體的電容的改變。 陽0巧]參看圖9A，展示說明光導的實施方案的實例。圖9A描繪包含光轉向特征901a、 9(Ub、901c的照明裝置820的實施方案。此些特征可使傳播于光導820中的光從所述光導 "轉向"且朝向顯示器810。如圖9A中所展示，光轉向特征901a、9(nb、901c包括可反射光 或使光轉向的刻面905。還如圖9A中所展示，光轉向特征901a、9(nb、901c可包括多個不 同形狀。舉例來說，光轉向特征901a、9(nb、901c可在一個方向（例如，X方向）上縱向地 延伸，如特征90la中所說明。在其它實施方案中，光轉向特征90la、90化、901C可包括離散 的特征，例如90化和901c。而且，光轉向特征901a、9(nb、901c可包括能夠朝向顯示器810 射出光線902a、902b、902c的金字塔形、圓錐形或梯形特征，或其它特征或橫截面輪廓。與 照明裝置820類似的照明裝置可用于從前方照明顯示器810且常常被稱作"前燈"。
[0080] 在一些實施方案中，在光轉向特征901a、9(nb、901c上形成金屬導體可為有用的。 所屬領域的技術人員應理解，光轉向特征可包括使光改向的各種類型的結構，例如，衍射結 構和反射結構。在一些實施方案中，光轉向特征為反射的，其中在光轉向特征的表面上發(fā)生 反射。運些表面通常被稱作刻面。在一些實施方案中，光轉向特征901曰、90化或901c可 由光導820中的凹部界定，其中所述凹部的表面構成一個或一個W上刻面905。撞擊于刻 面905上的光可被反射或可通過所述刻面，其取決于所述光的入射角。舉例來說，如由光線 902a所展示，在光轉向特征901a、9(nb、901c中，傳播于照明裝置820中的光線有時可W小 于臨界角（在圖9A中展示為Θ。）的角度入射于刻面905的表面上（如相對于光入射的刻 面的法線所