管理不對稱存儲器系統(tǒng)的寫性能的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本文獻(xiàn)一般地涉及管理不對稱存儲器系統(tǒng)中的寫性能。
【背景技術(shù)】
[0002] 計(jì)算機(jī)系統(tǒng)通常使用用于存儲數(shù)據(jù)的存儲器模塊。通過包括諸如閃速存儲器的非 易失性計(jì)算機(jī)存儲器的存儲卡來實(shí)現(xiàn)存儲器模塊中的一些。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本公開描述了用于管理基于非易失性隨機(jī)存取存儲器（NVRAM)的存儲子系統(tǒng)的 寫性能的方法和系統(tǒng)。
[0004] 在一個方面，一些實(shí)施方式包括管理包括非易失性隨機(jī)存取存儲器（NVRAM)裝置 的基于所托管的NVRAM的存儲子系統(tǒng)的方法。所述方法包括：在主機(jī)計(jì)算裝置上的裝置驅(qū) 動器處接收寫請求，每個寫請求均請求將數(shù)據(jù)的相應(yīng)單元寫入基于NVRAM的存儲子系統(tǒng)； 將寫請求分類為寫請求的子群組，其中，各個子群組內(nèi)的寫請求是互斥的；確認(rèn)所述基于 NVRAM的存儲子系統(tǒng)的多個NVRAM裝置中的每一個的負(fù)載狀況；根據(jù)所述基于NVRAM的存 儲子系統(tǒng)的NVRAM裝置的所確認(rèn)的負(fù)載狀況，識別用于處理所述寫請求的特定子群組的、 在至少一個NVRAM裝置上的目標(biāo)位置；通過將數(shù)據(jù)的對應(yīng)單元寫入所述基于NVRAM的存儲 子系統(tǒng)的所述至少一個NVRAM裝置上的所識別的目標(biāo)位置來處理所述寫請求的特定子群 組。
[0005] 實(shí)施方式可包括以下特征中的一個或多個。處理所述寫請求的特定子群組可包括 將被歸類在寫請求的子群組中的一個中的第一寫請求的數(shù)據(jù)的相應(yīng)單元寫入第一目標(biāo)位 置處，并且將被歸類在寫請求的子群組中的另一個中的第二寫請求的數(shù)據(jù)的相應(yīng)單元寫入 第二目標(biāo)位置處，其中，所述第一目標(biāo)位置和所述第二目標(biāo)位置被分開存儲器位置的距離， 否則在寫入所述第一寫請求和所述第二寫請求的數(shù)據(jù)的相應(yīng)單元之前，數(shù)據(jù)被存儲在所述 存儲器位置內(nèi)。
[0006] 處理所述寫請求的特定子群組還可包括將被歸類在寫請求的第一子群組內(nèi)的寫 請求的數(shù)據(jù)的對應(yīng)單元投影成在被寫入之后具有有效期的第一分布，并且將被歸類在寫請 求的第二子群組內(nèi)的寫請求的數(shù)據(jù)的對應(yīng)單元投影成在被寫入之后具有有效期的第二分 布，其中，所述第一分布和所述第二分布在統(tǒng)計(jì)學(xué)上互不相同。多個自發(fā)性或統(tǒng)計(jì)學(xué)測試可 用于確定兩個分布從統(tǒng)計(jì)學(xué)上說是否不同，例如，斯氏t檢驗(yàn)、AN0VA分析等。
[0007] 將寫請求分類成寫請求的子群組可包括以數(shù)據(jù)的相應(yīng)單元的第一大小分布來產(chǎn) 生寫請求的第一子群組；以數(shù)據(jù)的相應(yīng)單元的第二大小分布來產(chǎn)生寫請求的第二子群組， 其中，所述第一大小分布和所述第二大小分布在統(tǒng)計(jì)學(xué)上彼此不同。
[0008] 將寫請求分類成寫請求的子群組可包括以第一到達(dá)時間分布產(chǎn)生在所述裝置驅(qū) 動器處接收的寫請求的第一子群組；以第二到達(dá)時間分布產(chǎn)生在所述裝置驅(qū)動器處接收的 寫請求的第二子群組，其中，所述第一到達(dá)時間分布和所述第二到達(dá)時間分布在統(tǒng)計(jì)學(xué)上 彼此不同。
[0009] 將寫請求分類成寫請求的子群組可包括產(chǎn)生來自線程的一個群組的寫請求的特 定子群組，所述線程的一個群組與在托管基于NVRAM的存儲系統(tǒng)的計(jì)算裝置上的特定應(yīng)用 相關(guān)聯(lián)。
[0010] 將寫請求分類成寫請求的子群組可包括將寫請求分類成寫請求的第一子群組和 寫請求的第二子群組，并且其中，所述第一子群組中的寫請求請求寫入比所述第二子群組 中的寫請求的數(shù)據(jù)的相應(yīng)單元更快改變的數(shù)據(jù)的相應(yīng)單元。
[0011] 所述的方法還可包括：改進(jìn)因?qū)⒍鄠€寫請求的數(shù)據(jù)的相應(yīng)單元寫入所述基于NVRAM的存儲子系統(tǒng)而造成的寫放大開銷。改進(jìn)所述寫放大開銷可包括通過將接收到的寫 請求分類來減少已經(jīng)被重新定位的數(shù)據(jù)的聚集量，其中數(shù)據(jù)被重新定位以釋放所述至少一 個NVRAM裝置上的至少一個位置，以便所述基于NVRAM的存儲子系統(tǒng)處理在已經(jīng)接收到多 個I/O訪問請求之后到達(dá)的至少一個寫請求。
[0012] 所述方法還可包括：從候選擦除塊的池中選擇啟用擦除塊，所述啟用擦除塊包括 用于容納特定寫請求的數(shù)據(jù)的相應(yīng)單元的多于一個寫頁。選擇所述啟用擦除塊可以基于所 述候選擦除塊中的每一個上的有效數(shù)據(jù)的量。選擇所述啟用擦除塊可以基于所述啟用擦除 塊上的負(fù)載分布。選擇所述啟用擦除塊可以基于特定寫請求的數(shù)據(jù)的相應(yīng)單元的預(yù)期壽 命。
[0013] 所述方法還可包括：跟蹤所述候選擦除塊的池中的候選擦除塊中的每一個的擦除 計(jì)數(shù)，其中所述擦除計(jì)數(shù)指示所述擦除塊已經(jīng)經(jīng)歷擦除操作的次數(shù)。所述方法可另外包括： 響應(yīng)于候選擦除塊的指示所述候選擦除塊已經(jīng)經(jīng)歷小于候選擦除塊的池的平均擦除操作 的50%的擦除計(jì)數(shù)，選擇用于容納數(shù)據(jù)的相應(yīng)寫頁的擦除塊。
[0014] 所述方法還可包括跟蹤與每個候選擦除塊相關(guān)聯(lián)的硬件資源的利用，其中，選擇 所述啟用擦除塊使得所有候選擦除塊的相應(yīng)利用變得相互分歧更少。所述硬件資源可包括 適于在選自候選擦除塊的池中的啟用擦除塊上執(zhí)行讀寫操作的直接存儲器訪問（DMA)通 道。
[0015] 將多個寫請求分類成寫請求的子群組包括確定所述多個寫請求中的特定寫請求 是時延敏感還是吞吐量敏感。當(dāng)寫請求是將在接收時被處理時，寫請求是時延敏感的。當(dāng) 數(shù)據(jù)的相應(yīng)單元將伴隨確證被寫入時，寫請求是吞吐量敏感的。確定特定寫請求是延時敏 感還是吞吐量敏感還可包括：確認(rèn)每所述特定寫請求要寫入的數(shù)據(jù)的相應(yīng)單元的塊大??； 識別發(fā)布所述寫請求的應(yīng)用進(jìn)程或線程。
[0016] 所述方法還可包括基于確定所述特定寫請求是時延敏感的，將所述特定寫請求調(diào) 度成向所述基于NVRAM的存儲子系統(tǒng)的異步寫，其中，所述異步寫是通過將數(shù)據(jù)的相應(yīng)單 元發(fā)送到中間易失性存儲，并且無需確證該寫請求的數(shù)據(jù)的相應(yīng)單元已經(jīng)被完全寫入所述 基于NVRAM的存儲子系統(tǒng)的所述至少一個NVRAM裝置上的所述目標(biāo)位置而被執(zhí)行；基于確 定所述特定寫請求是吞吐量敏感的，將所述特定寫請求調(diào)度成向所述基于VNRAM的存儲子 系統(tǒng)的同步寫，其中，所述同步寫是通過阻斷已經(jīng)發(fā)布所述特定寫請求的、在托管所述基于 NVRAM的存儲子系統(tǒng)的計(jì)算裝置上的應(yīng)用進(jìn)程或線程，直到數(shù)據(jù)的相應(yīng)單元已經(jīng)被完全寫 入所述基于NVRAM的存儲子系統(tǒng)的所述至少一個NVRAM裝置而被執(zhí)行的。
[0017] 被確定為時延敏感的寫請求的數(shù)據(jù)的相應(yīng)單元的大小可小于被確定為吞吐量敏 感的寫請求的數(shù)據(jù)的相應(yīng)單元的大小，其中被歸類為時延敏感的寫請求的子群組可包括由 所述主機(jī)計(jì)算裝置上的應(yīng)用進(jìn)程或線程的第一集合發(fā)出的寫請求，其中被歸類為吞吐量敏 感的寫請求的子群組可包括由所述主機(jī)計(jì)算裝置上的應(yīng)用進(jìn)程或線程的第二集合發(fā)布的 寫請求，其中所述應(yīng)用進(jìn)程或線程的第一集合的大小可小于所述應(yīng)用進(jìn)程或線程的第二集 合的大小。
[0018] 被確定為吞吐量敏感的寫請求的數(shù)據(jù)的相應(yīng)單元的大小可大于被確定為時延敏 感的寫請求的數(shù)據(jù)的相應(yīng)單元的大小。被歸類為時延敏感的寫請求的子群組可包括由所述 主機(jī)計(jì)算裝置上的應(yīng)用進(jìn)程或線程的第一集合發(fā)布的寫請求。被歸類為吞吐量敏感的寫請 求的子群組可包括由所述主機(jī)計(jì)算裝置上的應(yīng)用進(jìn)程或線程的第二集合發(fā)布的寫請求。所 述應(yīng)用進(jìn)程或線程的第二集合的大小明顯大于所述應(yīng)用進(jìn)程或線程的第一集合的大小。
[0019] 所述方法還可包括：將確認(rèn)的負(fù)載狀況與負(fù)載閾值進(jìn)行比較，基于產(chǎn)生所確認(rèn)的 負(fù)載狀況在所述負(fù)載閾值內(nèi)的比較，通過所述基于NVRAM的存儲子系統(tǒng)上的中間易失性存 儲，作為異步寫來寫入數(shù)據(jù)的對應(yīng)單元，其中，所述異步寫可通過向所述中間易失性存儲 發(fā)送數(shù)據(jù)的相應(yīng)單元，并且無需確證寫請求的數(shù)據(jù)的相應(yīng)單元已經(jīng)被完全寫入所述基于 NVRAM的存儲子系統(tǒng)的所述至少一個NVRAM裝置上的所述目標(biāo)位置而被執(zhí)行；基于產(chǎn)生所 確認(rèn)的負(fù)載狀況超過所述負(fù)載閾值的比較，通過所述基于NVRAM的存儲子系統(tǒng)上的所述中 間易失性存儲，作為同步寫來所述數(shù)據(jù)的對應(yīng)單元，或者繞過所述基于NVRAM的存儲子系 統(tǒng)上的所述中間易失性存儲，其中，所述同步寫通過阻斷已經(jīng)發(fā)布寫請求的、在所述主機(jī)計(jì) 算裝置上的應(yīng)用進(jìn)程或線程，直到數(shù)據(jù)的相應(yīng)單元已經(jīng)被完全寫入所述基于NVRAM的存儲 子系統(tǒng)的至少一個NVRAM裝置而被執(zhí)行。
[0020] 確認(rèn)所述基于NVRAM的存儲子系統(tǒng)的特定NVRAM裝置的負(fù)載狀況包括確定以下中 的至少一個：在所述特定NVRAM裝置處的掛起的I/O訪問請求的數(shù)目、具有I/O訪問積壓的 應(yīng)用進(jìn)程或線程的數(shù)目、在所述特定NVRAM裝置上的物理單元的可用性、或掛起的寫請求 的隊(duì)列占用比率。
[0021] 確認(rèn)所述隊(duì)列占用比率可涉及特定NVRAM裝置上的控制器處的掛起的寫請求的 隊(duì)列或者上面安裝至少一個NVRAM裝置的主機(jī)計(jì)算裝置上的裝置驅(qū)動器處的掛起的寫請 求的隊(duì)列。所述隊(duì)列占用比率可檢測寫請求的特定隊(duì)列是否超過錄入的閾值數(shù)目。
[0022] 在另一個方面，一些實(shí)施方式包括一種包括基于非易失性隨機(jī)存取存儲器 (NVRAM)的存儲子系統(tǒng)的系統(tǒng)。所述基于NVRAM的存儲子系統(tǒng)包括至少一個NVRAM裝置，其 中所述基于NVRAM的存儲子系統(tǒng)與主機(jī)計(jì)算裝置進(jìn)行通信，其中所述基于NVRAM的存儲子 系統(tǒng)被構(gòu)造成：從所述主機(jī)計(jì)算裝置接收寫請求，每個寫請求均請求將數(shù)據(jù)的相應(yīng)單元寫 入所述基于NVRAM的存儲子系統(tǒng)，其中所述基于NVRAM的存儲子系統(tǒng)包括至少一個NVRAM 裝置；將所述寫請求分類為寫請求的子群組，其中各個子群組內(nèi)的寫請求是互斥的；確認(rèn) 所述基于NVRAM的存儲子系統(tǒng)的多個NVRAM裝置中的每一個的負(fù)載狀況；根據(jù)所述基于 NVRAM的存儲子系統(tǒng)的至少一個NVRAM裝置的所確認(rèn)的負(fù)載狀況，識別用于處理寫請求的 特定子群組的、在所述至少一個NVRAM裝置上的目標(biāo)位置；通過將數(shù)據(jù)的對應(yīng)單元寫入在 所述至少最后一個NVRAM裝置上的所識別的目標(biāo)位置來處理所述寫請求的特定子群組。
[0023] 實(shí)施方式可包括以下特征中的一個或多個。所述基于NVRAM的存儲子系統(tǒng)還可包 括所述至少一個NVRAM裝置上的中間易失性存儲和由控制器提供的邏輯保障機(jī)制，其中所 述由控制器提供的邏輯保障機(jī)制可在所述基于NVRAM的存儲子系統(tǒng)意外斷電的情況下，將 所述中間易失性存儲中的數(shù)據(jù)內(nèi)容寫入所述至少一個NVRAM裝置上的閃存介質(zhì)。
[0024] 所述基于NVRAM的存儲子系統(tǒng)還可被構(gòu)造成：將所確認(rèn)的負(fù)載狀況與負(fù)載閾值進(jìn) 行比較；基于產(chǎn)生所確認(rèn)的負(fù)載狀況在所述負(fù)載閾值內(nèi)的比較，通過所述基于NVRAM的存 儲子系統(tǒng)上的中間易失性存儲，作為異步寫來寫入數(shù)據(jù)的對應(yīng)單元，其中，所述異步寫可通 過向所述中間易失性存儲發(fā)送數(shù)據(jù)的相應(yīng)單元，并且無需確證寫請求的所述數(shù)據(jù)的相應(yīng)單 元已經(jīng)被完全寫入所述基于NVRAM的存儲子系統(tǒng)的所述至少一個NVRAM裝置上的所述目標(biāo) 位置而被執(zhí)行；以及基于產(chǎn)生所確認(rèn)的負(fù)載狀況超過所述負(fù)載閾值的比較，通過所述基于 NVRAM的存儲子系統(tǒng)上的所述中間易失性存儲，作為同步寫來寫入數(shù)據(jù)的對應(yīng)單元，或者繞 過所述基于NVRAM的存儲子系統(tǒng)上的所述中間易失性存儲，其中，所述同步寫通過阻斷已 經(jīng)發(fā)布寫請求的、在所述主機(jī)計(jì)算裝置上的應(yīng)用進(jìn)程或線程，直到數(shù)據(jù)的相應(yīng)單元已經(jīng)被 完全寫入所述基于NVRAM的存儲子系統(tǒng)的所述至少一個NVRAM裝置而被執(zhí)行。所述基于 NVRAM的存儲子系統(tǒng)進(jìn)一步包括適于處理寫請求的直接存儲器存取（DMA)通道。
[0025] 以上技術(shù)的實(shí)施方式包括方法、計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品和系統(tǒng)。計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品適當(dāng)?shù)?在非暫時性機(jī)器可讀介質(zhì)中實(shí)現(xiàn)并且包括一個或多個處理器可執(zhí)行的指令。這些指令被構(gòu) 造成使得一個或多個處理器執(zhí)行上述動作。
[0026] 所述系統(tǒng)包括一個或多個處理器和能由一個或多個處理器執(zhí)行的、嵌入非暫時性 機(jī)器可讀介質(zhì)中的指令。這些指令當(dāng)被執(zhí)行時被構(gòu)造成使得一個或多個處理器執(zhí)行上述動 作。
[0027] 在附圖和下面的描述中闡述了本說明書中描述的主題的一個或多個方面的細(xì)節(jié)。 根據(jù)描述、附圖和權(quán)利要求，主題的其它特征、方面和優(yōu)點(diǎn)將變得清楚。
【附圖說明】
[0028] 圖1A是圖示根據(jù)一些實(shí)施方式的主機(jī)計(jì)算裝置和NVRAM的圖。
[0029] 圖1B是示出根據(jù)一些實(shí)施方式的示例NVRAM的圖。
[0030] 圖2是根據(jù)一些實(shí)施方式的具有多級控制器的NVRAM裝置的圖。
[0031] 圖3是根據(jù)一些實(shí)施方式的監(jiān)視度量并且報(bào)告I/O錯誤的流程圖。
[0032] 圖4是根據(jù)一些實(shí)施方式的將帶缺陷的物理區(qū)映射到NVRAM上的方法的流程圖。
[0033] 圖5是根據(jù)一些實(shí)施方式的減小寫放大開銷的方法的流程圖。
[0034] 圖6是基于每個入站（in-bound)寫請求的相應(yīng)特性而差異調(diào)度入站寫請求的方 法的流程圖。
[0035] 圖7是圖示根據(jù)一些實(shí)施方式的對NVRAM的I/O操作的時延的時序圖。
[0036] 圖8是基于目標(biāo)NVRAM裝置的負(fù)載狀況而差異調(diào)度入站寫請求的方法的流程圖。
[0037] 各種附圖中的相同附圖標(biāo)記指示相同的元件。
【具體實(shí)施方式】
[0038] 諸如N0R或NAND閃存裝置的非易失性存儲器裝置可被配置成充當(dāng)用于企業(yè)數(shù)據(jù) 存儲和互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的存儲類裝置。這種數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用可包括例如備份文件服務(wù) 器、響應(yīng)于用戶查詢的大型數(shù)據(jù)庫應(yīng)用、提供在線白頁服務(wù)的分布式目錄服務(wù)、與云計(jì)算關(guān) 聯(lián)以提供某種形式的云服務(wù)的其它應(yīng)用。在一些數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用中，NOR和NAND閃存裝置可 用作機(jī)械旋轉(zhuǎn)的介質(zhì)存儲裝置的附屬物。
[0039] 相比于SRAM或DRAM，這些非易失性存儲器裝置（NVMD)不需要恒定的刷新電流來 保持存儲在閃存介質(zhì)存儲器單元上的數(shù)據(jù)內(nèi)容。例如，NVMD可在沒有刷新電流的情況下將 數(shù)據(jù)內(nèi)容保持?jǐn)?shù)十年。另一方面，這些NVMD裝置上所存儲的數(shù)據(jù)內(nèi)容可以或者可以不以 其它類型存儲器（諸如，易失性存儲器）的粒度被訪問。以上已經(jīng)提到了兩種類型的閃速 存儲器，即，NAND和N0R。這兩種類型的閃速存儲器具有各單元的不同基礎(chǔ)的邏輯門布置。 NAND閃速存儲器可按塊（或頁）進(jìn)行寫和讀，這些塊（或頁）通常比整個裝置的大小小得 多，但比單個字節(jié)大得多。相比之下，N0R閃速存儲器可允許將被單獨(dú)寫入或讀取的單個機(jī) 器字（字節(jié)）。另外，NVMD可包括諸如相變存儲器的新興類型的存儲器。
[0040] 在這些NVMD上，每個I/O操作的時延可取決于非易失性存儲器裝置的密度或處理 技術(shù)以及特定區(qū)域中的薄弱（或劣化）的存在，如以下說明的。
[0041] 在這些NVMD上，閃速存儲器使用浮柵晶體管將數(shù)據(jù)存儲在個體存儲器單元中。已 經(jīng)開發(fā)出各種存儲器單元技術(shù)，包括，例如單層單元（SLC)和多層單元（MLC)。SLC可具有 兩種可能的狀態(tài)，進(jìn)而編碼一位數(shù)據(jù)。通過閃存單元的閾值電壓Vt確定"0"或"1"?？赏?過閃存單元的浮柵上增加的電荷量來操縱閾值電壓?；赟LC存儲器單元的閃速存儲器芯 片可被稱為SLC閃速存儲器。相比之下，MLC可允許使用每單元相同數(shù)目的晶體管來存儲 更多的位?；贛LC存儲器單元的閃速存儲器芯片可被稱為MLC閃速存儲器。一些MLC單 元可編碼兩位信息，S卩，"11"、"10"、"01"和"00"。編碼是通過特定閃存單元的閾值電壓￥七 的進(jìn)一步細(xì)分來確定的，其進(jìn)而是通過特定閃存單元的浮柵上增加的電荷量來操縱的。值 得注意，一些閃存單元可編碼多于兩位的信息。事實(shí)上，一些閃存單元可通過閾值電壓范圍 的更進(jìn)一步的細(xì)分來編碼例如三位的信息。這個數(shù)目增加的狀態(tài)減少了分離編碼狀態(tài)的閾 值電壓的余量的量。減少的余量導(dǎo)致MLC閃速存儲器上的諸如讀寫的I/O操作相比于在可 比較尺寸的SLC閃速存儲器上出現(xiàn)更多錯誤的情況增加。被設(shè)計(jì)用于相對低I/O錯誤率的 MLC閃速存儲器有時被稱為企業(yè)級MLC(eMLC)閃速存儲器。
[0042] SLC和MLC的讀取速度可以是可比較的。對閃存單元的電荷層的讀取使用電壓比 較器來比較閾值電壓。因此，SLC和MLC之間的架構(gòu)差異沒有影響感測。通常，閃存的讀取 速度是由使用哪個控制器來確定的。
[0043] SLC閃速存儲器可具有更快的寫速度、更低的功耗和更高的單元耐久性的優(yōu)點(diǎn)。由 于更快的傳遞速度和更長的壽命，SLC閃存技術(shù)被用于高性能存儲卡中。然而，因?yàn)镾LC閃 速存儲器每單元存儲的數(shù)據(jù)較少，所以其存儲的每兆字節(jié)要花費(fèi)更高成本來制造。
[0044] 相比之下，MLC閃速存儲器的主要益處可包括由于數(shù)據(jù)密度較高，其每存儲單元的 成本較低。然而，相比于可比較尺寸的SLC閃速存儲器，MLC閃速存儲器會更容易有I/O錯 誤?？梢蕾囉诟鼜?fù)雜的錯誤檢測和校正算法來處理這些I/O錯誤。相比于可比較尺寸的 SLC閃速存儲器，MLC閃速存儲器的其它缺陷可包括較低的寫速度和擦除速度、較少數(shù)目的 編程-擦除周期和較高的功耗。
[0045] 因此，SLC閃速存儲器傾向于提供比可比較尺寸的MLC閃速存儲器更快的存儲器 存取。然而，相比于可比較的MLC裝置，SLC裝置通常提供每單位成本更小的容量。因出現(xiàn) I/O錯誤的可能性增加，MLC裝置相對于SLC可能經(jīng)歷噪聲更多的I/O特性。
[0046] -旦特定類型的NVMD被構(gòu)造為存儲類裝置，這些非易失性存儲器裝置的性能就 可以是特定于操作的。如本文中針對這個應(yīng)用使用的，適于存儲類應(yīng)用的這些非易失性存 儲器裝置可被稱為非易失性隨機(jī)存取存儲器（NVRAM)，與沒有向存儲器提供隨機(jī)存取、僅僅 能在通過機(jī)械旋轉(zhuǎn)和掃描臂訪問的柱面、磁頭和扇區(qū)中串行化存儲的動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (DRAM)和硬盤裝置（HDD)區(qū)分開。在這個背景下，可在這個應(yīng)用中可互換地使用NVRAM和 NVMD〇
[0047] NVRAM裝置可快得多地（例如，比具有旋轉(zhuǎn)盤和機(jī)械臂陣列以訪問特定的柱面、磁 頭、或扇區(qū)的硬盤裝置快不止一百倍）執(zhí)行某些種類的存儲器操作（例如，讀操作）。但是， 非易失性存儲器裝置可具有導(dǎo)致不僅比與動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM)相關(guān)聯(lián)的操作慢而 且也比其它NVRAM操作慢的其它存儲器操作的物理限制。例如，NVRAM裝置的寫操作和擦 除操作可比NVRAM裝置上的讀操作慢得多。I/O訪問時間的這種