納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)及觸控面板的制作方法
【專利說明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)，特別涉及一種納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)及采用該納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)的觸控面板。
【【背景技術(shù)】】
[0002]觸控設(shè)備因其便于操作、成像效果好、功能多元化等優(yōu)點(diǎn)逐漸受到電子通訊行業(yè)的青睞，并廣泛應(yīng)用于資訊系統(tǒng)設(shè)備、家電設(shè)備、通訊設(shè)備、個(gè)人便攜設(shè)備等產(chǎn)品上。
[0003]伴隨近年來觸控面板在通訊行業(yè)的迅速崛起，特別是在手機(jī)通訊行業(yè)的蓬勃發(fā)展，觸控面板一舉成為現(xiàn)今成像顯示設(shè)備的首選產(chǎn)品。使用率最高的觸控面板主要是電阻式觸控面板和電容式觸控面板，但是使用者出于可控性，易用性和表面外觀的考慮，大多會(huì)選用電容式觸控面板作為其最佳首選設(shè)備。
[0004]在傳統(tǒng)智能手機(jī)的電容式觸控面板中，觸控電極的材料通常為氧化銦錫(簡稱為ΙΤΟ)。ΙΤ0的透光率很高，導(dǎo)電性能較好。但隨著觸控面板尺寸的逐步增大，特別是應(yīng)用于15寸以上的面板時(shí)，ΙΤ0的缺陷越來越突出，其中最明顯的缺陷就是ΙΤ0的面電阻過大，價(jià)格昂貴，無法保證大尺寸觸控面板良好的導(dǎo)電性能與足夠的靈敏度，也無法適用于電子產(chǎn)品不斷低價(jià)化的發(fā)展趨勢。
[0005]另外，在制造方法上，原來的ΙΤ0需要真空腔、較高的沉積溫度和/或高退火溫度以獲得高傳導(dǎo)性，造成ΙΤ0的整體制作成本非常昂貴。而且，ΙΤ0薄膜非常脆弱，即使在遇到較小物理應(yīng)力的彎曲也非常容易被破壞，因此在可穿戴設(shè)備逐漸崛起的新興產(chǎn)品市場的浪潮下，ΙΤ0材料作為導(dǎo)電電極已無法不能應(yīng)付市場的需求，將逐漸被淘汰。
[0006]正因如此，產(chǎn)業(yè)界一直在致力于開發(fā)ΙΤ0的替代材料，目前逐漸被開發(fā)并應(yīng)用的替代材料包括納米銀線(Silver Nano Wires,簡稱SNW)、金屬網(wǎng)格(Metal Mesh)、碳納米管、有機(jī)導(dǎo)電膜、以及石墨稀等。
[0007]其中SNW是諸多ΙΤ0替代材料目前較為成熟的一種。納米銀線具有銀優(yōu)良的導(dǎo)電性，同時(shí)由于其納米級別的尺寸效應(yīng)，使得其具有優(yōu)異的透光性與耐曲撓性，因此可用作為優(yōu)選地替代ΙΤ0作為觸控電極的材料。
[0008]傳統(tǒng)觸控屏的ΙΤ0材質(zhì)的透明導(dǎo)電膜上會(huì)制作一層保護(hù)層，用于保護(hù)ΙΤ0層，當(dāng)該保護(hù)層應(yīng)用于納米銀線觸控面板時(shí)，通常與表面的覆蓋板或其他觸控面板元件之間通過光學(xué)膠粘合，同時(shí)，為了克服納米銀線作為導(dǎo)電材料存在的一些問題，通常會(huì)添加一些功能層，這樣的觸控疊層結(jié)構(gòu)較厚，而當(dāng)前觸控面板的輕薄化成了一致追求的方向。
【
【發(fā)明內(nèi)容】
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[0009]為克服現(xiàn)在觸控面板的厚度問題，本發(fā)明提供一種厚度較低的納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)及采用該納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)的觸控面板。
[0010]本發(fā)明解決上述技術(shù)問題提供的技術(shù)方案是:提供一種納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)，其包括一基材，一納米銀線導(dǎo)電電極層，設(shè)置于所述基材上表面，及一粘著性保護(hù)層，設(shè)置于所述納米銀線導(dǎo)電電極層上表面，包括透明粘著材料和透明介電材料。
[0011]優(yōu)選地，所述透明介電材料為納米級顆粒，該納米級顆粒摻雜在所述透明粘著材料中。
[0012]優(yōu)選地，所述粘著性保護(hù)層中透明粘著材料含量為20%?98%。
[0013]優(yōu)選地，所述粘著性保護(hù)層為半硬化或全硬化的粘著性保護(hù)層。
[0014]優(yōu)選地，所述透明粘著材料包括感光性粘著劑和/或熱固性粘著劑。
[0015]優(yōu)選地，所述透明介電材料為聚亞酰胺，二氧化硅，氮硅氧化物，環(huán)氧樹脂，亞克力聚合物之任意一種或上述材料的任意組合。
[0016]優(yōu)選地，所述納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括一設(shè)置于所述粘著性保護(hù)層之上的離型層。
[0017]優(yōu)選地，所述納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括一光學(xué)匹配層，所述光學(xué)匹配層位于基材上方任意位置。
[0018]優(yōu)選地，所述的納米銀線導(dǎo)電電極層的厚度為10nm_5um。
[0019]優(yōu)選地，所述納米銀線導(dǎo)電電極層包括納米銀線和基質(zhì)，其中所述納米銀線至少部分嵌入基質(zhì)中，所述納米銀線的線長介于20 μ m-50 μ m,線徑小于或等于50nm。
[0020]本發(fā)明解決上述技術(shù)問題提供的另一技術(shù)方案是:提供一種納米銀線觸控面板，其包括一蓋板及一納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)，該納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)包括一基材，一納米銀線導(dǎo)電電極層，設(shè)置于所述基材上表面，及一粘性保護(hù)層，設(shè)置于所述納米銀線導(dǎo)電電極層上表面，包括透明粘著材料和透明介電材料，所述蓋板通過粘著性保護(hù)層與納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)相粘合。
[0021]優(yōu)選地，所述納米銀線觸控面板進(jìn)一步包括一第二導(dǎo)電電極層，所述的第二導(dǎo)電電極層形成在蓋板面向所述粘著性保護(hù)層的表面上。
[0022]優(yōu)選地，所述的第二導(dǎo)電電極層的電極材料為納米銀線或ΙΤ0。
[0023]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)及采用該納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)的觸控面板采用SNW替代ΙΤ0作為導(dǎo)電材料，導(dǎo)電性能和反應(yīng)靈敏度得到了提高，尤其在中大尺寸的觸控面板當(dāng)中對靈敏度的提升尤為明顯。而由于采用納米銀線作為導(dǎo)電材料時(shí)，由于納米銀線存在搭接不良，平整度較差，反光率較高的問題，需要對應(yīng)設(shè)置許多功能層，同時(shí)觸控面板元件之間需要引入粘合層粘合，從而使得觸控面板厚度較厚，而觸控面板的輕薄化一直為業(yè)界所追求，為防止導(dǎo)電材料暴露引起一系列問題，通常設(shè)置保護(hù)層以保護(hù)導(dǎo)電材料，通過提供粘著性保護(hù)層，使保護(hù)層與粘合層的功能合二為一，實(shí)現(xiàn)納米銀線觸控面板的輕薄化。而且粘著性保護(hù)層由混合材質(zhì)組成，可以通過對不同材質(zhì)搭配，與粘著性保護(hù)層上、下功能層的折射率相匹配，實(shí)現(xiàn)對納米銀線霧度的降低。
【【附圖說明】】
[0024]圖1是納米銀線導(dǎo)電電極層分布于基材上的截面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0025]圖2是納米銀線導(dǎo)電電極層分布于基材上的平面示意圖。
[0026]圖3是本發(fā)明第一實(shí)施例納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)的剖切面爆炸結(jié)構(gòu)圖。
[0027]圖4是本發(fā)明第二實(shí)施例納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)制作方法流程圖。
[0028]圖5是本發(fā)明第三實(shí)施例納米銀線疊層結(jié)構(gòu)的剖切面爆炸結(jié)構(gòu)圖。
[0029]圖6是本發(fā)明第四實(shí)施例納米銀線觸控面板剖切面爆炸結(jié)構(gòu)圖。
[0030]圖7是本發(fā)明第四實(shí)施例納米銀線觸控面板的變形結(jié)構(gòu)剖切面爆炸結(jié)構(gòu)圖。
[0031]圖8是本發(fā)明第五實(shí)施例納米銀線觸控面板剖切面爆炸結(jié)構(gòu)圖。
[0032]圖9是本發(fā)明第五實(shí)施例納米銀線觸控面板的變形結(jié)構(gòu)剖切面爆炸結(jié)構(gòu)圖。
[0033]圖10是本發(fā)明第六實(shí)施例納米銀線觸控面板剖切面爆炸結(jié)構(gòu)圖。
[0034]圖11是本發(fā)明第七實(shí)施例采用納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)的觸控顯示模組剖切面爆炸結(jié)構(gòu)圖。
【【具體實(shí)施方式】】
[0035]為了使本發(fā)明的目的，技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施實(shí)例，對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅用于解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0036]應(yīng)該理解，下述所有實(shí)施例中，上、下、左、右等位置限定詞僅限于指定視圖上的相對位置，而非絕對位置。
[0037]銀在一般狀態(tài)下為銀白色金屬，且為不透明材料，導(dǎo)電性極佳。而為納米銀線時(shí)，納米銀線具有良好的透光率和極佳的導(dǎo)電性，能夠很好的運(yùn)用于觸控面板的導(dǎo)電電極。
[0038]請參閱圖1與圖2，系納米銀線導(dǎo)電電極層805分布于基材807上的示意圖，其包括基材807和制作在基材807上的納米銀線導(dǎo)電電極層805，納米銀線導(dǎo)電電極層805包括基質(zhì)803和嵌入在基質(zhì)803中的多根納米銀線801，基材807 —般為透明絕緣材料。納米銀線801的線長為10um-300 μ m,優(yōu)選20um_100 μ m,最佳其長度20um_50 μ m,納米銀線801的線徑小于500nm，或小于200nm，lOOnm，優(yōu)選為小于50nm，且其長寬比(線長與線徑之比)大于10,優(yōu)選大于50,更優(yōu)選大于100。
[0039]納米銀線導(dǎo)電電極層805的厚度為10nm-5 μ m,優(yōu)選為20nm_l μ m,更優(yōu)為50nm-200nm。在一些實(shí)施例中，納米銀線導(dǎo)電電極層805的折射率為1.3-2.5，更優(yōu)為
1.35-1.8。
[0040]基質(zhì)803是指納米銀線溶液在經(jīng)過涂布等方法設(shè)置在基材807上，經(jīng)過加熱烘干使得易揮發(fā)的物質(zhì)揮發(fā)后，留在基材807上的非納米銀線物質(zhì)。納米銀線801散布或嵌入其中，形成導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)，部分納米銀線801從基質(zhì)803中突出。納米銀線801依靠基質(zhì)803形成納米銀線導(dǎo)電電極層805，基質(zhì)803可以保護(hù)納米銀線801免受腐蝕、磨損等外界環(huán)境的影響。