行性能，同時(shí)在功耗控制上也能夠滿(mǎn)足 低功耗的需求，尤其適合要求同時(shí)兼顧高性能和低功耗的移動(dòng)終端設(shè)備。
[0037]為了便于更好地理解本實(shí)施例提供的終端設(shè)備的內(nèi)存訪問(wèn)控制方法，有必要先對(duì) 上述內(nèi)存訪問(wèn)模式的適用對(duì)象，即具有雙通道/多通道內(nèi)存結(jié)構(gòu)的終端設(shè)備進(jìn)行介紹。
[0038]本實(shí)施例中，所述終端設(shè)備具體為移動(dòng)通信終端設(shè)備，例如手機(jī)、具有通信模塊的 平板電腦等，在其他實(shí)施例中，所述終端設(shè)備也可W是掌上電腦、車(chē)載終端、臺(tái)式電腦等。所 述內(nèi)存W現(xiàn)今較為常用的雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（皿RSDRAM，DoubleDateRate Sync虹onousDynamicRandomAccessMemoir),簡(jiǎn)稱(chēng)孤R內(nèi)存為例進(jìn)行說(shuō)明，其他實(shí)施例 中，所述內(nèi)存也可W為其他支持雙通道或多通道內(nèi)存技術(shù)的存儲(chǔ)器。
[0039] 需要說(shuō)明的是，在本實(shí)施例中W支持雙通道內(nèi)存訪問(wèn)技術(shù)的孤R為例說(shuō)明，但本 發(fā)明實(shí)施例提供的終端設(shè)備的內(nèi)存訪問(wèn)控制方法不僅僅局限于雙通道，可W是多通道（即 包含兩個(gè)w上的內(nèi)存訪問(wèn)通道）。
[0040] 本發(fā)明實(shí)施例的雙通道內(nèi)存的結(jié)構(gòu)如圖3所示，孤R控制器A、孤RPHYAW及A0、 A1構(gòu)成一個(gè)內(nèi)存訪問(wèn)通道，孤R控制器B、孤RPHYBW及B0、B1構(gòu)成另一個(gè)內(nèi)存訪問(wèn)通 道，通過(guò)孤R控制器之上的一層即互連邏輯層（interconnectlogic)來(lái)分發(fā)來(lái)自于多個(gè) Master(如圖3所示的M0、Ml……Μη)的讀寫(xiě)請(qǐng)求（即所述訪問(wèn)請(qǐng)求）。
[0041] 當(dāng)然，在本實(shí)施例中，一個(gè)內(nèi)存訪問(wèn)通道分別對(duì)應(yīng)一個(gè)DDR控制器，在其他實(shí)施例 中，孤R控制器A和孤R控制器Β也可W開(kāi)發(fā)合并為一個(gè)孤R控制器，即所有內(nèi)存訪問(wèn)通道 都對(duì)應(yīng)一個(gè)孤R控制器，但是該孤R控制器提供的功能是與合并之前所有孤R控制器提供 的功能一樣的。此外，在其他實(shí)施例中，還可W把互連邏輯層實(shí)現(xiàn)的功能也合入到一個(gè)DDR 控制器里面去。因此，雙通道內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)并不局限于本實(shí)施例所提供的示例。
[0042] 繼續(xù)參閱圖3,孤RPHYA和孤RPHYB是雙通道孤R必須的，"孤RPHY"是處理 一些時(shí)序方面W及頻率方面的部件，與DDR控制器相對(duì)應(yīng)，一般有多少個(gè)DDR控制器就有多 少個(gè)DDRPHY，由于"DDRPHY"的含義和作用為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知，此處不再詳細(xì)描述。
[0043] 此外，各個(gè)內(nèi)存訪問(wèn)通道通常都具有片選（CS，化ipSelect)，用于選擇外接的孤R 物理內(nèi)存，通俗地講，片選就是選擇外面接的DDR片子，W作為將來(lái)的初始化對(duì)象。圖3中 A0代表訪問(wèn)通道0的第一個(gè)CS，A1代表訪問(wèn)通道0的第二個(gè)CS;B0代表訪問(wèn)通道1的第 一個(gè)CS，B1代表訪問(wèn)通道1的第二個(gè)CS。在圖3中，對(duì)于不同的CS，分別W不同的填充圖 案W示區(qū)別，其中A0W空白填充表示，A1W小方格填充表示，B0W正斜線填充表示，B1W 反斜線填充表示。當(dāng)然，在實(shí)際實(shí)施時(shí)，各個(gè)訪問(wèn)通道都還可W有更多的CS。
[0044] 下面結(jié)合圖3所示雙通道內(nèi)存的結(jié)構(gòu)分別對(duì)所述高性能模式、低功耗模式和第一 平衡模式送幾種內(nèi)存訪問(wèn)模式進(jìn)行說(shuō)明。
[0045] 高性能模式
[0046] 所述高性能模式適合超級(jí)電話或者平板電腦等對(duì)功耗不敏感的終端設(shè)備，也就是 說(shuō)，此類(lèi)設(shè)備由于電池容量較大，所W-般更關(guān)注的是運(yùn)行性能，對(duì)于功耗則顯得相對(duì)不太 敏感。在所述高性能模式下，通過(guò)在所述內(nèi)存的整個(gè)存儲(chǔ)空間實(shí)現(xiàn)訪問(wèn)請(qǐng)求的交錯(cuò)式訪問(wèn)， 從而能夠在最大程度上實(shí)現(xiàn)各訪問(wèn)通道的并行訪問(wèn)，使系統(tǒng)運(yùn)行性能得到提升。
[0047] 需要說(shuō)明的是，所述交錯(cuò)式訪問(wèn)又可W稱(chēng)為交叉存?。╥nterleaving)或者交互 式訪問(wèn)，是加快內(nèi)存速度的一種并行操作的內(nèi)存存取技術(shù)。在交叉存取方式中，內(nèi)存是被分 在不同的塊中，只要讀寫(xiě)操作是要在兩個(gè)塊中進(jìn)行的，它們就可W同時(shí)進(jìn)行。舉例來(lái)說(shuō)，將 存儲(chǔ)體的奇數(shù)地址和偶數(shù)地址部分分開(kāi)，送樣當(dāng)前字節(jié)被刷新時(shí)，可W不影響下一個(gè)字節(jié) 的訪問(wèn)。由于所述交錯(cuò)式訪問(wèn)的含義和作用為本領(lǐng)域技術(shù)人員所知曉，此處不再詳細(xì)描述。
[0048] 當(dāng)一個(gè)訪問(wèn)請(qǐng)求來(lái)自于互連（Interconnect)上，由Interconnect上的邏輯分發(fā) 到如圖3所示的兩個(gè)訪問(wèn)通道。為了方便說(shuō)明，假設(shè)圖3中只有A0和B0接了外部DDR物 理內(nèi)存，郝么就按照規(guī)定的交錯(cuò)式訪問(wèn)的大?。╥nterleavedsize)分別訪問(wèn)A0和B0對(duì)應(yīng) 的存儲(chǔ)區(qū)域，通過(guò)進(jìn)行并行訪問(wèn)W提高系統(tǒng)運(yùn)行性能。
[0049] 所述高性能模式的內(nèi)存訪問(wèn)配置情況如圖4所示，圖4中的每一個(gè)相鄰的格子表 示外接孤R物理內(nèi)存連續(xù)的存儲(chǔ)地址，每個(gè)格子的存儲(chǔ)空間大小即為交錯(cuò)式訪問(wèn)的大小。 與圖3中A0和B0送兩個(gè)CS所表示的填充圖案相對(duì)應(yīng)的是，對(duì)于空白填充格子表示的存儲(chǔ) 空間的訪問(wèn)來(lái)源于A0,對(duì)于正斜線填充格子表示的存儲(chǔ)空間的訪問(wèn)來(lái)自于B0。圖4是軟件 和硬件模塊可w看到的地址空間視圖，對(duì)軟件和硬件模塊來(lái)說(shuō)是透明的，它們并不知道數(shù) 據(jù)來(lái)源于哪個(gè)訪問(wèn)通道。
[0050] 在所述高性能模式下，交錯(cuò)式訪問(wèn)的大小通常是相等的，也就是說(shuō)，圖4中空白填 充格子的面積等于正斜線填充格子的面積。
[0051] 在所述高性能模式下，所有存儲(chǔ)空間都進(jìn)行交錯(cuò)式訪問(wèn)，就性能來(lái)說(shuō)一般是最高 的，但功耗較大，因?yàn)榇蟛糠值脑L問(wèn)都分發(fā)到了兩個(gè)訪問(wèn)通道上，使得兩個(gè)訪問(wèn)通道都不能 進(jìn)入省電模式，從而消耗過(guò)多的功耗。本領(lǐng)域技術(shù)人員知曉，所述省電模式一般可W由DDR 控制器提供，例如根據(jù)DDR控制器來(lái)選擇關(guān)閉一些時(shí)鐘和電源，W達(dá)到節(jié)省功耗的目的。
[0052] 需要說(shuō)明的是，圖4僅示出了A0接了外部DDR物理內(nèi)存，B0接了外部DDR物理內(nèi) 存的情況，對(duì)于A1也可W外接等價(jià)與A0外接孤R物理內(nèi)存的情況，B1也可W外接等價(jià)與 B0外接DDR物理內(nèi)存的情況。當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員容易理解的是，如果每個(gè)訪問(wèn)通道都包 含更多的CS，郝么各個(gè)CS外接孤R物理內(nèi)存的情況可W參考上述實(shí)現(xiàn)方式。
[00閲低功耗模式
[0054] 所述低功耗模式更適合郝些因電池容量有限或續(xù)航能力要求高而對(duì)功耗較為敏 感的移動(dòng)終端設(shè)備。在所述低功耗模式下，所述內(nèi)存的整個(gè)存儲(chǔ)空間按存儲(chǔ)地址范圍劃分 為與各個(gè)訪問(wèn)通道對(duì)應(yīng)的第一子存儲(chǔ)空間，在每個(gè)所述第一子存儲(chǔ)空間實(shí)現(xiàn)訪問(wèn)請(qǐng)求的非 交錯(cuò)式訪問(wèn)。所述存儲(chǔ)地址范圍由各個(gè)訪問(wèn)通道對(duì)應(yīng)的每個(gè)片選所外接物理內(nèi)存的大小確 定。
[0055] 與所述高性能模式相比較，所述低功耗模式最大的特點(diǎn)是在整個(gè)存儲(chǔ)空間實(shí)現(xiàn)最 小的交錯(cuò)式訪問(wèn)。所述低功耗模式的內(nèi)存訪問(wèn)配置情況如圖5所示，仍然假設(shè)只有A0和B0 接了外部孤R物理內(nèi)存，郝么在低功耗模式下，整個(gè)存儲(chǔ)空間包括兩部分訪問(wèn)區(qū)域，其一是 A0外接DDR物理內(nèi)存所對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)空間，送是根據(jù)A0外接DDR物理內(nèi)存的存儲(chǔ)地址范圍所 確定的與訪問(wèn)通道0對(duì)應(yīng)的一個(gè)所述第一子存儲(chǔ)空間，即圖5中W空白填充格子所表示的 區(qū)域，其二是B0外接孤R物理內(nèi)存所對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)空間，送是根據(jù)B0外接孤R物理內(nèi)存的存 儲(chǔ)地址范圍所確定的與訪問(wèn)通道1對(duì)應(yīng)的另一個(gè)所述第一子存儲(chǔ)空間，即圖5中正斜線填 充格子所表示的區(qū)域。
[0056] 從圖5可W看出，對(duì)于由A0和B0外接孤R物理內(nèi)存的總和所構(gòu)成的整個(gè)存儲(chǔ)空間 來(lái)說(shuō)，A0對(duì)應(yīng)的第一子存儲(chǔ)空間與B0對(duì)應(yīng)的第一子存儲(chǔ)空間之間實(shí)現(xiàn)的是雙通道的交錯(cuò) 式訪問(wèn)，而在A0和B0各自對(duì)應(yīng)的第一子存儲(chǔ)空間內(nèi)部，則均W非交錯(cuò)式訪問(wèn)的方式實(shí)現(xiàn)。
[0057] 本領(lǐng)域技術(shù)人員知曉，對(duì)于任意訪問(wèn)內(nèi)存的讀寫(xiě)請(qǐng)求，都會(huì)包含其要訪問(wèn)的存儲(chǔ) 地址，對(duì)于內(nèi)存控制器來(lái)說(shuō)，程序要訪問(wèn)什么存儲(chǔ)地址，就到該存儲(chǔ)地址去找數(shù)據(jù)給程序。
[0058] 本申請(qǐng)文件中將訪問(wèn)請(qǐng)求要訪問(wèn)的存儲(chǔ)地址稱(chēng)為目標(biāo)訪問(wèn)地址。在所述低功耗模 式下，由于與各個(gè)訪問(wèn)通道對(duì)應(yīng)的第一子存儲(chǔ)空間的存儲(chǔ)地址范圍都是一大片連續(xù)的存儲(chǔ) 地址，根據(jù)某個(gè)訪問(wèn)請(qǐng)求所包含的目標(biāo)訪問(wèn)地址，判斷其處于哪個(gè)的存儲(chǔ)地址范圍，便可W 確定該訪問(wèn)請(qǐng)求應(yīng)當(dāng)訪問(wèn)A0對(duì)應(yīng)的第一子存儲(chǔ)空間還是B0對(duì)應(yīng)的第一子存儲(chǔ)空間。
[0059] 舉例來(lái)說(shuō)，一般的CPU訪問(wèn)只會(huì)發(fā)出一小段連續(xù)的存儲(chǔ)地址訪問(wèn)，而各訪問(wèn)通道 對(duì)應(yīng)的第一子存儲(chǔ)空間的存儲(chǔ)地址范圍一般是很大的，郝么CPU發(fā)出的小段地址通常要么 落在如圖5所示的A0對(duì)應(yīng)的區(qū)域，要么落在B0對(duì)應(yīng)的區(qū)域，假設(shè)落在對(duì)應(yīng)的A0區(qū)域，郝么 就只訪問(wèn)對(duì)應(yīng)的A0區(qū)域，假設(shè)落在B0對(duì)應(yīng)的區(qū)域，郝么就只訪問(wèn)B0對(duì)應(yīng)的區(qū)域。
[0060] 在實(shí)際實(shí)施時(shí)，假設(shè)圖5中的AO外接孤R物理內(nèi)存的大小為1G，B0