數(shù)據(jù)保存方法、裝置及終端的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及通信領(lǐng)域，具體而言，涉及一種數(shù)據(jù)保存方法、裝置及終端。
【背景技術(shù)】
[0002]掉電場(chǎng)景數(shù)據(jù)保存，作為故障監(jiān)控的“黑匣子”，一直是技術(shù)創(chuàng)新的熱點(diǎn)。掉電事件發(fā)生的突然性、掉電事件的持續(xù)時(shí)間短，以及掉電時(shí)需要保存的數(shù)據(jù)量大，這三個(gè)特性使得掉電數(shù)據(jù)無法及時(shí)的保存。當(dāng)前已有的專利，大略可以看成三種方法的綜合，首先是在系統(tǒng)中增加備用電源的方法，在掉電發(fā)生時(shí)備用電源接替系統(tǒng)電源供電，滿足數(shù)據(jù)保存的時(shí)間需求；其次是使用非易失閃存NANDFLASH，追求更快的寫入速度，變相縮短數(shù)據(jù)保存的時(shí)間；最后是掉電后使用數(shù)據(jù)壓縮，減小寫入數(shù)據(jù)的大小。
[0003]但是對(duì)于無線通訊領(lǐng)域產(chǎn)品而言，首先，增加備用電源意味著成本的增加。其次，基站產(chǎn)品的數(shù)據(jù)可靠性要求高，NAND FLASH在使用過程中會(huì)隨機(jī)出現(xiàn)“壞塊”，無法保證掉電期間寫入數(shù)據(jù)的正確性。最后，掉電需要保存的數(shù)據(jù)，如果全部以壓縮形式存儲(chǔ)，壓縮的時(shí)間必然導(dǎo)致寫入非易失存儲(chǔ)器的時(shí)間拖長，轉(zhuǎn)而進(jìn)一步提高對(duì)備用電源供電時(shí)間的要求。而基站產(chǎn)品掉電的持續(xù)時(shí)間，一般最多在幾十毫秒量級(jí)。
[0004]NAND FLASH和非易失閃存NOR FLASH是最常見的非易失存儲(chǔ)器。在消費(fèi)電子產(chǎn)品市場(chǎng)，面對(duì)NAND FLASH的價(jià)格優(yōu)勢(shì)以及不可同日而語的寫入速度，NOR FLASH被NAND FLASH所取代，是很正常的事。但是和NAND FLASH相比，NOR FLASH的數(shù)據(jù)可靠性更高。諸如汽車、工業(yè)、醫(yī)療、無線通訊產(chǎn)品，或是消費(fèi)電子的系統(tǒng)固件等，對(duì)讀取速度和可靠性要求非常高，但并不強(qiáng)調(diào)寫入速度，在這些應(yīng)用領(lǐng)域NOR FLASH仍然是影響設(shè)備功能與性能的關(guān)鍵器件。
[0005]針對(duì)相關(guān)技術(shù)中存在的在進(jìn)行掉電數(shù)據(jù)保存時(shí)，需要使用備用電源，導(dǎo)致系統(tǒng)成本增加的問題，目前尚未提出有效的解決方案。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明提供了一種數(shù)據(jù)保存方法、裝置及終端，以至少解決相關(guān)技術(shù)中存在的在進(jìn)行掉電數(shù)據(jù)保存時(shí)，需要使用備用電源，導(dǎo)致系統(tǒng)成本增加的問題。
[0007]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種數(shù)據(jù)保存方法，包括:檢測(cè)到供電電源發(fā)生掉電；觸發(fā)用于進(jìn)行掉電數(shù)據(jù)保護(hù)的保護(hù)機(jī)制程序；依據(jù)所述保護(hù)機(jī)制程序?qū)⒃谒龉╇婋娫窗l(fā)生掉電之前存儲(chǔ)的掉電數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到預(yù)定存儲(chǔ)器中。
[0008]優(yōu)選地，在檢測(cè)到所述供電電源發(fā)生掉電之前，還包括:對(duì)所述掉電數(shù)據(jù)依據(jù)重要程度進(jìn)行分區(qū)域存儲(chǔ)。
[0009]優(yōu)選地，依據(jù)所述保護(hù)機(jī)制程序?qū)⒃谒龉╇婋娫窗l(fā)生掉電之前存儲(chǔ)的掉電數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到預(yù)定存儲(chǔ)器中包括:優(yōu)先將所述掉電數(shù)據(jù)中重要程度超過預(yù)定值的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到所述預(yù)定存儲(chǔ)器中。
[0010]優(yōu)選地，所述預(yù)定存儲(chǔ)器包括高速非易失性存儲(chǔ)器，所述高速非易失性存儲(chǔ)器包括以下存儲(chǔ)器至少之一:串行非易失性閃存SPI NOR FLASH、相變隨機(jī)存儲(chǔ)PRAM、可變電阻式存儲(chǔ)器RRAM、鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器FRAM、磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器MRAM。
[0011]優(yōu)選地，在檢測(cè)到所述供電電源發(fā)生掉電之前，還包括:擦除所述預(yù)定存儲(chǔ)器的待寫入?yún)^(qū)域中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種數(shù)據(jù)保存裝置，包括:檢測(cè)模塊，用于檢測(cè)到供電電源發(fā)生掉電；觸發(fā)模塊，用于觸發(fā)用于進(jìn)行掉電數(shù)據(jù)保護(hù)的保護(hù)機(jī)制程序；第一存儲(chǔ)模塊，用于依據(jù)所述保護(hù)機(jī)制程序?qū)⒃谒龉╇婋娫窗l(fā)生掉電之前存儲(chǔ)的掉電數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到預(yù)定存儲(chǔ)器中。
[0013]優(yōu)選地，所述數(shù)據(jù)保存裝置還包括:第二存儲(chǔ)模塊，用于對(duì)所述掉電數(shù)據(jù)依據(jù)重要程度進(jìn)行分區(qū)域存儲(chǔ)。
[0014]優(yōu)選地，所述第一存儲(chǔ)模塊包括:存儲(chǔ)單元，用于優(yōu)先將所述掉電數(shù)據(jù)中重要程度超過預(yù)定值的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到所述預(yù)定存儲(chǔ)器中。
[0015]優(yōu)選地，所述數(shù)據(jù)保存裝置還包括:擦除模塊，用于擦除所述預(yù)定存儲(chǔ)器的待寫入?yún)^(qū)域中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的再一方面，提供了一種終端，包括上述任一項(xiàng)所述的裝置。
[0017]通過本發(fā)明，采用檢測(cè)到供電電源發(fā)生掉電；觸發(fā)用于進(jìn)行掉電數(shù)據(jù)保護(hù)的保護(hù)機(jī)制程序；依據(jù)所述保護(hù)機(jī)制程序?qū)⒃谒龉╇婋娫窗l(fā)生掉電之前存儲(chǔ)的掉電數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到預(yù)定存儲(chǔ)器中，解決了相關(guān)技術(shù)中存在的在進(jìn)行掉電數(shù)據(jù)保存時(shí)，需要使用備用電源，導(dǎo)致系統(tǒng)成本增加的問題，進(jìn)而達(dá)到了在不使用備用電源的情況下實(shí)現(xiàn)掉電數(shù)據(jù)的保存的目的。
【附圖說明】
[0018]此處所說明的附圖用來提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中:
[0019]圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的數(shù)據(jù)保存方法的流程圖；
[0020]圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的SPI NOR FLASH的芯片結(jié)構(gòu)圖；
[0021]圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的數(shù)據(jù)保存裝置的結(jié)構(gòu)框圖；
[0022]圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的數(shù)據(jù)保存裝置的優(yōu)選結(jié)構(gòu)框圖一；
[0023]圖5是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的數(shù)據(jù)保存裝置中第一存儲(chǔ)模塊36的結(jié)構(gòu)框圖；
[0024]圖6是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的數(shù)據(jù)保存裝置的優(yōu)選結(jié)構(gòu)框圖二 ；
[0025]圖7是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的終端的結(jié)構(gòu)框圖；
[0026]圖8是根據(jù)本法明實(shí)施例的調(diào)電數(shù)據(jù)保護(hù)方法流程圖；
[0027]圖9是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的系統(tǒng)框架圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]下文中將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來詳細(xì)說明本發(fā)明。需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。
[0029]在本實(shí)施例中提供了一種數(shù)據(jù)保存方法，圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的數(shù)據(jù)保存方法的流程圖，如圖1所示，該流程包括如下步驟:
[0030]步驟S102，檢測(cè)到供電電源發(fā)生掉電；
[0031]步驟S104，觸發(fā)用于進(jìn)行掉電數(shù)據(jù)保護(hù)的保護(hù)機(jī)制程序；
[0032]步驟S106，依據(jù)該保護(hù)機(jī)制程序?qū)⒃诠╇婋娫窗l(fā)生掉電之前存儲(chǔ)的掉電數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到預(yù)定存儲(chǔ)器中。
[0033]通過上述步驟，檢測(cè)到供電電源發(fā)生掉電；觸發(fā)用于進(jìn)行掉電數(shù)據(jù)保護(hù)的保護(hù)機(jī)制程序；依據(jù)該保護(hù)機(jī)制程序?qū)⒃诠╇婋娫窗l(fā)生掉電之前存儲(chǔ)的掉電數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到預(yù)定存儲(chǔ)器中，實(shí)現(xiàn)了在不使用備用電源的情況下，依據(jù)保護(hù)機(jī)制程序在掉電瞬間完成掉電數(shù)據(jù)的保存，解決了相關(guān)技術(shù)中存在的在進(jìn)行掉電數(shù)據(jù)保存時(shí)，需要使用備用電源，導(dǎo)致系統(tǒng)成本增加的問題，進(jìn)而達(dá)到了在不使用備用電源的情況下實(shí)現(xiàn)掉電數(shù)據(jù)的保存的目的。
[0034]在一個(gè)優(yōu)選地實(shí)施例中，在檢測(cè)到供電電源發(fā)生掉電之前，還包括:對(duì)掉電數(shù)據(jù)依據(jù)重要程度進(jìn)行分區(qū)域存儲(chǔ)。S卩，在掉電發(fā)生之前會(huì)將部分重要度高的數(shù)據(jù)保存在系統(tǒng)內(nèi)，例如電壓、電流、信號(hào)量、開關(guān)量等重要參數(shù)會(huì)優(yōu)先存儲(chǔ)于系統(tǒng)的內(nèi)部，當(dāng)發(fā)生掉電瞬間會(huì)將存儲(chǔ)于系統(tǒng)內(nèi)部的這些數(shù)據(jù)優(yōu)先保存至預(yù)定存儲(chǔ)器中。提高重要數(shù)據(jù)的保存效率。
[0035]在一個(gè)優(yōu)選地實(shí)施例中，依據(jù)保護(hù)機(jī)制程序?qū)⒃诠╇婋娫窗l(fā)生掉電之前存儲(chǔ)的掉電數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到預(yù)定存儲(chǔ)器中包括:優(yōu)先將掉電數(shù)據(jù)中重要程度超過預(yù)定值的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到預(yù)定存儲(chǔ)器中。即，預(yù)先存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)在存儲(chǔ)時(shí)會(huì)進(jìn)行重要度的劃分，重要度高的數(shù)據(jù)會(huì)在掉電時(shí)優(yōu)先進(jìn)行存儲(chǔ)，重要度較低的數(shù)據(jù)可以進(jìn)行一些壓縮處理，并且可以在重要度高的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)完之后，再進(jìn)行存儲(chǔ)。保證重要數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的完整性。
[0036]其中，上述的預(yù)定存儲(chǔ)器可以包括高速非易失性存儲(chǔ)器，該高速非易失性存儲(chǔ)器可以包括以下存儲(chǔ)器至少之一:串行非易失性閃存SPI NOR FLASH、相變隨機(jī)存儲(chǔ)PRAM、可變電阻式存儲(chǔ)器RRAM、鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器FRAM、磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器MRAM。其中，串行非易失性閃存(Serial Peripheral Interface NOR FLASH，簡稱為 SPI NOR FLASH)的容量已經(jīng)超過64M字節(jié)，雙倍數(shù)據(jù)速率(Double Date Rate，簡稱為DDR)模式下的SPI NOR FLASH讀寫速度可以達(dá)到每秒幾千萬字節(jié)，這個(gè)速度十倍于并行的NOR FLASH。圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的SPI NOR FLASH的芯片結(jié)構(gòu)圖，如圖2所示，該芯片的設(shè)計(jì)相對(duì)簡單，相對(duì)于傳統(tǒng)的并行非易失閃存NOR Flash而言，SPI NOR FLASH只需