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      透明導(dǎo)電觸控薄膜制作方法及其制品的制作方法

      文檔序號(hào):9810074閱讀:527來源:國(guó)知局
      透明導(dǎo)電觸控薄膜制作方法及其制品的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及觸控屏制作技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種透明導(dǎo)電觸控薄膜制作方法及其制品O
      【背景技術(shù)】
      [0002]目前市場(chǎng)上觸控屏幕的導(dǎo)電觸控技術(shù)采用較多的是電容式觸摸屏,電容式觸摸屏的構(gòu)造主要是在玻璃屏幕上鍍一層透明的金屈薄膜導(dǎo)體層ιτο(目前的透明導(dǎo)電材料一一氧化銦錫),再在導(dǎo)體層外加上一塊非常薄的堅(jiān)硬的保護(hù)玻璃(一塊四層復(fù)合玻璃屏),這層玻璃顯然是不導(dǎo)電的,直流導(dǎo)電是不行了,改用高頻交流信號(hào),靠人的手指頭(隔著薄玻璃)與工作面形成的耦合電容來吸走一個(gè)交流電流,這就是電容屏“電容”名字的由來:靠耦合電容來工作。電容式觸摸屏在玻璃表面貼上一層透明的特殊金屈導(dǎo)電物質(zhì)(即ΙΤ0,中文名稱:氧化銦錫)。當(dāng)手指觸摸在金屈層上時(shí),觸點(diǎn)的電容就會(huì)發(fā)生變化,使得與之相連的振蕩器頻率發(fā)生變化,通過測(cè)量頻率變化可以確定觸摸位置獲得信息。
      [0003]目前ITO膜層之電阻率一般在5*10 4(46)左右,最好可達(dá)5*10 5(45),已接近金屈的電阻率,在實(shí)際應(yīng)用時(shí),常以方塊電阻來表征ITO的導(dǎo)電性能,其透過率則可達(dá)90%以上,ITO膜之透過率和阻值分別由Ιη203與Sn203之比例控制,增加氧化錮比例則可提高ITO之透過率,通常Sn203: In203 = I: 9,因?yàn)檠趸a之厚度超過200時(shí),通常透明度已不夠好,雖然導(dǎo)電性能很好。
      [0004]如果是電流平行流經(jīng)ITO脫層的情形,其中d為膜厚,I為電流,LI為在電流方向上膜厚層長(zhǎng)度,L2為在垂直于電流方向上的膜層長(zhǎng)度,當(dāng)電流流過方形導(dǎo)電膜時(shí),該層電阻R = PLl/dL2式中P為導(dǎo)電膜之電阻率,對(duì)于給定膜層,P和d可視為定值,P/d,當(dāng)LI = L2時(shí),正方形膜層無論方塊大小如何,其電阻均為定值P/d,此即方塊電阻定義:R □= P/d,式中R □單位為:奧姆/ □ ( Ω / □),由此可所出方塊電阻與ITO膜層電阻率P和ITO膜厚d有關(guān)且ITO膜阻值越低,膜厚越大。
      [0005]目前在高檔STN液晶顯示屏中所用ITO玻璃,其R □可達(dá)10 Ω/ □左右,膜厚為100-200 μ m,而一般低檔TN產(chǎn)品的ITO玻璃R □為100-300 Ω / 口,膜厚為20-30 μ m。在進(jìn)行LCD走線設(shè)計(jì)時(shí),由ITO阻計(jì)算方式,可知影響ITO阻值有如下因素:1。ITO玻璃之方塊電阻;要確保走線電阻小,應(yīng)該讓ITO玻璃方塊電阻小,因?yàn)镽 □ = P/d,則必須選P小,d適當(dāng)大些的材料。L1/L2 ;L1/L2即走線在平行電流方向與垂直電流方向上的長(zhǎng)度比,在R □一定時(shí),要保證走線電阻值小,就要讓L1/L2小,當(dāng)LI 一定時(shí),只有增大L2,也說法是在設(shè)計(jì)時(shí),走線應(yīng)盡可能加寬;而當(dāng)L2 —定時(shí),LI就要小,即走線寬度一定時(shí),細(xì)線應(yīng)盡可能短。在LCD顯示屏設(shè)計(jì)當(dāng)中,不僅要考慮走線布對(duì)ITO阻值的影響,還要考慮生產(chǎn)工藝對(duì)ITO阻值的影響,以便選擇適當(dāng)方塊電阻的ITO玻璃,以便設(shè)計(jì)到制作的全面控制,生產(chǎn)高對(duì)比的IXD產(chǎn)品,這時(shí)高占空比及COG產(chǎn)品尤為重要,如ITO膜厚的均勻性,因?yàn)镮TO的耙材及工藝較為穩(wěn)定,會(huì)使同樣長(zhǎng)度與寬度的ITO阻值發(fā)生變化,如目標(biāo)值為10 Ω時(shí),其R □范圍在8-12Ω之間,所以在生產(chǎn)中要使用ITO膜厚均勻的導(dǎo)電玻璃,以減少電阻的變化,其次為ITO玻璃的耐高溫時(shí)性,酸堿性,因?yàn)橥ǔCD生產(chǎn)工藝中要使用高溫烘烤及各種酸堿液的浸泡,而一般在300°C *30min的環(huán)境中,會(huì)使R □增大2_3倍,而在1wt% Na0H*5min及6wt% HCL*2min(60°C )下也會(huì)增到I。I倍左右,由此可知,在生產(chǎn)工藝中不宜采用高溫生產(chǎn)及酸堿的長(zhǎng)時(shí)清洗,若無法避免,則應(yīng)盡量在低溫下進(jìn)行并盡量縮短動(dòng)作時(shí)間。4。由于在液晶顯示器中,ITO方塊電阻等效于電路圖中的分壓電阻,其阻值大小直接影響電路兩端電壓的大小,即方塊電阻越大,LCD值電壓越大。有數(shù)據(jù)表明,ITO之方塊電阻由100 Ω / 口降至60 Ω/口。(Cell Gap為6 μπι)左右,Vth值會(huì)降低O。03V左右。
      [0006]以上為氧化銦錫(ITO)的生產(chǎn)工藝以及工作原理,在實(shí)際生產(chǎn)中氧化銦錫中的銦為稀有金屈,價(jià)格高昂且供應(yīng)受限,同時(shí)由于資源稀缺性,價(jià)格不斷攀高,必將導(dǎo)致成本不斷上升;其次ITO層的脆弱和柔韌性缺乏也導(dǎo)致實(shí)際應(yīng)用中的可拓展性較差,ITO的不可撓性,易脆,折彎后面阻值不穩(wěn)定或劇烈跳升均使其應(yīng)用范圍受到限制;還有昂貴的層沉積復(fù)雜的工藝必須要求真空環(huán)境下完成,這些也導(dǎo)致生產(chǎn)成本增加,生產(chǎn)良率的下降等一系列因素的影響。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0007]鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn),本發(fā)明的目的在于提供透明導(dǎo)電觸控薄膜制作方法及其制品,解決現(xiàn)有觸摸顯示屏制造技術(shù)中采用ITO膜所存在的問題。
      [0008]為實(shí)現(xiàn)上述目標(biāo)及其他相關(guān)目標(biāo),本發(fā)明提供一種透明導(dǎo)電觸控薄膜制作方法,包括:提供PET原膜,所述PET原膜一面為OCA光學(xué)膠;在所述OCA光學(xué)膠所在一面的另一面印上納米導(dǎo)電材料;在印有納米導(dǎo)電材料的一面涂覆硅膠并覆蓋PET保護(hù)膜;在PET膜的邊緣處絲網(wǎng)印刷上靶標(biāo)點(diǎn);根據(jù)所述靶標(biāo)點(diǎn)將對(duì)絲網(wǎng)印刷后的PET膜進(jìn)行熱轉(zhuǎn)印印刷;根據(jù)所述靶標(biāo)點(diǎn)通過模切機(jī)將熱轉(zhuǎn)印印刷后的PET膜按預(yù)定形狀進(jìn)行模切成型。
      [0009]可選的,所述透明導(dǎo)電觸控薄膜制作方法,還包括:將所述模切成型后的PET膜同預(yù)設(shè)產(chǎn)品印刷結(jié)果、外形尺寸作比對(duì),并剔除比對(duì)不合格的PET膜。
      [0010]可選的,所述透明導(dǎo)電觸控薄膜制作方法,還包括:對(duì)所述比對(duì)合格的制品進(jìn)行撕手位標(biāo)簽張貼。
      [0011]可選的,所述PET原膜厚50 μ??,所述涂覆娃膠厚25 μπι,所述納米導(dǎo)電材料厚
      5-8 μ mD
      [0012]可選的,所述納米導(dǎo)電材料為納米銀線、ΙΤ0、或納米碳管中的任意一種。
      [0013]可選的,所述靶標(biāo)點(diǎn)大小為3*3mm。
      [0014]可選的,在所述印納米導(dǎo)電材料的步驟后,還包括對(duì)PET膜進(jìn)行光學(xué)處理以增加透過率
      [0015]可選的,通過所述熱轉(zhuǎn)印將操作說明印制在PET膜表面。
      [0016]為實(shí)現(xiàn)上述目標(biāo)及其他相關(guān)目標(biāo),本發(fā)明提供一種透明導(dǎo)電觸控薄膜,應(yīng)用如前所述的透明導(dǎo)電觸控薄膜制作方法所制得。
      [0017]為實(shí)現(xiàn)上述目標(biāo)及其他相關(guān)目標(biāo),本發(fā)明提供一種觸摸顯示屏制作方法,包括:如前所述的透明導(dǎo)電觸控薄膜制作方法;所述觸摸顯示屏制作方法還包括:將模切成型后的PET膜轉(zhuǎn)移至無塵車間進(jìn)行對(duì)玻璃的真空貼合,其中,所述貼合指的是令PET膜具有OCA光學(xué)膠的一面與玻璃貼合。
      [0018]可選的,所述玻璃厚度為0.2mm或0.33mm。
      [0019]為實(shí)現(xiàn)上述目標(biāo)及其他相關(guān)目標(biāo),本發(fā)明提供一種觸摸顯示屏,應(yīng)用如前所述的觸摸顯示屏制作方法所制得。
      [0020]如上所述,本發(fā)明提供的透明導(dǎo)電觸控薄膜制作方法及其制品,是通過提供PET原膜,PET原膜一面為OCA光學(xué)膠;在所述OCA光學(xué)膠所在一面的另一面印上納米導(dǎo)電材料;在印有納米導(dǎo)電材料的一面涂覆硅膠并覆蓋PET保護(hù)膜;在PET膜的邊緣處絲網(wǎng)印刷上靶標(biāo)點(diǎn);根據(jù)靶標(biāo)點(diǎn)將對(duì)絲網(wǎng)印刷后的PET膜進(jìn)行熱轉(zhuǎn)印印刷;根據(jù)靶標(biāo)點(diǎn)通過模切機(jī)將熱轉(zhuǎn)印印刷后的PET膜按預(yù)定形狀進(jìn)行模切成型,爾后貼合PET膜和玻璃以配合完成觸摸顯示屏的制作,優(yōu)點(diǎn)如下:
      [0021]1、本發(fā)明產(chǎn)品的生產(chǎn)環(huán)境可在無塵凈化環(huán)境下完成,且在透明導(dǎo)電觸控薄膜制作方法中的無塵級(jí)別不低于I萬級(jí);
      [0022]2、本發(fā)明提供的觸控感測(cè)材料為銀,觸控感測(cè)線路形式為納米銀絲,觸控感測(cè)厚度為0.1-1.0μπι,而較易控制的厚度使整體制造技術(shù)難度下降,成品良率大幅提升;
      [0023]2、本發(fā)明提供產(chǎn)品面阻抗值可以做到< 50ο μπι/sq ;
      [0024]3、本發(fā)明替代基膜為PET膜,其和納米導(dǎo)電材料結(jié)合后的觸控表面可撓性優(yōu)良,彎曲后面阻抗值無任何影響;本發(fā)明使用材料之基材穩(wěn)定性較高,面阻值不會(huì)受任何影響。
      [0025]4、本發(fā)明的生產(chǎn)工藝與傳統(tǒng)制作工藝不同,采用一種新的制作工藝方法對(duì)智能導(dǎo)電觸控薄膜進(jìn)行生產(chǎn)加工,本發(fā)明工藝結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,操作方便,科學(xué)先進(jìn),經(jīng)濟(jì)實(shí)用,生產(chǎn)工藝中環(huán)節(jié)較易控制,整體投入成本對(duì)比傳統(tǒng)ITO生產(chǎn)工藝大幅降低,而產(chǎn)品良率和穩(wěn)定性提升較高。
      【附圖說明】
      [0026]圖1顯示為本發(fā)明一實(shí)施例中透明導(dǎo)電觸控薄膜制作方法的流程示意圖。
      [0027]圖2顯示為本發(fā)明一實(shí)施例中觸摸顯示屏制作方法的流程示意圖。
      [0028]圖3顯示為本發(fā)明一實(shí)施例中觸摸顯示屏制作方法的流程示意圖。
      [0029]圖4顯示為本發(fā)明一實(shí)施例中觸摸顯示屏制作方法的流程示意圖。
      [0030]元件標(biāo)號(hào)說明
      [0031]SI?S9方法步驟
      【具體實(shí)施方式】
      [0032]以下通過特定的具體實(shí)例說明本發(fā)明的實(shí)施方式,本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本發(fā)明還可以通過另外不同的【具體實(shí)施方式】加以實(shí)施或應(yīng)用,本說明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用,在沒有背離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。需說明的是,在不沖突的情況下,本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。
      [0033]如圖1所示,本發(fā)明提供一種透明導(dǎo)電觸控薄膜制作方法,包括:
      [0034]步驟S1:提供PET原膜,所述PET原膜一面為OCA光學(xué)膠。
      [0035]在一實(shí)施例中,本發(fā)明采用PET膜(polyester film,聚
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